JPH0582475A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPH0582475A JPH0582475A JP24224391A JP24224391A JPH0582475A JP H0582475 A JPH0582475 A JP H0582475A JP 24224391 A JP24224391 A JP 24224391A JP 24224391 A JP24224391 A JP 24224391A JP H0582475 A JPH0582475 A JP H0582475A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- semiconductor substrate
- plasma etching
- exhaust port
- processing
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ガスの流れ方向を変えて半導体基板４の全面に
おけるガス濃度分布を一様にし、全面のエッチング加工
を均一にする。 【構成】円形の半導体基板４の外周円上に複数の排気口
５を処理台６に形成し、これら排気口５と反応する排気
管８が取付けられる排気台１１と処理台６と挾まれ、回
転摺動するとともに排気口切換え板７を回転することに
よって、順次、開口部１０と排気口５と重ね合わせ、排
気の流れ方向を変え、ガスの濃度を均一にする。
おけるガス濃度分布を一様にし、全面のエッチング加工
を均一にする。 【構成】円形の半導体基板４の外周円上に複数の排気口
５を処理台６に形成し、これら排気口５と反応する排気
管８が取付けられる排気台１１と処理台６と挾まれ、回
転摺動するとともに排気口切換え板７を回転することに
よって、順次、開口部１０と排気口５と重ね合わせ、排
気の流れ方向を変え、ガスの濃度を均一にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おいて使用されるプラズマエッチング装置に関するもの
である。
おいて使用されるプラズマエッチング装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のプラズマエッチング装置
は、半導体基板表面に付着する絶縁膜、金属膜をフォト
レジスト工程、フォトエッチング工程を経て選択的にパ
ターン加工する場合に使用されていた。
は、半導体基板表面に付着する絶縁膜、金属膜をフォト
レジスト工程、フォトエッチング工程を経て選択的にパ
ターン加工する場合に使用されていた。
【０００３】また、このプラズマエッチング装置は、図
面には示さないが、半導体基板を収納する反応管を有
し、その反応管内部を１カ所又は数カ所の排気口から排
気することで減圧にし、反応ガスを導入するとともに高
周波電力を反応管内部に設置された電極に印加し、プラ
ズマイオン化させエッチング処理を行なっていた。
面には示さないが、半導体基板を収納する反応管を有
し、その反応管内部を１カ所又は数カ所の排気口から排
気することで減圧にし、反応ガスを導入するとともに高
周波電力を反応管内部に設置された電極に印加し、プラ
ズマイオン化させエッチング処理を行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のプラズマエ
ッチング装置は、反応管内部を１カ所または数カ所の排
気口を用いて排気すると同時に反応ガスの導入を行なう
ため、反応ガスの流れが一方向になり、半導体基板上の
反応ガス濃度が均一に分布されなくなる。このことは、
濃度の濃い部分における半導体基板の領域に対しては、
エッチング速度が速くなり、逆に薄い部分における領域
ではエッチングレートが遅くなる状態を示す。従って、
エッチングで形成されるパターンの領域によって加工差
が生じ、半導体装置の歩留低下を招く要因となってい
た。
ッチング装置は、反応管内部を１カ所または数カ所の排
気口を用いて排気すると同時に反応ガスの導入を行なう
ため、反応ガスの流れが一方向になり、半導体基板上の
反応ガス濃度が均一に分布されなくなる。このことは、
濃度の濃い部分における半導体基板の領域に対しては、
エッチング速度が速くなり、逆に薄い部分における領域
ではエッチングレートが遅くなる状態を示す。従って、
エッチングで形成されるパターンの領域によって加工差
が生じ、半導体装置の歩留低下を招く要因となってい
た。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、半導体基板の全面領域でガス濃度を均一に分布さ
せ、加工差を生ずることなくエッチング加工出来るプラ
ズマエッチング装置を提供することである。
く、半導体基板の全面領域でガス濃度を均一に分布さ
せ、加工差を生ずることなくエッチング加工出来るプラ
ズマエッチング装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマエッチ
ング装置は、円形の半導体基板を載置するとともに半導
体基板の外周円上に複数の排気口が形成される処理台
と、この処理台の排気口に対応する位置に複数の排気管
が取付けられる排気台と前記処理台とで挾まれ、回転摺
動するとともに前記排気口の位置する円周上に開口部が
形成される排気口切換え板とを備えている。
ング装置は、円形の半導体基板を載置するとともに半導
体基板の外周円上に複数の排気口が形成される処理台
と、この処理台の排気口に対応する位置に複数の排気管
が取付けられる排気台と前記処理台とで挾まれ、回転摺
動するとともに前記排気口の位置する円周上に開口部が
形成される排気口切換え板とを備えている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を用いて説明する。
【０００８】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例
を示すプラズマエッチング装置の断面図及び処理台の部
分破断上面図である。このプラズマエッチング装置は、
図１に示すように、円形状の半導体基板４を同芯に載置
するとともに半導体基板４の周囲を取り囲むように一円
周上に複数の排気口５が形成される処理台６と、この処
理台６の底部に接して気密を保ちながら処理台６の中心
を回転するとともに排気口５と同一円周上に沿って形成
される長穴の開口部１０を有する排気口切換え板７と、
この排気口切換え板７の底面と気密に接触するとともに
排気口５と対応して複数の排気管８が取付けられる排気
台１１とを有している。また処理台６と排気台１１とは
図示していない支持体で連結され、排気口切換え板１７
