JPH0582894A - 多波長半導体レ−ザ及びその製造方法 - Google Patents
多波長半導体レ−ザ及びその製造方法Info
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- JPH0582894A JPH0582894A JP24176591A JP24176591A JPH0582894A JP H0582894 A JPH0582894 A JP H0582894A JP 24176591 A JP24176591 A JP 24176591A JP 24176591 A JP24176591 A JP 24176591A JP H0582894 A JPH0582894 A JP H0582894A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、同一素子内で複数の波長のレ−ザを
単独で出力制御しながら発振可能で、かつ低しきい値電
流化が期待できることを主要な目的とする。 【構成】化合物半導体基板(21)と、この基板上に形成さ
れた下部クラツド層(23)と、この下部クラッド層上に形
成され，ストライプ状でかつ幅が異なる開口部を有する
マスク(24)と、前記開口部から露出する前記下部クラッ
ド層上に夫々順次形成された第１上部クラッド層(25a,2
5b)，量子井戸活性層(26a,26b) ，第２上部クラッド層
(26a,26b) 及びキャップ層(27a,27b) と、このキャップ
層上に形成された外部電極(30a,30b) とを具備し、前記
外部電極を選択することにより同一基板内で複数の波長
を発振することを特徴とする多波長半導体レ−ザ活性層
に量子井戸を用いた半導体レ−ザにおいて、同一基板上
に井戸幅の異なる量子井戸層を少なくとも２個形成した
多波長半導体レ−ザ及びその製造方法。
単独で出力制御しながら発振可能で、かつ低しきい値電
流化が期待できることを主要な目的とする。 【構成】化合物半導体基板(21)と、この基板上に形成さ
れた下部クラツド層(23)と、この下部クラッド層上に形
成され，ストライプ状でかつ幅が異なる開口部を有する
マスク(24)と、前記開口部から露出する前記下部クラッ
ド層上に夫々順次形成された第１上部クラッド層(25a,2
5b)，量子井戸活性層(26a,26b) ，第２上部クラッド層
(26a,26b) 及びキャップ層(27a,27b) と、このキャップ
層上に形成された外部電極(30a,30b) とを具備し、前記
外部電極を選択することにより同一基板内で複数の波長
を発振することを特徴とする多波長半導体レ−ザ活性層
に量子井戸を用いた半導体レ−ザにおいて、同一基板上
に井戸幅の異なる量子井戸層を少なくとも２個形成した
多波長半導体レ−ザ及びその製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部電極を選択するこ
とにより、複数の波長を発振可能とした多波長半導体レ
−ザ、特に量子井戸半導体レ−ザの改良に関する。
とにより、複数の波長を発振可能とした多波長半導体レ
−ザ、特に量子井戸半導体レ−ザの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数の波長のレ−ザが発振可能な
多波長半導体レ−ザとしては、量子井戸層幅が互いに異
なる量子井戸を併設して、レ−ザに流す注入電流量を制
御することにより２波長以上のレ−ザを取り出すことが
できる素子が提案されている。図３は、従来の多波長半
導体レ−ザの一例を示す。
多波長半導体レ−ザとしては、量子井戸層幅が互いに異
なる量子井戸を併設して、レ−ザに流す注入電流量を制
御することにより２波長以上のレ−ザを取り出すことが
できる素子が提案されている。図３は、従来の多波長半
導体レ−ザの一例を示す。
【０００３】図中の１は、ｎ型のＧａＡｓ基板である。
この基板１上には、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２、ｎ型
のＡＩx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ〜0.45）クラッド層３、Ｇａ
Ａｓ第１量子井戸層４、ＡＩx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ〜0.3
