JPH0582486A - 層間絶縁膜の形成方法 - Google Patents
層間絶縁膜の形成方法Info
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- JPH0582486A JPH0582486A JP24210991A JP24210991A JPH0582486A JP H0582486 A JPH0582486 A JP H0582486A JP 24210991 A JP24210991 A JP 24210991A JP 24210991 A JP24210991 A JP 24210991A JP H0582486 A JPH0582486 A JP H0582486A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、平坦性の優れた、かつ膜厚均一性
の良好な、層間絶縁膜を得ることができるように改良さ
れた、層間絶縁膜の形成方法を得ることを最も主要な特
徴とする。 【構成】 所定の膜厚よりも厚い膜厚を有する層間絶縁
膜が形成された半導体基板を準備する。上記半導体基板
をプラズマ発生内に置く。上記プラズマ発生室内にＯ2
ガスを導入し、Ｏ2 プラズマを発生させ、その後、この
Ｏ2 プラズマを十分に安定化させる。上記Ｏ2 プラズマ
を十分に安定化させた状態で、上記プラズマ発生室内に
上記Ｏ2 ガスの代わりにＣＦ4 ガスを導入し、それによ
って、安定なＣＦ4 プラズマを発生させる。安定なＣＦ
4 プラズマで上記層間絶縁膜を所定の膜厚までエッチバ
ックする。
の良好な、層間絶縁膜を得ることができるように改良さ
れた、層間絶縁膜の形成方法を得ることを最も主要な特
徴とする。 【構成】 所定の膜厚よりも厚い膜厚を有する層間絶縁
膜が形成された半導体基板を準備する。上記半導体基板
をプラズマ発生内に置く。上記プラズマ発生室内にＯ2
ガスを導入し、Ｏ2 プラズマを発生させ、その後、この
Ｏ2 プラズマを十分に安定化させる。上記Ｏ2 プラズマ
を十分に安定化させた状態で、上記プラズマ発生室内に
上記Ｏ2 ガスの代わりにＣＦ4 ガスを導入し、それによ
って、安定なＣＦ4 プラズマを発生させる。安定なＣＦ
4 プラズマで上記層間絶縁膜を所定の膜厚までエッチバ
ックする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に層間絶縁膜の
形成方法に関するものであり、より特定的には、平坦性
が良好な層間絶縁膜が得られるように改良された、層間
絶縁膜の形成方法に関する。
形成方法に関するものであり、より特定的には、平坦性
が良好な層間絶縁膜が得られるように改良された、層間
絶縁膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化や高速化に
伴って、電極配線の形成工程の１つである、層間絶縁膜
の形成工程数が多くなっている。そのため、段差が大き
くなり、アルミニウム配線に断線が生じる可能性があ
る。したがって、アルミニウム配線下の層間絶縁膜の、
平坦性の改善が望まれている。
伴って、電極配線の形成工程の１つである、層間絶縁膜
の形成工程数が多くなっている。そのため、段差が大き
くなり、アルミニウム配線に断線が生じる可能性があ
る。したがって、アルミニウム配線下の層間絶縁膜の、
平坦性の改善が望まれている。
【０００３】図６は、従来の形成方法によって得られた
層間絶縁膜を備える半導体装置の断面図である。
層間絶縁膜を備える半導体装置の断面図である。
【０００４】図６を参照して、１は基板、たとえばシリ
コン半導体基板である。基板１の主表面に、素子形成領
域を分離するための素子分離層２が設けられている。基
板１の上にｎ層目（ｎは正の整数）のアルミニウム配線
３が設けられている。ｎ層目のアルミニウム配線３の上
にｎ層目の層間絶縁膜４が設けられている。ｎ層目の層
間絶縁膜４の上にｎ＋１層目のアルミニウム配線５が設
けられている。ｎ＋１層目のアルミニウム配線５の上に
ｎ＋１層目の層間絶縁膜６が設けられている。ｎ＋１層
目の層間絶縁膜６の上にｎ＋２層目のアルミニウム配線
７が設けられている。ｎ＋２層目のアルミニウム配線７
を覆うように、パッシベーション膜８が設けられてい
