JPH058527B2

JPH058527B2 -

Info

Publication number: JPH058527B2
Application number: JP61234149A
Authority: JP
Inventors: Shizuko Katsube; Koji Okuda; Masayuki Kawaguchi
Original assignee: Agency of Industrial Science and Technology; Daihen Corp
Current assignee: Daihen Corp; National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 1986-10-01
Filing date: 1986-10-01
Publication date: 1993-02-02
Also published as: JPS6389656A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明はアナログ液晶表示板やアナログ液晶ス
イツチ等に用いるのに好適な透明導電膜及びその
生成方法に関するものである。

［従来の技術］透明導電膜は、液晶表示素子やエレクトロルミ
ネツセンスなどの表示デバイスの透明電極、種々
の部品や装置の電気的に制御される光遮蔽膜、あ
るいは自動車、航空機などの窓ガラスの氷結防止
用ヒータなどに広く使用されているが、従来のこ
の種の透明導電膜の使い方はいずれもデジタル的
なものであつた。

例えば、液晶表示素子の場合、明と暗との２通
りの表示のみを行わせるデジタル的な使い方がさ
れていた。また光遮蔽膜の場合も、光を透過させ
るか遮蔽するかの２通りの動作のみを行わせるデ
ジタル的な使い方がされていた。

従来この種の用途に用いられていた透明導電膜
は、酸化錫SnO₂と酸化インジウムIn₂O₃との混合
物からなつていた。酸化錫SnO₂と酸化インジウ
ムIn₂O₃との混合物を膜生成用組成物として真空
蒸着法により透明導電膜を生成させる場合、酸化
錫と酸化インジウムとの総量に対する酸化錫の含
有比を増大させることにより、生成される透明導
電膜の面抵抗値を増大させることができ、酸化錫
の量と酸化インジウムの量との和に対する酸化錫
の含有比を95％とした場合に最大の面抵抗値７×
10⁵Ω／□が得られている。

ところで、上記のようなデジタル的な使い方の
外に、諧調（明と暗の中間調）の表現を可能にす
るアナログ表示素子や、光の透過率をアナログ的
にコントロールできる光遮蔽膜の出現が要望され
ている。これらアナログ的な作用をする素子を実
現するためには、光透過性が良好で、かつ面抵抗
値が適当に大きい透明導電膜が必要である。

例えば、アナログ液晶表示板やアナログ液晶ス
イツチ等に用いる透明導電膜は光透過性が良く、
適当な面抵抗を有し、均一性が良好であることが
必要とされる。透明導電膜の面抵抗値が小さすぎ
ると電力損失が大きくなつたり、発熱のため液晶
の寿命が短くなつたりし、逆に面抵抗値が大きす
ぎると素子の高周波特性が悪くなる。この種の用
途では、一般には10⁵〜10¹⁰Ω／□程度の高い面
抵抗値が必要である。

［発明が解決しようとする課題］酸化錫と酸化インジウムとの混合物からなる透
明導電膜においては、酸化錫の量と酸化インジウ
ムの量との総和に対する酸化錫の含有比を増大さ
せることにより、生成される透明導電膜の面抵抗
値を増大させることができるが、得られる面抵抗
値の最大値は10⁵のオーダーであり、10⁶以上のオ
ーダーの面抵抗値を有する透明導電膜を得ること
はできなかつた。

また従来酸化錫と酸化インジウムとの混合物か
らなる透明導電膜では、７×10⁵Ω／□の面抵抗
値を有するものが得られているが、この透明導電
膜は光透過性に問題があり、実用性が乏しかつ
た。

本発明の目的は、10⁶〜10¹⁰Ω／□の範囲の広
範囲の面抵抗値を得ることができ、光透過性が優
れた高抵抗の透明導電膜及びその生成方法を提案
することにある。

［課題を解決するための手段］特許請求の範囲第１項に記載された本願第１の
発明は、酸化ケイ素と酸化インジウムとの混合酸
化物からなる透明導電膜で、インジウム及びケイ
素の総量に対するインジウムの含有比を25重量パ
ーセント以上とし、かつ面抵抗値を10⁶〜10¹⁰
Ω／□としたものである。

