JPS6035332A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置及び磁気ド
ラム装置等）ζこ用いられる磁気記憶体に関する。

現在主に実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有
するものである。この不連続媒体の磁気記憶体は、γ−
Ｆｅ２０３．０ｒｂ２、Ｆｅ、　、ｌ’ｅ−Ｃｏ等゛の
磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散して
、基板上に塗布、乾燥、焼成して製造するため、磁気記
憶体は磁性粒子の大きさのレベルで不連続である・ し力）し、近年磁気記憶媒体の高記憶密度化の要請によ
り、連続薄膜媒体から１よる保磁力の大きい磁気記憶媒
体の研究開発が盛んにイテ７ａＪつわ、ている。

この連続薄膜媒体は主にメッキ、真空蒸着、スパッタ、
イオンブレーティング等の手法により作られる。Ｗ、Ｔ
、Ｍａｌｏｎｅｙ：ＩＥＢＥ　Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ、
ＭＡＧ−１５，１１３５（１９７９”）においてガラス
暴板上にクロムを被接し、さらにその上ζこコバルト薄
膜を被覆した磁気記憶体が知られているが、クロムは基
板から剥離しやすく、高密度記録に適した保磁力を得る
クロムの膜厚は０．５μｍと厚い。

本発明は上述の現況ζこ鑑み、基板との密清性が良く、
保磁力が同じ値となる膜厚がクロムより薄い非磁性金属
下地層からなる磁気記憶体を提供するものである。

Ｔｆ、にわち不発明の磁気記憶体は合金基板上に非磁性
合金層又は非磁性酸化物層が被覆され、該非磁性合金層
又は非磁性酸化物層上をこざらにモリブデンあるいはタ
ングステンの非磁性金属下地層を介して、磁性合金薄膜
媒体または磁性酸化物薄膜媒体が被覆され、該媒体上に
保護膜が被覆されて構成されている。

次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。

第１図において磁−気記憶体の合金基板１としてアルミ
合金が軽くて加工性が良く安価なことから最も良く用い
られるが、場合によってはチタン合金が用いられること
もある。基板表面は機械加工により小さなうねり（円周
方向で５０μｍ以下、半径方向で１００μへ以下）を有
する面に仕上けらＭている。） 次にこの基板１の一ヒに非磁性合金層２としてニッケル
ー燐合金がめっきにより被ｆｉされ、この下地体２の表
面は機械的研磨により最大表面粗さ０．０３μｎ１以、
下に鏡面仕」二げされる。次ζこ上記非磁性合金層２の
鏡面研磨上にモリブデンあるいはタングステンの非磁性
金属下地層３が高周波スパッタ法ζこより被覆される。

そのモリブデンあるいはタングステンの非磁性金属下地
層３は第２図に示すように下記金属磁性媒体４の保磁力
を高める。

その幼果はクロムより大きく、下地層３の厚さにより磁
性媒体４の保磁力が変化するが、実用的な磁気記憶体を
製造するためには下地層の厚さは０．１μｍ以上必要と
する。一方、下地層３は膜厚０．８μｍで磁性媒体４の
保磁力がほぼ飽和するので０．８μへ以下で十分で八。

非磁性金属下地層３はモリブデンあるいはタングステン
を含む合金でも有効であることは明らかである。次をこ
上記非。

磁性金属下地層３の上をこ金属磁性媒体４としてコバル
トに代表される金属薄膜媒体が高周波スパッタ法により
被覆される。次に上記金属薄膜媒体４の上に８ｉ０２に
代表される保護膜５が高周波スパッタ法により被覆され
る。

以上の様にモリブデンあるいはタングステンの非磁性金
属下地層は磁性薄膜媒体の保磁力を高め番 る効果があることがわかった。

金属薄膜媒体４の上に被覆される保護膜は硬質であるこ
とが梁丈しり、′オスミウム、ルテニウム、イリジウム
、マンガン、タングステン等の金属あるいはケイ素、チ
タン、タンタルま１こは）１フニウムの酸化物、窒化物
または炭化物あるいはホウ素、炭素またはホウ素と炭素
の合金あるいはポリ珪酸が望ましい・ さらに保護膜５の上にＲ−Ｇ（Ｒは炭素数１０〜４０の
飽和又は不飽和法化水素又はふっ素化炭化水素、Ｇは０
ＯＯＨ，ＯＨ，ＮＨ２，０ＯＯＲ，Ｓ＋（ＯＲ’　）ｓ
、０ＯＮＨ，ｒｌどの官能基）からなる潤滑剤を塗布す
ることもできる。

