JPH0584867B2 - - Google Patents
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- JPH0584867B2 JPH0584867B2 JP61232885A JP23288586A JPH0584867B2 JP H0584867 B2 JPH0584867 B2 JP H0584867B2 JP 61232885 A JP61232885 A JP 61232885A JP 23288586 A JP23288586 A JP 23288586A JP H0584867 B2 JPH0584867 B2 JP H0584867B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- fluid
- resistor
- measured
- heat generating
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
- G01P5/10—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Indicating Or Recording The Presence, Absence, Or Direction Of Movement (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Description
〈産業上の利用分野〉
本発明は、流体の流れの二次元的な方向と流速
を検出することのできるフローセンサに関する。 〈従来の技術とその問題点〉 従来より提唱されている熱式で方向検知可能な
フローセンサとしては特開昭60−247169号に記載
されている半導体式流速検出器がある。このフロ
ーセンサは基板にシリコンを使用しているため、
熱の伝導が非常に良く、気体の流れによつて生じ
るチツプ内の温度差は1/100〜1/10℃程度である
（電子材料、1983年12月号、p38〜43）。したがつ
て、この温度差を正確に求めるには感度の高い測
温トランジスタを２個１組としてブリツジに組
み、平衡状態からのずれで検出するしかない。シ
リコンフローセンサの検出回路例を第２図に示
す。このフローセンサは、シリコンプロセス技術
を利用しているので量産性に優れるが、反面素子
間の温度特性のバラツキが大きく、また発熱温度
を高く設定することができないなどの欠点を有し
ている。 〈発明の目的〉 本発明は上述の欠点を解消するためになされた
ものであり、半導体プロセスを利用して量産性及
び均質性に優れ、かつ高温においても安定した動
作が得られるフローセンサを提供することを目的
とするものである。 〈発明の概要〉 本発明は熱絶縁基板の中央に発熱用抵抗体とこ
の発熱用抵抗体を挾んで両側の対称な位置に温度
測定用抵抗体を設置したフローセンサにおいて発
熱用抵抗体の温度が流体の温度よりも一定温度高
く保持されるように制御し、流体の流速に応じて
変化する発熱用抵抗体に流れる電流又はその電流
に対応して変化する電位もしくは電圧により流体
の流速を検出すると同時に２個の温度測定用抵抗
体間に生じる温度差を電流差あるいは電圧差とし
て検知し、流れ方向を検出するものである。 本発明は、熱伝導率が2w／mk以下の熱絶縁基
板例えばガラス基板を利用することにより、チツ
プ内の温度差を十分に大きくすることができ、流
体の流れによつて生じるチツプ内の発熱抵抗体を
挾んだ対称な位置の温度差を大きくすることがで
きるという特徴を持つている。ガラスはシリコン
に比べ熱伝導率が1/130と十分に小さいため、温
度勾配を小チツプ内で十分に大きくすることがで
きるが、このことをモデルによつて説明する。 第３図に示したような細い丸棒またはフインに
そつて熱が定常的に伝る場合について考える。フ
インのつけ根の温度をT1，ｘだけ離れた点にお
ける温度をＴ、周囲の温度をT0とする。熱は対
流によつてフインの表面から移動すること、また
単位面積当り失われる熱流束は次式で与えられる
と仮定する。 ｑ＝ｈ（Ｔ−T0） ……(1) さらに簡単にするために、局所的な伝熱係数ｈ
はフインの全表面にわたつて一定であると仮定す
る。フインの断面積をａ、周囲の長さをｐとす
る。断面での温度変化は無視する。すなわちＴ＝
ｆ（ｘ）と仮定する。 第３図において、長さdxの要素を考える。こ
