JPH0580001U - 高周波バンドパスフィルタ - Google Patents
高周波バンドパスフィルタInfo
- Publication number
- JPH0580001U JPH0580001U JP018655U JP1865592U JPH0580001U JP H0580001 U JPH0580001 U JP H0580001U JP 018655 U JP018655 U JP 018655U JP 1865592 U JP1865592 U JP 1865592U JP H0580001 U JPH0580001 U JP H0580001U
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- JP
- Japan
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- plate
- screw hole
- bandpass filter
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- resonator
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 組立,加工が簡単で、調整が容易で、信頼性
の高い高周波バンドパスフィルタを提供することを目的
とする。 【構成】 共振器,位置調整用ねじ穴,コネクタ取付用ね
じ穴及び信号取出用穴が一体形成されたプレート11
と、プレート11を挟持する2枚の蓋20,21とで構
成する。
の高い高周波バンドパスフィルタを提供することを目的
とする。 【構成】 共振器,位置調整用ねじ穴,コネクタ取付用ね
じ穴及び信号取出用穴が一体形成されたプレート11
と、プレート11を挟持する2枚の蓋20,21とで構
成する。
Description
【0001】
本考案は、高周波バンドパスフィルタに関し、更に詳しくは、高周波バンドパ スフィルタの構造に関する。
【0002】
図7は従来の高周波バンドパスフィルタであるコムライン型バンドパスフィル タの部分破断構成図である。図において、1はコネクタ、2は金属薄板のインピ ーダンス変換器、3は金属薄板の共振器、4は共振器3の微調整を行うねじであ る。
【0003】 そして、インピーダンス変換器2,共振器3はスペーサ5,6を介して蓋7,8 によって挟持され、一体化されている。
【0004】
しかし、上記構成によれば、下記のような問題点がある。 コネクタ1及びねじ4は、蓋7,スペーサ5,インピーダンス変換器2,共振 器3,スペーサ6及び蓋8をそれぞれろう付けした後に、形成しなければならず 、組立,加工が煩雑で困難である。
【0005】 共振器3は金属薄板であるので、ねじ4を回して調整を行う場合、共振器3 を変形させる恐れがあり、調整には熟練が必要である。 インピーダンス変換器2と共振器3とは、高い精度の位置調整が必要であり 、工数がかかる。
【0006】 スペーサ5,6と蓋7,8とが形成する直交面(図7において、A部)近傍は電 界が集中する部分であり、ここの抵抗のあるろう付けを行うことにより、バンド パスフィルタの通過帯域損失が悪化する。
【0007】 本考案は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、組立,加工が簡 単で、調整が容易で、信頼性の高い高周波バンドパスフィルタを提供することに ある。
【0008】
上記課題を解決する請求項1記載の考案は、共振器,位置調整用ねじ穴,コネク タ取付用ねじ穴及び信号取出用穴が一体形成されたプレートと、該プレートを挟 持する2枚の蓋とを具備するものである。
【0009】 次に、請求項2記載の考案は、共振器,インピーダンス変換器,位置調整用ねじ 穴,コネクタ取付用ねじ穴及び信号取出用穴が一体形成されたプレートと、該プ レートを挟持する2枚の蓋とを具備するものである。
【0010】
請求項1記載の考案の高周波バンドパスフィルタにおいて、共振器,位置調整 用ねじ穴,コネクタ取付用穴は、プレートに一体形成されているので、組立,加工 が簡単で、調整が容易で、信頼性が高い。
【0011】 請求項2記載の考案の高周波バンドパスフィルタにおいて、共振器,インピー ダンス変換器,位置調整用ねじ穴,コネクタ取付用穴は、プレートに一体形成され ているので、組立,加工が簡単で、調整が容易で、信頼性が高い。
【0012】
次に図面を用いて本考案の一実施例を説明する。図1は本考案の第1の実施例 を説明する部分破断構成図、図2は図1におけるプレートの平面図、図3は図1 における蓋の平面図、図4は図3における右側面図、図5は本考案の第2の実施 例を説明する構成図、図6は本考案の第3の実施例を説明する構成図である。
【0013】 先ず、図1乃至図4を用いて本考案の第1の実施例を説明する。これらの図に おいて、11はプレートである。このプレート11の一方の長辺には、所定の周 波数で共振するように長さが設定された共振部12が、他方の面にはインピーダ ンス変換部13が形成され、また、一方の長辺には共振部12の微調整を行うね じが螺合する位置調整用ねじ穴14が、他方の長辺には、コネクタ取付用ねじ穴 15及びコネクタの信号取出用穴16が形成されている。ここで、共振部12と インピーダンス変換部13との間の間隔は、適切な結合係数を得られるように、 本実施例では、ワイヤ加工機,レーザ加工機等の高精度の加工機を用いて加工を 行った。
【0014】 17はコネクタ取付用ねじ穴15にねじ18を用いて取り付けられるコネクタ である。また、位置調整用ねじ穴14には、共振部12とねじ穴14間の電気容 量調整を行うねじ19が螺合している。
【0015】 そして、プレート11は2枚の蓋20,21によって挟持され、ろう付け,ねじ 等で組立られ、蓋20,21間は電気的に接続されている。 蓋20,21は、図3,4に示すようにスペースを確保するために、フライス, エンドミル等を用いて凹部20a,21aが形成されている。
【0016】 次に、上記構成の作動を説明する。一方のコネクタ17より入力された電気信 号は、電気的に接続されたプレート11を伝搬し、他方のコネクタ17へ伝えら れ、バンドパスフィルタとしての特性が得られる。
【0017】 上記構成によれば、プレート11及び蓋20,21を積層し、ねじ止めやろう 付けをおこなうことで、組付は終了するので、従来に比べて、組付が簡単である 。 共振部12は厚板化されてプレート11上に形成されているので、ねじ19を回 しても共振部12は変形しない。
【0018】 共振部12とインピーダンス変換部13は同一のプレート11に対してワイヤ 加工機,レーザ加工機等の高精度の加工機を用いて加工を行ったことにより、容 易に高精度を得られ、しかも、工数も少なくてすむ。
【0019】 蓋20,21に凹部20a,21aを形成したことにより、角部に抵抗のあるろ う付けを行わなくてよいので、バンドパスフィルタの通過帯域損失の悪化がない 。
