JPH0580805B2 - - Google Patents
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- JPH0580805B2 JPH0580805B2 JP57198569A JP19856982A JPH0580805B2 JP H0580805 B2 JPH0580805 B2 JP H0580805B2 JP 57198569 A JP57198569 A JP 57198569A JP 19856982 A JP19856982 A JP 19856982A JP H0580805 B2 JPH0580805 B2 JP H0580805B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- coated
- metal
- medium
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置お
よび磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
に関する。 現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体
を有するものが主流である。この不連続媒体の磁
気記憶媒体は、ｒ−Fe2O3，CrO2，Fe，Fe−Co
等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混
合分散して、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造
するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさの
レベルで不連続である。 しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要
請により、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の
研究開発が盛んに行なわれている。この連続薄膜
媒体は主にメツキ、真空蒸着、スパツタ、イオン
ブレーテイング等の手法により作られる金属薄膜
からなるものと、真空蒸着、スパツタ、イオンブ
レーテイング等の手法により作られるFe3O4又は
ｒ−Fe2O3等の金属酸化物薄膜からなるものが知
られている。金属薄膜からなる磁気記録媒体（以
下金属薄膜媒体と称する）は高温、高湿下の様な
劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のある
金属薄膜媒体はまだ知られていない。 本発明の目的は上述の現況に鑑み、優れた磁気
特性度を有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄
膜媒体を有する磁気記憶体を提供するものであ
る。すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に
非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層が被覆さ
れ、該非磁性金属又は非磁性金属酸化物層上に１
〜25原子パーセントのバナジウムと20〜32原子パ
ーセントの白金と残部がコバルトからなる合金、
または１〜15原子パーセントのタングステンと20
〜32原子パーセントの白金と残部がコバルトから
なる合金の金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に
保護膜が被覆されて構成されている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第１図において磁気記憶体の金属円盤１とし
てアルミ合金が軽くて加工性が良く安価なことか
ら最も良く用いられるが、場合によつてはチタン
合金が用いられることもある。基盤表面は機械加
工により小さなうねり（円周方向で50μm以下、
半径方向で100μm以下）を有する面に仕上げられ
ている。 次にこの基盤１の上に非磁性金属層２としてニ
ツケル一燐合金または酸化アルミニウムがめつき
により被覆され、この下地体２の表面は機械的研
磨により最大表面粗さ0.03μm以下に鏡面仕上げ
される。次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属
磁性媒体３としてバナジウムまたはタングステン
および白金を含むコバルトからなる金属薄膜媒体
が高周波スパツタ法により被覆される。次に上記
金属薄膜媒体３の上にSiO2に代表される保護膜４
が高周波スパツタ法により被覆される。 金属薄膜媒体は抗磁力（He）500〜1200Oe（エ
ルステツド）、飽和磁束密度（Bs）10000G（ガウ
ス）以下角形比（Br／Bs）0.7〜0.9保磁力角形比
（S*）0.7〜0.9の範囲の磁気記録媒体として優れ
たヒステリシス特性を示す。ここで角形比Ｓは残
留磁束密度Brを飽和磁束密度Bsで割つた値であ
る。上記特性は金属薄膜媒体中のバナジウムまた
はタングステンの量に大きく依存する。第２図、
第３図は残留磁束密度Br、抗磁力Hcおよび角形
比の、金属薄膜媒体中のバナジウムまたはタング
ステンの原子パーセントによる変化を示したもの
でバナジウム又はタングステンがそれぞれ１〜25
原子％、１〜15原子％の範囲では第２図と第３図
に示すように500Oe以上の抗磁力と0.9〜0.7の角
形比が得られる。 第４図は水中に浸漬したときの腐食による飽和
磁束密度の変化率（初期の飽和磁束密度に対する
比）を表したものである。Ptを20原子％以上含
む記憶媒体（本発明の実施例）は全く変化がなく
磁気記憶媒体として使用できるが、Ptが９原子
％のもの（比較例２）や含まないもの（比較例
１）では急激に腐食が大きくなり磁気記憶媒体と
して使用できない。 またPtが32原子％までは抗磁力および飽和磁
束密度は大きく変換しないが、37％以上では磁気
特性の劣化により磁気記憶媒体としての使用は困
難である。従つてPtの最適な領域は20〜32原子
％である。 以上のように本発明の組成比でバナジウムまた
はタングステンと、白金を含むコバルト合金膜
は、磁気記憶媒体として優れている。 金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜は硬質
であることが望ましく、オスミウム、ルテニウ
