JPH0582755B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0582755B2 JPH0582755B2 JP60105578A JP10557885A JPH0582755B2 JP H0582755 B2 JPH0582755 B2 JP H0582755B2 JP 60105578 A JP60105578 A JP 60105578A JP 10557885 A JP10557885 A JP 10557885A JP H0582755 B2 JPH0582755 B2 JP H0582755B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor laser
- mode hopping
- light
- noise generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 86
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06837—Stabilising otherwise than by an applied electric field or current, e.g. by controlling the temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、半導体レーザを駆動する装置に関す
る。さらに詳しくは、半導体レーザのモードホツ
ピングノイズ回避機能を備えた駆動装置に関す
る。
る。さらに詳しくは、半導体レーザのモードホツ
ピングノイズ回避機能を備えた駆動装置に関す
る。
（発明の技術的背景および従来技術）
光ビームを記録媒体上に走査させて該記録媒体
に画像情報等の各種情報を記録したり、あるいは
該記録媒体に記録されている各種情報を読み取つ
たりする光走査においては、その走査用光ビーム
として、半導体レーザから出射されるレーザビー
ムを用いる場合がある。
に画像情報等の各種情報を記録したり、あるいは
該記録媒体に記録されている各種情報を読み取つ
たりする光走査においては、その走査用光ビーム
として、半導体レーザから出射されるレーザビー
ムを用いる場合がある。
この様にレーザビームで光走査を行なう場合に
おいて、その光走査が例えば連続階調的な画像情
報を取り扱うものである場合には、一般的に、約
0.2％程度のレーザビーム光量の安定性が、即ち
レーザビーム光量の最大変動が約0.2％程度以下
であることが要求される。
おいて、その光走査が例えば連続階調的な画像情
報を取り扱うものである場合には、一般的に、約
0.2％程度のレーザビーム光量の安定性が、即ち
レーザビーム光量の最大変動が約0.2％程度以下
であることが要求される。
しかしながら、半導体レーザはその駆動条件に
よつてモードホツピングノイズが生じる。即ち、
半導体レーザはある特定の駆動条件の下において
異なるモード（レーザ波長）が競合し、その駆動
条件の下ではその異なるモードのうちの一方から
他方へあるいは他方から一方へのモードホツピン
グが往復的に繰り返され、このモードホツピング
の繰り返しによりレーザビームの光量（半導体レ
ーザ出力）が変動する、つまりモードホツピング
ノイズが発生する。
よつてモードホツピングノイズが生じる。即ち、
半導体レーザはある特定の駆動条件の下において
異なるモード（レーザ波長）が競合し、その駆動
条件の下ではその異なるモードのうちの一方から
他方へあるいは他方から一方へのモードホツピン
グが往復的に繰り返され、このモードホツピング
の繰り返しによりレーザビームの光量（半導体レ
ーザ出力）が変動する、つまりモードホツピング
ノイズが発生する。
上記モードホツピングノイズによる光量変動の
大きさは数％程度にまで達する。従つて、もし上
記の如き連続階調的な画像情報を取り扱う光走査
中に光量変動が数％に達するモードホツピングノ
イズが発生すると、読み取つたりあるいは記録し
た連続階調的画像情報にムラが生じることとな
り、好ましくない。
大きさは数％程度にまで達する。従つて、もし上
記の如き連続階調的な画像情報を取り扱う光走査
中に光量変動が数％に達するモードホツピングノ
イズが発生すると、読み取つたりあるいは記録し
た連続階調的画像情報にムラが生じることとな
り、好ましくない。
従つて、その様な光走査のために半導体レーザ
を駆動する場合には上記したモードホツピングノ
イズが発生しないように半導体レーザを駆動する
必要がある。
を駆動する場合には上記したモードホツピングノ
イズが発生しないように半導体レーザを駆動する
必要がある。
しかしながら、従来の半導体レーザの駆動装置
には、その様なモードホツピングノイズを十分に
回避する工夫を施したものは見当らない。
には、その様なモードホツピングノイズを十分に
回避する工夫を施したものは見当らない。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記事情に鑑み、モードホツ
ピングノイズの発生を回避することができる半導
体レーザ駆動装置を提供することにある。
ピングノイズの発生を回避することができる半導
体レーザ駆動装置を提供することにある。
（発明の構成）
本発明に係る半導体レーザ駆動装置は、上記目
的を達成するため、 半導体レーザから発せられるレーザビームの光
量を検出する光量センサと、該光量センサからの
出力に基づいて半導体レーザから出射されるレー
ザビームの光量が所定の設定光量になるように半
導体レーザを駆動する半導体レーザコントローラ
と、半導体レーザの温度を検出する温度センサお
よび半導体レーザの温度を制御する温度アクチユ
エータと、上記温度センサからの出力に基づいて
半導体レーザの温度が設定温度になるように上記
温度アクチユエータの作動を制御する温度コント
ローラと、両コントローラにそれぞれ設定光量と
設定温度とを入力せしめる制御回路とを備え、 さらに、レーザビームの光量と半導体レーザの
温度との組合せによつて特定されるモードホツピ
ングノイズ発生領域を記憶する記憶手段を備え、 上記制御回路によつて、上記半導体レーザから
発せられるレーザビームの光量と上記半導体レー
ザの温度との組合せが上記記憶回路に記憶されて
いるモードホツピングノイズ発生領域に移行しな
いように上記設定温度を適宜変更せしめる様に構
成されていることを特徴とする。
的を達成するため、 半導体レーザから発せられるレーザビームの光
量を検出する光量センサと、該光量センサからの
出力に基づいて半導体レーザから出射されるレー
ザビームの光量が所定の設定光量になるように半
導体レーザを駆動する半導体レーザコントローラ
と、半導体レーザの温度を検出する温度センサお
よび半導体レーザの温度を制御する温度アクチユ
エータと、上記温度センサからの出力に基づいて
半導体レーザの温度が設定温度になるように上記
温度アクチユエータの作動を制御する温度コント
ローラと、両コントローラにそれぞれ設定光量と
設定温度とを入力せしめる制御回路とを備え、 さらに、レーザビームの光量と半導体レーザの
温度との組合せによつて特定されるモードホツピ
ングノイズ発生領域を記憶する記憶手段を備え、 上記制御回路によつて、上記半導体レーザから
発せられるレーザビームの光量と上記半導体レー
ザの温度との組合せが上記記憶回路に記憶されて
いるモードホツピングノイズ発生領域に移行しな
いように上記設定温度を適宜変更せしめる様に構
成されていることを特徴とする。
即ち、本発明は、モードホツピングノイズは所
定の半導体レーザ駆動条件、つまり所定の半導体
レーザ温度とレーザビーム光量（この光量は半導
体レーザ駆動電流に対応する）との組合せの場合
にのみ生じるので、予め記憶手段にモードホツピ
ングノイズが発生する場合の上記温度と光量との
組合せ（モードホツピングノイズ発生領域）を記
憶させておき、半導体レーザ駆動中に実際の駆動
条件（上記温度と光量）を監視しながら該駆動条
件と上記記憶手段に記憶されているモードホツピ
ングノイズ発生領域とを上記制御回路において比
較検討し、上記実際の駆動条件がモードホツピン
グノイズ発生領域に移行しそうになつたら上記設
定温度を変化させて該領域への移行を回避し、モ
ードホツピングノイズの発生を防止するように構
成したものである。
定の半導体レーザ駆動条件、つまり所定の半導体
レーザ温度とレーザビーム光量（この光量は半導
体レーザ駆動電流に対応する）との組合せの場合
にのみ生じるので、予め記憶手段にモードホツピ
ングノイズが発生する場合の上記温度と光量との
組合せ（モードホツピングノイズ発生領域）を記
憶させておき、半導体レーザ駆動中に実際の駆動
条件（上記温度と光量）を監視しながら該駆動条
件と上記記憶手段に記憶されているモードホツピ
ングノイズ発生領域とを上記制御回路において比
較検討し、上記実際の駆動条件がモードホツピン
グノイズ発生領域に移行しそうになつたら上記設
定温度を変化させて該領域への移行を回避し、モ
ードホツピングノイズの発生を防止するように構
成したものである。
（実施態様）
以下、図面を参照しながら本発明の実施態様に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図は、本発明に係るレーザ駆動装置の一実
施態様を示すブロツク図である。
施態様を示すブロツク図である。
図示装置は、半導体レーザ１０を駆動するもの
であり、該半導体レーザ１０から発せられるレー
ザビーム１２によつて画像情報を記録するため変
調器１４および変調器コントローラ１６が付設さ
れている。
であり、該半導体レーザ１０から発せられるレー
ザビーム１２によつて画像情報を記録するため変
調器１４および変調器コントローラ１６が付設さ
れている。
図示装置は、まず、半導体レーザ１０と共に一
体的に組付けられて光源ユニツトを構成する光量
センサ１８と、温度アクチユエータ２０と、温度
センサ２２とを備えている。
体的に組付けられて光源ユニツトを構成する光量
センサ１８と、温度アクチユエータ２０と、温度
センサ２２とを備えている。
上記光量センサ１８は半導体レーザ１０から発
せられたレーザビーム１２の光量を検出するもの
であり、該センサ１８としては、光量を光電的に
検出する各種の光検出器等を使用することができ
る。
せられたレーザビーム１２の光量を検出するもの
であり、該センサ１８としては、光量を光電的に
検出する各種の光検出器等を使用することができ
る。
上記温度アクチユエータ２０は半導体レーザ１
０の温度を制御するものであり、該アクチユエー
タ２０としては半導体レーザ１０の温度を変化せ
しめることのできる各種の温度調節器、例えば半
導体レーザ１０を昇温させるヒータ、降温させる
クーラあるいはそれらの両機能を有する温度変調
器を使用することができる。
０の温度を制御するものであり、該アクチユエー
タ２０としては半導体レーザ１０の温度を変化せ
しめることのできる各種の温度調節器、例えば半
導体レーザ１０を昇温させるヒータ、降温させる
クーラあるいはそれらの両機能を有する温度変調
器を使用することができる。
上記温度センサ２２は半導体レーザ１０の温度
を検出するものであり、該センサ２２としてはサ
ーシスタ等の各種の温度検出素子を使用すること
ができる。
を検出するものであり、該センサ２２としてはサ
ーシスタ等の各種の温度検出素子を使用すること
ができる。
上記温度アクチユエータ２０および温度センサ
２２は、共に半導体レーザ１０の素子自体の温度
を直接的に制御および検出することができるもの
に限らず、該半導体素子を内臓する半導体レーザ
ケースの温度を介して制御および検出することが
できるものであつても良い。
２２は、共に半導体レーザ１０の素子自体の温度
を直接的に制御および検出することができるもの
に限らず、該半導体素子を内臓する半導体レーザ
ケースの温度を介して制御および検出することが
できるものであつても良い。
上記半導体レーザ１０は半導体レーザコントロ
ーラ２４によつて、上記温度アクチユエータ２０
は温度コントローラ２６によつて駆動される。
ーラ２４によつて、上記温度アクチユエータ２０
は温度コントローラ２６によつて駆動される。
半導体レーザコントローラ２４には上記光量セ
ンサ１８の出力が入力され、かつ制御回路２８に
よつて所定の設定光量が入力されている。半導体
レーザコントローラ２４は、光量センサ１８から
入力されるレーザビーム１２の光量を監視しなが
らそのレーザビームの光量が上記制御回路２８に
よつて設定せしめられた所定の設定光量になるよ
うに駆動電流を流して半導体レーザ１０を駆動す
る。
ンサ１８の出力が入力され、かつ制御回路２８に
よつて所定の設定光量が入力されている。半導体
レーザコントローラ２４は、光量センサ１８から
入力されるレーザビーム１２の光量を監視しなが
らそのレーザビームの光量が上記制御回路２８に
よつて設定せしめられた所定の設定光量になるよ
うに駆動電流を流して半導体レーザ１０を駆動す
る。
上記温度コントローラ２６には上記温度センサ
２２の出力が入力され、かつ制御回路２８によつ
て所定の設定温度が入力されている。温度コント
ローラ２６は、温度センサ２２から入力される半
導体レーザ１０の温度を監視しながらその温度が
上記制御回路によつて設定せしめられた所定の設
定温度になるように温度アクチユエータ２０を作
動させる。もちろん、完全に所定の設定温度にな
るように制御できるのは昇温および降温の両方向
に十分な温度調整機能を有する温度アクチユエー
タの場合のみであり、昇温方向にのみ温度調整可
能なヒータの如き温度アクチユエータの場合は外
気温が設定温度以上になつたときにはもはや設定
温度への制御は不可能であり、降温方向にのみ温
度調整可能なクーラの如き場合は外気温が設定温
度以下になつたときには同様に制御不可能であ
る。また、両方向への温度調整機能を有していて
も、例えば降温方向への温度調整能力が極めて小
さい場合には、外気温が設定温度より十分大きい
とき同様に制御不可能である。
２２の出力が入力され、かつ制御回路２８によつ
て所定の設定温度が入力されている。温度コント
ローラ２６は、温度センサ２２から入力される半
導体レーザ１０の温度を監視しながらその温度が
上記制御回路によつて設定せしめられた所定の設
定温度になるように温度アクチユエータ２０を作
動させる。もちろん、完全に所定の設定温度にな
るように制御できるのは昇温および降温の両方向
に十分な温度調整機能を有する温度アクチユエー
タの場合のみであり、昇温方向にのみ温度調整可
能なヒータの如き温度アクチユエータの場合は外
気温が設定温度以上になつたときにはもはや設定
温度への制御は不可能であり、降温方向にのみ温
度調整可能なクーラの如き場合は外気温が設定温
度以下になつたときには同様に制御不可能であ
る。また、両方向への温度調整機能を有していて
も、例えば降温方向への温度調整能力が極めて小
さい場合には、外気温が設定温度より十分大きい
とき同様に制御不可能である。
記憶手段３０にはレーザビーム光量と半導体レ
ーザ温度との組合せによつて特定されるモードホ
ツピングノイズ発生領域、即ち、例えば第２図中
点々を付した様なモードホツピングノイズ発生領
域が記憶せしめられている。半導体レーザ１０の
モードホツピングノイズは、上記所定のレーザビ
ーム光量と半導体レーザ温度との組合せから成る
モードホツピングノイズ発生領域においてのみ発
生し、他の領域（非発生領域）においては発生し
ない。
ーザ温度との組合せによつて特定されるモードホ
ツピングノイズ発生領域、即ち、例えば第２図中
点々を付した様なモードホツピングノイズ発生領