0）中間層５、ＧａＡｓ第２量子井戸層６、ｐ型ＡＩx
Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ〜0.45）クラッド層７及びｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層８が順次形成されている。前記ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層８上にはｐ型電極９が形成され、前記基板
１の裏面にはｎ型電極10が形成されている。
この基板１上には、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２、ｎ型
のＡＩx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ〜0.45）クラッド層３、Ｇａ
Ａｓ第１量子井戸層４、ＡＩx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ〜0.3
0）中間層５、ＧａＡｓ第２量子井戸層６、ｐ型ＡＩx
Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ〜0.45）クラッド層７及びｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層８が順次形成されている。前記ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層８上にはｐ型電極９が形成され、前記基板
１の裏面にはｎ型電極10が形成されている。
【０００４】前記第１・第２量子井戸層４，６は夫々井
戸幅LW1，LW2（LW1＞LW2）であり、これら両井戸層４，
６で挟まれた前記中間層５の厚みは〜１０ｎｍである。
上記構成の半導体レ−ザにおいて、前記中間層５及びク
ラッド層３，７からなる活性領域では、注入電流を制御
することにより、量子井戸幅ＬＷ1 ，ＬＷ2 、さらに活
性層幅に対応する波長での発振が可能である。
戸幅LW1，LW2（LW1＞LW2）であり、これら両井戸層４，
６で挟まれた前記中間層５の厚みは〜１０ｎｍである。
上記構成の半導体レ−ザにおいて、前記中間層５及びク
ラッド層３，７からなる活性領域では、注入電流を制御
することにより、量子井戸幅ＬＷ1 ，ＬＷ2 、さらに活
性層幅に対応する波長での発振が可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レ−ザによれば、波長を選択するために注入電流
を正確に制御する必要がある。また、そのために、単独
の波長で発振出力を自由に制御することが困難である等
の問題があった。
半導体レ−ザによれば、波長を選択するために注入電流
を正確に制御する必要がある。また、そのために、単独
の波長で発振出力を自由に制御することが困難である等
の問題があった。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、外部電極を選択することにより、同一素子内で複数
の波長のレ−ザを単独で出力制御しながら発振させるこ
とができ、更に低しきい値電流化が期待しえる多波長半
導体レ−ザ及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
で、外部電極を選択することにより、同一素子内で複数
の波長のレ−ザを単独で出力制御しながら発振させるこ
とができ、更に低しきい値電流化が期待しえる多波長半
導体レ−ザ及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は量子井戸型半導
体レ−ザに関するもので、その特徴は、複数の外部電極
を設けたことにより、異なる量子井戸幅の活性層を選択
できる構造を有する点にある。また、その異なる量子井
戸幅の活性層を形成するために、同一チップ上にマスク
開口率の異なる領域を少なくとも２ケ所以上設けた。つ
まり、本発明では、成長速度の差によって異なる井戸幅
の量子井戸層を同時に形成できるようにしたものであ
る。なお、一般的にマスク開口率が減少するにつれ、成
長速度が増加することが知られている。
体レ−ザに関するもので、その特徴は、複数の外部電極
を設けたことにより、異なる量子井戸幅の活性層を選択
できる構造を有する点にある。また、その異なる量子井