ム、イリジウム、マンガン、タングステン等の金
属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたはハフ
ニウムの酸化物、窒化物または炭化物あるいはホ
ウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポ
リ珪酸が望ましい。 ポリ珪酸とは、珪素の酸化物であり、次式のよ
うな反応によりテトラヒドロキシシラン（Si
（OH）4）の200〜300℃での熱分解により形成す
る。 Si（OH）4→SiO2＋2H2Ｏ さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数10〜40
の飽和又は不飽和炭化水素又はふつ素化炭化水素
ＧはCOOH、OH、NH2、COOR1、Si（oR1）3、
CONH2などの官能基）からなる潤滑剤あるいは
フツ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロ
ロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布することも
出来る。 次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。 実施例 １ 合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によつ
て十分小さなうねり（円周方向で50μm以下およ
び半径方向で10μm以下）を有する面に仕上げら
れたデイスク状アルミニウム合金盤上に比磁性合
金２としてニツケル−燐合金を約50μmの厚さに
めつきし、このニツケル−燐めつき膜を最大表面
粗さ0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研磨仕上げし
た。 次にこのニツケル−燐めつき膜の上に金属磁性
媒体３として高周波スパツタ法によりアルゴン圧
4X10-2torr、パワー密度1W／cm2にて膜厚500Aの
バナジウムを９原子パーセント、白金を20原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を被覆した。さら
にこの金属磁性媒体３の上にSiO2を200Åの膜厚
に高周波スパツタ法により被覆して磁気デイスク
を作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、角形比
Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ960oe、6500G、
0.85、0.85であつた。 実施例 ２ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを６原子パーセント、白金を32原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を800Åの膜厚に
て被覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ
およびS*はそれぞれ950oe、4500G、0.8、0.8であ
つた。 実施例 ３ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを３原子パーセント、白金を32原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åにて
被覆して磁気デイスクを作つた。 Hc、Br、Ｓ、S*はそれぞれ1200oe、5900G、
0.85、0.85であつた。 実施例 ４ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバ
ナジウムを２原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚300Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ1100oe、9600G、0.85、0.85であつた。 実施例 ５ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを10原子パーセント、白金を32原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚1500Åにて
被覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、
S*はそれぞれ600oe、3200G、0.80、0.80であつ
た。 実施例 ６ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバ
ナジウムを13原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚800Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ900oe、5000G、0.85、0.85であつた。 実施例 ７ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを10原子パーセント、白金を20原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚2000Åにて
被覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、
S*はそれぞれ800oe、3200G、0.80、0.80であつ
た。 実施例 ８ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバ
ナジウムを25原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ700oe、2000G、0.80、0.80であつた。 実施例 ９ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを15原子パーセント、白金を20原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åにて
被覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、
S*はそれぞれ550oe、2000G、0.80、0.80であつ