域が記憶せしめられている。半導体レーザ１０の
モードホツピングノイズは、上記所定のレーザビ
ーム光量と半導体レーザ温度との組合せから成る
モードホツピングノイズ発生領域においてのみ発
生し、他の領域（非発生領域）においては発生し
ない。
上記制御回路２８においては、温度センサ２２
から半導体レーザ温度が、光量センサ１８からレ
ーザビーム光量が入力せしめられ、これらの温度
と光量とが上記記憶手段３０から入力せしめられ
るモードホツピングノイズ発生領域と比較検討さ
れ、該温度と光量との組合せがモードホツピング
ノイズ発生領域に移行しそうになつたら、上記温
度コントローラ２６に入力せしめている設定温度
を変更して実際の駆動条件である上記光量と温度
との組合せが上記ノイズ発生領域に移行しないよ
うにし、モードホツピングノイズの発生を防止す
るような制御が行なわれる。
から半導体レーザ温度が、光量センサ１８からレ
ーザビーム光量が入力せしめられ、これらの温度
と光量とが上記記憶手段３０から入力せしめられ
るモードホツピングノイズ発生領域と比較検討さ
れ、該温度と光量との組合せがモードホツピング
ノイズ発生領域に移行しそうになつたら、上記温
度コントローラ２６に入力せしめている設定温度
を変更して実際の駆動条件である上記光量と温度
との組合せが上記ノイズ発生領域に移行しないよ
うにし、モードホツピングノイズの発生を防止す
るような制御が行なわれる。
具体的には、例えば温度アクチユエータ２０が
昇温機能のみを有するヒータの如き場合、半導体
レーザ１０を設定光量L0、設定温度T0（第２図参
照）で駆動中に外気温TSが設定温度T0以上にな
ると半導体レーザ１０の温度もその外気温TSに
向けて上昇し、もしその外気温TSが図示の如く
ノイズ発生領域Ａ内に位置する場合にはモードホ
ツピングノイズが発生することになる。そこで、
半導体レーザ１０の温度を温度センサ２２で常時
検出し、外気温の上昇につれて半導体レーザ１０
の温度が上昇してノイズ発生領域Ａ内に移行しそ
うになつたら設定温度をそのノイズ発生領域Ａよ
り高温側のノイズ非発生領域内温度T1に変更す
る。T1＞TSであるので、半導体レーザ１０の温
度はヒータによつてT1に維持され、モードホツ
ピングノイズの発生は回避される。もし、さらに
TSが上昇し続けたら上記と同様の制御を再度行
なえば良い。
昇温機能のみを有するヒータの如き場合、半導体
レーザ１０を設定光量L0、設定温度T0（第２図参
照）で駆動中に外気温TSが設定温度T0以上にな
ると半導体レーザ１０の温度もその外気温TSに
向けて上昇し、もしその外気温TSが図示の如く
ノイズ発生領域Ａ内に位置する場合にはモードホ
ツピングノイズが発生することになる。そこで、
半導体レーザ１０の温度を温度センサ２２で常時
検出し、外気温の上昇につれて半導体レーザ１０
の温度が上昇してノイズ発生領域Ａ内に移行しそ
うになつたら設定温度をそのノイズ発生領域Ａよ
り高温側のノイズ非発生領域内温度T1に変更す
る。T1＞TSであるので、半導体レーザ１０の温
度はヒータによつてT1に維持され、モードホツ
ピングノイズの発生は回避される。もし、さらに
TSが上昇し続けたら上記と同様の制御を再度行
なえば良い。
温度アクチユエータ２０が降温機能のみを有す
るクーラの如き場合において外気温TS′が設定温
度以下になり、半導体レーザ温度がノイズ発生領
域に移行しそうになつた場合も上記と同様の方法
で設定温度をT1′に変更すれば良い。
るクーラの如き場合において外気温TS′が設定温
度以下になり、半導体レーザ温度がノイズ発生領
域に移行しそうになつた場合も上記と同様の方法
で設定温度をT1′に変更すれば良い。
さらには、温度アクチユエータ２０が昇温と降
温の両機能を有する場合においても、その能力が
十分でない場合には例えば外気温変化が非常に大
きいとき等に半導体レーザ温度を設定温度に制御
することが不可能となり、該温度が上記ノイズ発
生領域に移行しそうになるときがあり、そのとき
も上記と同様の方法で設定温度を変更すれば良
い。
温の両機能を有する場合においても、その能力が
十分でない場合には例えば外気温変化が非常に大
きいとき等に半導体レーザ温度を設定温度に制御
することが不可能となり、該温度が上記ノイズ発
生領域に移行しそうになるときがあり、そのとき
も上記と同様の方法で設定温度を変更すれば良
い。
上記各具体例はいずれも温度変化により実際の
駆動条件がノイズ発生領域に移行する場合である
が、走査側の理由から設定光量を変化させること
によりノイズ発生領域に移行する場合もあり、そ
の場合も設定温度を非発生領域になるように設定
変更すれば良い。
駆動条件がノイズ発生領域に移行する場合である
が、走査側の理由から設定光量を変化させること
によりノイズ発生領域に移行する場合もあり、そ
の場合も設定温度を非発生領域になるように設定
変更すれば良い。
上記光量センサ１８の出力は、必ずしも制御回
路２８に入力させる必要はない。光量センサ１８
の出力は設定光量とほぼ同一であり、制御回路２
８はこの設定光量に関する情報を有しているから
である。
路２８に入力させる必要はない。光量センサ１８
の出力は設定光量とほぼ同一であり、制御回路２
８はこの設定光量に関する情報を有しているから