次に具体的に実施例及び比較例により本発明を説明する
。

実施例１ 合金円盤１としてＱ盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を右下る面に仕上げらイまたディスク状
アルミウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金を約５０μｍの厚さにめっきし、このニッケルー燐
めっき膜を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍま
で鏡面研磨仕上げした。

次（ここのニッケルー燐めっき膜の上ζこ金属下地層３
としてモリブデンを高周波スパッタ法により０．５μｍ
被覆した。次にこのモリブデンスパッタ膜の上に金属磁
性媒体４として高周波スパッータ法によりコバルト％５
００Ａ被覆した。さらにこの金属磁性媒体４の上に５ｉ
０２を２０ＯＡの膜厚に高周波スパッタ法により被覆し
て磁気ディスクを作った。保磁力ＨＣ２残留磁束密度Ｂ
ｒ（ＢｓＸＳ）はそれぞｔ’Ｌ６０００ｅ、１２００Ｇ
であッ１コ。

実施例２ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体４としてニッケル全
２０原子パーセント及びモリブデンヲ゛１２原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作
った。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ９０００ｅ、４３００　Ｇ
であった。

実施例３ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体４としてニッケルを
２０原子パーセント及びロジウム全１５原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ９５００ｅ、９０００Ｇであっ
た。

実施例４ 実施例１と同様に但し非磁性金属下地層３としてもモリ
ブデンを高周波スパッタ法により０．３５μｍ被覆して
磁気ディスクを作った。Ｈｅ、Ｂｒは５５００ｅ、１２
０００Ｇであツタ。

実施例５ 実施例１と同様に但し非磁性金属下地層３としてタング
ステンを高周波スパッタ法により０．５μｍ被覆して磁
気ディスクを作った。Ｈｃ、Ｂｒは６０００ｅ、１２０
００Ｇであった。

実施例６ 実施例１と同様ζこ但し非磁性金属下地層３としてタン
グステンを高周波スパッタ法により０．３５μｍ被覆し
て磁気ディスクを作った。Ｈｃ、Ｂｒは５５００ｅ。

１２０００　Ｇであっｆこ。

実施例７ 実施例１と同様に但し非磁性金属下地層３としてアルミ
ニウム２０原子パーセント含むモリブデン合金を被覆し
て磁気ディスクを作っ１こ・実施例８ 実施例１と同様ζこ但し非磁性金属下地層３としてアル
ミニウム２０原子パーセント含むタングステン合金を被
覆して磁気ディスクを作った。

実施例９ 実施例１と同様にして但し非磁性合金層としてアルミニ
ウム合金円盤′１表面を陽極酸化により非磁性金属酸化
物層とし酸化アルミを被覆して、この酸化アルミを最大
表面粗さ００２μｍまで鏡面研磨仕上げした。

実施例１０ 実施例１と同様ζこして但し保護膜として次の物質をそ
れぞれスパッタ法により２００Ａの厚さに被覆してそれ
ぞれ磁気ディスクを作った。

実施例１１ 実施例１と同様にして但し保護膜としてテトラヒＭｃ＋
−１−ンシラン２．０重量パーセントアルコール溶液を
スビーン塗布法により塗布した後、２０℃３時間焼成し
て磁気ディスクを作った。

実施例１２ 実施例１（ｌ！：同様にして但し金属磁性媒体４を磁性
酸化物薄膜媒体としてγ−ＦｅｚＯｓ＋被覆して磁気デ
ィスクを作った＝Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ１００００ｅ、
２５００　Ｇｒあっｒ：。