る。
コン半導体基板である。基板１の主表面に、素子形成領
域を分離するための素子分離層２が設けられている。基
板１の上にｎ層目（ｎは正の整数）のアルミニウム配線
３が設けられている。ｎ層目のアルミニウム配線３の上
にｎ層目の層間絶縁膜４が設けられている。ｎ層目の層
間絶縁膜４の上にｎ＋１層目のアルミニウム配線５が設
けられている。ｎ＋１層目のアルミニウム配線５の上に
ｎ＋１層目の層間絶縁膜６が設けられている。ｎ＋１層
目の層間絶縁膜６の上にｎ＋２層目のアルミニウム配線
７が設けられている。ｎ＋２層目のアルミニウム配線７
を覆うように、パッシベーション膜８が設けられてい
る。
【０００５】次に、ｎ層目のアルミニウム配線３の形成
方法について説明する。すなわち、アルミニウムを原料
としてアルミスパッタ法により基板１の上にアルミニウ
ム膜を形成する。アルミニウム膜の上にレジスト膜を形
成する。配線部となる部分にレジストが残るように、レ
ジスト膜をパターニングする。残ったレジストをマスク
にして、塩素系ガス（たとえば、四塩化炭素、四塩化珪
素等）を用いて、アルミニウム膜をエッチングし、配線
部以外の部分のアルミニウムを除去し、それによって、
所望のアルミニウム配線３を得る。
方法について説明する。すなわち、アルミニウムを原料
としてアルミスパッタ法により基板１の上にアルミニウ
ム膜を形成する。アルミニウム膜の上にレジスト膜を形
成する。配線部となる部分にレジストが残るように、レ
ジスト膜をパターニングする。残ったレジストをマスク
にして、塩素系ガス（たとえば、四塩化炭素、四塩化珪
素等）を用いて、アルミニウム膜をエッチングし、配線
部以外の部分のアルミニウムを除去し、それによって、
所望のアルミニウム配線３を得る。
【０００６】次に、ｎ層目のアルミニウム配線３の上に
ｎ層目の層間絶縁膜４を形成する方法について説明す
る。すなわち、ｎ層目のアルミニウム配線３を形成した
後、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、所望の膜厚よりも厚
い膜厚を有する層間絶縁膜４、たとえばシリコン酸化膜
を、アルミニウム配線３を覆うように形成する。次に、
ＣＦ4 などのフッ化物ガスにより、所望の膜厚までエッ
チバックを行ない、層間絶縁膜４を形成する。
ｎ層目の層間絶縁膜４を形成する方法について説明す
る。すなわち、ｎ層目のアルミニウム配線３を形成した
後、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、所望の膜厚よりも厚
い膜厚を有する層間絶縁膜４、たとえばシリコン酸化膜
を、アルミニウム配線３を覆うように形成する。次に、
ＣＦ4 などのフッ化物ガスにより、所望の膜厚までエッ
チバックを行ない、層間絶縁膜４を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の層間絶縁膜の形
成方法においては、ＣＦ4 等のフッ化物系ガスを用い
て、層間絶縁膜のエッチバックを行なっていた。しか
し、ＣＦ4 プラズマによる処理時間が短かった。図４
（ａ）は、時間とＲＦパワーの関係図である。時間ｔ1
までは、ＲＦパワーは立ち上がっていく段階であり、Ｒ
Ｆパワーは一定でない。したがって、この段階では、Ｃ
Ｆ4 プラズマは不安定である。しかし、この不安定な段
階においても、エッチバックは進んでいる。ＣＦ4 プラ
ズマが不安定であると、図５（ａ）を参照して、フッ素
活性種が層間絶縁膜４の段差部に局部集中し、ひいて
は、図６を参照して、エッチバック後の層間絶縁膜４の
膜厚が均一にならないという問題点があった。
成方法においては、ＣＦ4 等のフッ化物系ガスを用い
て、層間絶縁膜のエッチバックを行なっていた。しか
し、ＣＦ4 プラズマによる処理時間が短かった。図４
（ａ）は、時間とＲＦパワーの関係図である。時間ｔ1
までは、ＲＦパワーは立ち上がっていく段階であり、Ｒ
Ｆパワーは一定でない。したがって、この段階では、Ｃ
Ｆ4 プラズマは不安定である。しかし、この不安定な段
階においても、エッチバックは進んでいる。ＣＦ4 プラ
ズマが不安定であると、図５（ａ）を参照して、フッ素
活性種が層間絶縁膜４の段差部に局部集中し、ひいて