である。
また、温度センサ２２からの出力の代わりに外
気温センサ３２の出力を制御回路２８に入力せし
めるようにし、この外気温センサ３２の出力から
半導体レーザの実際の駆動温度を知るように構成
することもできる。なぜならば、例えば温度アク
チユエータ２０が昇温機能のみを有するヒータの
場合、上記半導体レーザ駆動温度は、外気温が上
記設定温度以下のときは該設定温度であり、外気
温が設定温度以上のときは該外気温に相当するか
らである。
気温センサ３２の出力を制御回路２８に入力せし
めるようにし、この外気温センサ３２の出力から
半導体レーザの実際の駆動温度を知るように構成
することもできる。なぜならば、例えば温度アク
チユエータ２０が昇温機能のみを有するヒータの
場合、上記半導体レーザ駆動温度は、外気温が上
記設定温度以下のときは該設定温度であり、外気
温が設定温度以上のときは該外気温に相当するか
らである。
半導体レーザは寿命、効率等の面からできるだ
け低い温度で駆動したいが、外気温より低い温度
で駆動することは高価な冷却装置を用意しなけれ
ばならないと共にレーザビームに悪影響を及ぼす
結露発生の恐れがある。従つて、半導体レーザ温
度の制御は、昇温機能を有するヒータのみによつ
て行なうと共に常に外気温よりわずかに高い所に
制御するのが望ましい。
け低い温度で駆動したいが、外気温より低い温度
で駆動することは高価な冷却装置を用意しなけれ
ばならないと共にレーザビームに悪影響を及ぼす
結露発生の恐れがある。従つて、半導体レーザ温
度の制御は、昇温機能を有するヒータのみによつ
て行なうと共に常に外気温よりわずかに高い所に
制御するのが望ましい。
本発明においては、温度アクチユエータ２０と
して昇温機能のみを有するヒータを使用すること
により、前述のように、所定の設定光量L0で半
導体レーザを駆動する場合該半導体レーザの温度
を外気温TSより上でその外気温に最も近いノイ
ズ非発生領域内の温度T1になるように制御でき、
その結果半導体レーザを出来るだけ低い温度で駆
動したいという要求と温度制御のコストダウンお
よび結露回避という要求の２つをある程度満たす
ことができるものである。
して昇温機能のみを有するヒータを使用すること
により、前述のように、所定の設定光量L0で半
導体レーザを駆動する場合該半導体レーザの温度
を外気温TSより上でその外気温に最も近いノイ
ズ非発生領域内の温度T1になるように制御でき、
その結果半導体レーザを出来るだけ低い温度で駆
動したいという要求と温度制御のコストダウンお
よび結露回避という要求の２つをある程度満たす
ことができるものである。
上記モードホツピングノイズ発生領域を避ける
ために、例えば上記の如くノイズ発生領域Ａを飛
び越す方向に設定温度を変更する場合は、その過
程において短時間ではあるがモードホツピングノ
イズが発生し、レーザビームの光量が変化する。
この様なレーザビームの光量変化は、もちろん光
走査にとつて好ましいものではなく、従つて必要
に応じてその光量変化に対応する補正を光走査に
おいて行なうのが望ましい。
ために、例えば上記の如くノイズ発生領域Ａを飛
び越す方向に設定温度を変更する場合は、その過
程において短時間ではあるがモードホツピングノ
イズが発生し、レーザビームの光量が変化する。
この様なレーザビームの光量変化は、もちろん光
走査にとつて好ましいものではなく、従つて必要
に応じてその光量変化に対応する補正を光走査に
おいて行なうのが望ましい。
そのため、図示の装置においては、光量センサ
１８からの出力を変調器コントローラ１６に入力
せしめ、変調器コントローラ１６は、画像情報信
号に対してこの光量センサ１８によつて入力せし
められる光量変化分に応じた補正を施すことによ
つて得られる補正画像情報信号によつて変調器１
４を駆動し、レーザビーム１２を変調するように
構成されている。もちろん、読み取りの場合に
は、読み取つた信号にこの光量センサ１８で検出
された光量変化分に応じた補正を施すように構成
すれば良い。
１８からの出力を変調器コントローラ１６に入力
せしめ、変調器コントローラ１６は、画像情報信
号に対してこの光量センサ１８によつて入力せし
められる光量変化分に応じた補正を施すことによ
つて得られる補正画像情報信号によつて変調器１
４を駆動し、レーザビーム１２を変調するように
構成されている。もちろん、読み取りの場合に
は、読み取つた信号にこの光量センサ１８で検出
された光量変化分に応じた補正を施すように構成
すれば良い。
第３図は他の実施態様を示すブロツク図であ
る。
る。
図示の実施態様も、その基本的な構成は第１図
に示す実施態様と同様であり、同一構成要素には
同一の番号を付し、詳細な説明は省略する。
に示す実施態様と同様であり、同一構成要素には
同一の番号を付し、詳細な説明は省略する。
本実施態様の第１図に示す実施態様と異なる点
は、記憶手段３０にある。即ち、第１図実施態様
の記憶手段３０は、予め何らかの方法によつて用
意されたモードホツピングノイズ発生領域に関す
る情報を記憶するだけのものであるのに対し、本
実施態様における記憶手段３０は自らモードホツ
ピングノイズ発生領域を検出し、それを記憶する
ことができるように構成されている。
は、記憶手段３０にある。即ち、第１図実施態様