【0020】 次に、図5を用いて本考案の第2の実施例を説明する。尚、本実施例において 、第1の実施例と異なる部分はプレートのみであるので、他の部分の説明は省略 する。プレート31には、一方の長辺には共振部32が形成され、他方の長辺に は共振部32の微調整を行うねじが螺合する位置調整用ねじ穴34が形成され、 両方の短辺には、コネクタ取付用ねじ穴35及びコネクタの信号取出用穴36が 形成されている。
【0021】 上記構成よれば、第1の実施例と同様に組立,加工が簡単で、調整が容易で、 信頼性の高い高周波バンドパスフィルタを得ることができる。 次に、図7を用いて本考案の第3の実施例を説明する。尚、本実施例において も、第1の実施例と異なる部分はプレートのみであるので、他の部分の説明は省 略する。
【0022】 プレート41の両方の長辺には、交互に共振部42が形成され、更に一方の長 辺には、これら共振部42を挟むようにインピーダンス変換部43が形成されて いる。
【0023】 また、両方の長辺には共振部42の微調整を行うねじが螺合する位置調整用ね じ穴44が、他方の長辺には、コネクタ取付用ねじ穴45及びコネクタの信号取 出用穴46が形成されている。ここで、共振部42とインピーダンス変換部43 との間の間隔は、適切な結合係数を得られるように、本実施例では、ワイヤ加工 機,レーザ加工機等の高精度の加工機を用いて加工を行った。
【0024】 上記構成よれば、第1の実施例と同様に組立,加工が簡単で、調整が容易で、 信頼性の高い高周波バンドパスフィルタを得ることができる。
【0025】
以上述べたように本考案によれば、組立,加工が簡単で、調整が容易で、信頼 性の高い高周波バンドパスフィルタを提供することを実現することができる。
【図1】本考案の第1の実施例を説明する部分破断構成
図である。
図である。
【図2】図1におけるプレートの平面図である。
【図3】図1における蓋の平面図である。
【図4】図3における右側面図である。
【図5】本考案の第2の実施例を説明する構成図であ
る。
る。
【図6】本考案の第3の実施例を説明する構成図であ
る。
る。
【図7】従来の高周波バンドパスフィルタであるコムラ
イン型バンドパスフィルタの部分破断構成図である。
イン型バンドパスフィルタの部分破断構成図である。
11,31,41 プレート 12,32,42 共振部 13,43 インピーダンス変換部 14,34,44 位置調整用ねじ穴 15,35 コネクタ取付用ねじ穴 16,36 信号取出用穴 20,21 蓋 20a,21a 凹部
Claims (2)
- 【請求項1】 共振器,位置調整用ねじ穴,コネクタ取付
用ねじ穴及び信号取出用穴が一体形成されたプレート
(11)と、 該プレート(11)を挟持する2枚の蓋(20,21)
と、 を具備することを特徴とする高周波バンドパスフィル
タ。 - 【請求項2】 共振器,インピーダンス変換器,位置調整
用ねじ穴,コネクタ取付用ねじ穴及び信号取出用穴が一
体形成されたプレートと、 該プレートを挟持する2枚の蓋と、 を具備することを特徴とする高周波バンドパスフィル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP018655U JPH0580001U (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 高周波バンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP018655U JPH0580001U (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 高周波バンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580001U true JPH0580001U (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=11977638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP018655U Pending JPH0580001U (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 高周波バンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580001U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015521401A (ja) * | 2012-04-19 | 2015-07-27 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 一過性モード電磁波キャビティ共振器のための面内共振器構造 |
| US9178256B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Isotropically-etched cavities for evanescent-mode electromagnetic-wave cavity resonators |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59223002A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | コムライン形ろ波器 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP018655U patent/JPH0580001U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59223002A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | コムライン形ろ波器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015521401A (ja) * | 2012-04-19 | 2015-07-27 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 一過性モード電磁波キャビティ共振器のための面内共振器構造 |
| US9178256B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Isotropically-etched cavities for evanescent-mode electromagnetic-wave cavity resonators |
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