は、図６を参照して、エッチバック後の層間絶縁膜４の
膜厚が均一にならないという問題点があった。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、良好な平坦性を有する層間絶
縁膜が得られるように改良された、層間絶縁膜の形成方
法を提供することを目的とする。
るためになされたもので、良好な平坦性を有する層間絶
縁膜が得られるように改良された、層間絶縁膜の形成方
法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、エッチバッ
ク法により、所定の膜厚を有する層間絶縁膜を半導体基
板の上に形成する方法にかかるものである。まず、所定
の膜厚よりも厚い膜厚を有する層間絶縁膜が形成された
半導体基板を準備する。上記半導体基板をプラズマ発生
室内に置く。上記プラズマ発生室内にＯ2 ガスを導入
し、Ｏ2 プラズマを発生させ、その後、このＯ2 プラズ
マを十分に安定化させる。上記Ｏ2 プラズマを十分に安
定化させた状態で、上記プラズマ発生室内に上記Ｏ2 ガ
スの代わりにＣＦ4 ガスを導入し、それによって安定な
ＣＦ4 プラズマを発生させる。次にこのＣＦ4 プラズマ
で上記層間絶縁膜を所定の膜厚までエッチバックする。
ク法により、所定の膜厚を有する層間絶縁膜を半導体基
板の上に形成する方法にかかるものである。まず、所定
の膜厚よりも厚い膜厚を有する層間絶縁膜が形成された
半導体基板を準備する。上記半導体基板をプラズマ発生
室内に置く。上記プラズマ発生室内にＯ2 ガスを導入
し、Ｏ2 プラズマを発生させ、その後、このＯ2 プラズ
マを十分に安定化させる。上記Ｏ2 プラズマを十分に安
定化させた状態で、上記プラズマ発生室内に上記Ｏ2 ガ
スの代わりにＣＦ4 ガスを導入し、それによって安定な
ＣＦ4 プラズマを発生させる。次にこのＣＦ4 プラズマ
で上記層間絶縁膜を所定の膜厚までエッチバックする。
【００１０】
【作用】この発明によれば、層間絶縁膜のエッチバック
に安定なＣＦ4 プラズマを用いるので、層間絶縁膜の表
面に均一にＣＦ4 プラズマが当たる。
に安定なＣＦ4 プラズマを用いるので、層間絶縁膜の表
面に均一にＣＦ4 プラズマが当たる。
【００１１】
【実施例】図１は、この発明の一実施例にかかる方法に
よって形成された、半導体装置の断面図である。
よって形成された、半導体装置の断面図である。
【００１２】図１の半導体装置は、以下の点を除いて、
図６に示す従来装置と同じであるので、同一または相当
する部分には同一の参照番号を付し、その説明を省略す
る。
図６に示す従来装置と同じであるので、同一または相当
する部分には同一の参照番号を付し、その説明を省略す
る。
【００１３】図１に示す半導体装置と図６に示す従来装
置と異なる点は、ｎ層目層間絶縁膜４、ｎ＋１層目のア
ルミニウム配線５、ｎ＋１層目の層間絶縁膜６、ｎ＋２
層目のアルミニウム配線７、およびパッシベーション膜
８の表面のそれぞれが、半導体基板１の主表面に平行に
なっている点である。
置と異なる点は、ｎ層目層間絶縁膜４、ｎ＋１層目のア
ルミニウム配線５、ｎ＋１層目の層間絶縁膜６、ｎ＋２
層目のアルミニウム配線７、およびパッシベーション膜
８の表面のそれぞれが、半導体基板１の主表面に平行に
なっている点である。
【００１４】次に、図１に示す半導体装置の製造方法に
ついて説明する。図２（ａ）を参照して、半導体基板１
の主表面に、素子形成領域を分離するための素子分離層
２を形成する。その後、半導体基板１の上に、アルミニ
ウムを原料として、アルミスパッタ法によりアルミニウ
ム膜を形成する（図示せず）。アルミニウム膜の上にレ
ジスト膜を形成し（図示せず）、配線部となる部分にレ
ジストが残るように、レジスト膜をパターニングする。
次に、残ったレジストをマスクにして、塩素系ガス（た
とえば、４塩化炭素、４塩化珪素等）によるアルミニウ
ムのエッチングにより、配線部以外の部分のアルミニウ
ムを除去し、それによって所望のアルミニウム配線３を
得る。
ついて説明する。図２（ａ）を参照して、半導体基板１
の主表面に、素子形成領域を分離するための素子分離層
２を形成する。その後、半導体基板１の上に、アルミニ
ウムを原料として、アルミスパッタ法によりアルミニウ
