JPH0583291A - Atm試験方式 - Google Patents

Atm試験方式

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JPH0583291A
JPH0583291A JP3268229A JP26822991A JPH0583291A JP H0583291 A JPH0583291 A JP H0583291A JP 3268229 A JP3268229 A JP 3268229A JP 26822991 A JP26822991 A JP 26822991A JP H0583291 A JPH0583291 A JP H0583291A
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atm
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memory
pseudo load
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Ryuji Hyodo
竜二 兵頭
Susumu Eda
晋 江田
Katsumi Omuro
勝美 大室
Osamu Sekihashi
理 関端
Kenji Tanaka
堅二 田中
Hiroyuki Hatta
裕之 八田
Reiko Furuya
礼子 古家
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明はATM多重伝送装置等の通信装置の
ATMクロスコネクト処理部に用いられる入側/出側F
IFOメモリの負荷試験等を行うためのATM試験方式
に関するものであり、負荷試験などのATM試験を小さ
な装置規模で簡単に行えるようにすることを目的とす
る。 【構成】 ATMクロスコネクト処理部の入側および/
または出側のFIFOメモリに強制的に擬似負荷セルを
書き込む書込み手段121 〜12M を設け、ATM試験
時に書込み手段によって試験対象のFIFOメモリに擬
似負荷セルを書き込んでそのFIFOメモリの負荷試験
を行うようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はATM多重伝送装置等の
通信装置のATMクロスコネクト処理部に用いられる入
側/出側FIFOメモリの負荷試験等を行うためのAT
M試験方式に関するものである。近年、通信路を効率的
に使用するために、一連の情報を有限の任意長のセルに
分割して伝送するATM(Asynchronous Transfer Mode)
方式の通信装置が注目されるようになっている。このA
TM方式は新しい技術であり、このためATMクロスコ
ネクト処理部のFIFOメモリの負荷試験等は現在確定
したものがなく種々の方法が提案されている段階にあ
る。
【0002】
【従来の技術】図7にはATM多重伝送装置の概要が示
される。図中、111 〜11N はAAL(ATM Adaptatio
n Layer)処理部であって、各端末対応に設けられて端末
からの一連のデータを逐次にセル化する回路である。1
0はATMクロスコネクト処理部であって、AAL処理
部111 〜11N からのセルを交換して出側回線#1〜
#Mに出力する回路である。このATMクロスコネクト
処理部10としての種々の構成が可能であり、以下にそ
れを示す。
【0003】図8には出側FIFO方式による従来のA
TMクロスコネクト処理部10の構成例が示される。図
中、11 〜1N は各入側回線#1〜#N対応に設けられ
た回線対応部であり、回線上の空セル等を取り除いて有
意セルだけを後段のスイッチ部2に入力させるなどの処
理をする。2はスイッチ部であり、各入側回線から入力
されたセルを目的とする出側回線に交換する機能を持
つ。31 〜3M は出側FIFOメモリであり、例えば1
00セル分程度のメモリ長を持って輻輳時などのセルの
バッファリングを行う。
【0004】図9には入側FIFO方式による従来のA
TMクロスコネクト処理部10の構成例が示される。図
中、41 〜4N は各入側回線#1〜#N対応に設けられ
た入側FIFOメモリであって、100セル分程度のメ
モリ長を持って輻輳時等にセルのバッファリングをする
もの、2はスイッチ部、51 〜5M は出側回線#1〜#
M対応に設けられたタイミング調整のための1セル分の
バッファメモリである。
【0005】図10にはバス方式の従来のATMクロス
コネクト処理部10の構成例が示される。図中、41
N は各入側回線#1〜#N対応に設けられた入側FI
FOメモリ、6はバスマトリクススイッチ部、31 〜3
M は各出側回線#1〜#M対応に設けられた出側FIF
Oメモリである。
【0006】かかる従来のATM多重伝送装置におい
て、ATMクロスコネクト処理部10の入側または出側
のFIFOメモリの過負荷時や一定負荷時等の負荷試験
を行うためには、試験用のダミーセルを発生する負荷印
加装置を外部装置として設け、この負荷印加装置で発生
したダミーセル(例えば特定の出側回線に集中するよう
なダミーセル)をATM多重伝送装置に印加して試験を
行っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ATM多重伝送装置の
処理量が大きいような場合(例えば入側または出側のF
IFOメモリの容量が大きいなどの場合)、上述の試験
を行うためには入側から多量のダミーセルを入力してや
る必要がある。そのためには、AAL処理部111 〜1
M の処理能力(入力できるセル量などの能力)が限ら
れていることから1回線だけからダミーセルを入力する
だけでは足りず、多数の負荷印加装置を用意して多数の
入側回線からダミーセルの入力を行う必要がある。この
ため、試験環境としては大掛かりなものが必要となる。
またATM普及の過渡期には負荷特性などの専用の測定
器が出そろわない可能性が高いので、何らかの適当な測
定法が必要とされる。
【0008】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、負荷試験などのAT
M試験を小さな装置規模で簡単に行えるようにすること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】図1は本発明に係る原理
説明図である。なお、この図1は本発明の第1番目の発
明に関し出側FIFOメモリに書込み手段によって、擬
似負荷セルとしての空セルを書き込む場合について示し
ている。
【0010】本発明に係るATM試験方式は、一つの形
態として、ATMクロスコネクト処理部の入側および/
または出側のFIFOメモリ11に強制的に擬似負荷セ
ルを書き込む書込み手段12を設け、ATM試験時に書
込み手段12によって試験対象のFIFOメモリに擬似
負荷セルを書き込んでそのFIFOメモリの負荷試験を
行うようにしたものである。上記の擬似負荷セルは出側
回線に送出される有意セル間のタイムフィルとして挿入
される空セルを用いることができる。
【0011】本発明に係るATM試験方式は、他の形態
として、ATMクロスコネクト処理部に擬似負荷セルを
発生する擬似負荷セル発生処理手段を設け、ATM試験
時にこの擬似負荷セル発生処理手段で発生した擬似負荷
セルを、試験対象の入側FIFOメモリに直接に、およ
び/または、スイッチ部経由で試験対象の出側FIFO
メモリに書き込んでFIFOメモリの負荷試験を行うよ
うにしたものである。
【0012】また本発明に係るATM試験方式は、また
他の形態として、ATMクロスコネクト処理部の出側回
線側のバッファメモリを見かけ上または実際にデータ有
り状態にして入側FIFOメモリにそのバッファメモリ
に向かうセルを滞留させることで、入側FIFOメモリ
の負荷試験を行うようにしたものである。
【0013】上述の各形態のATM試験方式において、
擬似負荷セルは所定の発生間隔を規定する関数に従って
発生されて試験対象FIFOメモリに印加されるように
できる。あるいは上述の各形態のATM試験方式におい
て、擬似負荷セルは試験対象FIFOメモリに一定量の
セルが滞留するように印加されるようにできる。
【0014】
【作用】第1番目のATM試験方式では、書込み手段に
よって出側あるいは入側の試験対象のFIFOメモリに
強制的に擬似負荷セルを書き込み、それによりそのFI
FOメモリに負荷がかかった状態にして負荷印加試験を
行う。
【0015】第2番目のATM試験方式では、擬似負荷
発生処理手段で発生した擬似負荷セルを、試験対象の入
側FIFOメモリに直接に、および/または、スイッチ
部経由で試験対象の出側FIFOメモリに書き込んで、
それらのFIFOメモリに負荷がかかった状態にして負
荷印加試験を行う。
【0016】第3番目のATM試験方式では、ATMク
ロスコネクト処理部の出側回線側のバッファメモリを見
かけ上または実際にデータ有り状態にして入側FIFO
メモリに該バッファメモリに向かうセルを滞留させるこ
とで、入側FIFOメモリに負荷がかかった状態を作っ
ての負荷印加試験を行う。
【0017】上述の各形態のATM試験方式において、
擬似負荷セルを、所定の発生間隔を規定する関数に従っ
て発生して試験対象FIFOメモリに印加するようにす
れば、一般的な負荷印加試験を行える。あるいは擬似負
荷セルを、試験対象FIFOメモリに常に一定量のセル
が滞留するように印加するようにすれば、一定負荷印加
試験を行える。
【0018】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。なお、各図を通じて同じ参照番号が付された回路
は同一機能の回路を表すものとする。図2には本発明の
一実施例としてのATM試験方式を行うATMクロスコ
ネクト処理部の構成例が示される。図中、11 〜1N
入側回線#1〜#N対応に設けられた回線対応部、2は
スイッチ部、31 〜3M は出側回線#1〜#M対応に設
けられた出側FIFOメモリであり、これは従来技術で
説明したと同じである。
【0019】この出側FIFOメモリ31 〜3M は出側
回線に送出する有意セル(有意情報を含むセル)が無い
時には有意セルに代えて空セルを送出する機能を備えて
おり、これは従来の回路も同じであり、出側FIFOメ
モリ31 〜3M はそのための空セルを発生する空セル発
生部301 〜30M をそれぞれ備えている。
【0020】本発明の実施例では、負荷試験時など必要
に応じて、この空セル発生部301 〜30M で発生した
空セルを出側FIFOメモリ31 〜3M の入力側に帰還
して対応する出側FIFOメモリに入力させる機能を備
えている。
【0021】以下、この実施例回路による負荷印加試験
について説明する。 (1)まず、一般的な負荷印加試験について述べる。 前述したように、ATM伝送では、有意セル間の空き部
分を埋めるタイムフィルとして、その間に空セルが挿入
される。この空セルの挿入の仕方として、一般には出側
FIFOメモリ31 〜3M に有意セルと共に空セルを書
き込むといったことはせず、出側FIFOメモリ31
Mのセル滞留数(有意セルの滞留数)が“0”の時に
その出力側の伝送路上に空セル発生部301 〜30M
発生した空セルを出力するようにしている。
【0022】例えば、図3の(a)に示されるように、
通常時においては、有意セル(斜線で示したセル)が間
隔を置いて入力されるが、この有意セルは通常セルの書
込みタイミングに従って出側FIFOメモリに書き込ま
れていく。一方、空セル(図中に□で示したセル)であ
れば、出側FIFOメモリへの書込みはしない。
【0023】一方、例えば出側FIFOメモリ3K につ
いて擬似負荷試験を行う場合、図3の(b)に示される
ように、擬似負荷用のセル書込みタイミングでセルを印
加する必要があるならば、空セル発生部30K で発生し
た空セルを入力側に帰還して出側FIFOメモリ3K
その空セルを書き込んでいく。これにより擬似的な負荷
の印加が可能になり、その出側FIFOメモリ3K に過
負荷あるいはある程度の負荷がかかった状態でのセルの
廃棄状況などを測定することができる。
【0024】擬似負荷つまり空セルの発生間隔として
は、例えばポアソン分布に従う負荷を与える時にはポア
ソンの確率関数p(χ)、分布関数P(χ)を利用して
発生間隔を決定できる。 確率関数:p(χ)=e-m(mx /χ!) 分布関数:P(χ)=Σp(k) (但しΣはk=0
からχまでの和) またポアソン分布ではなく指数分布関数あるいはその他
の擬似負荷試験用の発生確率関数によってもよい。
【0025】 (2)次に一定負荷印加試験について述べる。 この一定負荷印加試験では、出側FIFOメモリ3K
セル滞留数を監視しそれをフィードバックして出側FI
FOメモリ3K への空セル書込み数を制御することで、
出側FIFOメモリ3K に常に一定数以上のセルを滞留
させるようにして、セル廃棄状況等を測定するものであ
り、セル滞留数の設定を順次に変えていき種々のセルの
滞留数についてその特性を調べることでATMクロスコ
ネクト処理部の負荷特性のいわゆる静特性を得ることも
できる。
【0026】この一定負荷印加の場合、図4の(a)に
示されるように、前述の図3の(a)と同様に通常時に
おいてセルが有意セル(斜線のセル)であれば、通常セ
ルの書込みタイミングに従って出側FIFOメモリ3K
にその有意セルが書き込まれる。一方、セルが空セル
(図中の□で示したセル)であれば、出側FIFOメモ
リ3K への書込みは行わない。
【0027】一方、例えば出側FIFOメモリ3K につ
いての一定負荷印加試験時には、図4の(b)に示され
るように、出側FIFOメモリ3K 内のセル滞留数を監
視し、そのセル滞留数が所定の設定値を下回るなどして
セル書込みタイミングでセルを印加する必要があるなら
ば、その時、空セルが出側FIFOメモリ3K に書き込
まれる。つまり、出側FIFOメモリ3K のセル滞留数
が所定の設定値以下の時には、出側FIFOメモリ3K
への空セルの書込みを指示する。このようにして一定負
荷印加を行って特性をとることで、最大遅延時間等を計
測する環境を作り出すことができる
【0028】図5には本発明の他の実施例としてのAT
M試験方式によるATMクロスコネクト処理部が示され
る。図中、回線対応部11 〜1N、スイッチ部2、出側
FIFOメモリ31 〜3N は従来例で示したものと同じ
である。相違点としてスイッチ部2の入力側に擬似負荷
発生処理部7が設けられており、この擬似負荷発生処理
部7で発生した擬似負荷(例えば空セルなどのダミーセ
ル)をスイッチ部2を介して試験対象とする出側FIF
Oメモリ3K に入力できるようになっている。
【0029】このように構成することで、一般的な負荷
印加試験時には擬似負荷発生処理部7でポアソン分布あ
るいは指数分布などに従ったセル発生間隔で試験対象と
する出側FIFOメモリ3K へ向かうダミーセルを発生
して、スイッチ部2経由でその対象とるす出側FIFO
メモリ3K に入力してやり、負荷試験を行う。
【0030】また一定負荷印加試験時には、試験対象と
する出側FIFOメモリ3K のセル滞留数を監視し、そ
の滞留数が一定値となるように擬似負荷発生処理部7で
ダミーセルを発生して、それをスイッチ部2経由で出側
FIFOメモリ3K に入力してやる。
【0031】図6には本発明のまた他の実施例としての
ATM試験方式によるATMクロスコネクト処理部が示
される。この実施例は入側FIFO方式のATMクロス
コネクト処理部に本発明を適用したものである。図中、
入側FIFOメモリ41 〜4N 、スイッチ部2、バッフ
ァメモリ51 〜5M は従来例で説明したものと同じであ
る。、相違点として、スイッチ部2の入力側に擬似負荷
発生処理部7を備えており、この擬似負荷発生処理部7
で発生した擬似負荷を試験対象とする入側FIFOメモ
リ4K に入力できるようになっている。
【0032】試験方法としては、一般的な負荷試験の時
には擬似負荷発生処理部7で所定の発生確率分布で発生
した擬似負荷を試験対象の入側FIFOメモリ4K に入
力させて負荷試験を行い、一定負荷試験時には試験対象
の入側FIFOメモリ4K のセル滞留数を監視してそれ
が一定値になるように擬似負荷発生処理部7で擬似負荷
を発生して試験対象の入側FIFOメモリ4K に入力し
て一定負荷試験を行う。
【0033】本発明の実施にあたっては上述の各実施例
の外にも種々の変形形態が可能である。例えば入側FI
FO方式のATMクロスコネクト処理部の場合、上述の
実施例で説明したようにスイッチ部2の入力側に擬似負
荷発生処理部7を設けて負荷印加状態を作る代わりに、
擬似負荷発生処理部7を設けず、スイッチ部2の出力側
の所定のバッファメモリ5L を常にセルが滞留している
ように見せかける制御信号を人為的に発生し(あるいは
そのバッファメモリ5L からのデータ読出しを禁止して
実際にデータ滞留状態にし)、それによりそのバッファ
メモリ5L へのセルの入力を禁止することで、そのバッ
ファメモリ5L に向かうセル(すなわち出側回線#Lに
向かうセル)が連続的に入力される試験対象の入側FI
FOメモリ4K にそれらのセルが滞留するようにし、そ
れによりその入側FIFOメモリ4K の負荷印加試験を
行うようにしてもよい。
【0034】またバス方式のATMクロスコネクト処理
部についても、上述の擬似負荷発生処理部で発生した擬
似負荷を入側あるいは出側のFIFOメモリに印加した
り、あるいは空セル発生部で発生した空セルを印加した
りして、負荷印加試験を行うことができる。
【0035】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、負荷試験などのATM試験を小さな装置規模で簡単
に行えるようになる。特に本発明によれば、専用の測定
器がまだ出そろわないATM普及の過渡期においても、
特別の測定器なしに負荷印加試験等のシステム試験が行
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る原理説明図である。
【図2】本発明の一実施例としてのATM試験方式によ
るATMクロスコネクト処理部を示すブロック図であ
る。
【図3】実施例装置による一般的負荷印加試験を説明す
る図である。
【図4】実施例装置による一定負荷印加試験を説明する
図である。
【図5】本発明の他の実施例としてのATM試験方式に
よるATMクロスコネクト処理部を示すブロック図であ
る。
【図6】本発明のまた他の実施例としてのATM試験方
式によるATMクロスコネクト処理部を示すブロック図
である。
【図7】ATM多重伝送装置の構成の概要を示すブロッ
ク図である。
【図8】出側FIFO方式のATMクロスコネクト処理
部の従来例を示すブロック図である。
【図9】入側FIFO方式のATMクロスコネクト処理
部の従来例を示すブロック図である。
【図10】バス方式のATMクロスコネクト処理部の従
来例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 〜1N 回線対応部 2 スイッチ部 31 〜3M 出側FIFOメモリ 41 〜4N 入側FIFOメモリ 51 〜5M 1セルのバッファメモリ バスマトリクススイッチ 7 擬似負荷発生処理部 301 〜30M 空セル発生部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04L 12/26 H04Q 11/04 9076−5K H04Q 11/04 R 9076−5K L (72)発明者 関端 理 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 田中 堅二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 八田 裕之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 古家 礼子 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ATMクロスコネクト処理部の入側およ
    び/または出側のFIFOメモリ(11・・・)に強制
    的に擬似負荷セルを書き込む書込み手段(12・・・)
    を設け、ATM試験時に該書込み手段によって試験対象
    のFIFOメモリに擬似負荷セルを書き込んでFIFO
    メモリの負荷試験を行うようにしたATM試験方式。
  2. 【請求項2】 該擬似負荷セルは出側回線に送出される
    有意セル間のタイムフィルとして挿入される空セルであ
    る請求項1または2記載のATM試験方式。
  3. 【請求項3】 ATMクロスコネクト処理部に擬似負荷
    セルを発生する擬似負荷セル発生処理手段を設け、AT
    M試験時に該擬似負荷セル発生処理手段で発生した擬似
    負荷セルを、試験対象の入側FIFOメモリに直接に、
    および/または、スイッチ部経由で試験対象の出側FI
    FOメモリに書き込んでFIFOメモリの負荷試験を行
    うようにしたATM試験方式。
  4. 【請求項4】 ATMクロスコネクト処理部の出側回線
    側のバッファメモリを見かけ上または実際にデータ有り
    状態にして入側FIFOメモリに該バッファメモリに向
    かうセルを滞留させることで、入側FIFOメモリの負
    荷試験を行うようにしたATM試験方式。
  5. 【請求項5】 該擬似負荷セルは所定の発生間隔を規定
    する関数に従って発生されて試験対象FIFOメモリに
    印加される請求項1〜4の何れかに記載のATM試験方
    式。
  6. 【請求項6】 該擬似負荷セルは試験対象FIFOメモ
    リに一定量のセルが滞留するように印加される請求項1
    〜4の何れかに記載のATM試験方式。
JP3268229A 1991-09-19 1991-09-19 Atm試験方式 Pending JPH0583291A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3268229A JPH0583291A (ja) 1991-09-19 1991-09-19 Atm試験方式
US08/447,639 US5608719A (en) 1991-09-19 1995-05-23 ATM multiplex transmission system having test equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3268229A JPH0583291A (ja) 1991-09-19 1991-09-19 Atm試験方式

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Publication Number Publication Date
JPH0583291A true JPH0583291A (ja) 1993-04-02

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JP3268229A Pending JPH0583291A (ja) 1991-09-19 1991-09-19 Atm試験方式

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