の記憶手段３０は、予め何らかの方法によつて用
意されたモードホツピングノイズ発生領域に関す
る情報を記憶するだけのものであるのに対し、本
実施態様における記憶手段３０は自らモードホツ
ピングノイズ発生領域を検出し、それを記憶する
ことができるように構成されている。
具体的には、上記光量センサ１８からの出力に
基づいてモードホツピングノイズ発生を検出する
モードホツピングノイズ検出器３４を備え、該検
出器３４からの出力と上記温度センサ２２からの
出力が記憶手段に入力せしめられ、所定光量L0
で半導体レーザ１０を駆動しながら温度アクチユ
エータ２０をを動させて該半導体レーザ温度を所
定範囲内で上下に振らせ、モードホツピングノイ
ズが発したときの温度と上記光量L0とを記憶す
るように構成されている。
基づいてモードホツピングノイズ発生を検出する
モードホツピングノイズ検出器３４を備え、該検
出器３４からの出力と上記温度センサ２２からの
出力が記憶手段に入力せしめられ、所定光量L0
で半導体レーザ１０を駆動しながら温度アクチユ
エータ２０をを動させて該半導体レーザ温度を所
定範囲内で上下に振らせ、モードホツピングノイ
ズが発したときの温度と上記光量L0とを記憶す
るように構成されている。
上記モードホツピングノイズの検出は、レーザ
ビーム１２の光量の交流成分（変動分）を検出
し、これが所定の基準値以上になつたときにモー
ドホツピングノイズが発生していると判断するも
のであり、例えば図示の如くDCカツトフイルタ
３４ａ、比較回路３４ｂ、基準信号発生器３４ｃ
とで構成される。
ビーム１２の光量の交流成分（変動分）を検出
し、これが所定の基準値以上になつたときにモー
ドホツピングノイズが発生していると判断するも
のであり、例えば図示の如くDCカツトフイルタ
３４ａ、比較回路３４ｂ、基準信号発生器３４ｃ
とで構成される。
上記第１図実施態様の場合に記憶手段３０に記
憶せしめるモードホツピングノイズ発生領域は、
所定の光量L0のときのノイズ発生領域のみであ
つても良いが、所定範囲の光量にわたつた第２図
に示す如きノイズ発生領域であるのが好ましい。
そうでないと、この実施態様は、ノイズ発生領域
を自ら検出することができないので、異なる光量
の場合にはその光量におけるノイズ発生領域を記
憶させ直さなければならず、面倒だからである。
憶せしめるモードホツピングノイズ発生領域は、
所定の光量L0のときのノイズ発生領域のみであ
つても良いが、所定範囲の光量にわたつた第２図
に示す如きノイズ発生領域であるのが好ましい。
そうでないと、この実施態様は、ノイズ発生領域
を自ら検出することができないので、異なる光量
の場合にはその光量におけるノイズ発生領域を記
憶させ直さなければならず、面倒だからである。
しかしながら、第３図実施態様の場合には、異
なる光量についてのノイズ発生領域を容易に検出
し、記憶することができるので、設定予定の所定
光量L0についてのノイズ発生領域のみ記憶させ
ておけば良く、設定光量が変化したらまた記憶さ
せ直せば良い。また、この実施態様によれば、常
に新しいノイズ発生領域を容易に記憶させること
ができ、半導体レーザの劣化等によるノイズ発生
領域の変化に容易に対応できるので便利である。
なる光量についてのノイズ発生領域を容易に検出
し、記憶することができるので、設定予定の所定
光量L0についてのノイズ発生領域のみ記憶させ
ておけば良く、設定光量が変化したらまた記憶さ
せ直せば良い。また、この実施態様によれば、常
に新しいノイズ発生領域を容易に記憶させること
ができ、半導体レーザの劣化等によるノイズ発生
領域の変化に容易に対応できるので便利である。
なお、光量センサ１８からの出力を半導体レー
ザコントローラ２６に入力せしめ、該コントロー
ラ２６で半導体レーザ１０を駆動制御するにあた
つては、第４図に示すように、光量センサ１８か
らの出力を基準信号と比較し、比較結果を低周波
除去フイルタに入力してレーザビーム光量におけ
る低周波成分の温度ドリフト等を除去してコント
ローラ２６に入力させるようにしても良い。
ザコントローラ２６に入力せしめ、該コントロー
ラ２６で半導体レーザ１０を駆動制御するにあた
つては、第４図に示すように、光量センサ１８か
らの出力を基準信号と比較し、比較結果を低周波
除去フイルタに入力してレーザビーム光量におけ
る低周波成分の温度ドリフト等を除去してコント
ローラ２６に入力させるようにしても良い。
（発明の効果）
本発明に係る半導体レーザ駆動装置は、上記の
如く、モードホツピングノイズ発生領域を記憶し
ておき、半導体レーザの駆動中における実際の半
導体レーザ温度およびレーザビーム光量を監視し
ながらそれらを上記ノイズ発生領域と比較検討
し、上記温度と光量との組合せが上記ノイズ発生
領域に移行しそうになつたら設定温度を変更して
該ノイズ発生領域への移行を回避するように構成
されている。
如く、モードホツピングノイズ発生領域を記憶し
ておき、半導体レーザの駆動中における実際の半
導体レーザ温度およびレーザビーム光量を監視し
ながらそれらを上記ノイズ発生領域と比較検討
し、上記温度と光量との組合せが上記ノイズ発生
領域に移行しそうになつたら設定温度を変更して