戸幅の活性層を形成するために、同一チップ上にマスク
開口率の異なる領域を少なくとも２ケ所以上設けた。つ
まり、本発明では、成長速度の差によって異なる井戸幅
の量子井戸層を同時に形成できるようにしたものであ
る。なお、一般的にマスク開口率が減少するにつれ、成
長速度が増加することが知られている。
【０００８】即ち、本願第１の発明は、化合物半導体基
板と、この基板上に形成された下部クラツド層と、この
下部クラッド層上に形成され，ストライプ状でかつ幅が
異なる開口部を有するマスクと、このマスクの複数の開
口部から露出する前記下部クラッド層上に夫々順次形成
された第１上部クラッド層，量子井戸活性層，第２クラ
ッド層及びキャップ層と、このキャップ層上に形成され
た外部電極とを具備し、前記外部電極を選択することに
より同一基板内で複数の波長を発振することを特徴とす
る多波長半導体レ−ザである。
板と、この基板上に形成された下部クラツド層と、この
下部クラッド層上に形成され，ストライプ状でかつ幅が
異なる開口部を有するマスクと、このマスクの複数の開
口部から露出する前記下部クラッド層上に夫々順次形成
された第１上部クラッド層，量子井戸活性層，第２クラ
ッド層及びキャップ層と、このキャップ層上に形成され
た外部電極とを具備し、前記外部電極を選択することに
より同一基板内で複数の波長を発振することを特徴とす
る多波長半導体レ−ザである。
【０００９】本願第２の発明は、化合物半導体基板上に
下部クラッド層を形成する工程と、この下部クラッド層
上にストライプ状でかつ幅が異なる開口部を有するマス
クを形成する工程と、このマスクの開口部から露出する
前記下部クラッド層上に第１上部クラッド層，量子井戸
活性層，第２クラッド層及びキャップ層を順次選択成長
する工程と、前記キャップ層上に夫々外部電極を形成す
る工程を具備することを特徴とする多波長半導体レ−ザ
の製造方法である。
下部クラッド層を形成する工程と、この下部クラッド層
上にストライプ状でかつ幅が異なる開口部を有するマス
クを形成する工程と、このマスクの開口部から露出する
前記下部クラッド層上に第１上部クラッド層，量子井戸
活性層，第２クラッド層及びキャップ層を順次選択成長
する工程と、前記キャップ層上に夫々外部電極を形成す
る工程を具備することを特徴とする多波長半導体レ−ザ
の製造方法である。
【００１０】
【作用】本発明によれば、外部電極（図１中のｐ型電
極）を選択することにより、注入電流を制御することな
く、量子井戸幅によって任意に設定できる波長のレ−ザ
を発振させることができる。
極）を選択することにより、注入電流を制御することな
く、量子井戸幅によって任意に設定できる波長のレ−ザ
を発振させることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る多波長量子井
戸レ−ザについて図１（Ａ）〜（Ｄ）の製造方法を併記
して説明する。
戸レ−ザについて図１（Ａ）〜（Ｄ）の製造方法を併記
して説明する。
【００１２】(1) まず、ｎ型ＧａＡｓ基板21上に、ｎ型
ＧａＡｓバッファ層22、下部ｎ型ＡＩx Ｇａ1-x Ａｓ
（ｘ〜0.45）クラッド層（以下、下部クラッド層と呼
ぶ）23を順次、ＭＯＣＶＤ（Ｍetal Ｏrganic Ｃhemi
cal Ｖapour Ｄeposition ）法等の気相成長法でエピタ
キシャル成長させた。次に、前記下部クラッド層23上
に、ＳｉＯ2等の絶縁膜をＰＣＶＤ（plasma ＣＶＤ）
法などにより形成する。つづいて、フォトリソグラフィ
及びエッチング工程により前記絶縁膜の窓開けを行い、
ストライプ状の開口部24ａ（幅Ｗ1´），24ｂ（Ｗ2´）
を有するマスク24を形成した（図１（Ｂ））。ここで
は、第１量子井戸活性層の井戸幅が８ｎｍ、第２量子井
戸活性層の井戸幅が４ｎｍとなる条件として、第１量子
井戸層形成部の開口率α1（＝Ｗ1´／Ｗ1）を約１／
３、第２量子井戸層形成部の開口率α2（Ｗ2´／Ｗ1）
を約２／３に設定した。但し、この開口率は、成長条件
や後述する上部クラッド層の厚みによって適宜、調整を
する必要がある。
ＧａＡｓバッファ層22、下部ｎ型ＡＩx Ｇａ1-x Ａｓ
（ｘ〜0.45）クラッド層（以下、下部クラッド層と呼
ぶ）23を順次、ＭＯＣＶＤ（Ｍetal Ｏrganic Ｃhemi
cal Ｖapour Ｄeposition ）法等の気相成長法でエピタ