ム膜を形成する（図示せず）。アルミニウム膜の上にレ
ジスト膜を形成し（図示せず）、配線部となる部分にレ
ジストが残るように、レジスト膜をパターニングする。
次に、残ったレジストをマスクにして、塩素系ガス（た
とえば、４塩化炭素、４塩化珪素等）によるアルミニウ
ムのエッチングにより、配線部以外の部分のアルミニウ
ムを除去し、それによって所望のアルミニウム配線３を
得る。
【００１５】図２（ｂ）を参照して、アルミニウム配線
３を覆うように、プラズマＣＶＤ法により、所定の膜厚
よりも厚い膜厚を有する層間絶縁膜４たとえばシリコン
酸化膜を形成する。
３を覆うように、プラズマＣＶＤ法により、所定の膜厚
よりも厚い膜厚を有する層間絶縁膜４たとえばシリコン
酸化膜を形成する。
【００１６】次に、所定の膜厚よりも厚い膜厚を有する
層間絶縁膜４が形成された半導体基板１を、図３を参照
して、プラズマ発生室５１内に導く。
層間絶縁膜４が形成された半導体基板１を、図３を参照
して、プラズマ発生室５１内に導く。
【００１７】プラズマ発生室５１内には、Ｏ2 ガスとＣ
Ｆ4 ガスの双方が導入できるようになっている。
Ｆ4 ガスの双方が導入できるようになっている。
【００１８】図３および図４（ｂ）を参照して、プラズ
マ発生室５１内にＯ2 ガスを導入し、Ｏ2 ガスのプラズ
マを発生させる。このとき、時間の経過とともに、ＲＦ
パワーは立ち上がり、ｔ1 時間後にＯ2 プラズマは安定
する。Ｏ2 プラズマが安定した後、Ｏ2 ガスをＣＦ4 ガ
スに切換える。こうして、プラズマ発生室５１内に、安
定したＣＦ4 プラズマが形成される。
マ発生室５１内にＯ2 ガスを導入し、Ｏ2 ガスのプラズ
マを発生させる。このとき、時間の経過とともに、ＲＦ
パワーは立ち上がり、ｔ1 時間後にＯ2 プラズマは安定
する。Ｏ2 プラズマが安定した後、Ｏ2 ガスをＣＦ4 ガ
スに切換える。こうして、プラズマ発生室５１内に、安
定したＣＦ4 プラズマが形成される。
【００１９】図５（ｂ）を参照して、安定したＣＦ4 プ
ラズマで層間絶縁膜４をエッチバックすると、層間絶縁
膜４の表面に均一にＣＦ4 プラズマが当たる。
ラズマで層間絶縁膜４をエッチバックすると、層間絶縁
膜４の表面に均一にＣＦ4 プラズマが当たる。
【００２０】したがって、図２（ｂ）と図２（ｃ）を参
照して、層間絶縁膜４のエッチバックが均一に進み、膜
厚均一性および平坦性が良好な、所定の膜厚を有する層
間絶縁膜４が得られる。
照して、層間絶縁膜４のエッチバックが均一に進み、膜
厚均一性および平坦性が良好な、所定の膜厚を有する層
間絶縁膜４が得られる。
【００２１】図２（ｃ）および（ｄ）を参照して、ｎ層
目の層間絶縁膜４の上にｎ＋１層目のアルミニウム配線
５を形成する。このとき、ｎ層目の層間絶縁膜４の表面
が平坦化されているので、ｎ層目のアルミニウム配線の
表面も平坦となる。次に、ｎ＋１層目の層間絶縁膜６
を、ｎ＋１層目のアルミニウム配線５の上に形成する。
ｎ＋１層目のアルミニウム配線５の表面が平坦であるの
で、ｎ＋１層目の層間絶縁膜６の表面も平坦となる。ｎ
＋１層目の層間絶縁膜６の上にｎ＋２層目のアルミニウ
ム配線７を形成する。ｎ＋２層目のアルミニウム配線７
の表面は、また平坦となる。ｎ＋２層目のアルミニウム
配線７の上にパッシベーション膜８を形成する。
目の層間絶縁膜４の上にｎ＋１層目のアルミニウム配線
５を形成する。このとき、ｎ層目の層間絶縁膜４の表面
が平坦化されているので、ｎ層目のアルミニウム配線の
表面も平坦となる。次に、ｎ＋１層目の層間絶縁膜６
を、ｎ＋１層目のアルミニウム配線５の上に形成する。
ｎ＋１層目のアルミニウム配線５の表面が平坦であるの
で、ｎ＋１層目の層間絶縁膜６の表面も平坦となる。ｎ
＋１層目の層間絶縁膜６の上にｎ＋２層目のアルミニウ
ム配線７を形成する。ｎ＋２層目のアルミニウム配線７
の表面は、また平坦となる。ｎ＋２層目のアルミニウム
配線７の上にパッシベーション膜８を形成する。
【００２２】以上説明した方法によると、層間絶縁膜
４，６の表面が平坦化されているので、層間絶縁膜が段
差を有することに起因する、アルミニウム配線５，７の
断線という問題点は生じない。
４，６の表面が平坦化されているので、層間絶縁膜が段
差を有することに起因する、アルミニウム配線５，７の