た。 実施例 10 実施例１と同様にして但しアルゴン圧４×
10-2 tprr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを
作つた。 実施例 11 実施例１と同様にして但しアルゴン圧
8X10-3 tprr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスク
を作つた。 実施例 12 実施例２と同様にして但しアルゴン圧
4X10-2 tprr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスク
を作つた。 実施例 13 実施例２と同様にして但しアルゴン圧
8X10-3 tprr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスク
を作つた。 実施例 14 実施例１または２と同様にして但し非磁性合金
層としてアルミニウム合金円盤１表面を陽極酸化
により非磁性金属酸化物層として酸化アルミを被
覆しこの酸化アルミを最大表面粗さ0.02μmまで
鏡面研磨仕上げして、磁気デイスクを作つた。 実施例 15 実施例１または２と同様にして但し保護膜とし
て次の物質をそれぞれスパツタ法により800Åの
厚さに被覆してそれぞれ磁気デイスクを作つた。
よび磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
に関する。 現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体
を有するものが主流である。この不連続媒体の磁
気記憶媒体は、ｒ−Fe2O3，CrO2，Fe，Fe−Co
等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混
合分散して、基体上に塗布・乾燥・焼成して製造
するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさの
レベルで不連続である。 しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要
請により、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の
研究開発が盛んに行なわれている。この連続薄膜
媒体は主にメツキ、真空蒸着、スパツタ、イオン
ブレーテイング等の手法により作られる金属薄膜
からなるものと、真空蒸着、スパツタ、イオンブ
レーテイング等の手法により作られるFe3O4又は
ｒ−Fe2O3等の金属酸化物薄膜からなるものが知
られている。金属薄膜からなる磁気記録媒体（以
下金属薄膜媒体と称する）は高温、高湿下の様な
劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のある
金属薄膜媒体はまだ知られていない。 本発明の目的は上述の現況に鑑み、優れた磁気
特性度を有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄
膜媒体を有する磁気記憶体を提供するものであ
る。すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に
非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層が被覆さ
れ、該非磁性金属又は非磁性金属酸化物層上に１
〜25原子パーセントのバナジウムと20〜32原子パ
ーセントの白金と残部がコバルトからなる合金、
または１〜15原子パーセントのタングステンと20
〜32原子パーセントの白金と残部がコバルトから
なる合金の金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に
保護膜が被覆されて構成されている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第１図において磁気記憶体の金属円盤１とし
てアルミ合金が軽くて加工性が良く安価なことか
ら最も良く用いられるが、場合によつてはチタン
合金が用いられることもある。基盤表面は機械加
工により小さなうねり（円周方向で50μm以下、
半径方向で100μm以下）を有する面に仕上げられ
ている。 次にこの基盤１の上に非磁性金属層２としてニ
ツケル一燐合金または酸化アルミニウムがめつき
により被覆され、この下地体２の表面は機械的研
磨により最大表面粗さ0.03μm以下に鏡面仕上げ
される。次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属
磁性媒体３としてバナジウムまたはタングステン
および白金を含むコバルトからなる金属薄膜媒体
が高周波スパツタ法により被覆される。次に上記
金属薄膜媒体３の上にSiO2に代表される保護膜４
が高周波スパツタ法により被覆される。 金属薄膜媒体は抗磁力（He）500〜1200Oe（エ
ルステツド）、飽和磁束密度（Bs）10000G（ガウ
ス）以下角形比（Br／Bs）0.7〜0.9保磁力角形比
（S*）0.7〜0.9の範囲の磁気記録媒体として優れ
たヒステリシス特性を示す。ここで角形比Ｓは残
留磁束密度Brを飽和磁束密度Bsで割つた値であ
る。上記特性は金属薄膜媒体中のバナジウムまた
はタングステンの量に大きく依存する。第２図、
第３図は残留磁束密度Br、抗磁力Hcおよび角形
比の、金属薄膜媒体中のバナジウムまたはタング
ステンの原子パーセントによる変化を示したもの
でバナジウム又はタングステンがそれぞれ１〜25
原子％、１〜15原子％の範囲では第２図と第３図
に示すように500Oe以上の抗磁力と0.9〜0.7の角
形比が得られる。 第４図は水中に浸漬したときの腐食による飽和
磁束密度の変化率（初期の飽和磁束密度に対する
比）を表したものである。Ptを20原子％以上含
む記憶媒体（本発明の実施例）は全く変化がなく
磁気記憶媒体として使用できるが、Ptが９原子
％のもの（比較例２）や含まないもの（比較例
１）では急激に腐食が大きくなり磁気記憶媒体と
して使用できない。 またPtが32原子％までは抗磁力および飽和磁
束密度は大きく変換しないが、37％以上では磁気
特性の劣化により磁気記憶媒体としての使用は困
難である。従つてPtの最適な領域は20〜32原子
％である。 以上のように本発明の組成比でバナジウムまた
はタングステンと、白金を含むコバルト合金膜
は、磁気記憶媒体として優れている。 金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜は硬質
であることが望ましく、オスミウム、ルテニウ
ム、イリジウム、マンガン、タングステン等の金
属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたはハフ
ニウムの酸化物、窒化物または炭化物あるいはホ
ウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポ
リ珪酸が望ましい。 ポリ珪酸とは、珪素の酸化物であり、次式のよ
うな反応によりテトラヒドロキシシラン（Si
（OH）4）の200〜300℃での熱分解により形成す
る。 Si（OH）4→SiO2＋2H2Ｏ さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数10〜40
の飽和又は不飽和炭化水素又はふつ素化炭化水素
ＧはCOOH、OH、NH2、COOR1、Si（oR1）3、
CONH2などの官能基）からなる潤滑剤あるいは
フツ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロ
ロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布することも
出来る。 次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。 実施例 １ 合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によつ
て十分小さなうねり（円周方向で50μm以下およ
び半径方向で10μm以下）を有する面に仕上げら
れたデイスク状アルミニウム合金盤上に比磁性合
金２としてニツケル−燐合金を約50μmの厚さに
めつきし、このニツケル−燐めつき膜を最大表面
粗さ0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研磨仕上げし
た。 次にこのニツケル−燐めつき膜の上に金属磁性
媒体３として高周波スパツタ法によりアルゴン圧
4X10-2torr、パワー密度1W／cm2にて膜厚500Aの
バナジウムを９原子パーセント、白金を20原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を被覆した。さら
にこの金属磁性媒体３の上にSiO2を200Åの膜厚
に高周波スパツタ法により被覆して磁気デイスク
を作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、角形比
Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ960oe、6500G、
0.85、0.85であつた。 実施例 ２ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを６原子パーセント、白金を32原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を800Åの膜厚に
て被覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ
およびS*はそれぞれ950oe、4500G、0.8、0.8であ
つた。 実施例 ３ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを３原子パーセント、白金を32原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åにて
被覆して磁気デイスクを作つた。 Hc、Br、Ｓ、S*はそれぞれ1200oe、5900G、
0.85、0.85であつた。 実施例 ４ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバ
ナジウムを２原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚300Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ1100oe、9600G、0.85、0.85であつた。 実施例 ５ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを10原子パーセント、白金を32原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚1500Åにて
被覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、
S*はそれぞれ600oe、3200G、0.80、0.80であつ
た。 実施例 ６ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバ
ナジウムを13原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚800Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ900oe、5000G、0.85、0.85であつた。 実施例 ７ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを10原子パーセント、白金を20原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚2000Åにて
被覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、
S*はそれぞれ800oe、3200G、0.80、0.80であつ
た。 実施例 ８ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてバ
ナジウムを25原子パーセント、白金を20原子パー
セント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åにて被
覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、S*
はそれぞれ700oe、2000G、0.80、0.80であつた。 実施例 ９ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ングステンを15原子パーセント、白金を20原子パ
ーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åにて
被覆して磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、
S*はそれぞれ550oe、2000G、0.80、0.80であつ
た。 実施例 10 実施例１と同様にして但しアルゴン圧４×
10-2 tprr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを
作つた。 実施例 11 実施例１と同様にして但しアルゴン圧
8X10-3 tprr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスク
を作つた。 実施例 12 実施例２と同様にして但しアルゴン圧
4X10-2 tprr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスク
を作つた。 実施例 13 実施例２と同様にして但しアルゴン圧
8X10-3 tprr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスク
を作つた。 実施例 14 実施例１または２と同様にして但し非磁性合金
層としてアルミニウム合金円盤１表面を陽極酸化
により非磁性金属酸化物層として酸化アルミを被
覆しこの酸化アルミを最大表面粗さ0.02μmまで
鏡面研磨仕上げして、磁気デイスクを作つた。 実施例 15 実施例１または２と同様にして但し保護膜とし
て次の物質をそれぞれスパツタ法により800Åの
厚さに被覆してそれぞれ磁気デイスクを作つた。
【表】
保護膜にポリ珪酸を用いる場合は前述の実施例
と同様に金属磁性媒体までを形成し、その上にテ
トラヒドロキシシランのイソプロピルアルコール
の溶液を塗布して300℃で１時間焼成することに
より、800Åの厚さのポリ珪酸の保護膜を形成し
た。 比較例 １ 実施例１と同様にして但しニツケル−燐めつき
膜の上に膜厚1μmのクロムを介して金属磁性媒体
３としてコバルトを膜厚500Åで被覆して磁気デ
イスクを作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、
角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ600Oe、
13600G、0.8、0.8であつた。 比較例 ２ 実施例１と同様にして白金を9at％残りがコバ
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被
覆して磁気デイスクを作つた。抗磁力Hc、残留
磁束密度Br、角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれ
ぞれ800Oe、11000G、0.80、0.80であつた。 以上実施例１〜15および比較例１、２で示した
磁気デイスクを用いて電磁変換特性およびヘツド
との摩耗試験および環境試験および水浸漬腐食試
験を行なつた結果、次の特性を得た。電磁変換特
性については実施例１〜15のデイスクについて
40000〜80000FRPIの記録密度が得られたが、比
較例１、２のデイスクでは20000FRPIの記録密度
しか得られなかつた。ヘツドとの摩耗試験は２万
回のコンタクトスタートストツプテストを行なつ
たところデイス表面に傷は全く見られなかつた。
又、温度80℃、相対湿度90％で６ケ月放置する環
境試験を行なつたところ実施例１〜15および比較
例２についてはエラーの増加数は全て０であつた
が、比較例１のデイスクはエラーが100倍に増加
した。最後に実施例１〜15および比較例１、２の
デイスクを切断して15mm×15mmの切片を作り、１
ケ月間25℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Bsの
変化を調べたところ、第４図の様な結果が得られ
た。第４図は磁気記憶媒体を25℃の水中に浸漬し
た時の飽和磁束密度Bsの変化率（Bs／Bo、Bo
は浸漬前の飽和磁束密度）の時間変化を示したも
のであり、値が1.0に近い程耐食性が良い。すな
わち実施例１〜15は１ケ月の水中浸漬後もBsの
変化は全くなかつたが比較例１は50％、比較例２
は25％Bsが減少した。以上の結果から本発明の
磁気記憶体は優れた耐食性（耐環境性）及び耐摩
耗性及び高記録密度特性を有していることが分つ
た。
と同様に金属磁性媒体までを形成し、その上にテ
トラヒドロキシシランのイソプロピルアルコール
の溶液を塗布して300℃で１時間焼成することに
より、800Åの厚さのポリ珪酸の保護膜を形成し
た。 比較例 １ 実施例１と同様にして但しニツケル−燐めつき
膜の上に膜厚1μmのクロムを介して金属磁性媒体
３としてコバルトを膜厚500Åで被覆して磁気デ
イスクを作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、
角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ600Oe、
13600G、0.8、0.8であつた。 比較例 ２ 実施例１と同様にして白金を9at％残りがコバ
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被
覆して磁気デイスクを作つた。抗磁力Hc、残留
磁束密度Br、角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれ
ぞれ800Oe、11000G、0.80、0.80であつた。 以上実施例１〜15および比較例１、２で示した
磁気デイスクを用いて電磁変換特性およびヘツド
との摩耗試験および環境試験および水浸漬腐食試
験を行なつた結果、次の特性を得た。電磁変換特
性については実施例１〜15のデイスクについて
40000〜80000FRPIの記録密度が得られたが、比
較例１、２のデイスクでは20000FRPIの記録密度
しか得られなかつた。ヘツドとの摩耗試験は２万
回のコンタクトスタートストツプテストを行なつ
たところデイス表面に傷は全く見られなかつた。
又、温度80℃、相対湿度90％で６ケ月放置する環
境試験を行なつたところ実施例１〜15および比較
例２についてはエラーの増加数は全て０であつた
が、比較例１のデイスクはエラーが100倍に増加
した。最後に実施例１〜15および比較例１、２の
デイスクを切断して15mm×15mmの切片を作り、１
ケ月間25℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Bsの
変化を調べたところ、第４図の様な結果が得られ
た。第４図は磁気記憶媒体を25℃の水中に浸漬し
た時の飽和磁束密度Bsの変化率（Bs／Bo、Bo
は浸漬前の飽和磁束密度）の時間変化を示したも
のであり、値が1.0に近い程耐食性が良い。すな
わち実施例１〜15は１ケ月の水中浸漬後もBsの
変化は全くなかつたが比較例１は50％、比較例２
は25％Bsが減少した。以上の結果から本発明の
磁気記憶体は優れた耐食性（耐環境性）及び耐摩
耗性及び高記録密度特性を有していることが分つ
た。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分
断面図。図中、１は基板、２は非磁性合金層、３
は金属薄膜媒体、４は保護膜である。第２図は本
磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体における残
留磁束密度、抗磁力および角形比の金属薄膜媒体
中のバナジウムの原子パーセントによる変化を示
した特性図であり、第３図は本磁気記憶体に用い
られる金属薄膜媒体における残留磁束密度、抗磁
力および角形比の金属薄膜媒体中のタングステン
の原子パーセントによる変化を示した特性図であ
る。第４図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜
媒体の水浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を
示した特性図。
断面図。図中、１は基板、２は非磁性合金層、３
は金属薄膜媒体、４は保護膜である。第２図は本
磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体における残
留磁束密度、抗磁力および角形比の金属薄膜媒体
中のバナジウムの原子パーセントによる変化を示
した特性図であり、第３図は本磁気記憶体に用い
られる金属薄膜媒体における残留磁束密度、抗磁
力および角形比の金属薄膜媒体中のタングステン
の原子パーセントによる変化を示した特性図であ
る。第４図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜
媒体の水浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を
示した特性図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属円盤上に非磁性金属層又は非磁性金属酸
化物層が被覆され、該非磁性金属又は非磁性金属
酸化物層上に１〜25原子パーセントのバナジウム
と20〜32原子パーセントの白金と残部がコバルト
からなる合金、または１〜15原子パーセントのタ
ングステンと20〜32原子パーセントの白金と残部
がコバルトからなる合金の合金薄膜媒体が被覆さ
れ、該合金薄膜媒体上に保護膜が被覆されて構成
されたことを特徴とする磁気記憶体。 ２ 非磁性金属層がニツケル一燐である特許請求
の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ３ 非磁性酸化物層が酸化アルミである特許請求
の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ４ 保護膜がオスミウム、ルテニウム、イリジウ
ム、マンガン、タングステンである特許請求の範
囲第１項記載の磁気記憶体。 ５ 保護膜がケイ素、チタン、タンタルまたはハ
フニウムの酸化物、窒化物または炭化物である特
許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ６ 保護膜がホウ素、炭素またはホウ素と炭素の
合金である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶
体。 ７ 保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１
項記載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198569A JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198569A JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988807A JPS5988807A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH0580805B2 true JPH0580805B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=16393357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198569A Granted JPS5988807A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988807A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12230485B2 (en) * | 2019-07-18 | 2025-02-18 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Sputtering target for magnetic recording medium |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57198569A patent/JPS5988807A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5988807A (ja) | 1984-05-22 |
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