の場合 熱伝導により失われる熱量＝（dQ／dx）dx ＝−ak（d2Ｔ／dx2）dx 対流によつて表面から失われる熱量＝ｈ（Ｔ−
T0）pdx 熱収支から akd2Ｔ／dx2dx−ｈ（Ｔ−T0）pdx＝ ０ またはd2Ｔ／dx2−hp／ak（Ｔ−T0）＝０ ……(2) であるから、θ＝Ｔ−T0を代入すれば、式(2)は d2θ／dx2−λ2θ＝０ ……(3) となる。ここでλ＝√である。 式(3)の解は θ＝Acosh〓ｘ＋Bsinh〓ｘ ……(4) となる。境界条件は ｘ＝０でθ＝θ1∴Ａ＝θ1 ｘ＝Ｌでd〓／dx＝０（フインの端から熱は逃げ
ないとする） であるから〓Asinh〓Ｌ＋〓Bcosh〓Ｌ＝０ したがつてＢ＝−θ1sinh〓Ｌ／cosh〓Ｌ となるから、温度分布は次式で与えられる。
を検出することのできるフローセンサに関する。 〈従来の技術とその問題点〉 従来より提唱されている熱式で方向検知可能な
フローセンサとしては特開昭60−247169号に記載
されている半導体式流速検出器がある。このフロ
ーセンサは基板にシリコンを使用しているため、
熱の伝導が非常に良く、気体の流れによつて生じ
るチツプ内の温度差は1/100〜1/10℃程度である
（電子材料、1983年12月号、p38〜43）。したがつ
て、この温度差を正確に求めるには感度の高い測
温トランジスタを２個１組としてブリツジに組
み、平衡状態からのずれで検出するしかない。シ
リコンフローセンサの検出回路例を第２図に示
す。このフローセンサは、シリコンプロセス技術
を利用しているので量産性に優れるが、反面素子
間の温度特性のバラツキが大きく、また発熱温度
を高く設定することができないなどの欠点を有し
ている。 〈発明の目的〉 本発明は上述の欠点を解消するためになされた
ものであり、半導体プロセスを利用して量産性及
び均質性に優れ、かつ高温においても安定した動
作が得られるフローセンサを提供することを目的
とするものである。 〈発明の概要〉 本発明は熱絶縁基板の中央に発熱用抵抗体とこ
の発熱用抵抗体を挾んで両側の対称な位置に温度
測定用抵抗体を設置したフローセンサにおいて発
熱用抵抗体の温度が流体の温度よりも一定温度高
く保持されるように制御し、流体の流速に応じて
変化する発熱用抵抗体に流れる電流又はその電流
に対応して変化する電位もしくは電圧により流体
の流速を検出すると同時に２個の温度測定用抵抗
体間に生じる温度差を電流差あるいは電圧差とし
て検知し、流れ方向を検出するものである。 本発明は、熱伝導率が2w／mk以下の熱絶縁基
板例えばガラス基板を利用することにより、チツ
プ内の温度差を十分に大きくすることができ、流
体の流れによつて生じるチツプ内の発熱抵抗体を
挾んだ対称な位置の温度差を大きくすることがで
きるという特徴を持つている。ガラスはシリコン
に比べ熱伝導率が1/130と十分に小さいため、温
度勾配を小チツプ内で十分に大きくすることがで
きるが、このことをモデルによつて説明する。 第３図に示したような細い丸棒またはフインに
そつて熱が定常的に伝る場合について考える。フ
インのつけ根の温度をT1，ｘだけ離れた点にお
ける温度をＴ、周囲の温度をT0とする。熱は対
流によつてフインの表面から移動すること、また
単位面積当り失われる熱流束は次式で与えられる
と仮定する。 ｑ＝ｈ（Ｔ−T0） ……(1) さらに簡単にするために、局所的な伝熱係数ｈ
はフインの全表面にわたつて一定であると仮定す
る。フインの断面積をａ、周囲の長さをｐとす
る。断面での温度変化は無視する。すなわちＴ＝
ｆ（ｘ）と仮定する。 第３図において、長さdxの要素を考える。こ
の場合 熱伝導により失われる熱量＝（dQ／dx）dx ＝−ak（d2Ｔ／dx2）dx 対流によつて表面から失われる熱量＝ｈ（Ｔ−
T0）pdx 熱収支から akd2Ｔ／dx2dx−ｈ（Ｔ−T0）pdx＝ ０ またはd2Ｔ／dx2−hp／ak（Ｔ−T0）＝０ ……(2) であるから、θ＝Ｔ−T0を代入すれば、式(2)は d2θ／dx2−λ2θ＝０ ……(3) となる。ここでλ＝√である。 式(3)の解は θ＝Acosh〓ｘ＋Bsinh〓ｘ ……(4) となる。境界条件は ｘ＝０でθ＝θ1∴Ａ＝θ1 ｘ＝Ｌでd〓／dx＝０（フインの端から熱は逃げ
ないとする） であるから〓Asinh〓Ｌ＋〓Bcosh〓Ｌ＝０ したがつてＢ＝−θ1sinh〓Ｌ／cosh〓Ｌ となるから、温度分布は次式で与えられる。
【化】
第３図の具体的な形状を第４図に示し、材質の
差による違いについてガラス（熱伝導率：
1.10wm-1k-1）、シリコン（熱伝導率：148wm-1
k-1）を例として計算した結果を第５図に示す。
第５図では、フインのつけ根の温度T1＝100℃、
周囲の温度T0＝25℃、伝熱係数ｈ＝10kcal／
（hr・m2・deg）として計算を行なつている。第
５図からわかるように、基板にガラスなど熱絶縁
物を使用することによつて、十分に大きな温度差
を小チツプ内で作ることができ、流体の流れによ
つて生じるチツプ内の発熱用抵抗体を挾んだ対称
な位置の温度差を大きく設定することができる。 また、発熱用抵抗体、発熱用抵抗体温度モニタ
ー、温度測定用抵抗体に用いる材料のうち、例え
ば白金等の貴金属類はガラスとの密着性がやや弱
く、信頼性という点で問題があるが、ガラス上に
アルミナをコーテイングした基板を使用すれば、
基板と発熱用抵抗体、発熱用抵抗体温度モニタ
ー、温度測定用抵抗体との間に充分強い密着力を
付与することができる。 以上の如く本発明は、発熱用抵抗体、発熱用抵
抗体温度モニター、温度測定用抵抗体とを同一素
子内に一体化した信頼性の高いフローセンサを提
供することを目的とするものである。 〈実施例〉 第１図Ａ，Ｂは本発明の１実施例を示すフロー
センサの模式平面及び断面図である。ガラス基板
１の上にアルミナ薄膜２を真空蒸着法、スパツタ
リング法、プラズマCVD法等の薄膜生成技術を
適宜利用して堆積させる。アルミナ薄膜２上に例
えば白金等の抵抗温度係数の大きな金属薄膜を同
様に真空蒸着法、スパツタリング法あるいはプラ
ズマCVD法等により堆積された後、エツチング
技術によりパターン化し、発熱用抵抗体３ａ、発
熱用抵抗体温度モニター３ｂ及び１対の温度測定
用抵抗体４ａ，４ｂを適宜の距離だけ隔てて配置
し第１図Ａの如くとする。温度測定用抵抗体４
ａ，４ｂは発熱用抵抗体３ａに対して左右対称の
位置に置かれている。次に発熱用抵抗体３ａと発
熱用抵抗体温度モニター３ｂ及び温度測定用抵抗
体４ａ，４ｂを１組としてガラス基板１を切断
し、個々のセンサ素子とする。得られたセンサ素
子はガラス基板１に発熱用抵抗体３ａと発熱用抵
抗体温度モニター３ｂ、温度測定用抵抗体４ａ，
４ｂが配置された構造となる。またその大きさは
数ミリ程度と微小であり、一枚の基板上に多数個
並べて同時に作製するいわゆるウエハー処理を行
なうことにより、特性の均一なセンサ素子を量産
することができる。得られたセンサ素子を支持台
（図示せず）に接着し、発熱用抵抗体３ａ、発熱
用抵抗体温度モニター３ｂ及び温度測定用抵抗体
４ａ，４ｂのリード接続を行ない本実施例のフロ
ーセンサとする。 なお、金属薄膜の材料としては、白金以外に抵
抗温度係数が大きいニツケル若しくはニツケル合
金あるいは金属薄膜の代わりにサーミスタ等の感
温抵抗体材料を用いてもよい。 このようにして作製した発熱用抵抗体３ａ、発
熱用抵抗体温度モニター３ｂ、温度測定用抵抗体
４ａ，４ｂを用いたフローセンサの模式回路構成
図を第６図に示す。流体が通過す流路（図示せ
ず）内に上記製法により作製された発熱用抵抗体
３ａ、発熱用抵抗体温度モニター３ｂ、温度測定
用抵抗体４ａ，４ｂおよび流体温度補償用抵抗体
５が設置されることとなる。流体温度補償用抵抗
体５および発熱用抵抗体温度モニター３ｂはそれ
ぞれ他の電気抵抗体６，７と連結されてブリツジ
Ａを構成している。流体温度補償用抵抗体５と発
熱用抵抗体温度モニター３ｂの中間接続点はアー
スされている。これらのブリツジＡはブリツジ抵
抗の差電圧を増幅器８で差動増幅し、スイツチン
グ用トランジスタ９のベース電位を制御してトラ
ンジスタ９を駆動するフイードバツク回路に接続
され、発熱用抵抗体３ａの電圧を制御している。
温度測定用抵抗体４ａ，４ｂはそれぞれ他の定電
流源１０，１１と連結されてブリツジＢを構成し
ている。温度測定用抵抗体４ａ，４ｂの中間接続
点はアースされている。 第７図は流速vfに応じて変化する発熱用抵抗体
３ａの電圧Vhの流速−出力特性である。ブリツ
ジＡにおいて、発熱用抵抗体３ａは流体の温度よ
りも一定温度高い状態に電気抵抗体１２により保
たれる。流体の速度が早い場合、発熱用抵抗体３
ａから多量の熱が奪われる。逆に流体の速度が遅
い場合、発熱用抵抗体３ａから奪われる熱量も少
ない。従つて、流体温度補償用抵抗体５で流体の
温度を測定し流体温度と発熱用抵抗体３ａの温度
差を一定に保つようにフイードバツク回路を介
し、発熱用抵抗体３ａに流す電流値を制御し、流
体の流速（流量）に対応した電流（電圧）値を求
める。 第８図は、流体の流れ方向θと温度測定用抵抗
体４ａ，４ｂ間の温度差の関係をブリツジ回路Ｂ
による電圧差として求めたものである。ブリツジ
回路Ｂにおいて、温度測定用抵抗体４ａ，４ｂは
それぞれ定電流源１０，１１と連結していて、流
体の流れ方向変化によつて生じる基板内の温度分
布の変化を電圧変化に変換し、電圧差として出力
VDを求める。 本実施例では発熱用抵抗体温度モニター３ｂと
流体温度補償用抵抗体５を用いたブリツジ回路に
より流体の流速を求めているが、発熱用抵抗体温
度モニター３ｂを省略し、発熱用抵抗体３ａと流
体温度補償用抵抗体５を用いたブリツジ回路によ
り流体の流速を求める構成にしてもよい。 〈発明の効果〉 以上のように本発明のフローセンサは、熱伝導
率が2w／ｍ・ｋ以下の熱絶縁可能な材質の基板
の被測定流体に接する面上の中央付近にパターン
化されて形成された金属薄膜よりなる発熱用抵抗
体と、該発熱用抵抗体を挟んで両側のほぼ対称の
位置の上記基板の被測定流体に接する面上にパタ
ーン化されて形成された金属薄膜よりなる温度測
定用抵抗体とを備え、上記発熱用抵抗体の温度を
被測定流体の温度よりも所定の温度だけ高く保持
するに必要なエネルギーを検出することによつて
被測定流体の流速を検出するとともに、このとき
に上記温度測定用抵抗体間に生じる温度差を検出
することによつて被測定流体の流れ方向を検出す
るように構成しているため、十分に大きな温度差
を小チツプ内で作ることができ、その結果流体の
流れ方向の検出を従来に比してより小さいセンサ
チツプ内で精度良く行うことができる。
差による違いについてガラス（熱伝導率：
1.10wm-1k-1）、シリコン（熱伝導率：148wm-1
k-1）を例として計算した結果を第５図に示す。
第５図では、フインのつけ根の温度T1＝100℃、
周囲の温度T0＝25℃、伝熱係数ｈ＝10kcal／
（hr・m2・deg）として計算を行なつている。第
５図からわかるように、基板にガラスなど熱絶縁
物を使用することによつて、十分に大きな温度差
を小チツプ内で作ることができ、流体の流れによ
つて生じるチツプ内の発熱用抵抗体を挾んだ対称
な位置の温度差を大きく設定することができる。 また、発熱用抵抗体、発熱用抵抗体温度モニタ
ー、温度測定用抵抗体に用いる材料のうち、例え
ば白金等の貴金属類はガラスとの密着性がやや弱
く、信頼性という点で問題があるが、ガラス上に
アルミナをコーテイングした基板を使用すれば、
基板と発熱用抵抗体、発熱用抵抗体温度モニタ
ー、温度測定用抵抗体との間に充分強い密着力を
付与することができる。 以上の如く本発明は、発熱用抵抗体、発熱用抵
抗体温度モニター、温度測定用抵抗体とを同一素
子内に一体化した信頼性の高いフローセンサを提
供することを目的とするものである。 〈実施例〉 第１図Ａ，Ｂは本発明の１実施例を示すフロー
センサの模式平面及び断面図である。ガラス基板
１の上にアルミナ薄膜２を真空蒸着法、スパツタ
リング法、プラズマCVD法等の薄膜生成技術を
適宜利用して堆積させる。アルミナ薄膜２上に例
えば白金等の抵抗温度係数の大きな金属薄膜を同
様に真空蒸着法、スパツタリング法あるいはプラ
ズマCVD法等により堆積された後、エツチング
技術によりパターン化し、発熱用抵抗体３ａ、発
熱用抵抗体温度モニター３ｂ及び１対の温度測定
用抵抗体４ａ，４ｂを適宜の距離だけ隔てて配置
し第１図Ａの如くとする。温度測定用抵抗体４
ａ，４ｂは発熱用抵抗体３ａに対して左右対称の
位置に置かれている。次に発熱用抵抗体３ａと発
熱用抵抗体温度モニター３ｂ及び温度測定用抵抗
体４ａ，４ｂを１組としてガラス基板１を切断
し、個々のセンサ素子とする。得られたセンサ素
子はガラス基板１に発熱用抵抗体３ａと発熱用抵
抗体温度モニター３ｂ、温度測定用抵抗体４ａ，
４ｂが配置された構造となる。またその大きさは
数ミリ程度と微小であり、一枚の基板上に多数個
並べて同時に作製するいわゆるウエハー処理を行
なうことにより、特性の均一なセンサ素子を量産
することができる。得られたセンサ素子を支持台
（図示せず）に接着し、発熱用抵抗体３ａ、発熱
用抵抗体温度モニター３ｂ及び温度測定用抵抗体
４ａ，４ｂのリード接続を行ない本実施例のフロ
ーセンサとする。 なお、金属薄膜の材料としては、白金以外に抵
抗温度係数が大きいニツケル若しくはニツケル合
金あるいは金属薄膜の代わりにサーミスタ等の感
温抵抗体材料を用いてもよい。 このようにして作製した発熱用抵抗体３ａ、発
熱用抵抗体温度モニター３ｂ、温度測定用抵抗体
４ａ，４ｂを用いたフローセンサの模式回路構成
図を第６図に示す。流体が通過す流路（図示せ
ず）内に上記製法により作製された発熱用抵抗体
３ａ、発熱用抵抗体温度モニター３ｂ、温度測定
用抵抗体４ａ，４ｂおよび流体温度補償用抵抗体
５が設置されることとなる。流体温度補償用抵抗
体５および発熱用抵抗体温度モニター３ｂはそれ
ぞれ他の電気抵抗体６，７と連結されてブリツジ
Ａを構成している。流体温度補償用抵抗体５と発
熱用抵抗体温度モニター３ｂの中間接続点はアー
スされている。これらのブリツジＡはブリツジ抵
抗の差電圧を増幅器８で差動増幅し、スイツチン
グ用トランジスタ９のベース電位を制御してトラ
ンジスタ９を駆動するフイードバツク回路に接続
され、発熱用抵抗体３ａの電圧を制御している。
温度測定用抵抗体４ａ，４ｂはそれぞれ他の定電
流源１０，１１と連結されてブリツジＢを構成し
ている。温度測定用抵抗体４ａ，４ｂの中間接続
点はアースされている。 第７図は流速vfに応じて変化する発熱用抵抗体
３ａの電圧Vhの流速−出力特性である。ブリツ
ジＡにおいて、発熱用抵抗体３ａは流体の温度よ
りも一定温度高い状態に電気抵抗体１２により保
たれる。流体の速度が早い場合、発熱用抵抗体３
ａから多量の熱が奪われる。逆に流体の速度が遅
い場合、発熱用抵抗体３ａから奪われる熱量も少
ない。従つて、流体温度補償用抵抗体５で流体の
温度を測定し流体温度と発熱用抵抗体３ａの温度
差を一定に保つようにフイードバツク回路を介
し、発熱用抵抗体３ａに流す電流値を制御し、流
体の流速（流量）に対応した電流（電圧）値を求
める。 第８図は、流体の流れ方向θと温度測定用抵抗
体４ａ，４ｂ間の温度差の関係をブリツジ回路Ｂ
による電圧差として求めたものである。ブリツジ
回路Ｂにおいて、温度測定用抵抗体４ａ，４ｂは
それぞれ定電流源１０，１１と連結していて、流
体の流れ方向変化によつて生じる基板内の温度分
布の変化を電圧変化に変換し、電圧差として出力
VDを求める。 本実施例では発熱用抵抗体温度モニター３ｂと
流体温度補償用抵抗体５を用いたブリツジ回路に
より流体の流速を求めているが、発熱用抵抗体温
度モニター３ｂを省略し、発熱用抵抗体３ａと流
体温度補償用抵抗体５を用いたブリツジ回路によ
り流体の流速を求める構成にしてもよい。 〈発明の効果〉 以上のように本発明のフローセンサは、熱伝導
率が2w／ｍ・ｋ以下の熱絶縁可能な材質の基板
の被測定流体に接する面上の中央付近にパターン
化されて形成された金属薄膜よりなる発熱用抵抗
体と、該発熱用抵抗体を挟んで両側のほぼ対称の
位置の上記基板の被測定流体に接する面上にパタ
ーン化されて形成された金属薄膜よりなる温度測
定用抵抗体とを備え、上記発熱用抵抗体の温度を
被測定流体の温度よりも所定の温度だけ高く保持
するに必要なエネルギーを検出することによつて
被測定流体の流速を検出するとともに、このとき
に上記温度測定用抵抗体間に生じる温度差を検出
することによつて被測定流体の流れ方向を検出す
るように構成しているため、十分に大きな温度差
を小チツプ内で作ることができ、その結果流体の
流れ方向の検出を従来に比してより小さいセンサ
チツプ内で精度良く行うことができる。
第１図は本発明の１実施例を示すフローセンサ
の模式平面図及び断面図である。第２図は従来の
シリコンフローセンサの検出回路図である。第３
図及び第４図は熱式フローセンサの原理説明に供
する説明図である。第５図は第４図における各部
位の温度を計算によつて求めた結果を示す説明図
である。第６図は第１図に示すフローセンサの模
式回路構成図である。第７図は第１図に示すフロ
ーセンサの流速対出力特性図である。第８図は流
体の流れ方向を電圧差として求めた特性図であ
る。 １……ガラス基板、２……アルミナ薄膜、３ａ
……発熱用抵抗体、３ｂ……発熱用抵抗体温度モ
ニター、４ａ，４ｂ……温度測定用抵抗体。
の模式平面図及び断面図である。第２図は従来の
シリコンフローセンサの検出回路図である。第３
図及び第４図は熱式フローセンサの原理説明に供
する説明図である。第５図は第４図における各部
位の温度を計算によつて求めた結果を示す説明図
である。第６図は第１図に示すフローセンサの模
式回路構成図である。第７図は第１図に示すフロ
ーセンサの流速対出力特性図である。第８図は流
体の流れ方向を電圧差として求めた特性図であ
る。 １……ガラス基板、２……アルミナ薄膜、３ａ
……発熱用抵抗体、３ｂ……発熱用抵抗体温度モ
ニター、４ａ，４ｂ……温度測定用抵抗体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 熱伝導率が2w／ｍ・ｋ以下の熱絶縁可能な
材質の基板と、 該基板の被測定流体に接する面上の中央付近に
パターン化されて形成された金属薄膜よりなる発
熱用抵抗体と、 該発熱用抵抗体を挟んで両側のほぼ対称の位置
の上記基板の被測定流体に接する面上にパターン
化されて形成された金属薄膜よりなる温度測定用
抵抗体とを備え、 上記発熱用抵抗体の温度を被測定流体の温度よ
りも所定の温度だけ高く保持するに必要なエネル
ギーを検出することによつて被測定流体の流速を
検出するとともに、このときに上記温度測定用抵
抗体間に生じる温度差を検出することによつて被
測定流体の流れ方向を検出することを特徴とする
フローセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61232885A JPS6385364A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | フローセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61232885A JPS6385364A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | フローセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6385364A JPS6385364A (ja) | 1988-04-15 |
| JPH0584867B2 true JPH0584867B2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=16946366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61232885A Granted JPS6385364A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | フローセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6385364A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04240566A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-27 | Anritsu Corp | 流量方向センサ |
| JP3175887B2 (ja) | 1992-10-27 | 2001-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 測定装置 |
| JPH06281666A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Takuwa:Kk | 流体の流向測定方法およびその測定装置 |
| DE19509555B4 (de) * | 1995-03-16 | 2006-01-19 | Robert Bosch Gmbh | Durchflußsensor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3485381D1 (de) * | 1983-05-18 | 1992-02-06 | Bronkhorst High Tech Bv | Durchflussmessgeraet. |
| JPS60131466A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Toshiba Corp | 半導体流速検出器 |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61232885A patent/JPS6385364A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6385364A (ja) | 1988-04-15 |
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