JPH0582901A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0582901A JPH0582901A JP27468191A JP27468191A JPH0582901A JP H0582901 A JPH0582901 A JP H0582901A JP 27468191 A JP27468191 A JP 27468191A JP 27468191 A JP27468191 A JP 27468191A JP H0582901 A JPH0582901 A JP H0582901A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 両端面に同サイズの窓領域が形成された半導
体レーザ装置を容易に得ることができる半導体レーザ装
置の製造方法を得る。 【構成】 半導体基板１上に下クラッド層２，ＭＱＷ活
性層３，上クラッド層４及びコンタクト層５を順次積層
し、次いで、コンタクト層２から上クラッド層４に達す
るＶ字形状溝６を形成した後、コンタクト層側からコン
タクト層に向けて全面にＺｎを拡散して上記Ｖ字形状溝
６近傍のＭＱＷ構造のみを無秩序化し、更に、このＶ字
形状溝６の先端を位置基準として劈開を行い、両端面に
窓領域が形成された半導体レーザ装置を得る。
体レーザ装置を容易に得ることができる半導体レーザ装
置の製造方法を得る。 【構成】 半導体基板１上に下クラッド層２，ＭＱＷ活
性層３，上クラッド層４及びコンタクト層５を順次積層
し、次いで、コンタクト層２から上クラッド層４に達す
るＶ字形状溝６を形成した後、コンタクト層側からコン
タクト層に向けて全面にＺｎを拡散して上記Ｖ字形状溝
６近傍のＭＱＷ構造のみを無秩序化し、更に、このＶ字
形状溝６の先端を位置基準として劈開を行い、両端面に
窓領域が形成された半導体レーザ装置を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光ディスク装置等の情
報機器に用いる半導体レーザ装置の製造方法に関し、特
に端面窓形成技術の改良に関するものである。
報機器に用いる半導体レーザ装置の製造方法に関し、特
に端面窓形成技術の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、ELECTRONICS LETTERS 1984に示
された従来の半導体レーザ装置の端面窓領域を形成する
方法を示す工程別断面図であり、図において、１はｎ−
ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、３は
量子井戸構造の活性層（以下、ＭＱＷ活性層と称す）、
４はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、５はｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層、１０はＳｉＮマスク、１１はＺｎ−拡散領
域、１２は量子井戸構造（以下、ＭＱＷ構造と称す）が
ディスオーダされた領域、１３はＺｎ拡散工程を示す矢
印、２１はｐ電極、２２はｎ電極、２３は劈開方向を示
す矢印である。
された従来の半導体レーザ装置の端面窓領域を形成する
方法を示す工程別断面図であり、図において、１はｎ−
ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、３は
量子井戸構造の活性層（以下、ＭＱＷ活性層と称す）、
４はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、５はｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層、１０はＳｉＮマスク、１１はＺｎ−拡散領
域、１２は量子井戸構造（以下、ＭＱＷ構造と称す）が
ディスオーダされた領域、１３はＺｎ拡散工程を示す矢
印、２１はｐ電極、２２はｎ電極、２３は劈開方向を示
す矢印である。
【０００３】以下、上記半導体レーザ装置の端面窓領域
の形成工程を説明する。先ず、図３(a) に示すように、
ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＢＥ法等を用いて、ｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層２，ＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡ
ｓバリア層とからなるＭＱＷ活性層３，ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓキャップ層５を順次結晶
成長する。
の形成工程を説明する。先ず、図３(a) に示すように、
ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＢＥ法等を用いて、ｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層２，ＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡ
ｓバリア層とからなるＭＱＷ活性層３，ｐ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓキャップ層５を順次結晶
成長する。
【０００４】次に、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５上にＳｉ
Ｎ膜１０を蒸着し、フォトリソグラフィ技術を用いて、
３０μｍのストライプ状の窓を形成した後、閉管石英チ
ューブ内に上記各結晶層を有するｎ−ＧａＡｓ基板１を
ＺｎＡｓと共に挿入し、６６５℃で９０分間熱処理する
ことにより、図３(b) に示すようにＺｎがｐ−ＧａＡｓ
キャップ層５側からＳｉＮ膜１０のない領域のみに選択
的に拡散し（矢印１３）、Ｚｎ−拡散領域１１が形成さ
れる。そして、この時、Ｚｎが拡散したＭＱＷ活性層３
にはＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡｓバリア層が無秩序
化し、本来のＭＱＷ活性層３に比べ、ＭＱＷ構造がディ
スオーダし、バンドギャップが広いディスオーダ領域１
２が形成される。
Ｎ膜１０を蒸着し、フォトリソグラフィ技術を用いて、
３０μｍのストライプ状の窓を形成した後、閉管石英チ
ューブ内に上記各結晶層を有するｎ−ＧａＡｓ基板１を
ＺｎＡｓと共に挿入し、６６５℃で９０分間熱処理する
ことにより、図３(b) に示すようにＺｎがｐ−ＧａＡｓ
キャップ層５側からＳｉＮ膜１０のない領域のみに選択
的に拡散し（矢印１３）、Ｚｎ−拡散領域１１が形成さ
れる。そして、この時、Ｚｎが拡散したＭＱＷ活性層３
にはＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡｓバリア層が無秩序
化し、本来のＭＱＷ活性層３に比べ、ＭＱＷ構造がディ
スオーダし、バンドギャップが広いディスオーダ領域１
２が形成される。
【０００５】次に、ｎ−ＧａＡｓ基板１の下面にＡｕＧ
ｅＮｉからなるｎ電極２２，ｐ−ＧａＡｓキャップ層５
の上面にＣｒＡｕからなるｐ電極２１をそれぞれ形成し
た後、Ｚｎ拡散領域１１の中央部分で矢印１３の方向に
劈開することにより、図３(c) に示すように、半導体レ
ーザの両端面１５μｍの領域に窓領域が形成される。
ｅＮｉからなるｎ電極２２，ｐ−ＧａＡｓキャップ層５
の上面にＣｒＡｕからなるｐ電極２１をそれぞれ形成し
た後、Ｚｎ拡散領域１１の中央部分で矢印１３の方向に
劈開することにより、図３(c) に示すように、半導体レ
ーザの両端面１５μｍの領域に窓領域が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置の端面窓領域の形成工程は以上のようにして行われて
いたので、選択拡散用のマスク（ＳｉＮ膜１０）を形成
する必要がある為、工程数が増え、また、劈開時には高
精度に窓部の中央で劈開しなければならず、時にレーザ
装置の前端面と後端面で窓領域のサイズが異なる装置を
形成してしまい、得られる半導体レーザ装置の特性が安
定せず、歩留りが低下するという問題点を有していた。
置の端面窓領域の形成工程は以上のようにして行われて
いたので、選択拡散用のマスク（ＳｉＮ膜１０）を形成
する必要がある為、工程数が増え、また、劈開時には高
精度に窓部の中央で劈開しなければならず、時にレーザ
装置の前端面と後端面で窓領域のサイズが異なる装置を
形成してしまい、得られる半導体レーザ装置の特性が安
定せず、歩留りが低下するという問題点を有していた。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、選択拡散マスクを用いることな
く、レーザ装置の前端面と後端面とに同サイズの窓領域
を容易且つ精度良く形成することができる両端面に端面
窓領域が形成された半導体レーザ装置を製造する方法を
得ることを目的とする。
ためになされたもので、選択拡散マスクを用いることな
く、レーザ装置の前端面と後端面とに同サイズの窓領域
を容易且つ精度良く形成することができる両端面に端面
窓領域が形成された半導体レーザ装置を製造する方法を
得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
レーザ装置の製造方法は、半導体基板上に量子井戸構造
からなる活性層と該活性層を挟む上下２つのクラッド層
とを含む多層半導体結晶層を形成した後、半導体基板側
或いは多層半導体結晶層の最上層側から該多層半導体結
晶層の内部に向けてＶ字状溝を形成することにより、後
の工程における量子井戸構造を無秩序化（ディスオー
ダ）する領域と劈開する位置とを予め決定するようにし
たものである。
レーザ装置の製造方法は、半導体基板上に量子井戸構造
からなる活性層と該活性層を挟む上下２つのクラッド層
とを含む多層半導体結晶層を形成した後、半導体基板側
或いは多層半導体結晶層の最上層側から該多層半導体結
晶層の内部に向けてＶ字状溝を形成することにより、後
の工程における量子井戸構造を無秩序化（ディスオー
ダ）する領域と劈開する位置とを予め決定するようにし
たものである。
【０００９】
【作用】この発明にかかる半導体レーザ装置の製造方法
においては、半導体基板側或いは多層半導体結晶層の最
上面から多層半導体結晶層の内部に向けて形成されたＶ
字状溝が、量子井戸層の無秩序化領域と上記半導体基板
及び多層半導体結晶層が劈開される領域との位置基準に
なるため、劈開後に得られる各端面には同一サイズの無
秩序化領域が形成される。
においては、半導体基板側或いは多層半導体結晶層の最
上面から多層半導体結晶層の内部に向けて形成されたＶ
字状溝が、量子井戸層の無秩序化領域と上記半導体基板
及び多層半導体結晶層が劈開される領域との位置基準に
なるため、劈開後に得られる各端面には同一サイズの無
秩序化領域が形成される。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は、この発明の一実施例による半導体レーザ
装置の製造工程における端面窓領域の形成工程を示す工
程別断面図であり、図において、図３と同一符号は同一
または相当する部分を示し、６は劈開用Ｖ字状溝、１３
は拡散工程を表す矢印、２３は劈開方向を示す矢印であ
る。
する。図１は、この発明の一実施例による半導体レーザ
装置の製造工程における端面窓領域の形成工程を示す工
程別断面図であり、図において、図３と同一符号は同一
または相当する部分を示し、６は劈開用Ｖ字状溝、１３
は拡散工程を表す矢印、２３は劈開方向を示す矢印であ
る。
【００１１】以下、端面窓領域の形成工程を図１を用い
て説明する。先ず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ
法を用いて、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２，ＧａＡｓ
ウェル層とＡｌＧａＡｓバリア層とからなるＭＱＷ活性
層３，ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層５を順次結晶成長した後、フォトリソグラフ
ィ技術とウェットエッチングにより図１(a) に示すよう
に、劈開用のＶ字状溝６を形成する。ここで、Ｖ字状溝
６は溝の先端がｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４内にあ
り、ＭＱＷ活性層３に達しないように形成する。 次
に、図示しないＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜をｐ−ＧａＡｓコン
タクト層５とＶ字状溝６部のｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層４を含むウエハ全面にスパッタ装置を用いて蒸着した
後、これら各層が上面に形成されたｎ−ＧａＡｓ基板１
をアニール炉に入れて熱処理すると、図１(b) に示すよ
うにＺｎが拡散して（矢印１３）、Ｚｎ拡散領域１１が
形成される。この時、拡散の拡散深さはウェハ全域で均
一なため、Ｖ字状溝６の近傍のみＭＱＷ活性層３にＺｎ
拡散領域が形成され、このＺｎが拡散したＭＱＷ活性層
３はＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡｓバリア層が無秩序
化し、本来のＭＱＷ活性層３に比べてバンドギャップの
広いディスオーダ領域１２が形成される。
て説明する。先ず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ
法を用いて、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２，ＧａＡｓ
ウェル層とＡｌＧａＡｓバリア層とからなるＭＱＷ活性
層３，ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層５を順次結晶成長した後、フォトリソグラフ
ィ技術とウェットエッチングにより図１(a) に示すよう
に、劈開用のＶ字状溝６を形成する。ここで、Ｖ字状溝
６は溝の先端がｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４内にあ
り、ＭＱＷ活性層３に達しないように形成する。 次
に、図示しないＺｎＯ／ＳｉＯ2 膜をｐ−ＧａＡｓコン
タクト層５とＶ字状溝６部のｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層４を含むウエハ全面にスパッタ装置を用いて蒸着した
後、これら各層が上面に形成されたｎ−ＧａＡｓ基板１
をアニール炉に入れて熱処理すると、図１(b) に示すよ
うにＺｎが拡散して（矢印１３）、Ｚｎ拡散領域１１が
形成される。この時、拡散の拡散深さはウェハ全域で均
一なため、Ｖ字状溝６の近傍のみＭＱＷ活性層３にＺｎ
拡散領域が形成され、このＺｎが拡散したＭＱＷ活性層
３はＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡｓバリア層が無秩序
化し、本来のＭＱＷ活性層３に比べてバンドギャップの
広いディスオーダ領域１２が形成される。
【００１２】次いで、ｎ−ＧａＡｓ基板１の下面にＡｕ
ＧｅＮｉからなるｎ電極２２，ｐ−ＧａＡｓキャップ層
５の上面にＣｒＡｕからなるｐ電極２１をそれぞれ形成
した後、Ｖ字状溝６の先端部を基準にして劈開方向（矢
印２３の方向）に劈開することにより、レーザの両端面
に均一なサイズの窓領域を形成することができる。この
ような本実施例の端面窓領域形成工程では、ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層５からｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４に