は回転用のモータ９の軸と連結されている。
を示すプラズマエッチング装置の断面図及び処理台の部
分破断上面図である。このプラズマエッチング装置は、
図１に示すように、円形状の半導体基板４を同芯に載置
するとともに半導体基板４の周囲を取り囲むように一円
周上に複数の排気口５が形成される処理台６と、この処
理台６の底部に接して気密を保ちながら処理台６の中心
を回転するとともに排気口５と同一円周上に沿って形成
される長穴の開口部１０を有する排気口切換え板７と、
この排気口切換え板７の底面と気密に接触するとともに
排気口５と対応して複数の排気管８が取付けられる排気
台１１とを有している。また処理台６と排気台１１とは
図示していない支持体で連結され、排気口切換え板１７
は回転用のモータ９の軸と連結されている。
【０００９】次に、このプラズマエッチング装置の動作
を説明する。まず、排気台１１の排気管１１に連結され
ている真空排気装置（図示せず）より真空排気を開始す
る。次に、モータ９により排気口切換え板７を回転させ
る。このことにより、図１（ｂ）に示すように、排気口
切換え板７の開口部１０と排気管８と同一位置におる処
理台６の排気口５と重り合うときに反応管２内を排気す
る。一方、ガス導入管１から反応ガスが反応管２内に導
入される。このように排気口切換え板７を連続的に回転
すれば、半導体基板４の周囲におる排気口５を順次変わ
るので、ガスの流れの方向も、順次変わり、半導体基板
４の全域にわたり、ガスが攪拌され、一様の濃度にな
る。
を説明する。まず、排気台１１の排気管１１に連結され
ている真空排気装置（図示せず）より真空排気を開始す
る。次に、モータ９により排気口切換え板７を回転させ
る。このことにより、図１（ｂ）に示すように、排気口
切換え板７の開口部１０と排気管８と同一位置におる処
理台６の排気口５と重り合うときに反応管２内を排気す
る。一方、ガス導入管１から反応ガスが反応管２内に導
入される。このように排気口切換え板７を連続的に回転
すれば、半導体基板４の周囲におる排気口５を順次変わ
るので、ガスの流れの方向も、順次変わり、半導体基板
４の全域にわたり、ガスが攪拌され、一様の濃度にな
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板の周囲に複数の排気口を処理台に形成し、これら排気
口と対応する排気管が取付けらる排気台と、この排気台
と前記処理台とに挾まれて回転摺動するとともに前記排
気口及び排気管と通ずる開口部を有する排気口切換え板
とを設け、この排気口切換え板を回転させ排気口及び排
気管を順次開口部を重るようにすることによって、半導
体基板の周囲を順次排気する方向を変えることが出来る
ので、半導体基板の全領域にわたりガス濃度分布を一様
にし、全領域を均一にエッチング加工出来るプラズマエ
ッチング装置が得られるという効果がある。
板の周囲に複数の排気口を処理台に形成し、これら排気
口と対応する排気管が取付けらる排気台と、この排気台
と前記処理台とに挾まれて回転摺動するとともに前記排
気口及び排気管と通ずる開口部を有する排気口切換え板
とを設け、この排気口切換え板を回転させ排気口及び排
気管を順次開口部を重るようにすることによって、半導
体基板の周囲を順次排気する方向を変えることが出来る
ので、半導体基板の全領域にわたりガス濃度分布を一様
にし、全領域を均一にエッチング加工出来るプラズマエ
ッチング装置が得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例をプラズマエッチング装置の
断面図及び処理台の部分破断上面図である。
断面図及び処理台の部分破断上面図である。
１ ガス導入管 ２ 反応管 ３ 電極 ４ 半導体基板 ５ 排気口 ６ 処理台 ７ 排気口切換え板 ８ 排気管 ９ モータ １０ 開口部 １１ 排気台
Claims (1)
- 【請求項１】 円形の半導体基板を載置するとともに半
導体基板の外周円上に複数の排気口が形成される処理台
と、この処理台の排気口に対応する位置に複数の排気管
が取付けられる排気台と前記処理台とで挾まれ、回転摺
動するとともに前記排気口の位置する円周上に開口部が
形成される排気口切換え板とを備えることを特徴とする
プラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24224391A JPH0582475A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24224391A JPH0582475A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582475A true JPH0582475A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17086378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24224391A Pending JPH0582475A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582475A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141318A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 試料処理用ガス排気装置 |
| JPS6473619A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Fujitsu Ltd | Method and apparatus for low-pressure process |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24224391A patent/JPH0582475A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141318A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 試料処理用ガス排気装置 |
| JPS6473619A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Fujitsu Ltd | Method and apparatus for low-pressure process |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971209 |