キシャル成長させた。次に、前記下部クラッド層23上
に、ＳｉＯ2等の絶縁膜をＰＣＶＤ（plasma ＣＶＤ）
法などにより形成する。つづいて、フォトリソグラフィ
及びエッチング工程により前記絶縁膜の窓開けを行い、
ストライプ状の開口部24ａ（幅Ｗ1´），24ｂ（Ｗ2´）
を有するマスク24を形成した（図１（Ｂ））。ここで
は、第１量子井戸活性層の井戸幅が８ｎｍ、第２量子井
戸活性層の井戸幅が４ｎｍとなる条件として、第１量子
井戸層形成部の開口率α1（＝Ｗ1´／Ｗ1）を約１／
３、第２量子井戸層形成部の開口率α2（Ｗ2´／Ｗ1）
を約２／３に設定した。但し、この開口率は、成長条件
や後述する上部クラッド層の厚みによって適宜、調整を
する必要がある。
【００１３】(2) 次に、前記マスク24の開口部24ａ，24
ｂより露出する前記下部クラッド層23上に、上部ｎ型Ａ
Ｉx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ〜0.45）クラッド層（以下、第１
上部クラッド層と呼ぶ）25ａ，25ｂ、量子井戸活性層26
ａ，26ｂ、ｐ型ＡＩＧａＡｓクラッド層（以下、第２上
部クラッド層）27ａ，27ｂ、及びｐ型ＧａＡｓキャップ
層28ａ，28ｂを順次、選択再成長させた（図１
（Ｂ））。
ｂより露出する前記下部クラッド層23上に、上部ｎ型Ａ
Ｉx Ｇａ1-x Ａｓ（ｘ〜0.45）クラッド層（以下、第１
上部クラッド層と呼ぶ）25ａ，25ｂ、量子井戸活性層26
ａ，26ｂ、ｐ型ＡＩＧａＡｓクラッド層（以下、第２上
部クラッド層）27ａ，27ｂ、及びｐ型ＧａＡｓキャップ
層28ａ，28ｂを順次、選択再成長させた（図１
（Ｂ））。
【００１４】(3) 次に、全面に、ＳｉＯ2等の絶縁膜29
をＰＣＶＤ法などにより形成した。つづいて、フォトリ
ソグラフィ及びエッチング工程により、前記キャップ層
28ａ，28ｂの電極形成部分を窓明けした（図１
（Ｃ））。
をＰＣＶＤ法などにより形成した。つづいて、フォトリ
ソグラフィ及びエッチング工程により、前記キャップ層
28ａ，28ｂの電極形成部分を窓明けした（図１
（Ｃ））。
【００１５】(4) 次に、前記キャップ層28ａ，28ｂ上に
ｐ型電極30ａ，30ｂを蒸着等の成膜法及びエッチングに
より形成した。つづいて、必要に応じ基板21の裏面を研
磨した後、ｎ型電極31を形成し、多波長量子井戸レ−ザ
を作製した（図１（Ｄ））。このようにして製作される
多波長量子井戸レ−ザは、図１（Ｄ）に示す如く、ｎ型
ＧａＡｓ基板21上にｎ型ＧａＡｓバッファ層22、下部ク
ラッド層23を設け、更にマスク24から露出する前記下部
クラッド層23上に第１上部クラッド層25ａ，25ｂ、量子
井戸活性層26ａ，26ｂ、第２上部クラッド層27ａ，27ｂ
及びｐ型ＧａＡｓキャップ層28ａ，28ｂを設け、更には
前記キャップ層28ａ，28ｂ上にｐ型電極30ａ，30ｂを，
基板21の裏面にｎ型電極31を設けた構成になっている。
しかるに、かかる構成の多波長量子井戸レ−ザにおいて
は、前記量子井戸活性層26ａ，26ｂの井戸幅が異なり、
外部電極（ｐ型電極30ａ，30ｂ）を選択することによ
り、同一素子内で複数の波長のレ−ザを単独で出力制御
しながら発振させることができる。また、活性層26ａ，
26ｂに量子井戸層を設けたことにより、低しきい値電流
化を期待できる。
ｐ型電極30ａ，30ｂを蒸着等の成膜法及びエッチングに
より形成した。つづいて、必要に応じ基板21の裏面を研
磨した後、ｎ型電極31を形成し、多波長量子井戸レ−ザ
を作製した（図１（Ｄ））。このようにして製作される
多波長量子井戸レ−ザは、図１（Ｄ）に示す如く、ｎ型
ＧａＡｓ基板21上にｎ型ＧａＡｓバッファ層22、下部ク
ラッド層23を設け、更にマスク24から露出する前記下部
クラッド層23上に第１上部クラッド層25ａ，25ｂ、量子
井戸活性層26ａ，26ｂ、第２上部クラッド層27ａ，27ｂ
及びｐ型ＧａＡｓキャップ層28ａ，28ｂを設け、更には
前記キャップ層28ａ，28ｂ上にｐ型電極30ａ，30ｂを，
基板21の裏面にｎ型電極31を設けた構成になっている。
しかるに、かかる構成の多波長量子井戸レ−ザにおいて
は、前記量子井戸活性層26ａ，26ｂの井戸幅が異なり、
外部電極（ｐ型電極30ａ，30ｂ）を選択することによ
り、同一素子内で複数の波長のレ−ザを単独で出力制御
しながら発振させることができる。また、活性層26ａ，
26ｂに量子井戸層を設けたことにより、低しきい値電流
化を期待できる。
【００１６】また、上記製造方法によれば、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板21上にｎ型ＧａＡｓバッファ層22、下部クラッド
層23を介してストライプ状の開口部24ａ（幅Ｗ1´），2
4ｂ（Ｗ2´）を有するマスク24を形成し、このマスク24
を用いて選択成長を行うため、成長速度が選択成長マス
ク開口率により異なり、異なる井戸幅の量子井戸活性層
26ａ，26ｂを同時に成長することができる。
ｓ基板21上にｎ型ＧａＡｓバッファ層22、下部クラッド
層23を介してストライプ状の開口部24ａ（幅Ｗ1´），2
4ｂ（Ｗ2´）を有するマスク24を形成し、このマスク24
を用いて選択成長を行うため、成長速度が選択成長マス
ク開口率により異なり、異なる井戸幅の量子井戸活性層
26ａ，26ｂを同時に成長することができる。
【００１７】なお、上記実施例では、電流注入領域を絶
縁膜（マスク）によりストライプ状に絶縁分離した構造
を採用した場合について述べたが、注入キャリアの横方
向広がりを低減し横モ−ドを制御するために、選択成長
後に適当なストライプ幅で再成長層をエッチング加工す
ることも可能である。
縁膜（マスク）によりストライプ状に絶縁分離した構造
を採用した場合について述べたが、注入キャリアの横方
向広がりを低減し横モ−ドを制御するために、選択成長
後に適当なストライプ幅で再成長層をエッチング加工す
ることも可能である。
【００１８】また、上記実施例では、ＡＩＧａＡｓ系量
子井戸レ−ザについて説明したが、これに限らず、ＡＩ
ＧａＩｎＰ系、ＩｎＧａＰ系その他の半導体材料を用い
た量子井戸レ−ザに適用することも可能である。
子井戸レ−ザについて説明したが、これに限らず、ＡＩ
ＧａＩｎＰ系、ＩｎＧａＰ系その他の半導体材料を用い
た量子井戸レ−ザに適用することも可能である。
【００１９】更に、上記実施例では、２組の井戸幅の異
なる量子井戸を１チップ上に形成したが、更にマスク開
口率と成長条件を選択すれば、３種以上の波長のレ−ザ
を発振させることができる。
なる量子井戸を１チップ上に形成したが、更にマスク開
口率と成長条件を選択すれば、３種以上の波長のレ−ザ
を発振させることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、外部
電極を選択することにより、同一素子内で複数の波長の
レ−ザを単独で出力制御しながら発振させることができ
るとともに、低しきい値電流化を図ることができ、更に
は異なる井戸幅の量子井戸活性層を同時に成長すること
ができる多波長半導体レ−ザ及びその製造方法を提供で
きる。
電極を選択することにより、同一素子内で複数の波長の
レ−ザを単独で出力制御しながら発振させることができ
るとともに、低しきい値電流化を図ることができ、更に
は異なる井戸幅の量子井戸活性層を同時に成長すること
ができる多波長半導体レ−ザ及びその製造方法を提供で
きる。
【図１】本発明の一実施例に係る多波長量子井戸レ−ザ
を製造工程順に示す断面図。
を製造工程順に示す断面図。
【図２】従来の多波長量子井戸レ−ザの断面図。
21…ｎ型ＧａＡｓ基板、22…ｎ型ＧａＡｓバッファ層、
23…下部ｎ型ＡＩx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層（下部クラ
ッド層）、24，29…絶縁膜、25ａ，25ｂ…上部ＡＩＧａ
Ａｓクラッド層（第１上部クラッド層）、26ａ，26ｂ…
量子井戸活性層、27ａ，27ｂ…ｐ型ＡＩＧａＡｓクラッ
ド層（第２上部クラッド層）、28ａ，28ｂ…ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層、30ａ，30ｂ…ｐ型電極、31…ｎ型電極。
23…下部ｎ型ＡＩx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層（下部クラ
ッド層）、24，29…絶縁膜、25ａ，25ｂ…上部ＡＩＧａ
Ａｓクラッド層（第１上部クラッド層）、26ａ，26ｂ…
量子井戸活性層、27ａ，27ｂ…ｐ型ＡＩＧａＡｓクラッ
ド層（第２上部クラッド層）、28ａ，28ｂ…ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層、30ａ，30ｂ…ｐ型電極、31…ｎ型電極。