断線という問題点は生じない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれ
ば、層間絶縁膜のエッチバックに安定なＣＦ4 プラズマ
を用いるので、層間絶縁膜の表面に均一にＣＦ4 プラズ
マが当たる。その結果、エッチバックが均一に進み、膜
厚均一性および平坦性良好な、層間絶縁膜が得られると
いう効果を奏する。
ば、層間絶縁膜のエッチバックに安定なＣＦ4 プラズマ
を用いるので、層間絶縁膜の表面に均一にＣＦ4 プラズ
マが当たる。その結果、エッチバックが均一に進み、膜
厚均一性および平坦性良好な、層間絶縁膜が得られると
いう効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例にかかる方法によって製造さ
れた半導体装置の断面図である。
れた半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の実施例に従う製造方法の順序の各工程
おける半導体装置の断面図である。
おける半導体装置の断面図である。
【図３】本発明に使用されるプラズマ発生装置の概略図
である。
である。
【図４】（ａ）は従来の方法によるものであり、ＣＦ4
プラズマの立ち上がりの様子を示した図である。（ｂ）
はプラズマ発生室内に最初Ｏ2 ガスを導入し、ｔ1 時間
後にＯ2 ガスをＣＦ4 ガスに切換えたときの、時間とＲ
Ｆパワーとの関係図である。
プラズマの立ち上がりの様子を示した図である。（ｂ）
はプラズマ発生室内に最初Ｏ2 ガスを導入し、ｔ1 時間
後にＯ2 ガスをＣＦ4 ガスに切換えたときの、時間とＲ
Ｆパワーとの関係図である。
【図５】（ａ）は、ＣＦ4 プラズマを用いる従来の方法
における、エッチバックの様子を示した図である。
（ｂ）は、本発明に従った方法における、エッチバック
の様子を示した図である。
における、エッチバックの様子を示した図である。
（ｂ）は、本発明に従った方法における、エッチバック
の様子を示した図である。
【図６】従来の方法によって得た半導体装置の断面図で
ある。
ある。
１ 半導体基板 ４ 層間絶縁膜 ５１ プラズマ発生室
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチバック法により、所定の膜厚を有
する層間絶縁膜を半導体基板の上に形成する方法であっ
て、 前記所定の膜厚よりも厚い膜厚を有する層間絶縁膜が形
成された半導体基板を準備する工程と、 前記半導体基板をプラズマ発生室内に置く工程と、 前記プラズマ発生室内にＯ2 ガスを導入し、Ｏ2 プラズ
マを発生させ、その後、このＯ2 プラズマを十分に安定
化させる工程と、 前記Ｏ2 プラズマを十分に安定化させた状態で、前記プ
ラズマ発生室内に前記Ｏ2 ガスの代わりにＣＦ4 ガスを
導入し、それによって安定なＣＦ4 プラズマを発生させ
る工程と、 前記ＣＦ4 プラズマで前記層間絶縁膜を所定の膜厚まで
エッチバックする工程と、 を備えた、層間絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24210991A JPH0582486A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24210991A JPH0582486A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582486A true JPH0582486A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17084436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24210991A Withdrawn JPH0582486A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582486A (ja) |
-
1991
- 1991-09-21 JP JP24210991A patent/JPH0582486A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |