JPH0580141B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0580141B2 JPH0580141B2 JP61149582A JP14958286A JPH0580141B2 JP H0580141 B2 JPH0580141 B2 JP H0580141B2 JP 61149582 A JP61149582 A JP 61149582A JP 14958286 A JP14958286 A JP 14958286A JP H0580141 B2 JPH0580141 B2 JP H0580141B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plating
- bump
- bumps
- current film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はメツキ手段によるフリツプチツプ用
バンプの形成方法に関するものである。
バンプの形成方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、この種のバンプの形成に関してハンダメ
ツキによる方法が例えば特開昭58−92229号公報
に開示されている。
ツキによる方法が例えば特開昭58−92229号公報
に開示されている。
以下はハンダメツキによるハンダパンプ形成の
一例を説明する。第３図の如く半導体ウエハー例
えばSiウエハー１上に形成された下地電極２を覆
つて導電物質によるカレントフイルム３が形成さ
れ、このカレントフイルム３の上記下地電極２と
対応する部分がハンダメツキする部分５となり、
この部分のレジスト４が除去されてメツキ時に電
流が流れるように露出されている。
一例を説明する。第３図の如く半導体ウエハー例
えばSiウエハー１上に形成された下地電極２を覆
つて導電物質によるカレントフイルム３が形成さ
れ、このカレントフイルム３の上記下地電極２と
対応する部分がハンダメツキする部分５となり、
この部分のレジスト４が除去されてメツキ時に電
流が流れるように露出されている。
次に第４図により、上記カレントフイルム３に
電流を流すための治具に対するウエハーの支持例
を示す。Siウエハー１は治具６に常法の如くセツ
トされるが電流を流すためのレジスト４の剥離部
分８を図の如く形成し、第５図に拡大して示すよ
うに上記治具６の金具７をカレントフイルム３と
接続させる。以上の如きウエハーは、第６図に示
すように陰極１０側にSiウエハー１を接続してメ
ツキ浴１１に浸漬し陽極９との間に電流を流す
と、上記カレントフイルム３の上記メツキ部５に
メツキが析出し、ハンダメツキバンプ１２が形成
されるのである。
電流を流すための治具に対するウエハーの支持例
を示す。Siウエハー１は治具６に常法の如くセツ
トされるが電流を流すためのレジスト４の剥離部
分８を図の如く形成し、第５図に拡大して示すよ
うに上記治具６の金具７をカレントフイルム３と
接続させる。以上の如きウエハーは、第６図に示
すように陰極１０側にSiウエハー１を接続してメ
ツキ浴１１に浸漬し陽極９との間に電流を流す
と、上記カレントフイルム３の上記メツキ部５に
メツキが析出し、ハンダメツキバンプ１２が形成
されるのである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、バンプ形成に際して上記の如き
治具６を用いると、第８図に説明図として示すよ
うに電気力線１３の流れがSiウエハー１の端部に
回り込む部分でその密度が高く、即ちその部分で
ハンダメツキの析出量が多くなり、その結果Siウ
エハー１の周囲部分でのハンダバンプ１２ａが大
きく成長しICチツプ中心部のハンダバンプ１２
の大きさに対して不均一になるという問題点があ
つた（第９図）。
治具６を用いると、第８図に説明図として示すよ
うに電気力線１３の流れがSiウエハー１の端部に
回り込む部分でその密度が高く、即ちその部分で
ハンダメツキの析出量が多くなり、その結果Siウ
エハー１の周囲部分でのハンダバンプ１２ａが大
きく成長しICチツプ中心部のハンダバンプ１２
の大きさに対して不均一になるという問題点があ
つた（第９図）。
この発明は従来技術におけるかかるバンプの不
均一となる欠点を解決し、Siウエハー上に均一な
大きさのバンプを形成することのできるフリツプ
チツプ用バンプの成形方法を提供するものであ
る。
均一となる欠点を解決し、Siウエハー上に均一な
大きさのバンプを形成することのできるフリツプ
チツプ用バンプの成形方法を提供するものであ
る。
（問題点を解決するための手段）
この発明は上記問題点を解決するために、半導
体ウエハー上にカレントフイルム及びレジストを
順次積層形成し、レジストを選択的に除去してカ
レントフイルムの露出部を設け、この露出部上に
電気メツキ法によりバンプ形成するに際し、半導
体ウエハーの周辺部にもカレントフイルムの露出
部を設けてバンプメタルのメツキを行うようにし
たものである。
体ウエハー上にカレントフイルム及びレジストを
順次積層形成し、レジストを選択的に除去してカ
レントフイルムの露出部を設け、この露出部上に
電気メツキ法によりバンプ形成するに際し、半導
体ウエハーの周辺部にもカレントフイルムの露出
部を設けてバンプメタルのメツキを行うようにし
たものである。
（作用）
この発明においては以上のように、バンプのメ
ツキによる形成に際して、半導体ウエハーの周辺
部にカレントフイルムの露出部分を設けることに
より、上述の回り込む電気力線の密度増によるメ
ツキをこの部分に析出させ不均一な大きさのバン
プ形成を回避するようにしたものである。
ツキによる形成に際して、半導体ウエハーの周辺
部にカレントフイルムの露出部分を設けることに
より、上述の回り込む電気力線の密度増によるメ
ツキをこの部分に析出させ不均一な大きさのバン
プ形成を回避するようにしたものである。
（実施例）
第１図にこの発明の一実施例によるハンダバン
プ形成方法を示す。上記と同様に治具６によりSi
ウエハー１を支持しメツキを行う。この場合Siウ
エハー１の周囲部においてレジストを略環状に全
て除去し、カレントフイルム３の露出部３ａを設
け治具６の金具７をカレントフイルム３と接続さ
せる。このようなウエハーの支持状態において以
下常法の如くSiウエハーへのメツキ作業を行うこ
とにより、ウエハー１の周囲部分に回り込んでく
る上述した電気力線に起因するメツキを上記露出
部３ａ上に析出させ得る。この結果、第２図に示
すようにSiウエハー１上には概ね均一な大きさの
バンプ１２を形成することができる。なお、本発
明の電気メツキ法を用いたバンプ形成方法は、上
記実施例で述べたハンダバンプの形成の外に、他
の金属バンプ例えば金バンプの形成にも適用可能
なものであり、さらにSiウエハーへのバンプ形成
の外に他の半導体ウエハー、例えばGaAsウエハ
