JPH0584676B2 - - Google Patents
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- JPH0584676B2 JPH0584676B2 JP15674085A JP15674085A JPH0584676B2 JP H0584676 B2 JPH0584676 B2 JP H0584676B2 JP 15674085 A JP15674085 A JP 15674085A JP 15674085 A JP15674085 A JP 15674085A JP H0584676 B2 JPH0584676 B2 JP H0584676B2
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- JP
- Japan
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- crystal
- thin film
- substrate
- insulating substrate
- semiconductor
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- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、多結晶半導体薄膜を用いた半導体歪
検出器に関し、例えば高温状態において各種液体
や気体の圧力、或いは各種応力歪等を検出する検
出器に有効利用し得るものである。
検出器に関し、例えば高温状態において各種液体
や気体の圧力、或いは各種応力歪等を検出する検
出器に有効利用し得るものである。
今日、ｎ型シリコン単結晶基板の一主面にＰ型
ピエゾ抵抗領域をブリツジ状に複数個拡散形成し
た半導体歪検出器が広く利用されている。
ピエゾ抵抗領域をブリツジ状に複数個拡散形成し
た半導体歪検出器が広く利用されている。
しかし、この歪検出器では抵抗領域がPn接合
によつてｎ型基板から電気的に分離されているた
め、Pn接合部のリーク電流が増加する高温中で
は使用できず、その使用温度の上限は一般に約
150℃程度にとどまつている。そこで、この問題
を解決するため、シリコン単結晶基板上にSiO2
等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に多結晶シリ
コン、あるいは非晶質シリコンのピエゾ抵抗領域
をCVD法または蒸着法によつて形成した半導体
歪検出器が考えられているが、多結晶または非結
晶のシリコンは大きなピエゾ抵抗効果を示さない
ため、高能率の歪検出器が得られないという問題
がある。
によつてｎ型基板から電気的に分離されているた
め、Pn接合部のリーク電流が増加する高温中で
は使用できず、その使用温度の上限は一般に約
150℃程度にとどまつている。そこで、この問題
を解決するため、シリコン単結晶基板上にSiO2
等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に多結晶シリ
コン、あるいは非晶質シリコンのピエゾ抵抗領域
をCVD法または蒸着法によつて形成した半導体
歪検出器が考えられているが、多結晶または非結
晶のシリコンは大きなピエゾ抵抗効果を示さない
ため、高能率の歪検出器が得られないという問題
がある。
本発明は、上記点に鑑み、多結晶半導体薄膜に
て歪検出部を構成することによつて絶縁性基板上
への薄膜形成を容易にし、それによつて高温状態
における使用を可能にし、かつこの歪検出部にお
いて単結晶シリコンなみの大きなピエゾ抵抗効果
を得ることができる半導体歪検出器を提供するこ
とを目的とする。
て歪検出部を構成することによつて絶縁性基板上
への薄膜形成を容易にし、それによつて高温状態
における使用を可能にし、かつこの歪検出部にお
いて単結晶シリコンなみの大きなピエゾ抵抗効果
を得ることができる半導体歪検出器を提供するこ
とを目的とする。
ところで、本発明者等は、多結晶半導体、とり
わけ多結晶シリコンのピエゾ抵抗効果について研
究した結果、不純物濃度と結晶粒径の積が十分大
きい場合、粒界の影響がきわめて弱くなり、結晶
粒の配向性が極めて重要になることを見出した。
わけ多結晶シリコンのピエゾ抵抗効果について研
究した結果、不純物濃度と結晶粒径の積が十分大