また特許請求の範囲第２項、第４項、第５項及
び第６項にそれぞれ記載された本願第２ないし第
５の発明は基板上に酸化インジウムを含有する透
明導電膜を生成する方法で、第２の発明の方法に
おいては、酸化ケイ素の量と酸化インジウムの総
量に対する酸化インジウムの含有比を60〜20重量
パーセントとした膜生成用組成物を蒸発材料とし
て用い、電子ビーム加熱蒸着法または電子ビーム
加熱イオンプレーテイング法により基板上に10⁵
〜10¹⁰Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させ
る。

また本願第３の発明においては、上記第２の発
明の方法により基板上に透明導電膜を生成させた
後、基板の耐熱温度以下200℃以上の温度に保た
れた大気炉中で前記膜を熱処理し、10⁶〜10¹⁰
Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させる。

第４の発明においては、酸化ケイ素またはケイ
素からなるペレツトと酸化インジウムまたはイン
ジウムからなるペレツトとを用い、ケイ素原子に
対するインジウム原子の蒸発速度比を0.1以上と
するように制御しつつそれぞれのペレツトを独立
にかつ同時に加熱蒸着させる二元蒸着法により基
板上に10⁶〜10¹⁰Ω／□の面抵抗値を有する透明
導電膜を生成させる。

第５の発明の方法においては、上記第４の発明
の方法により基板上に透明導電膜を生成させた
後、基板の耐熱温度以下200℃以上の温度に保た
れた大気炉中で前記膜を熱処理し、10⁶〜10¹⁰
Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させる。

［作用］上記第１の発明によると、酸化ケイ素と酸化イ
ンジウムとの混合酸化物を透明導電膜の成分とし
て、インジウムの量とケイ素の量との総和に対す
るインジウムの含有比を25重量パーセント以上と
し、かつ面抵抗値を10⁶〜10¹⁰Ω／□としたこと
により、アナログ的な作用を行わせるのに適した
広範囲の面抵抗値を有する透明導電膜を得ること
ができる。

また第２及び第４の発明の方法によると、蒸着
条件を適当に選択することにより、種々の面抵抗
値を有する透明導電膜を容易に得ることができ、
アナログ液晶素子に用いる電極のように、面抵抗
値が10⁶〜10¹⁰Ω／□の範囲の透明導電膜を容易
に得ることができる。

更に、第３及び第５の発明のように、基板上に
透明導電膜を生成した後熱処理を行うと、10⁶〜
10¹⁰Ω／□の面抵抗値を有する透明導電膜の光透
過率が高くすることができる。

［実施例］以下添附図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

実施例１酸化ケイ素SiOと酸化インジウムIn₂O₃とを混
合した蒸着材料のペレツトを用い、電子ビーム加
熱蒸着法によりガラス基板（コーニング7059、通
過率92％）上に透明導電膜を生成させた。

第１図は電子ビーム加熱蒸着法を実施する蒸着
装置の構成を示したもので、同図において１は真
空チヤンバ、２は真空チヤンバ１内に配置された
基板支持板であり、基板支持板２にはガラス基板
３が取付けられている。基板支持板２は膜の均一
性を得るために回転できる構造となつている。

真空チヤンバ１にはバルブ４及び排気管５を介
して真空ポンプ６が接続され、これによりチヤン
バ１内が10^-6Torrまで排気される。

基板支持板２の上方には基板加熱用ヒータ７が
配置され、真空チヤンバ１内の排気が開始される
と同時に、または排気が完了した後にヒータ７に
より基板３が所望の温度まで加熱される。

真空チヤンバ１にはガス導入管８が設けられて
いて、このガス導入管８にバルブ９を介して酸素
ガス供給源１０が接続されており、真空チヤンバ
１内が排気され、基板３が所望の温度まで加熱さ
れた後に酸素ガスが、所定のガス圧に達するまで
チヤンバ１内に供給される。

１１は電子ビーム蒸着源で、この蒸着源は蒸発
材料のペレツト１２が入れられているハース部
（るつぼ）１１ａと、電子ビーム発生用フイラメ
ント１１ｂと、図示しない直流電源から直流電圧
が印加されている加速電極１１ｃと、加速電極１
１ｃにより加速された電子ビームｅをハース部１
１ａのペレツト１２の上に直接照射するように湾
曲させる磁極１１ｄとからなり、ペレツト１２は
電子ビームにより加熱されて蒸発する。ハース部
１１ａは水冷されており、これによりハース部１
１ａを構成する物質が蒸発するのが防止されてい
る。

図示してないが、基板３と電子ビーム蒸着源１
１との間にはシヤツタが配設され、ペレツトが蒸
発している状態でこのシヤツタを所定時間開くこ
とにより、蒸着源１１から蒸発させた蒸発物質の
蒸気を基板３の表面に付着させて基板３の表面に
所定の膜厚の透明導電膜を生成させる。

ペレツトを構成する蒸発材料の組合せとして
は、SiとIn、SiOとIn₂O₃、SiO₂とIn₂O₃等が考え
られるが、蒸発温度、蒸発の仕方（溶解性か昇華
性か）等を考慮すると、２物質を混合して１ペレ
ツトを構成する場合には、共に昇華性の蒸発を行
うSiOとIn₂O₃との組合せが最適である。

この場合膜質に影響を与えるパラメータとして
は、蒸発物質の混合比、基板３の温度、酸素圧
力、蒸着速度等の成膜条件が挙げられる。

基板３の温度が低すぎたり、酸素圧力が少なす
ぎたり、蒸着速度が速すぎたりすると、酸化が充
分に行われないため、光の透過性が著しく悪くな
る。実用上、透明導電膜つきガラス基板の光透過
率は75％以上あることが必要である。実験の結
果、75％以上の透過率を有する透明導電膜を得る
ためには、基板温度を300℃以上、酸素圧力を１
×10^-4Torr以上、蒸着速度を５Å／sec以下に設
定する必要があることが明らかになつた。

上記の様な成膜条件下でIn₂O₃の含有比αを変
えた種々のペレツトを用意して、約700Åの透明
導電膜を生成させ、その面抵抗値と光透過率とを
測定したところ、第２図及び第３図のような結果
が得られた。ここで含有比αは、SiOの質量Ｘと
In₂O₃の質量Ｙとの総和に対するIn₂O₃の質量Ｙの
比（重量％）［α＝｛Ｙ／（Ｘ＋Ｙ）｝×100］であ
る。

第２図より、含有比αを20重量％以上の範囲で
調整することによつて、10¹〜10¹⁰Ω／□の広範
囲の面抵抗値を連続的に得ることができることが
明らかになつた。この場合、最も低い面抵抗値
（数十Ω／□）は従来のSnO₂を不純物として用い
たITO膜と同程度の値であり、SiOを不純物とし
て用いてもITO膜と同程度の面抵抗値が得られる
ことが明らかになつた。また本発明のようにSiO
を不純物とした場合、含有比αが約50重量％以下
20重量％以上の範囲で従来のITO膜では得られな
かつた、10⁶〜10¹⁰Ω／□の面抵抗を得ることが
でき、しかもその面抵抗値はIn₂O₃の含有比を変
えることにより制御することが可能である。これ
により、液晶のアナログ応用に適した高抵抗の透
明導電膜を得ることが可能になる。

また第３図より、酸化インジウムの含有比αを
20重量％以上とした場合、得られた透明導電膜つ
きガラス基板の透過率はいずれも75％（波長
500nｍ）以上であることが分る。

第２の実施例第２の実施例では、電子ビーム加熱蒸着法に代
えて、電子ビーム加熱イオンプレーテイング法に
より透明導電膜を生成させた。第４図は電子ビー
ム加熱イオンプレーテイング法を実施する装置の
構成を概略的に示したもので、同図において第１
図の各部と同等な部分には同一の符号を付してあ
る。この装置では、基板支持板２と電子ビーム加
熱蒸着源１１との間にイオン化電極１５が配設さ
れ、この電極１５に高周波電源１６から高周波電
力が供給されている。また直流バイアス電源１７
から基板支持板２と接地間に負の直流バイアス電
圧が印加されている。またガス導入管８にはバル
ブ９を介して酸素ガス及びアルゴンガスの供給源
１０′が接続されている。その他の点は第１図の
装置と同様である。

上記の装置により透明導電膜の生成を行わせる
場合は、例えば真空チヤンバ１内を10^-6Torrま
で排気した後、酸素ガスをその分圧が３×
10^-4Torrになるまで供給し、更にアルゴンガス
をチヤンバー内の総圧力が４×10^-3Torrになる
まで供給する。また高周波電源１６からイオン化
電極１５に100〜300Wの高周波電力を供給し、バ
イアス電源１７から基板支持板２に100〜200Vの
バイアス電圧を印加する。これによりイオン化電
極１５の近傍のガスをイオン化してプラズマ状態
にする。このように電子ビーム加熱蒸着源１１と
基板３との間にプラズマ領域を形成すると、蒸着
源１１から蒸発した蒸着材料の分子はプラズマ領
域を通過する際にその一部がイオン化され、基板
３上での反応が促進されて薄膜の生成が促進され
る。

上記のようなイオンプレーテイング法による
と、蒸着材料の分子及び酸素ガスの一部がイオン
化されて活性となり、基板３上での酸化物薄膜の
生成が促進されるため、第１実施例のような普通
の電子ビーム加熱蒸着法による場合に比べて基板
の温度をより低温にし、蒸着速度をより速くして
も良好な透明導電膜を得ることができる。一例を
挙げると、酸化インジウムIn₂O₃の含有比αが35
重量％、基板温度が200℃、酸素の分圧が３×
10^-4Torr、アルゴンの分圧が3.7×10^-3Torr、高
周波電力が200W、直流バイアス電圧が100Vの条
件下で、蒸着速度を10Å／secとして、膜厚700
Å、面抵抗値５×10⁸Ω／□、透過率89％（波長
500nｍ）の透明導電膜を得ることができた。

同様な条件で第１図の蒸着装置により透明導電
膜を生成したところ、酸化が不十分になるため、
得られた透明導電膜の面抵抗値は10¹¹Ω／□以
上、透過率は53％（波長500nｍ）となり、アナ
ログ液晶デイスプレイ等の電極に用いるには不適
当な膜しか得ることができなかつた。

第３の実施例第３の実施例では、酸化ケイ素SiOまたはSiO₂
単独のペレツトと、酸化インジウムIn₂O₃単独の
ペレツトとをそれぞれ作成し、これらを独立に加
熱して同時に蒸発させることにより基板に薄膜を
蒸着する二元蒸着法を採用した。

第５図は二元蒸着法を実施する装置の構成を概
略的に示したもので、この装置ではハース部１１
ａ、フイラメント１１ｂ、加速電極１１ｃ及び磁
極１１ｄからなる第１の電子ビーム加熱蒸着源１
１と、ハース部１１a′、フイラメント１１b′、加
速電極１１c′及び磁極１１d′からなる第２の電子
ビーム加熱蒸着源１１′とが真空チヤンバ１の下
部に並べて設けられていて、第１の加熱蒸着源１
１のハース部にSiOまたはSiO₂単独からなるペレ
ツト１２が、また第２の加熱蒸着源１１′のハー
ス部にIn₂O₃単独からなるペレツト１２′が入れら
れている。膜質の均一性を得るために、電子ビー
ム加熱蒸着源１１，１１′および基板の位置が適
当に選ばれ、基板は回転される。その他の点は第
１図の装置と同様である。

