JPH0921969A - マルチビーム検出装置 - Google Patents
マルチビーム検出装置Info
- Publication number
- JPH0921969A JPH0921969A JP19241595A JP19241595A JPH0921969A JP H0921969 A JPH0921969 A JP H0921969A JP 19241595 A JP19241595 A JP 19241595A JP 19241595 A JP19241595 A JP 19241595A JP H0921969 A JPH0921969 A JP H0921969A
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- light
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- scanned
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マルチビームにおいて光検出素子に同時に複
数の光ビームが入射しないようにする。 【構成】 タイミング検知用センサ１２は縦長の形状を
しており、点光源１から出射された第１ビームL1と第２
ビームL2の内側ピッチｂに対して、センサ幅ａはａ＜ｂ
の関係にある。このように設定することにより、第１ビ
ームL1と第２ビームL2のセンサ出力を分離することがで
きるので、それぞれの光ビームのタイミングを正確に検
知することができる。
数の光ビームが入射しないようにする。 【構成】 タイミング検知用センサ１２は縦長の形状を
しており、点光源１から出射された第１ビームL1と第２
ビームL2の内側ピッチｂに対して、センサ幅ａはａ＜ｂ
の関係にある。このように設定することにより、第１ビ
ームL1と第２ビームL2のセンサ出力を分離することがで
きるので、それぞれの光ビームのタイミングを正確に検
知することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチラインを同
時に主走査する場合において、各走査を行う光ビームを
それぞれ検出するマルチビーム検出装置に関するもので
ある。
時に主走査する場合において、各走査を行う光ビームを
それぞれ検出するマルチビーム検出装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来から、２個の半導体レーザー光源か
ら書き込み用の光ビームを得て、各光ビームの被走査面
上における走査位置を副走査方向に所定ピッチずらし、
光ビームを画像情報に応じてオン・オフ変調させなが
ら、２ラインを同時に主走査する記録方法が知られてい
る。
ら書き込み用の光ビームを得て、各光ビームの被走査面
上における走査位置を副走査方向に所定ピッチずらし、
光ビームを画像情報に応じてオン・オフ変調させなが
ら、２ラインを同時に主走査する記録方法が知られてい
る。
【０００３】このような記録方法では、各光ビームによ
る主走査の起点を正確に揃えないと、良好な記録画像を
得ることができない。従って、各光ビームによる主走査
の起点を揃えるために、２本の光ビームを極めて高精度
に調整した後に偏向手段により偏向し、主走査に先立っ
て偏向した２本の光ビームを同一の光検出素子で検出
し、その検出結果に基づいて各光ビームとも同一のタイ
ミングで主走査を開始するようにしている。
る主走査の起点を正確に揃えないと、良好な記録画像を
得ることができない。従って、各光ビームによる主走査
の起点を揃えるために、２本の光ビームを極めて高精度
に調整した後に偏向手段により偏向し、主走査に先立っ
て偏向した２本の光ビームを同一の光検出素子で検出
し、その検出結果に基づいて各光ビームとも同一のタイ
ミングで主走査を開始するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の従
来例においては、光ビームの合成を高精度化するには限
度があり、たとえ高精度に合成することができても、振
動や汚れ等の作用により経時的に合成の精度が低下する
ので、各光ビームによる主走査の起点を常に安定して揃
えておくことは困難である。また、１つの光検出素子に
複数のビームを同時に照射しているために、それぞれの
光量が、汚れ、振動等によってばらつきが生じて、高精
度な検出が困難となる。
来例においては、光ビームの合成を高精度化するには限
度があり、たとえ高精度に合成することができても、振
動や汚れ等の作用により経時的に合成の精度が低下する
ので、各光ビームによる主走査の起点を常に安定して揃
えておくことは困難である。また、１つの光検出素子に
複数のビームを同時に照射しているために、それぞれの
光量が、汚れ、振動等によってばらつきが生じて、高精
度な検出が困難となる。
【０００５】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
マルチビームにおいて光検出素子に同時に複数の光ビー
ムが当たることがないようにして、高精度の検出ができ
るようにしたマルチビーム検出装置を提案することにあ
る。
マルチビームにおいて光検出素子に同時に複数の光ビー
ムが当たることがないようにして、高精度の検出ができ
るようにしたマルチビーム検出装置を提案することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１発明に係るマルチビーム検出装置は、少なくとも
１個以上の半導体レーザー光源からデータ書き込み用の
光ビームを出射し、各光ビームの被走査面上における走
査位置を副走査方向に所定のピッチずらして複数ライン
を同時に主走査して記録する際に、各光ビームによる主
走査のタイミング制御のために、主走査に先立って各光
ビームの通過を検出するマルチビーム検出装置におい
て、光ビームを受光して電気信号を出力する光検出素子
のセンサ面の幅を同時に走査する各光ビームの内側ピッ
チよりも小さくしたことを特徴とする。
の第１発明に係るマルチビーム検出装置は、少なくとも
１個以上の半導体レーザー光源からデータ書き込み用の
光ビームを出射し、各光ビームの被走査面上における走
査位置を副走査方向に所定のピッチずらして複数ライン
を同時に主走査して記録する際に、各光ビームによる主
走査のタイミング制御のために、主走査に先立って各光
ビームの通過を検出するマルチビーム検出装置におい
て、光ビームを受光して電気信号を出力する光検出素子
のセンサ面の幅を同時に走査する各光ビームの内側ピッ
チよりも小さくしたことを特徴とする。
【０００７】第２発明に係るマルチビーム検出装置は、
少なくとも１個以上の半導体レーザー光源からデータ書
き込み用の光ビームを出射し、各光ビームの被走査面上
における走査位置を副走査方向に所定のピッチずらして
複数ラインを同時に主走査して記録する際に、各光ビー
ムによる主走査のタイミング制御のために、主走査に先
立って各光ビームの通過を検出するマルチビーム検出装
置において、光ビームを受光して電気信号を出力する光
検出素子のセンサ面の直前に長方形開口を有するスリッ
ト部材を設け、前記長方形開口を前記センサ面よりも十
分小さくし、前記長方形開口の光ビーム走査方向の幅を
同時に走査する各光ビームの内側ピッチよりも小さくし
たことを特徴とする。
少なくとも１個以上の半導体レーザー光源からデータ書
き込み用の光ビームを出射し、各光ビームの被走査面上
における走査位置を副走査方向に所定のピッチずらして
複数ラインを同時に主走査して記録する際に、各光ビー
ムによる主走査のタイミング制御のために、主走査に先
立って各光ビームの通過を検出するマルチビーム検出装
置において、光ビームを受光して電気信号を出力する光
検出素子のセンサ面の直前に長方形開口を有するスリッ
ト部材を設け、前記長方形開口を前記センサ面よりも十
分小さくし、前記長方形開口の光ビーム走査方向の幅を
同時に走査する各光ビームの内側ピッチよりも小さくし
たことを特徴とする。
【０００８】上述の構成を有する第１発明のマルチビー
ム検出装置は、少なくとも１個以上の半導体レーザー光
源からデータ書き込み用の複数本の光ビームを出射し、
各光ビームを被走査面上における主走査位置を副走査方
向に所定ピッチずらし、複数ラインを同時に主走査して
記録する際に、主走査に先立って、同時に走査する各光
ビームの内側ピッチよりも小さい幅のセンサ面を有する
光検出素子で各光ビームの通過を検出する。
ム検出装置は、少なくとも１個以上の半導体レーザー光
源からデータ書き込み用の複数本の光ビームを出射し、
各光ビームを被走査面上における主走査位置を副走査方
向に所定ピッチずらし、複数ラインを同時に主走査して
記録する際に、主走査に先立って、同時に走査する各光
ビームの内側ピッチよりも小さい幅のセンサ面を有する
光検出素子で各光ビームの通過を検出する。
【０００９】第２発明のマルチビーム検出装置は、少な
くとも１個以上の半導体レ−ザからデ−タ書き込み用の
複数本光ビ−ムを出射し、各ビ−ムを被走査面における
主走査位量を副走査方向に所定ピッチずらし、複数ライ
ンを同時に主走査して記録する際に、光検出素子のセン
サ面の直前に長方形開口を有するスリット部材を配置
し、主走査に先立って、光検出素子のセンサ面よりも十
分小さくかつ同時に走査する各光ビームの内側ピッチよ
り小さい長方形開口を介して、各光ビームの通過を検出
する。
くとも１個以上の半導体レ−ザからデ−タ書き込み用の
複数本光ビ−ムを出射し、各ビ−ムを被走査面における
主走査位量を副走査方向に所定ピッチずらし、複数ライ
ンを同時に主走査して記録する際に、光検出素子のセン
サ面の直前に長方形開口を有するスリット部材を配置
し、主走査に先立って、光検出素子のセンサ面よりも十
分小さくかつ同時に走査する各光ビームの内側ピッチよ
り小さい長方形開口を介して、各光ビームの通過を検出
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明を図示の実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は第１の実施例の構成図を示し、
半導体レーザー光源から成る単一の点光源１の前方に