ーへのバンプ形成にも適用可能なものである。
プ形成方法を示す。上記と同様に治具６によりSi
ウエハー１を支持しメツキを行う。この場合Siウ
エハー１の周囲部においてレジストを略環状に全
て除去し、カレントフイルム３の露出部３ａを設
け治具６の金具７をカレントフイルム３と接続さ
せる。このようなウエハーの支持状態において以
下常法の如くSiウエハーへのメツキ作業を行うこ
とにより、ウエハー１の周囲部分に回り込んでく
る上述した電気力線に起因するメツキを上記露出
部３ａ上に析出させ得る。この結果、第２図に示
すようにSiウエハー１上には概ね均一な大きさの
バンプ１２を形成することができる。なお、本発
明の電気メツキ法を用いたバンプ形成方法は、上
記実施例で述べたハンダバンプの形成の外に、他
の金属バンプ例えば金バンプの形成にも適用可能
なものであり、さらにSiウエハーへのバンプ形成
の外に他の半導体ウエハー、例えばGaAsウエハ
ーへのバンプ形成にも適用可能なものである。
（発明の効果）
以上説明したようにこの発明によれば、半導体
ウエハーの周辺部にカレントフイルムの露出部分
を設け、電気メツキ時にこの露出部分に電気力線
（すなわちメツキ電流）を集中させ、この露出部
分の近傍のバンプ形成部への電気力線（すなわち
メツキ電流）の回り込みを防止することができ、
これによりウエハー全面に均一な大きさのバンプ
の形成を可能とし著しく製品歩留りを向上させ得
る。
ウエハーの周辺部にカレントフイルムの露出部分
を設け、電気メツキ時にこの露出部分に電気力線
（すなわちメツキ電流）を集中させ、この露出部
分の近傍のバンプ形成部への電気力線（すなわち
メツキ電流）の回り込みを防止することができ、
これによりウエハー全面に均一な大きさのバンプ
の形成を可能とし著しく製品歩留りを向上させ得
る。
第１図はこの発明におけるバンプ形成方法を実
施するためのバンプ形成前のウエハー支持平面
図、第２図は同バンプ形成後のウエハー平面図、
第３図は従来のハンダバンプ形成方法におけるバ
ンプ形成前のウエハー断面図、第４図は同治具へ
の支持平面部、第５図は同要部の断面図、第６図
は同メツキ時の説明図、第７図は同メツキ後のウ
エハーの断面図、第８図は同メツキ時の電気力線
の流れ説明図、第９図は同ウエハーの不均一ハン
ダバンプ成長の説明図である。 １……Siウエハー、３……カレントフイルム、
３ａ……露出部、６……治具、７……金具、１
２，１２ａ……ハンダバンプ。
施するためのバンプ形成前のウエハー支持平面
図、第２図は同バンプ形成後のウエハー平面図、
第３図は従来のハンダバンプ形成方法におけるバ
ンプ形成前のウエハー断面図、第４図は同治具へ
の支持平面部、第５図は同要部の断面図、第６図
は同メツキ時の説明図、第７図は同メツキ後のウ
エハーの断面図、第８図は同メツキ時の電気力線
の流れ説明図、第９図は同ウエハーの不均一ハン
ダバンプ成長の説明図である。 １……Siウエハー、３……カレントフイルム、
３ａ……露出部、６……治具、７……金具、１
２，１２ａ……ハンダバンプ。
Claims (1)
- １ 半導体ウエハーの、バンプを形成すべき面の
全面上にカレントフイルム及びレジストを順次積
層形成し、バンプ形成部に位置する前記レジスト
の部分を除去して前記カレントフイルムの第１の
露出部を設けると共に、前記半導体ウエハーの周
辺部に位置する前記レジストの部分を除去して前
記カレントフイルムの第２の露出部を設けた後、
電気メツキ法により前記各露出部にバンプメタル
をメツキすることを特徴とするフリツプチツプ用
バンプ成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149582A JPS636860A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | フリップチップ用バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149582A JPS636860A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | フリップチップ用バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636860A JPS636860A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH0580141B2 true JPH0580141B2 (ja) | 1993-11-08 |
Family
ID=15478348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149582A Granted JPS636860A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | フリップチップ用バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636860A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0636087B2 (ja) * | 1990-04-26 | 1994-05-11 | 旭光学工業株式会社 | ファインダ装置およびファインダ装置を備えたカメラ |
| US6042953A (en) * | 1996-03-21 | 2000-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
| JP4493442B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2010-06-30 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び当該製造方法に使用される製造装置 |
| JP2007048802A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Tdk Corp | 配線板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817638A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | バンプ形成装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61149582A patent/JPS636860A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS636860A (ja) | 1988-01-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |