JPH0583122B2 - - Google Patents

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JPH0583122B2
JPH0583122B2 JP63130381A JP13038188A JPH0583122B2 JP H0583122 B2 JPH0583122 B2 JP H0583122B2 JP 63130381 A JP63130381 A JP 63130381A JP 13038188 A JP13038188 A JP 13038188A JP H0583122 B2 JPH0583122 B2 JP H0583122B2
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JP
Japan
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rays
ray
optical element
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ray optical
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JP63130381A
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Ryohei Yokoyama
Mitsuo Sumya
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、例えばX線用の斜め入射ミラーや多
層膜ミラーなどの評価を行うためのX線光学素子
評価装置に関する。
(従来の技術) 近時、シンクロトロン放射光(SOR;
Synchrotron Orbital Radiation)やプラズマX
線などのX線源が発達し例えばX線リングラフイ
の分野に適用されている。これにともなつて、X
線を集光、結像する光学素子が開発されている。
このような光学素子としては、斜め入射ミラー、
多層膜ミラー、ゾーンプレート等がある。
ところで、従来において、このようなX線光学
素子の評価は、評価すべき光学素子にX線を入射
させ、このとき光学素子にて反射したX線を検出
することにより行つている。このときのX線源と
しては、電子線励起型のX線源、SORプラズマ
X線源が使われている。
しかしながら、電子線励起型のX線は、軟X線
(波長0.5〜10nm)領域でのX線輝度が小さく、
検出が困難である難点をもつている。一方、
SORは、電子線励起型に比べ輝度が2桁程度高
いすぐれた長所をもつている反面、装置がすこぶ
る大型であるため、一部で実用化されているにせ
ぎない。最後に、プラズマX線源は、十分な輝度
を有し、かつ、装置の小型化も容易であることか
ら、他の二つよりもX線光学素子の評価に適して
いる。しかしながら、プラズマX線の輝度は、
SORに比べると、いまだ十分でなく、なおかつ、
X線源から放射され検出器に至るX線は、途中で
分散逸出するため、最初のX線の数%にすぎな
い。このために、X線源から検出器までには、X
線の散逸ができるだけ少なく、かつ、コンパクト
な光学系を配置する必要がある。しかしながら、
現在、これらの要求を十分に満足するX線光学素
子評価装置は存在しない。さらに、従来のX線光
学素子評価装置は、入射X線の入射角に差がでる
結果、モノクロ化の分解能が低い欠点をもつてい
る。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記事情を勘案してなされたもの
で、X線発生装置からのX線の利用効率が高く、
かつ、小型化が可能で、しかも、モノクロ化の分
解能が高まるX線光学素子を提供することを目的
とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段と作用) X線を発生するX線投射手段と、このX線投射
手段からのX線を平行X線に変換するか又は1点
に集光させる第1の反射手段と、この第1の反射
手段からのX線を任意の波長のX線に変換する第
2の反射手段と、上記X線光学素子を上記単色X
線の入射角変更自在に保持する試料保持手段とを
有し、X線光学素子からの反射X線に基づいて複
数種の評価を能率的かつ高精度で行うことができ
るようにしたものである。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述
する。
第1図は、第1の実施例のX線光学素子評価装
置を示している。この装置は、評価用のX線1を
発生するX線発生部2と、このX線発生部2にて
発生したX線1を平行光に変換する第1反射部3
と、この第1反射部3にて平行光に変換されたX
線4を単色化する第2反射部5と、X線評価され
る試料Wを保持して矢印6方向に回動し且つ第2
反射部5にて単色化されたX線7を入射させる試
料保持部8と、試料Wにて反射したX線9を入射
して入射量に比例する大きさの電気信号に変換す
るX線検出部10とから構成されている。しかし
て、X線発生部2は、例えばガラスレーザ光など
のレーザ光11を発振するレーザ光源12と、こ
のレーザ光源12からのレーザ光11を集光させ
るレンズ系13と、このレンズ系13により集光
されたレーザ光11を入射して前記X線1を発生
させる円筒状のターゲツト14とからなつてい
る。そして、ターゲツト14は、X線1の波長に
応じて、例えばアルミニウムAl、銅Cuなどが用
いられている。一方、第1反射部3は、X線1の
光路上に設けられ余分のX線を遮断する第1スリ
ツト18と、この第1スリツト18の出光側に設
けられ且つX線1の発生点19を焦点とする回転
放物面を有する第1ミラー20と、X線4の光路
上に設けられこの第1ミラー20にて反射された
X線4のうち余分なものを遮断する第2スリツト
21とからなつている。しかして、ターゲツト1
4にて放射されたX線1は、第1ミラー20に入
射すると平行なX線4に変換される。ここで、X
線1の第1ミラー20への斜め入射角θは、1〜
2度と極めて小さく設定する。その結果、X線4
は、短波長側を除きX線1と同一の波長で、か
つ、その反射強度は極めて高くなる。つぎに、第
2反射部5は、第2スリツト21の出光側に設け
られX線4を単色化されたX線7に変換する第2
ミラー22と、この第2ミラー22にて反射され
たX線7の光路上に設けられX線7のうち必要な
もののみ通過させる第3スリツト23と、第2ミ
ラー22及び第3スリツト23を互に位置関係を
変えることなく矢印24方向に回動自在に保持す
る第1ゴニオメータ25とからなつている。そう
して、第2ミラー22は、超研磨された基板26
と、この基板26上に被着され境界面で互に拡散
せずしかも光学定数の大きく異なる例えばWと
C,VとC,AuとC、ReとC等の2種類の物質
を1層の厚さが10〜数10Åとなるように交互に蒸
着積層した多層膜27とからなつている。このよ
うな多層膜27は、いわゆる超格子構造を有して
おり、その斜め入射角βを変えることにより、X
線7を所望のモノクロX線に変更できる。そし
て、第2ミラー22は、第1ゴニオメータ24の
回動中心に位置している。つぎに、試料保持部8
は、試料Wを着脱自在に把持するチヤツク(図示
せず。)と、このチヤツクを矢印6方向に回動自
在に支持する第2ゴニオメータ28とからなつて
いる。そして、チヤツクに保持された試料Wは、
X線4の光路に対し時計回りに角度2βだけ回動
したX線7の光路上に設けられ、かつ、第2ゴニ
オメータ28の回動中心に位置するように設定さ
れている。さらに、X線検出部10は、第2ゴニ
オメータ28に一体的に取付けられたデイテクタ
29と、このデイテクタ29に入射するX線9の
うち余分のものを遮断する第4スリツト30と、
デイテクタ29からの電気信号を入力して種々の
演算を行う評価判定部31とからなつている。そ
して、デイテクタ29及び第4スリツト30は、
X線7の試料Wへの斜め入射角をγとすると、X
線7の光路から2γだけ時計回りに回動したX線
9の光路上に設けられている。
つぎに、上記構成のX線光学素子評価装置の作
動について述べる。
まず、チヤツクに評価用のX線光学素子である
試料Wを把持させる。つぎに、第1ゴニオメータ
25により、第2ミラー22へのX線4の斜め入
射角βを所定角度に設定する。ついで、レーザ光
源12からレーザ光11をレンズ系13を経由し
てターゲツト14の発生点19に集光させる。す
ると、この発生点19にてのプラズマがレーザ光
11により励起されることにより、X線1が、第
1スリツト18を経由して第1ミラー20に斜め
入射角θ(例えば1〜2度)で入射する。その結
果、散乱的に入射したX線1は、平行X線4とな
つて、第2スリツト21を経由して、第2ミラー
22に斜め入射角βで入射する。すると、このX
線4は、この第2ミラー22によつて、斜め入射
角βによつて決定される波長を有するモノクロX
線7に変換される。ついで、このX線7は、第3
スリツト23を経由して斜め入射角γで試料Wに
入射したのち反射し、X線9となつて第4スリツ
ト30を経由しデイテクタ29に入射する。しか
して、X線9を入射したデイテクタ29からは、
入射したX線9の強度に比例した電圧を有する電
気信号が評価判定部31に出力され、このときの
X線9の強度が記憶される。つぎに、X線7の試
料Wへの斜め入射角γを第2ゴニオメータ27を
操作することにより、逐次変化させ、変化させた
各入射角γについて、上述した測定プロセスを繰
返し、X線9の強度を評価判定部31に記憶させ
る。しかるのち、試料WのX線反射率の斜め入射
角依存性をプリンタ又はCRT上にプロツトさせ
る。さて、以上の記述は、斜め入射角βを固定
し、斜め入射角γを変化させたものであるか、逆
に、斜め入射角γを固定し、斜め入射角βを第1
ゴニオメータ25により変化させれば、試料Wの
X線反射率のX線波長依存性を測定することがで
きる。
以上のように、この第1の実施例は、第1ミラ
ー20が回転放物面ミラーとなつているので、そ
れ以後のX線4,7,9を平行化でき、第1ミラ
ー20の反射率が90%以上となり、X線の有効利
用が可能となる。とくに、第1ミラー20により
X線を平行化することにより、ローランド円を考
慮する必要がなくなり、第1ミラー20と第2ミ
ラー22との距離L1、第2ミラー22と試料W
との距離L2並びに試料Wとデイテクタ29との
距離L3を任意に設定することができるので、装
置を小型化することができる。また、第2ミラー
22に入射するX線4の斜め入射角βがそろつて
いるので、モノクロ化の分解能が向上し、質の良
いモノクロX線が得られる。さらに、第1ミラー
20におけるX線反射率が高いので、デイテクタ
29の感度が低くても十分な評価を行うことがで
きる。要するに、第1の実施例のX線光学素子評
価装置は、コンパクトな装置で、複数種のX線評
価を高精度かつ高能率で行うことができる。
なお、上記実施例において、X線発生部2は、
一般のX線管でもよい。さらに、第1ミラーを多
層膜ミラーとし、第2ミラーを回転放物面を有す
るミラーとしてもよい。
つぎに、本発明の第2の実施例のX線光学素子
評価装置について述べる。
第2図は、この実施例のX線光学素子評価装置
を示すもので、この装置は、評価用のX線41を
発生するX線発生部42と、このX線発生部42
にて発生したX線41を平行なX線に変換する第
1反射部43と、この第1反射部43にて反射し
た平行なX線44を入射して単色X線に変換する
第2反射部45と、この第2反射部45にて単色
化されたX線46を入射して焦点47に集光する
第3反射部48と、この第3反射部48にて焦点
47に集光されたX線49を入射する位置に試料
Wを保持して矢印50方向に回動する試料保持部
51と、試料Wにて反射したX線52を入射して
入射量に比例する大きさの電気信号に変換するX
線検出部53とから構成されている。しかして、
X線発生部42は、例えばガラスレーザ光などの
レーザ光54を発振するレーザ光源55と、この
レーザ光源55からのレーザ光54を集光させる
レンズ系56と、このレンズ系56により集光さ
れたレーザ光54を入射して前記X線41を発生
させる円筒状のターゲツト57とからなつてい
る。そして、ターゲツト57は、X線41の波長
に応じて、例えばアルミニウムAl、銅Cuなどが
用いられている。一方、第1反射部43は、X線
41の光路上に設けられ余分のX線を遮断する第
1スリツト61と、この第1スイツチ61の出光
側に設けられ且つX線41の発生点62を焦点と
する回転放物面を有する第1ミラー63と、X線
44の光路上に設けられこの第1ミラー63にて
反射されたX線44のうち余分なものを遮断する
第2スリツト64とからなつている。しかして、
ターゲツト57にて放射されたX線41は、第1
ミラー63に入射すると平行なX線44に変換さ
れる。ここで、X線41の第1ミラー63への斜
め入射角θは、1〜2度と極めて小さく設定す
る。その結果、X線44は、短波長側を除いてX
線41と同一の波長で、かつ、その反射強度は極
めて高くなる。つぎに、第2反射部45は、第2
スリツト64の出光側に設けられた平面回折格子
65と、この平面回折格子65にて反射されたX
線46の光路上に設けられX線46のうち不要な
ものを遮断する第3スリツト66と、これら第3
スリツト66及び平面回折格子65をそれらの位
置関係を変えることなく矢印67方向に回動自在
に保持する第1ゴニオメータ68とからなつてい
る。しかして、平面回折格子65は、平面の鋸歯
状反射格子であつて、波長の異なるX線に対して
は各波長ごとに、回折を生じる入射角が変化する
ため、X線の単色化が可能となる。また、平面回
折格子65は、第1ゴニオメータ68の回動中心
に位置決めされている。つまり、平面回折格子6
5を第1ゴニオメータ68により回動させること
により、任意の波長のX線を選択することができ
る。さらに、第3反射部48は、第3スリツト6
6を経由したX線46の光路上に設けられ前記焦
点47を有する回転放物面が設けられた第2ミラ
ー69と、焦点47位置に設けられこの第2ミラ
ー69にて反射されたX線49のうち余分なもの
を遮断する第4スリツト70とからなつている。
つぎに、試料保持部51は、試料Wを着脱自在に
把持するチヤツク(図示せず。)と、このチヤツ
クを矢印50方向に回動自在に支持する第2ゴニ
オメータ72とからなつている。そして、チヤツ
クに保持された試料Wは、第2ゴニオメータ72
の回動中心に位置するように設定されている。さ
らに、X線検出部53は、第2ゴニオメータ72
に一体的に取付けられたデイテクタ73と、同じ
く第2ゴニオメータ72に取付けられ試料Wにて
反射したX線52のうち余分なものを除去する第
5図スリツト74と、デイテクタ73からの電気
信号を入力して種々の演算を行う評価判定部75
とからなつている。
つぎに、第2の実施例のX線光学素子評価装置
の作動について述べる。
まず、チヤツクに評価用のX線光学素子である
試料Wを把持させる。つぎに、第1ゴニオメータ
68により、平面回折格子65へのX線44の斜
め入射角βを例えば3〜4度に設定する。つい
で、レーザ光源55からレーザ光54をレンズ系
56を経由してターゲツト57の発生点62に集
光させる。すると、この発生点62から、X線4
1が発生し、第1スリツト61を経由して第1ミ
ラー63に斜め入射角θ(例えば1〜2度)で入
射する。その結果、散乱的に入射したX線41
は、平行X線44となり、第2スリツト64を経
由して、平面回折格子65に斜め入射角βで入射
する。すると、X線44は、斜め入射角βによつ
て決定される波長を有するモノクロX線46に変
換される。ついで、このX線46は、第3スリツ
ト66を経由して、斜め入射角λで第2ミラー6
9に入射する。すると、この入射したX線46
は、反射されてX線49となつて焦点47に集光
され、かつ、第4スリツト70を経由して、斜め
入射角γで試料Wに入射する。しかして、この入
射したX線49は、試料Wにて反射してX線52
となり、第5図スリツト74を経由してデイテク
タ73に入射する。しかして、デイテクタ73に
入射したX線52は、入射したX線52の強度に
比例した電圧を有する電気信号が評価判定部75
に出力され、このときのX線52の強度が記憶さ
れる。つぎに、第2ゴニオメータ72を操作し
て、X線49の試料Wへの斜め入射角γを逐次変
化させ、変化させた各入射角γについて、上述し
た測定プロセスを繰返し、X線52強度を評価判
定部75に記憶させる。しかるのち、試料WのX
線反射率の斜め入射角依存性をプリンタ又は
CRT上にプロツトさせる。さて、以上の記述は、
斜め入射角βを固定し、斜め入射角γを変化させ
たものであるが、逆に、斜め入射角γを固定し、
第1ゴニオメータ68により斜め入射角βを変化
させれば、試料WのX線反射率のX線波長依存性
を測定することができる。さらに、試料Wが超格
子多層膜ミラーの場合には、多層膜の格子定数の
推定及び表面粗さの推定を行うことができる。
以上のように、この第2の実施例は、第1ミラ
ー63が回転放物面ミラーとなつているので、X
線44を平行X線にすることができ、X線の散逸
を防止できる結果、X線の有効利用が可能とな
る。よつて、ローランド円を考慮する必要がなく
なり、第1ミラー63と平面回折格子65との間
の距離L′、および、平面回折格子65と第2ミラ
ー69との間の距離L″を任意に設定できるの
で、装置の小型化が可能となる。また、複数種の
X線評価を高精度かつ高能率で行うことができ
る。
なお、上記第2の実施例において、X線発生部
42は、一般のX線管でもよい。
つぎに、本発明の第3の実施例のX線光学素子
評価装置について述べる。
第3図は、この実施例のX線光学素子評価装置
を示すもので、この装置は、評価用のX線80を
発生するX線発生部81と、このX線発生部81
にて発生したX線80を焦点82に集光させる第
1反射部83と、この第1反射部83にて反射し
たX線84を入射して単色化する第2反射部85
と、試料Wを保持して矢印104方向に回動し且
つ第2反射部85にて単色化されたX線87を試
料Wに入射させる試料保持部88と、試料Wにて
反射したX線89を入射して入射量に比例する大
きさの電気信号に変換するX線検出部90とから
構成されている。しかして、X線発生部81は、
例えばガラスレーザ光などのレーザ光91を発振
するレーザ光源92と、このレーザ光源92から
のレーザ光91を集光させるレンズ系93と、こ
のレンズ系93により集光されたレーザ光91を
入射して前記X線80を発生させる円筒状をな
し、例えばAl,Cuなどの材質からなるターゲツ
ト94とからなつている。一方、第1反射部83
は、二つの焦点82,98を有する回転楕円ミラ
ーであつて、一方の焦点98は、ターゲツト94
のレーザ光91集光位置となるように設定されて
いる。また、他方の焦点82は、第2反射部85
の背後に位置している。さらに、第2反射部85
は、第1反射部83からのX線84を入射して単
色化する多層膜ミラー99と、矢印100方向に
回動自在に設けられこの多層膜ミラー99を回動
中心に保持する第1ゴニオメータ101とからな
つている。しかして、多層膜ミラー99は、超研
磨された基板102と、この基板102上に被着
され境界面で互に拡散せずしかも光学定数の大き
く異なる例えばWとC,VとC,AuとC,Reと
C等の2種類の物質を1層の厚さが10〜数10Åと
なるように交互に蒸着積層した多層膜103とか
らなつている。このような多層膜103は、いわ
ゆる超格子構造を有しており、その斜め入射角β
を上記第1ゴニオメータ101を介して変えるこ
とにより、X線84を所望のモノクロX線87に
変換するように設けられている。他方、試料保持
部88は、試料Wを着脱自在に把持するチヤツク
(図示せず。)と、矢印104方向に回動自在に設
けられ上記チヤツクを回動中心に保持する第2ゴ
ニオメータ105とからなつている。そうして、
第2ゴニオメータ105の回動調整によりX線8
7の試料Wへの斜め入射角γを変えることができ
るようになつている。さらに、X線検出部90
は、第2ゴニオメータ105に一体的に取付けら
れ試料Wから反射されたX線89を入射するデイ
テクタ106と、同じく第2ゴニオメータ105
に取付けられ余分のX線を除去するスリツト10
7と、デイテクタ106からの電気信号を入力し
て種々の演算を行う評価判定部108とからなつ
ている。
つぎに、第3の実施例のX線光学素子評価装置
の作動について述べる。
まず、チヤツクに評価用のX線光学素子である
試料Wを把持させる。つぎに、第1ゴニオメータ
101により、多層膜ミラー99へのX線84の
斜め入射角βを所定角度に設定する。ついで、レ
ーザ光源92からレーザ光91をレンズ系93を
経由してターゲツト94に集光させる。すると、
ターゲツト94からは、X線80が第1反射部8
3に入射する。すると、この第1反射部83にて
反射したX線84は焦点82に集光する方向に反
射されるが、中途に配設されている多層膜ミラー
99に斜め入射角βで入射する。すると、この斜
め入射角βで決定される波長を有するモノクロX
線87が、試料Wに斜め入射角γで入射する。さ
らに、この試料Wから反射したX線89は、スリ
ツト107を経由してデイテクタ106に入射
し、入射量に対応した大きさの電圧を有する電気
信号が評価判定部108に出力され、このときの
X線89の強度が記憶される。なお、第3図で第
2反射部85と焦点82の距離をLa、第2反射
部85と試料Wの距離をLb、さらに試料Wとデ
イテクタ106の距離をLcとするとき、La=Lb
+Lcの関係にある。つぎに、第2ゴニオメータ
105を操作して、X線87の試料Wへの斜め入
射角γを逐次変化させ、変化させた各入射角γに
ついて、上述した測定プロセスを繰返し、X線8
9の強度を評価判定部108に記憶させる。しか
るのち、試料WのX線反射率の斜め入射角依存性
をプリンタ又はCRT上にプロツトさせる。
さて、以上の記述は、斜め入射角βを固定し、
斜め入射角γを変化させたものであるが、逆に、
斜め入射角γを固定し、第1ゴニオメータ101
により斜め入射角βを変化させれば、試料WのX
線反射率のX線波長依存性を測定することができ
る。さらに、試料Wが超格子多層膜ミラーの場合
には、多層膜の格別定数の推定及び表面粗さの推
定を行うことができる。
以上のように、この第3の実施例は、回転楕円
ミラーである第1反射部83によりX線80をそ
の焦点に集光させるようにしているので、X線の
散逸がほとんどなくなり、X線の有効利用が可能
となり、複数種のX線評価を高精度かつ高能率で
行うことができる。また、ローランド円を考慮す
ることなく光学系を組立てることができるので、
装置の小型化が可能となる。
なお、上記第3の実施例において、X線発生部
81は通常のX線管でもよい。
さらに、上記第1乃至第3の実施例において、
X線発生部2,42,81にて発生したプラズマ
X線を他方向にも取り出すように構成すれば、他
の目的にも使用できる。
〔発明の効果〕
本発明のX線光学素子評価装置は、ローランド
円を考慮することなくX線の散逸を防止すること
ができるとともに、X線反射率のX線波長依存性
や斜め入射角依存性等の複数種のX線評価を高能
率かつ高精度で行うことができる。よつて、本発
明を適用することにより、X線光学素子の開発及
び製造に多大の寄与をすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の説明図、第2
図は本発明の第2の実施例の説明図、第3図は本
発明の第3の実施例の説明図である。 2,42,81……X線発生部(X線投射手
段)、3,43,83……第1反射部(第1の反
射手段)、5,45,85……第2反射部、8,
51,88……試料保持部、10,53,90…
…X線検出部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 X線光学素子にX線を投射しこのとき反射し
    た反射X線に基づいて上記X線光学素子の評価を
    行うX線光学素子評価装置において、上記X線を
    投射するX線投射手段と、このX線投射手段から
    投射されたX線を入射して平行なX線に変換する
    回転放物面を有する第1の反射手段と、上記第1
    の反射手段からの平行なX線を入射して特定波長
    のX線に変換する多層膜ミラーを有し上記平行な
    X線の上記多層膜ミラーへの入射角を変化させる
    ことにより上記特定波長のX線の波長を選択自在
    に調整する第2の反射手段と、上記X線光学素子
    を上記第2の反射手段からの特定波長のX線の入
    射角を調整自在に保持する試料保持手段と、上記
    試料保持手段に保持されているX線光学素子から
    の反射X線を入射してその入射強度を示す電気信
    号に変換するX線検出手段とを具備することを特
    徴とするX線光学素子評価装置。 2 X線光学素子にX線を投射しこのとき反射し
    た反射X線に基づいて上記X線光学素子の評価を
    行うX線光学素子評価装置において、上記X線を
    投射するX線投射手段と、このX線投射手段から
    投射されたX線を入射して平行なX線に変換する
    回転放物面を有する第1の反射手段と、上記第1
    の反射手段からの平行なX線を入射して特定波長
    のX線に変換する平面回折格子を有し上記平行な
    X線の上記平面回折格子への入射角を変化させる
    ことにより上記特定波長のX線の波長を選択自在
    に調整する第2の反射手段と、上記X線光学素子
    を上記第2の反射手段からの特定波長のX線の入
    射角を調整自在に保持する試料保持手段と、上記
    試料保持手段に保持されているX線光学素子から
    の反射X線を入射してその入射強度を示す電気信
    号に変換するX線検出手段とを具備することを特
    徴とするX線光学素子評価装置。 3 X線光学素子にX線を投射しこのとき反射し
    た反射X線に基づいて上記X線光学素子の評価を
    行うX線光学素子評価装置において、上記X線を
    投射するX線投射手段と、このX線投射手段から
    投射されたX線を入射して焦点位置に集光させる
    回転楕円面を有する第1の反射手段と、この第1
    の反射手段からの集光X線を入射して特定波長の
    X線に変換する多層膜ミラーを有し上記集光X線
    の上記多層膜ミラーの入射角を変化させることに
    より上記特定波長のX線の波長を選択自在に調整
    する第2の反射手段と、上記X線光学素子を上記
    第2の反射手段からの特定波長のX線の入射角を
    調整自在に保持する試料保持手段と、上記試料保
    持手段に保持されているX線光学素子からの反射
    X線を入射してその入射強度を示す電気信号に変
    換するX線検出手段とを具備することを特徴とす
    るX線光学素子評価装置。
JP63130381A 1988-05-30 1988-05-30 X線光学素子評価装置 Granted JPH01301153A (ja)

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FR2742867B1 (fr) * 1995-12-22 1998-02-06 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif interferometrique de caracterisation d'un milieu
FR2742866B1 (fr) * 1995-12-22 1998-01-30 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de caracterisation d'un milieu ionise mettant en oeuvre une source de rayonnement electromagnetique a duree ultracourte
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