は、光束を発散状態から平行状態へ変換するコリメータ
レンズ２、絞り形状に従ってビーム径を決定する開口絞
り３、一方向にのみ収束作用を行って線状に集光させる
シリンドリカルレンズ４、高速回転しているポリゴンミ
ラー５が順次に配列されており、ポリゴンミラー５はモ
ータ６により回転駆動されている。
詳細に説明する。図１は第１の実施例の構成図を示し、
半導体レーザー光源から成る単一の点光源１の前方に
は、光束を発散状態から平行状態へ変換するコリメータ
レンズ２、絞り形状に従ってビーム径を決定する開口絞
り３、一方向にのみ収束作用を行って線状に集光させる
シリンドリカルレンズ４、高速回転しているポリゴンミ
ラー５が順次に配列されており、ポリゴンミラー５はモ
ータ６により回転駆動されている。
【００１１】ポリゴンミラー５の反射方向には、球面レ
ンズ７、トーリックレンズを構成するｆθレンズ８、感
光体ドラム９が順次に配列されており、ｆθレンズ８と
感光体ドラム９の間には、ｆθレンズ８の画像有効部か
らの光ビームＬの方向に固定ミラー１０が配置され、固
定ミラー１０の反射方向に集光レンズ１１、タイミング
検知用センサ１２が配列されている。
ンズ７、トーリックレンズを構成するｆθレンズ８、感
光体ドラム９が順次に配列されており、ｆθレンズ８と
感光体ドラム９の間には、ｆθレンズ８の画像有効部か
らの光ビームＬの方向に固定ミラー１０が配置され、固
定ミラー１０の反射方向に集光レンズ１１、タイミング
検知用センサ１２が配列されている。
【００１２】点光源１からのレーザー光は発散しながら
出射され、コリメータレンズ２を透過することにより平
行光に変換される。コリメータレンズ２を出射した光束
は開口絞り３の形状によってビーム径が決められ、シリ
ンドリカルレンズ４を透過することによって一方向だけ
収束作用を受けて、ポリゴンミラー５上に線状に集光さ
れる。高速で回転しているポリゴンミラー５の鏡面で反
射された光ビームは、モータ６の回転に伴って偏向走査
され、球面レンズ７、ｆθレンズ８を透過して感光体ド
ラム９上に微小な光スポットとして結像される。
出射され、コリメータレンズ２を透過することにより平
行光に変換される。コリメータレンズ２を出射した光束
は開口絞り３の形状によってビーム径が決められ、シリ
ンドリカルレンズ４を透過することによって一方向だけ
収束作用を受けて、ポリゴンミラー５上に線状に集光さ
れる。高速で回転しているポリゴンミラー５の鏡面で反
射された光ビームは、モータ６の回転に伴って偏向走査
され、球面レンズ７、ｆθレンズ８を透過して感光体ド
ラム９上に微小な光スポットとして結像される。
【００１３】ポリゴンミラー５で等角速度で偏向走査さ
れた光ビームは、ｆθレンズ８を透過することにより、
感光体ドラム９上で光スポットが等速度で走査されるよ
うに変換され、光スポットは感光体ドラム９上を矢印の
方向に繰り返し走査される。このとき、ｆθレンズ８の
画像有効部を通った光ビームＬは固定ミラー１０で反射
され、集光レンズ１１を介してタイミング検知用センサ
１２に導かれる。このようにして、ポリゴンミラー５の
反射面の分割誤差により、繰り返し走査時に生ずる情報
書込みのタイミングずれを、各反射面で偏向走査された
先頭部の光ビームを検知することにより認識する。
れた光ビームは、ｆθレンズ８を透過することにより、
感光体ドラム９上で光スポットが等速度で走査されるよ
うに変換され、光スポットは感光体ドラム９上を矢印の
方向に繰り返し走査される。このとき、ｆθレンズ８の
画像有効部を通った光ビームＬは固定ミラー１０で反射
され、集光レンズ１１を介してタイミング検知用センサ
１２に導かれる。このようにして、ポリゴンミラー５の
反射面の分割誤差により、繰り返し走査時に生ずる情報
書込みのタイミングずれを、各反射面で偏向走査された
先頭部の光ビームを検知することにより認識する。
【００１４】図２はタイミング検知用センサ１２の拡大
図を示し、タイミング検知用センサ１２は縦長の形状を
しており、点光源１から出射された第１ビームL1と第２
ビームL2の内側ピッチｂに対して、センサ幅ａはａ＜ｂ
の関係にある。このように設定することにより、第１ビ
ームL1と第２ビームL2のセンサ出力O1、O2を、図３に示
すように分離することができるので、それぞれの光ビー
ムのタイミングを正確に検知することができる。
図を示し、タイミング検知用センサ１２は縦長の形状を
しており、点光源１から出射された第１ビームL1と第２
ビームL2の内側ピッチｂに対して、センサ幅ａはａ＜ｂ
の関係にある。このように設定することにより、第１ビ
ームL1と第２ビームL2のセンサ出力O1、O2を、図３に示
すように分離することができるので、それぞれの光ビー
ムのタイミングを正確に検知することができる。
【００１５】また、第１ビームL1と第２ビームL2の副走
査方向のピッチｃは走査密度に応じて設定され、点光源
１、コリメーターレンズ２、開口絞り３から成るレーザ
ーユニットを回転させてその値に調整している。更に、
第１ビームL1及び第２ビームL2の内側ピッチｂは約２ｍ
ｍで、この値は点光源１に形成された複数の発光点の間