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体基板と、この基板上に形成
された下部クラツド層と、この下部クラッド層上に形成
され，ストライプ状でかつ幅が異なる開口部を有するマ
スクと、このマスクの複数の開口部から露出する前記下
部クラッド層上に夫々順次形成された第１上部クラッド
層，量子井戸活性層，第２クラッド層及びキャップ層
と、このキャップ層上に形成された外部電極とを具備
し、前記外部電極を選択することにより同一基板内で複
数の波長を発振することを特徴とする多波長半導体レ−
ザ。 - 【請求項２】 化合物半導体基板上に下部クラッド層を
形成する工程と、この下部クラッド層上にストライプ状
でかつ幅が異なる開口部を有するマスクを形成する工程
と、このマスクの開口部から露出する前記下部クラッド
層上に第１上部クラッド層，量子井戸活性層，第２クラ
ッド層及びキャップ層を順次選択成長する工程と、前記
キャップ層上に夫々外部電極を形成する工程を具備する
ことを特徴とする多波長半導体レ−ザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24176591A JPH0582894A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 多波長半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24176591A JPH0582894A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 多波長半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582894A true JPH0582894A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17079198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24176591A Withdrawn JPH0582894A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 多波長半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582894A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021242343A1 (en) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Multiwavelength nanowire laser array |
| JP2022188835A (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-22 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2022190634A (ja) * | 2021-06-14 | 2022-12-26 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP24176591A patent/JPH0582894A/ja not_active Withdrawn
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| WO2021242343A1 (en) * | 2020-05-27 | 2021-12-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Multiwavelength nanowire laser array |
| US11362487B2 (en) | 2020-05-27 | 2022-06-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Laser emitter including nanowires |
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