該ノイズ発生領域への移行を回避するように構成
されている。
従つて、本発明装置においては、半導体レーザ
の駆動条件（上記温度と光量の組合せ）が上記ノ
イズ発生領域に移行する恐れはなく、よつて例え
ば半導体レーザ駆動中に外気温変化や設定光量変
化があつた場合においても、モードホツピングノ
イズの発生を十分に回避することができる。
の駆動条件（上記温度と光量の組合せ）が上記ノ
イズ発生領域に移行する恐れはなく、よつて例え
ば半導体レーザ駆動中に外気温変化や設定光量変
化があつた場合においても、モードホツピングノ
イズの発生を十分に回避することができる。
また、温度アクチユエータとしてヒータを使用
すれば、前述の如く外気温に対して常に最低の昇
温制御でモードホツピングノイズの発生を防止す
ることができ、種々のメリツトが得られるので好
都合である。
すれば、前述の如く外気温に対して常に最低の昇
温制御でモードホツピングノイズの発生を防止す
ることができ、種々のメリツトが得られるので好
都合である。
第１図は本発明に係る半導体レーザ駆動装置の
一実施態様を示すブロツク図、第２図は半導体レ
ーザにおけるモードホツピングノイズ発生領域を
示す図、第３図は他の実施態様を示す図、第４図
は光量センサの出力を半導体レーザコントローラ
に入力せしめる場合の一態様を示すブロツク図で
ある。 １０……半導体レーザ、１２……レーザビー
ム、１８……光量センサ、２０……温度アクチユ
エータ、２２……温度センサ、２４……半導体レ
ーザコントローラ、２６……温度コントローラ、
２８……制御回路、３０……記憶手段、３４……
モードホツピングノイズ検出器。
一実施態様を示すブロツク図、第２図は半導体レ
ーザにおけるモードホツピングノイズ発生領域を
示す図、第３図は他の実施態様を示す図、第４図
は光量センサの出力を半導体レーザコントローラ
に入力せしめる場合の一態様を示すブロツク図で
ある。 １０……半導体レーザ、１２……レーザビー
ム、１８……光量センサ、２０……温度アクチユ
エータ、２２……温度センサ、２４……半導体レ
ーザコントローラ、２６……温度コントローラ、
２８……制御回路、３０……記憶手段、３４……
モードホツピングノイズ検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザから発せられるレーザビーム光
量を検出する光量センサと、 半導体レーザの温度を検出する温度センサと、 半導体レーザの温度を制御する温度アクチユエ
ータと、 上記光量センサからの出力に基づいて半導体レ
ーザから出射されるレーザビームの光量が設定光
量となるように半導体レーザを駆動する半導体レ
ーザコントローラと、 上記温度センサから出力に基づいて半導体レー
ザの温度が設定温度になるように温度アクチユエ
ータの作動を制御する温度コントローラと、 レーザビームの光量と半導体レーザの温度との
組合せによつて特定されるモードホツピングノイ
ズ発生領域を記憶する記憶手段と、 上記半導体レーザコントローラと温度コントロ
ーラとにそれぞれ上記設定光量と設定温度とを入
力せしめると共に上記記憶手段によつて記憶され
ているモードホツピングノイズ発生領域が入力せ
しめられ、上記半導体レーザから発せられるレー
ザビームの光量と該半導体レーザの温度との組合
せが該モードホツピングノイズ発生領域に移行し
ないように上記設定温度を変更せしめる制御回路
とを備えて成ることを特徴とする半導体レーザ駆
動装置。 ２ 上記記憶手段が、上記光量センサから出力さ
れたレーザビーム光量に基づいてモードホツピン
グノイズの発生を検出するモードホツピングノイ
ズ検出器を備え、該検出器からのモードホツピン
グノイズ発生信号と上記温度センサから出力され
た半導体レーザ温度信号とから上記モードホツピ
ングノイズ発生領域を検出し、その検出されたモ
ードホツピングノイズ発生領域を記憶するもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105578A JPS61264774A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| US06/862,875 US4817098A (en) | 1985-05-17 | 1986-05-13 | Semiconductor laser driver system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105578A JPS61264774A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264774A JPS61264774A (ja) | 1986-11-22 |
| JPH0582755B2 true JPH0582755B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=14411391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60105578A Granted JPS61264774A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264774A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0495559B1 (en) * | 1987-01-21 | 1994-10-05 | AT&T Corp. | Hybrid laser for optical communications |
| JP2001244554A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置、半導体レーザ駆動方法及び画像形成装置 |
| JP2006156537A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Noritsu Koki Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| JP2008065105A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
| JP5103412B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2012-12-19 | アンリツ株式会社 | 波長掃引光源 |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP60105578A patent/JPS61264774A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61264774A (ja) | 1986-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4817098A (en) | Semiconductor laser driver system | |
| EP0762568A1 (en) | Microprocessor controlled thermoelectric cooler and laser power controller | |
| US5233596A (en) | Optical recording/reproducing apparatus including both automatic power control and temperature-based drive current control | |
| JP2624788B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| US5018155A (en) | Semiconductor laser driving apparatus to be used for optical information recording and reproducing apparatus | |
| JP2715206B2 (ja) | レーザ記録装置 | |
| US5303251A (en) | Method and circuit arrangement for driving a laser diode | |
| JPS61264774A (ja) | 半導体レ−ザ駆動装置 | |
| US4984015A (en) | Exposure method and apparatus | |
| US20030099178A1 (en) | Optical disc drive and laser beam drive power supply voltage control method | |
| EP0291249B1 (en) | Multi-power laser seam tracking system | |
| JP2004259751A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置とその稼働方法 | |
| JPS61264773A (ja) | 半導体レ−ザ駆動装置 | |
| JP3743399B2 (ja) | レーザダイオード制御装置、及び制御方法 | |
| JP2001244554A (ja) | 半導体レーザ駆動装置、半導体レーザ駆動方法及び画像形成装置 | |
| KR100268466B1 (ko) | 광 디스크 재생기의 알에프 레벨에 따른 광파워 조정장치 | |
| JPH0737265A (ja) | 光情報記録装置 | |
| CN101120408A (zh) | 防止激光二极管饱和的方法和装置 | |
| JPH05260275A (ja) | レ−ザ記録ファクシミリ装置および記録方法 | |
| JPH021383B2 (ja) | ||
| JPS62279687A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JP2000261090A (ja) | レーザ駆動回路 | |
| KR100541945B1 (ko) | 레이저 다이오드의 광 파워 및 온도 동시 제어 장치 및방법 | |
| JPH05243655A (ja) | 半導体レーザ制御装置 | |
| JPH05120715A (ja) | 光源駆動装置 |