隔約１００μｍと光学系の倍率約２０倍とから算出で
き、センサ１２の幅は１．５ｍｍ程度になっていればよ
い。
査方向のピッチｃは走査密度に応じて設定され、点光源
１、コリメーターレンズ２、開口絞り３から成るレーザ
ーユニットを回転させてその値に調整している。更に、
第１ビームL1及び第２ビームL2の内側ピッチｂは約２ｍ
ｍで、この値は点光源１に形成された複数の発光点の間
隔約１００μｍと光学系の倍率約２０倍とから算出で
き、センサ１２の幅は１．５ｍｍ程度になっていればよ
い。
【００１６】以上は２個の発光点を有する半導体レーザ
ー光源の場合について説明したが、３個以上の発光点を
有する半導体レーザー光源についても同様に適用でき、
更にそれぞれ単一の発光点を有する複数個の半導体レー
ザー光源を用いて、複数のレーザー光を同時に走査させ
る場合にも適用することができる。なお、この場合には
複数の光ビームが光偏向装置によって走査されるとき
に、走査方向に約２ｍｍ程度の差を有するように、光偏
向装置への光ビーム入射位置を設定する等の方法で対応
することができる。
ー光源の場合について説明したが、３個以上の発光点を
有する半導体レーザー光源についても同様に適用でき、
更にそれぞれ単一の発光点を有する複数個の半導体レー
ザー光源を用いて、複数のレーザー光を同時に走査させ
る場合にも適用することができる。なお、この場合には
複数の光ビームが光偏向装置によって走査されるとき
に、走査方向に約２ｍｍ程度の差を有するように、光偏
向装置への光ビーム入射位置を設定する等の方法で対応
することができる。
【００１７】図４は第２の実施例を示し、集光レンズ１
３とタイミング検知用センサ１４の間に長方形開口１５
ａを有するスリット板１５が設けられている。タイミン
グ検知用センサ１４のセンサ面１４ａは開口１５ａに比
べて十分に大きく、開口１５ａの幅ｄは第１ビームL1と
第２ビームL2の内側ピッチｅよりも小さくなっている。
そして、集光レンズ１３、スリット板１５、タイミング
検知用センサ１４はほぼ同一中心軸上に配列されてい
る。
３とタイミング検知用センサ１４の間に長方形開口１５
ａを有するスリット板１５が設けられている。タイミン
グ検知用センサ１４のセンサ面１４ａは開口１５ａに比
べて十分に大きく、開口１５ａの幅ｄは第１ビームL1と
第２ビームL2の内側ピッチｅよりも小さくなっている。
そして、集光レンズ１３、スリット板１５、タイミング
検知用センサ１４はほぼ同一中心軸上に配列されてい
る。
【００１８】ポリゴンミラーによって走査される第１ビ
ームL1と第２ビームL2は、集光レンズ１３によってスリ
ット板１５のほぼ表面に結像され、第１ビームL1と第２
ビームL2がスリット板１５の開口１５ａを通過するとき
に、タイミング検知用センサ１４は電気信号を発生す
る。このときの第１ビームL1と第２ビームL2のセンサ出
力は図２に示すように分離しているので、それぞれの検
知タイミングを正確に求めることができる。
ームL1と第２ビームL2は、集光レンズ１３によってスリ
ット板１５のほぼ表面に結像され、第１ビームL1と第２
ビームL2がスリット板１５の開口１５ａを通過するとき
に、タイミング検知用センサ１４は電気信号を発生す
る。このときの第１ビームL1と第２ビームL2のセンサ出
力は図２に示すように分離しているので、それぞれの検
知タイミングを正確に求めることができる。
【００１９】このように、スリット板１５によって走査
される複数の光ビームのセンサ出力を分離することによ
り、タイミング検知用センサ１４として特別なセンサ部
を必要としないので、タイミング検知用センサ１４の選
択に自由度を持たせることができる。
される複数の光ビームのセンサ出力を分離することによ
り、タイミング検知用センサ１４として特別なセンサ部
を必要としないので、タイミング検知用センサ１４の選
択に自由度を持たせることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように第１発明に係るマル
チビーム検出装置は、各光ビームの内側ピッチよりも光
検出素子のセンサ面の幅を小さくしてあるので、光検出
素子に同時に複数の光ビームが入射することなく、複数
の光ビームのタイミングを分離して検知することがで
き、正確な光走査を行うことができる。
チビーム検出装置は、各光ビームの内側ピッチよりも光
検出素子のセンサ面の幅を小さくしてあるので、光検出
素子に同時に複数の光ビームが入射することなく、複数
の光ビームのタイミングを分離して検知することがで
き、正確な光走査を行うことができる。
【００２１】第２発明に係るマルチビーム検出装置は、
スリット部材の長方形開口を光検出素子のセンサ面より
も十分に小さくし、かつ長方形開口の光ビーム走査方向
の幅を各光ビームの内側ピッチよりも小さくしたことに
より、光検出素子に同時に複数の光ビームが入射するこ
となく、複数の光ビームのタイミングを分離して検知す
ることができ、正確な光走査を行うことができる。
スリット部材の長方形開口を光検出素子のセンサ面より
も十分に小さくし、かつ長方形開口の光ビーム走査方向
の幅を各光ビームの内側ピッチよりも小さくしたことに
より、光検出素子に同時に複数の光ビームが入射するこ
となく、複数の光ビームのタイミングを分離して検知す
ることができ、正確な光走査を行うことができる。
【図１】第１の実施例の斜視図である。
【図２】タイミング検知用センサの説明図である。
【図３】センサの出力波形のグラフ図である。
【図４】第２の実施例の斜視図である。
【符号の説明】 １ 半導体レーザー光源点光源 ２ コリメータレンズ ３ 開口絞り ４ シリンドリカルレンズ ５ ポリゴンミラー ８ トーリックレンズ ９ 感光体 １２、１４ タイミング検知用センサ １５ スリット板
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも１個以上の半導体レーザー光
源からデータ書き込み用の光ビームを出射し、各光ビー
ムの被走査面上における走査位置を副走査方向に所定の
ピッチずらして複数ラインを同時に主走査して記録する
際に、各光ビームによる主走査のタイミング制御のため
に、主走査に先立って各光ビームの通過を検出するマル
チビーム検出装置において、光ビームを受光して電気信
号を出力する光検出素子のセンサ面の幅を同時に走査す
る各光ビームの内側ピッチよりも小さくしたことを特徴
とするマルチビーム検出装置。 - 【請求項２】 少なくとも１個以上の半導体レーザー光
源からデータ書き込み用の光ビームを出射し、各光ビー
ムの被走査面上における走査位置を副走査方向に所定の
ピッチずらして複数ラインを同時に主走査して記録する
際に、各光ビームによる主走査のタイミング制御のため
に、主走査に先立って各光ビームの通過を検出するマル
チビーム検出装置において、光ビームを受光して電気信
号を出力する光検出素子のセンサ面の直前に長方形開口
を有するスリット部材を設け、前記長方形開口を前記セ
ンサ面よりも十分小さくし、前記長方形開口の光ビーム
走査方向の幅を同時に走査する各光ビームの内側ピッチ
よりも小さくしたことを特徴とするマルチビーム検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19241595A JPH0921969A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | マルチビーム検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19241595A JPH0921969A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | マルチビーム検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0921969A true JPH0921969A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=16290946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19241595A Pending JPH0921969A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | マルチビーム検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0921969A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362479B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2002-11-25 | 삼성전자 주식회사 | 레이저 스캐닝 유니트 |
| JP2007156150A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
| CN100514211C (zh) | 2005-12-26 | 2009-07-15 | 夏普株式会社 | 激光扫描光学系统及图像形成装置 |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP19241595A patent/JPH0921969A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362479B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2002-11-25 | 삼성전자 주식회사 | 레이저 스캐닝 유니트 |
| JP2007156150A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
| CN100514211C (zh) | 2005-12-26 | 2009-07-15 | 夏普株式会社 | 激光扫描光学系统及图像形成装置 |
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