実施例１３ 実施例１（！：同様にして但しＳｉｎ、を被覆しないで
磁気ディスクを作った。

比較例 実施例１（！：同様にして但し金属下地層３としてクロ
ムを０．５μｍ　被覆して磁気ディスクを作った。

Ｈｅ、Ｂｒはそれぞ、ｔＬ４５００ｅ、１２０００Ｇで
あツタ。

以上実施例１〜１３で示した磁気ディスクを用いて！磁
変換特性及びヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なっ
た結果、次の特性を得た。ヘッドとの摩耗試験は２万回
のコンタクトスタートストップテストを行ない、ディス
ク表面に傷は全く見られなかった、又、環境試験につい
て温度８０℃、相対湿度９０％で６ケ月放置した時、基
板からの剥離は全く見られなかった。又、電磁変換特性
について３００００〜７００００　Ｂ　Ｐ　Ｉの高密度
記録ができたＯ それに比して比較例は、実施例の半分（１５０００ＢＰ
Ｉ）の記録密度しか達成できなかった。環境試験では温
度８０℃、相対湿度９０％で６ケ月放置した時、金属下
地層３のクロムが基板から剥離した。又、ヘッドとの摩
耗試験の２万回のコンタクトスタートストップテストで
は、途中でクロムが基板から剥離して、クラッシュを起
こし、クロムの付漬力が非常に劣っていることがわかっ
た。

又、ディスク表面を顕微鏡で観察したとＣろ、クラック
が多数見られ、そのため、エラー数は実施例の１０００
倍であった。

以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐環境性及
び＃摩耗性及び高記録密度特性を有し、特にモリブデン
あるいはタングステンの排磁性金属下地層は優れた基板
さの密着性を有していることがわかった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１項記載の磁気記憶体の部分断面図
である。図中、１は基板、２は非磁性合金層、３は非磁
性金属下地層、４は金属薄膜媒体、５は保護膜である。 第２図は本発明の第２項記載の磁気記憶体の部分断面図
である。図中、ｌは基板、２は非磁性合金層、３は非磁
性金属下地層、４は金属薄膜媒体である。第３図は金属
薄膜媒体がコバルトで膜厚が５０ＯＡの場合の非磁性金
属下地層の厚さに対下る磁性媒体の保磁力の変化を示し
た特性図である。 第１　図 第２図 第３図 Ｏ○２５　０．５０　０７５　１．００金属下地層３の
厚さ　（μｍ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）合金基板上にシト磁性合金層または非磁性酸化物
   層が被接され、該非磁性合金層又は非磁性酸化物層上に
   さらにモリブデンあるいはタングステンの非磁性金に＾
   下地層を介して、磁性合金薄膜媒体または磁性酸化物薄
   膜媒体が被覆され、該媒体上に保護膜が被覆されて構成
   されたことを特徴とする磁気記憶体。 （２）合金＆板上に非磁性合金層または非磁性１変化物
   層が被覆され、該非磁性合金層又は非磁性酸化物層上に
   さらにモリブデンあるいはタングステンの非磁性金属下
   地層を介して、磁性合金薄膜媒体または磁性酸化物薄膜
   媒体が被覆されたことを特徴とする磁気記ｔａ体。 （３）非磁性合金層がニッケルー燐合金である特許請求
   の範囲第１項記載の磁気記憶体。 （４）非磁性合金層がニッケルー燐合金である特許請求
   の範囲第２項記載の磁気記憶体。 （５）非磁性酸化物層が酸化アルミニウムである特許請
   求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 （６）非磁性酸化物層が酸化アルミニウムである特許請
   求の範囲第２項記載の磁気記憶体。 （７）磁性合金薄膜媒体がコバルトまたはコバルトを含
   む合金である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 （８）磁性合金薄膜媒体がコバルトまたはコバルトを含
   む合金である特許請求の範囲第２項記載の磁気記”１■
   体。 （９）　磁性酸化物薄膜媒体がγ−Ｆｅ、、０３である
   特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 （１（）　磁性酸化物薄膜媒体がγ−Ｆｅ２Ｏ３である
   特許請求の範囲第２項記載の磁気記憶体。 （１１）　保護膜がオスミウム、ルテニウム、イリジウ
   ム、マンガンまたはタングステンである特許請求の範囲
   第１項記載の磁気記憶体。 αり　保護膜がケイ累、チタン、タンタルまたはハフニ
   ウムの酸化物、窒化物才たは炭化物である特許請求の範
   囲第１項記載の磁気記憶体。 ０■　保護膜がホウ素、炭素またはホウ素さ炭素の合金
   である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 （Ｉ（イ）保護膜かポリ珪酸である特許請求の範囲第１
   項記載の磁気記憶体。