向けてＶ字状溝６を形成した後にＺｎの拡散を行うた
め、拡散マスクを用いることなくＭＱＷ活性層３の一部
（Ｖ字状溝６の下部のＭＱＷ活性層３）をバンドギャッ
プの広いディスオーダ領域１２に改変し、このディスオ
ーダ領域１２が形成された結晶層を上記Ｖ字状溝６の先
端を基準にして劈開することができるため、レーザ装置
の前端面と後端面に同サイズの窓領域を容易に形成する
ことができる。
ＧｅＮｉからなるｎ電極２２，ｐ−ＧａＡｓキャップ層
５の上面にＣｒＡｕからなるｐ電極２１をそれぞれ形成
した後、Ｖ字状溝６の先端部を基準にして劈開方向（矢
印２３の方向）に劈開することにより、レーザの両端面
に均一なサイズの窓領域を形成することができる。この
ような本実施例の端面窓領域形成工程では、ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層５からｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４に
向けてＶ字状溝６を形成した後にＺｎの拡散を行うた
め、拡散マスクを用いることなくＭＱＷ活性層３の一部
（Ｖ字状溝６の下部のＭＱＷ活性層３）をバンドギャッ
プの広いディスオーダ領域１２に改変し、このディスオ
ーダ領域１２が形成された結晶層を上記Ｖ字状溝６の先
端を基準にして劈開することができるため、レーザ装置
の前端面と後端面に同サイズの窓領域を容易に形成する
ことができる。
【００１３】図２は、本発明の第２の実施例による半導
体レーザ装置の製造工程における端面窓領域の形成工程
を示す工程別断面図であり、図において、図１と同一符
号は同一または相当する部分を示し、７はｐ−ＧａＡｓ
基板、８はｎ−ＧａＡｓコンタクト層である。そして、
本実施例の工程はｐ−ＧａＡｓ基板７上にｐ−ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層４，ＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡｓバ
リア層とからなるＭＱＷ活性層３，ｎ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層２，ｎ−ＧａＡｓコンタクト層８を順次形成し
た多層結晶層に対して、基板７側からｐ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層４に向けてＶ字状溝６を形成し、基板７側か
ら上記実施例と同様にＺｎの拡散（矢印１３）を行い、
ＭＱＷ活性層３の一部をディスオーダ領域１２に改変
し、更に、Ｖ字状溝６の先端を基準にして劈開方向２３
に沿って劈開したものである。
体レーザ装置の製造工程における端面窓領域の形成工程
を示す工程別断面図であり、図において、図１と同一符
号は同一または相当する部分を示し、７はｐ−ＧａＡｓ
基板、８はｎ−ＧａＡｓコンタクト層である。そして、
本実施例の工程はｐ−ＧａＡｓ基板７上にｐ−ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層４，ＧａＡｓウェル層とＡｌＧａＡｓバ
リア層とからなるＭＱＷ活性層３，ｎ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層２，ｎ−ＧａＡｓコンタクト層８を順次形成し
た多層結晶層に対して、基板７側からｐ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層４に向けてＶ字状溝６を形成し、基板７側か
ら上記実施例と同様にＺｎの拡散（矢印１３）を行い、
ＭＱＷ活性層３の一部をディスオーダ領域１２に改変
し、更に、Ｖ字状溝６の先端を基準にして劈開方向２３
に沿って劈開したものである。
【００１４】このような本実施例の端面窓領域の形成工
程では、上記実施例と同様にＺｎを拡散するためのマス
クを必要とせず、また、Ｖ字状溝６の先端を基準に劈開
を行うことができるため、上記実施例と同様に容易に得
られるレーザ装置の前端面と後端面に同サイズの窓領域
を形成することができる。
程では、上記実施例と同様にＺｎを拡散するためのマス
クを必要とせず、また、Ｖ字状溝６の先端を基準に劈開
を行うことができるため、上記実施例と同様に容易に得
られるレーザ装置の前端面と後端面に同サイズの窓領域
を形成することができる。
【００１５】尚、上記実施例ではＶ字状溝近傍のＭＱＷ
活性層３を無秩序化する方法として、ＺｎＯ／ＳｉＯ2
膜を用いた固相拡散を用いたが、ＺｎＡｓ等の拡散源と
ウェハを閉管石英チューブに入れて熱処理を行う気相拡
散や、イオン注入と熱処理によって無秩序化領域を形成
してもよく、何れにおいても、上記実施例と同様の効果
を得ることができる。
活性層３を無秩序化する方法として、ＺｎＯ／ＳｉＯ2
膜を用いた固相拡散を用いたが、ＺｎＡｓ等の拡散源と
ウェハを閉管石英チューブに入れて熱処理を行う気相拡
散や、イオン注入と熱処理によって無秩序化領域を形成
してもよく、何れにおいても、上記実施例と同様の効果
を得ることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体基板或いは多層半導体結晶層の最上層の所望の位置に
Ｖ字状溝を形成し、このＶ字状溝を位置基準にして活性
層の無秩序化と基板及び多層半導体結晶層の劈開を行う
ようにしたので、マスクを用いることなく所望の領域の
ＭＱＷ活性層のみを無秩序化でき、且つ、位置合わせを
必要とせず高精度に劈開を行うことができ、その結果、
簡単な工程で両端面に同サイズの窓領域が形成された半
導体レーザ装置を高歩留りに得ることができる効果があ
る。
体基板或いは多層半導体結晶層の最上層の所望の位置に
Ｖ字状溝を形成し、このＶ字状溝を位置基準にして活性
層の無秩序化と基板及び多層半導体結晶層の劈開を行う
ようにしたので、マスクを用いることなく所望の領域の
ＭＱＷ活性層のみを無秩序化でき、且つ、位置合わせを
必要とせず高精度に劈開を行うことができ、その結果、
簡単な工程で両端面に同サイズの窓領域が形成された半
導体レーザ装置を高歩留りに得ることができる効果があ
る。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ装置の
製造工程を示す工程別断面図。
製造工程を示す工程別断面図。
【図２】この発明の他の実施例による示す半導体レーザ
装置の製造工程を示す工程別断面図。
装置の製造工程を示す工程別断面図。
【図３】従来の半導体レーザ装置の製造工程を示す工程
別断面図。
別断面図。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３ ＭＱＷ活性層 ４ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ５ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ６ 劈開用Ｖ字形状をした溝 １０ ＳｉＮマスク １１ 拡散領域 １２ ＭＱＷ構造が無秩序化した領域 １３ 拡散工程を示す矢印 ２１ ｐ電極 ２２ ｎ電極 ２３ 劈開方向を示す矢印
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に量子井戸構造からなる活
性層と該活性層を挟む上下２層のクラッド層とを含む多
層半導体結晶層が配設され、該多層半導体結晶層の両端
面に端面窓領域が形成された半導体レーザを製造する方
法において、 半導体基板上に結晶成長を順次行って上記多層半導体結
晶層を形成する工程と、 上記多層半導体結晶層内の量子井戸構造からなる活性層
に溝の先端が到達しないよう上記半導体基板側或いは上
記多層半導体結晶層の最上層側から上記クラッド層に向
けてＶ字状溝を形成する工程と、 上記半導体基板側或いは上記多層半導体結晶層の最上層
側から上記多層半導体結晶層の全面に対して不純物を拡
散或いは注入し、上記Ｖ字状溝近傍に位置する活性層の
量子井戸構造を無秩序化する工程と、 上記半導体基板の下面及び上記多層半導体結晶層の最上
層に電極を形成する工程と、 上記Ｖ字状溝の先端を基準として上記半導体基板及び上
記多層半導体結晶層を劈開する工程とを含むことを特徴
とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27468191A JPH0582901A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27468191A JPH0582901A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582901A true JPH0582901A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17545084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27468191A Pending JPH0582901A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582901A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002335030A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sony Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2022507809A (ja) * | 2019-05-28 | 2022-01-18 | 廈門三安光電有限公司 | レーザーダイオードとその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP27468191A patent/JPH0582901A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002335030A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sony Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2022507809A (ja) * | 2019-05-28 | 2022-01-18 | 廈門三安光電有限公司 | レーザーダイオードとその製造方法 |
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