きい場合、粒界の影響がきわめて弱くなり、結晶
粒の配向性が極めて重要になることを見出した。
そして、多結晶シリコンの配向性とゲージフア
クタとの関係を理論的及び実験的に考察してみる
と、多結晶シリコンの各結晶粒を垂直配向し、か
つ面内方位も揃つた多結晶シリコンのゲージフア
クタ（つまり縦（長手）方向ゲージフアクタKl、
横方向ゲージフアクタKt）は、単結晶シリコン
とほぼ同じ大きさ、及び異方性（つまり特定結晶
方位に対して強く感応すること）をもつことが分
かつた。
クタとの関係を理論的及び実験的に考察してみる
と、多結晶シリコンの各結晶粒を垂直配向し、か
つ面内方位も揃つた多結晶シリコンのゲージフア
クタ（つまり縦（長手）方向ゲージフアクタKl、
横方向ゲージフアクタKt）は、単結晶シリコン
とほぼ同じ大きさ、及び異方性（つまり特定結晶
方位に対して強く感応すること）をもつことが分
かつた。
また、ゲージフアクタに及ぼす垂直方向及び面
内配向のゆらぎの影響について考察してみると、
面内配向のゆらぎα及び垂直配向のゆらぎβとす
ると、ゆらぎ角α、βが０〜10゜以内、望ましく
は数度以内であれば、その影響は実質的に零とみ
なせる値となり、ゲージフアクタKl、Ktは単結
晶シリコンの値とほぼ一致することが分かつた。
内配向のゆらぎの影響について考察してみると、
面内配向のゆらぎα及び垂直配向のゆらぎβとす
ると、ゆらぎ角α、βが０〜10゜以内、望ましく
は数度以内であれば、その影響は実質的に零とみ
なせる値となり、ゲージフアクタKl、Ktは単結
晶シリコンの値とほぼ一致することが分かつた。
以上の考察の結果、単結晶シリコンにおいても
配向性を制御することにより、単結晶なみのゲー
ジフアクタが得られることを見出した。
配向性を制御することにより、単結晶なみのゲー
ジフアクタが得られることを見出した。
そこで、本発明は、上記した如き考察に基づい
て実現されたものであり、 第１の発明は、絶縁性基板上に、多結晶半導体
の薄膜からなる歪検出部が形成された半導体歪検
出器であつて、 前記絶縁性基板は少なくとも１主面に絶縁膜を
有する単結晶基板にて構成され、該絶縁膜が該単
結晶基板と同じ結晶構造で、かつ略同等の格子定
数を有する膜にて構成されていることを特徴と
し、また、第２の発明は、絶縁性基板上に、多結
晶半導体の薄膜からなる歪検出部が形成された半
導体歪検出器であつて、 前記絶縁性基板は少なくとも１主面に絶縁膜を
有する基板にて構成され、該絶縁膜の表面にはグ
レーテイングが構成されていることを特徴とする
ものである。
て実現されたものであり、 第１の発明は、絶縁性基板上に、多結晶半導体
の薄膜からなる歪検出部が形成された半導体歪検
出器であつて、 前記絶縁性基板は少なくとも１主面に絶縁膜を
有する単結晶基板にて構成され、該絶縁膜が該単
結晶基板と同じ結晶構造で、かつ略同等の格子定
数を有する膜にて構成されていることを特徴と
し、また、第２の発明は、絶縁性基板上に、多結
晶半導体の薄膜からなる歪検出部が形成された半
導体歪検出器であつて、 前記絶縁性基板は少なくとも１主面に絶縁膜を
有する基板にて構成され、該絶縁膜の表面にはグ
レーテイングが構成されていることを特徴とする
ものである。
上記第１、第２の発明によれば、絶縁性基板上
に形成する多結晶半導体の薄膜は、該薄膜を構成
する各結晶粒の結晶軸が基板に対して垂直配向さ
れ、かつ基板に対して平行な結晶面内の結晶軸が
全て一定方向に配向される構造を有するようにな
る。
に形成する多結晶半導体の薄膜は、該薄膜を構成
する各結晶粒の結晶軸が基板に対して垂直配向さ
れ、かつ基板に対して平行な結晶面内の結晶軸が
全て一定方向に配向される構造を有するようにな
る。
それによつて本発明によれば、多結晶半導体薄
膜の各結晶粒の結晶方向が、従来の如きランダム
配向に対して、全てを特定された方向に配向され
るようにしてこの薄膜を絶縁性基板上に成長させ
ることにより、単結晶シリコンなみのピエゾ抵抗
効果を達成できるようにしたものである。
膜の各結晶粒の結晶方向が、従来の如きランダム
配向に対して、全てを特定された方向に配向され
るようにしてこの薄膜を絶縁性基板上に成長させ
ることにより、単結晶シリコンなみのピエゾ抵抗
効果を達成できるようにしたものである。
以下、本発明の実施例について説明する。本例
では半導体歪検出器の一例として圧力検出器への
応用例を示す。そして、絶縁性基板、つまりこの
場合には基板自体が絶縁材料（例えばガラスやセ
ラミツクなど）からなるもの、または基板（例え
ば半導体や金属など）上に形成された絶縁層（例
えばCaF2層やSiO2層など）を有する基板を示し
ているが、この絶縁性基板上に、各結晶粒の結晶
面内の方向を同一方向に配向した良質の多結晶半
導体薄膜を何に成長・形成させるかについて、重
点を置いて説明する。
では半導体歪検出器の一例として圧力検出器への
応用例を示す。そして、絶縁性基板、つまりこの
場合には基板自体が絶縁材料（例えばガラスやセ
ラミツクなど）からなるもの、または基板（例え
ば半導体や金属など）上に形成された絶縁層（例
えばCaF2層やSiO2層など）を有する基板を示し
ているが、この絶縁性基板上に、各結晶粒の結晶
面内の方向を同一方向に配向した良質の多結晶半
導体薄膜を何に成長・形成させるかについて、重
点を置いて説明する。
まず本発明の第１実施例を説明する。第１図は
圧力検出器の断面構造を示すものである。まず１
１は、（110）結晶面を有するダイアフラム状の単
結晶シリコン基板で、この基板１１上には結晶性
の絶縁物であるフツカカルシウム（CaF2）を真
空蒸着法によりエピタキシヤル成長させて形成し
た約5000Åの厚さの絶縁層１２が形成されてい
る。１３は絶縁層１２上に形成された歪検出部を
なす多結晶シリコン半導体薄膜で、この薄膜１３
は約1.5μmの厚さに真空蒸着法またはCVD法によ
り形成され、その後所定パターンにエツチング形
成されたものである。この半導体薄膜１３はシリ
コン基板１１の凹状起歪部（ダイアフラム部）に
対応する領域内に配置される。そして、この多結
晶シリコン半導体薄膜１３および絶縁層１２上に
はSiO2より成る保護膜１４が形成されている。
この保護膜１４はCVD法あるいはスパツタ法に
より基板全面に形成された後、所定パターンにエ
ツチング形成されたものである。１５は半導体薄
膜１３の所定部位に電気的接続するためのアルミ
ニウム等の電極である。
圧力検出器の断面構造を示すものである。まず１
１は、（110）結晶面を有するダイアフラム状の単
結晶シリコン基板で、この基板１１上には結晶性
の絶縁物であるフツカカルシウム（CaF2）を真
空蒸着法によりエピタキシヤル成長させて形成し
た約5000Åの厚さの絶縁層１２が形成されてい
る。１３は絶縁層１２上に形成された歪検出部を
なす多結晶シリコン半導体薄膜で、この薄膜１３
は約1.5μmの厚さに真空蒸着法またはCVD法によ
り形成され、その後所定パターンにエツチング形
成されたものである。この半導体薄膜１３はシリ
コン基板１１の凹状起歪部（ダイアフラム部）に
対応する領域内に配置される。そして、この多結
晶シリコン半導体薄膜１３および絶縁層１２上に
はSiO2より成る保護膜１４が形成されている。
この保護膜１４はCVD法あるいはスパツタ法に
より基板全面に形成された後、所定パターンにエ
ツチング形成されたものである。１５は半導体薄
膜１３の所定部位に電気的接続するためのアルミ
ニウム等の電極である。
上記の構成とすることによつて、絶縁層１２を
構成するCaF2は絶縁物であるため、シリコン基
板１１と歪検出部となる半導体薄膜１３とを電気
的に完全に絶縁することができ、例えば300℃程
度の高温状態においても十分な絶縁を得られる。
構成するCaF2は絶縁物であるため、シリコン基
板１１と歪検出部となる半導体薄膜１３とを電気
的に完全に絶縁することができ、例えば300℃程
度の高温状態においても十分な絶縁を得られる。
また、第２図において多結晶シリコンの各結晶
粒の状態を模式図に示すように、下地となる
CaF2は結晶性であり、その結晶構造は単結晶シ
リコンと同じ面心立方で、またその格子定数はシ
リコンと非常に近いため、（110）結晶面を有する
シリコン基板１１上に結晶性の良い（110）結晶
面を有するCaF2膜（絶縁層）１２をエピタキシ
ヤル成長させることができる。さらに、この
CaF2膜１２面上に成長させた多結晶シリコン半
導体薄膜１３は下地のCaF2膜１２結晶方位を引
き継ぎ、110）面が基板１１、１２に対して垂直
配向（この場合＜１１０＞方向）し、面内の方位
も一定方向に配向（この場合＜110＞方向）した
ものとなる。
粒の状態を模式図に示すように、下地となる
CaF2は結晶性であり、その結晶構造は単結晶シ
リコンと同じ面心立方で、またその格子定数はシ
リコンと非常に近いため、（110）結晶面を有する
シリコン基板１１上に結晶性の良い（110）結晶
面を有するCaF2膜（絶縁層）１２をエピタキシ
ヤル成長させることができる。さらに、この
CaF2膜１２面上に成長させた多結晶シリコン半
導体薄膜１３は下地のCaF2膜１２結晶方位を引
き継ぎ、110）面が基板１１、１２に対して垂直
配向（この場合＜１１０＞方向）し、面内の方位
も一定方向に配向（この場合＜110＞方向）した
ものとなる。
第３図に上記多結晶シリコン半導体薄膜１３の
走査電子顕微鏡写真を示すが、結晶粒径が数千Å
ないし1μで、晶癖を持つた各結晶粒子が一定の
方向に配向していることがわかる。第４図にこの
多結晶シリコン半導体薄膜１３の反射電子線回折
像（RHEED）の写真を示す。この写真のように
スポツトが観測され、強く面内方向に配向してい
ることを示している。すなわち、本発明の構成に
よつて歪検出部となる多結晶シリコン半導体薄膜
１３を多結晶でありながら、基板に垂直な結晶軸
の方位（＜１１０＞方向）および基板に平行な結
晶面内の方位（＜110＞方向）を一定方向に揃え
たものとすることができるのである。
走査電子顕微鏡写真を示すが、結晶粒径が数千Å
ないし1μで、晶癖を持つた各結晶粒子が一定の
方向に配向していることがわかる。第４図にこの
多結晶シリコン半導体薄膜１３の反射電子線回折
像（RHEED）の写真を示す。この写真のように
スポツトが観測され、強く面内方向に配向してい
ることを示している。すなわち、本発明の構成に
よつて歪検出部となる多結晶シリコン半導体薄膜
１３を多結晶でありながら、基板に垂直な結晶軸
の方位（＜１１０＞方向）および基板に平行な結
晶面内の方位（＜110＞方向）を一定方向に揃え
たものとすることができるのである。
第５図及び第６図に、本実施例による歪検出器
のゲージフアクタの一例を、ゲージの方位別及び
縦、横方向別に示す。本例では歪検出部となる多
結晶シリコン半導体薄膜には公知の方法によりボ
ロン(B)が添加され、その不純物濃度が１×1020cm
-3に設定され、また一定温度（この場合27℃）に
設定された場合である。第５図をみると、本実施
例の如く配向性を制御した多結晶シリコン膜を用
いた場合、ゲージフアクタは特性(ロ)となり、結晶
方位＜110＞のときは単結晶シリコンの特性(イ)に
かなり近い値を示し、通常のランダム配向多結晶
シリコンの特性(ハ)に比べてかなり優れた値とな
る。また本例のものは結晶方位＜100＞において
単結晶シリコンと同様にほぼ零となり、ゲージフ
アクタに異方性があることが分かる。また、第６
図をみると、本例のものは （特性(ロ)）は単結晶シリコンと同様に縦方向
Klに感応し、横方向Ktにはほとんど感応しない
ことが分かる。
のゲージフアクタの一例を、ゲージの方位別及び
縦、横方向別に示す。本例では歪検出部となる多
結晶シリコン半導体薄膜には公知の方法によりボ
ロン(B)が添加され、その不純物濃度が１×1020cm
-3に設定され、また一定温度（この場合27℃）に
設定された場合である。第５図をみると、本実施
例の如く配向性を制御した多結晶シリコン膜を用
いた場合、ゲージフアクタは特性(ロ)となり、結晶
方位＜110＞のときは単結晶シリコンの特性(イ)に
かなり近い値を示し、通常のランダム配向多結晶
シリコンの特性(ハ)に比べてかなり優れた値とな
る。また本例のものは結晶方位＜100＞において
単結晶シリコンと同様にほぼ零となり、ゲージフ
アクタに異方性があることが分かる。また、第６
図をみると、本例のものは （特性(ロ)）は単結晶シリコンと同様に縦方向
Klに感応し、横方向Ktにはほとんど感応しない
ことが分かる。
次に、本発明の第２実施例を説明する。前記実
施例においては、絶縁性基板としてCaF2膜１２
を有する単結晶シリコン基板１１を用いたが、本
実施例では第７図に示す様に、ステンレス等の耐
熱、耐腐食性金属からなる基板２１を用いる。そ
こでこの基板２１上にSiO2からなる絶縁層２２
がCVD法あるいはスパツタ法により形成される。
この絶縁層２２に対し、フオトリソグラフイによ
りグレーテイングを形成した後、真空蒸着法によ
り、歪検出部となる結晶シリコン半導体２３が形
成される。このとき、SiO2薄膜２２に対して多
結晶シリコンが垂直配向する条件で膜形成を行な
うと、多結晶シリコンは垂直配向するばかりでな
く、グレーテイングの向きにそつて、基板に平行
な結晶面内の方位も一定方向に揃つたものとな
る。この後、前記実施例と同様を方法で、保護膜
２４および電極２５を形成して半導体歪検出器が
完成される。
施例においては、絶縁性基板としてCaF2膜１２
を有する単結晶シリコン基板１１を用いたが、本
実施例では第７図に示す様に、ステンレス等の耐
熱、耐腐食性金属からなる基板２１を用いる。そ
こでこの基板２１上にSiO2からなる絶縁層２２
がCVD法あるいはスパツタ法により形成される。
この絶縁層２２に対し、フオトリソグラフイによ
りグレーテイングを形成した後、真空蒸着法によ
り、歪検出部となる結晶シリコン半導体２３が形
成される。このとき、SiO2薄膜２２に対して多
結晶シリコンが垂直配向する条件で膜形成を行な
うと、多結晶シリコンは垂直配向するばかりでな
く、グレーテイングの向きにそつて、基板に平行
な結晶面内の方位も一定方向に揃つたものとな
る。この後、前記実施例と同様を方法で、保護膜
２４および電極２５を形成して半導体歪検出器が
完成される。
なお、この場合、結晶面内の配向性を改善する
目的で、多結晶シリコン半導体２３を形成後、レ
ーザビームあるいは電子ビーム等を用いたアニー
ルを行なつても良い。本実施例の構成とすること
により、高温、高圧用の圧力センサに利用できる
半導体歪検出器が実現可能となる。
目的で、多結晶シリコン半導体２３を形成後、レ
ーザビームあるいは電子ビーム等を用いたアニー
ルを行なつても良い。本実施例の構成とすること
により、高温、高圧用の圧力センサに利用できる
半導体歪検出器が実現可能となる。
また図面は示さないが、歪検出素子となる多結
晶シリコン半導体部を同一の基板上に複数個形成
することも可能である。この場合、絶縁膜によつ
て各多結晶シリコン半導体は相互に絶縁されるよ
うになる。
晶シリコン半導体部を同一の基板上に複数個形成
することも可能である。この場合、絶縁膜によつ
て各多結晶シリコン半導体は相互に絶縁されるよ
うになる。
〔発明の効果〕
以上の様に、本発明の半導体歪検出器は、絶縁
性基板上に多結晶半導体を構成する各結晶粒の結
晶面内の方向が全て一定方向に配向、望ましくは
垂直配向および面内配向させた多結晶半導体薄膜
からなる歪検出部を構成することにより、基板と
多結晶半導体との電気的絶縁を完全にし、しかも
単結晶シリコンなみの大きなピエゾ抵抗効果を得
ることができ、従つて高温状態において使用可能
な高能率の半導体歪検出器を得ることができる。
性基板上に多結晶半導体を構成する各結晶粒の結
晶面内の方向が全て一定方向に配向、望ましくは
垂直配向および面内配向させた多結晶半導体薄膜
からなる歪検出部を構成することにより、基板と
多結晶半導体との電気的絶縁を完全にし、しかも
単結晶シリコンなみの大きなピエゾ抵抗効果を得
ることができ、従つて高温状態において使用可能
な高能率の半導体歪検出器を得ることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示す半導体歪検
出器の断面図、第２図は多結晶シリコンの各結晶
粒の状態を示す模式図、第３，４図は多結晶シリ
コンの結晶状態を示す写真、第５，６図は本実施
例による歪検出器のゲージフアクタの実験結果を
示す図、第７図は本発明の第２本発明を示す半導
体歪検出器の断面図である。 １１……単結晶シリコン基板、１２……絶縁層
（CaF2膜）、１３……多結晶シリコン半導体薄膜、
１４……保護膜、１５……電極。
出器の断面図、第２図は多結晶シリコンの各結晶
粒の状態を示す模式図、第３，４図は多結晶シリ
コンの結晶状態を示す写真、第５，６図は本実施
例による歪検出器のゲージフアクタの実験結果を
示す図、第７図は本発明の第２本発明を示す半導
体歪検出器の断面図である。 １１……単結晶シリコン基板、１２……絶縁層
（CaF2膜）、１３……多結晶シリコン半導体薄膜、
１４……保護膜、１５……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上に、多結晶半導体の薄膜からな
る歪検出部が形成された半導体歪検出器であつ
て、 前記絶縁性基板は少なくとも１主面に絶縁膜を
有する単結晶基板にて構成され、該絶縁膜が該単
結晶基板と同じ結晶構造で、かつ略同等の格子定
数を有する膜にて構成されており、 該絶縁性基板上に形成された前記多結晶半導体
の薄膜は、該薄膜を構成する各結晶粒の結晶軸が
前記絶縁性基板に対して垂直配向され、かつ前記
絶縁性基板に対して平行な結晶面内の結晶軸が全
て一定方向に配向されていることを特徴とする半
導体歪検出器。 ２ 前記単結晶基板がシリコンであり、前記絶縁
膜がフツ化カルシウムである特許請求の範囲第１
項記載の半導体歪検出器。 ３ 絶縁性基板上に、多結晶半導体の薄膜からな
る歪検出部が形成された半導体歪検出器であつ
て、 前記絶縁性基板は少なくとも１主面に絶縁膜を
有する基板にて構成され、該絶縁膜の表面にはグ
レーテイングが構成されており、 該絶縁性基板上に形成された前記多結晶半導体
の薄膜は、該薄膜を構成する各結晶粒の結晶軸が
前記絶縁性基板に対して垂直配向され、かつ前記
絶縁性基板に対して平行な結晶面内の結晶軸が全
て一定方向に配向されていることを特徴とする半
導体歪検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15674085A JPS6218072A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体歪検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15674085A JPS6218072A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体歪検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218072A JPS6218072A (ja) | 1987-01-27 |
| JPH0584676B2 true JPH0584676B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=15634280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15674085A Granted JPS6218072A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体歪検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218072A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3814348A1 (de) * | 1988-04-28 | 1989-11-09 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung einer polykristallinen halbleitenden widerstandsschicht aus silicium auf einem siliciumtraeger |
| US5320705A (en) * | 1988-06-08 | 1994-06-14 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor pressure sensor |
| USRE34893E (en) * | 1988-06-08 | 1995-04-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| US5095349A (en) * | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
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-
1985
- 1985-07-16 JP JP15674085A patent/JPS6218072A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6218072A (ja) | 1987-01-27 |
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