この場合、蒸着源１１及び１１′にそれぞれ供
給する電力を加減することにより、SiOまたは
SiO₂及びIn₂O₃の蒸発量を調節することができ
る。

第１図及び第４図の装置による場合のように、
異なる物質を混合して１ペレツトを構成すると、
蒸着時間の経過に伴つてペレツトの混合比が変化
するおそれがあるが、この第３の実施例によれば
その心配はなく、再現性良く透明導電膜の生成を
行わせることができる。

一例として、蒸発材料にSiO₂のペレツトと
In₂O₃のペレツトとを用い、基板温度を400℃、酸
素分圧を３×10^-4Torrとし、SiO₂の蒸着速度を
2.3Å／sec、In₂O₃の蒸着速度を0.7Å／secとする
ように電子ビーム加熱蒸着源１１及び１１′への
電力の供給を制御した。その結果、膜厚が700Å、
面抵抗値が３×10⁸Ω／□、透過率が81％（波長
500nｍ）の透明導電膜を得ることができた。

インジウム及びケイ素原子換算の蒸着速度比ｒ
（In／Si）を約0.1以下にすると、面抵抗値は10¹¹
Ω／□以上となり、実用には適さないものとな
る。10⁶〜10¹⁰Ω／□の範囲の所望の面抵抗を得
る為には、蒸着速度比ｒ（In／Si）を0.1以上に選
ぶ必要がある。

また蒸着速度比を0.1として生成した、面抵抗
値が10¹⁰Ω／□の膜について、蛍光Ｘ線分析を行
つた結果、膜中のインジウム含有比（インジウム
Inの質量とケイ素Siの質量との総和に対するイン
ジウムInの質量の比）α′は約25〜30重量％の範囲
にあることが明らかになつた。これより、10⁶〜
10¹⁰Ω／□の面抵抗値を有する膜を得るために
は、蒸発材料中の酸化インジウムの含有比を60〜
20重量パーセントに設定して膜を生成して、膜中
のインジウム含有比を25重量％以上とする（イン
ジウムの含有比が大きくなるに従つて膜の面抵抗
値が低くなる。）必要があることが分る。

第５図の装置にイオン化電極を設けるととも
に、基板支持板２に直流バイアス電圧を印加し
て、イオンプレーテイング法により二元蒸着法を
実施するようにしても同様な効果を得ることがで
きる。

第４の実施例第４の実施例では、第６図の装置を用いて斜め
蒸着法により透明導電膜の生成を行つた。

すなわち、この実施例では、基板３と電子ビー
ム加熱蒸着源１１とを横方向にずらして配置する
とともに基板３を水平方向に対して一定の角度傾
け、基板３の板面に対して角度（鋭角）θ（＝５
〜15度）を成す方向から蒸着を行つた。基板下部
に蒸着窓１４を有したマスク１３を設け、蒸着物
質は蒸着窓１４のみを通過し、基板上に蒸着され
る構造となつている。基板を回転させずに矢印１
５方向に一定速度で移動させることにより、基板
全面に均一な膜が得られるようになつている。

この様な方法によれば、ガラス基板３上に蒸着
方向に沿つた結晶粒成長が起り、配向膜の機能を
兼ね備えた透明導電膜を得ることができる。従つ
て配向膜を形成する工程を必要とする液晶素子等
を製造する場合に、この方法を採用すると、配向
膜を形成する工程を省くことができ、工数の削減
を図ることができる。

第５の実施例酸化物透明導電膜の電気的特性および光学的特
性は膜の酸化状態により大きく変化する。酸化が
不十分であると、面抵抗値が不安定になり、透過
率が著しく低下する。前記各実施例においては、
酸化を十分に行わせるように基板の温度や酸素分
圧、蒸着速度、高周波電力等の諸条件が選択され
ているが、蒸着により透明導電膜を生成した後に
熱処理を行うと電気的特性及び光学的特性を更に
改善することができる。また透明導電膜の生成を
行つた後に熱処理を行うと、蒸着時の基板の温度
が低かつたり、蒸着速度が速かつたり、酸素分圧
が低かつたりした場合でも、電気的特性及び光学
的特性が優れた透明導電膜を得ることができる。

第７図は熱処理の効果を示す実験の結果を示し
たもので、同図においてＡは基板のみの透過率を
光の波長に対して示している。またＢは第１の実
施例でIn₂O₃の含有比を35重量％、基板温度を400
℃、酸素分圧を３×10^-4Torr、蒸着速度を３Å
として形成した透明導電膜つきガラス基板の透過
率を示し、ＣはＢの膜を大気炉内に入れて、400
℃で30分熱処理した後の透過率を示している。こ
れらの結果から、蒸着を行つた後に熱処理を行う
ことにより、透過率が大幅に改善され、透明導電
膜つきガラス基板の透過率をガラス基板のみの透
過率92％近くまで改善できることが分る。この92
％という透過率は一般のSnO₂とIn₂O₃との混合膜
つきガラス基板の透過率（約82％）に比べてはる
かに大きな値である。このような高い透過率はペ
レツトのIn₂O₃含有比を小さい範囲（50重量％以
下）に選定した場合に得られる。このように高い
透過率が得られるのは、SiO₂の含有により、膜
の屈折率がガラス基板の屈折率に近付き、基板と
膜の界面での反射が減少するためであると考えら
れる。

次に第８図は第１図に示す電子ビーム加熱蒸着
法により透明導電膜を形成した後、膜を大気炉に
入れて、400℃で熱処理を行つた場合の熱処理時
間に対する面抵抗値の変化を示している。この実
験は、ペレツトのIn₂O₃含有比αを30、50及び90
重量％とした場合についてそれぞれ行い、これら
の各場合における蒸着条件は、基板温度を200℃、
酸素分圧を１×10^-4Torr、蒸着速度を５Å／sec
とした。これらの結果から、熱処理時間が２時間
以上になると面抵抗値がほぼ一定になり、面抵抗
値の安定化を図り得ることが分る。

膜に熱処理を施す場合の熱処理温度の好ましい
範囲を求めるため、熱処理温度を種々変えて実験
を行つたところ、透過率に関しては、200℃の温
度で熱処理を行つても第７図と同様な結果が得ら
れることが明らかになつた。従つて熱処理温度は
200℃以上に設定するのが好ましいことが分つて
いる。

尚熱処理温度を低く設定した場合に抵抗値の安
定化を図るためには、熱処理温度を高く設定した
場合に比べて熱処理時間を長くする必要がある。
例えば熱処理温度を200℃とした場合、抵抗値の
安定化を図るためには、熱処理温度を400℃とし
た場合の熱処理必要時間（約２時間）より長い時
間を必要とする。これは、膜の酸化の程度が熱処
理温度と時間との積に関係していることにあると
思われる。蒸着により基板に膜が生成された段階
で膜の酸化の程度がかなり進んでいる場合には、
熱処理温度を低くしても熱処理時間を短くするこ
とができる。実際に熱処理を行うに当つては、蒸
着により得られた膜の酸化状態に応じて適当な熱
処理条件を選ぶことになる。

次に熱処理温度の上限は、基板の耐熱性及び膜
の耐熱性により定まるが、一般に基板の耐熱温度
（基板を軟化させたり基板に熱歪みを生じさせた
りすることがない温度の上限）の方が膜の耐熱温
度に比べて低いので、実際には熱処理温度の上限
は基板の耐熱温度により決まる。例えばガラス基
板が用いられる場合の耐熱温度は約500℃であり、
プラスチツク等の有機材料基板が用いられる場合
の耐熱温度は約200℃以下である。熱処理温度は、
これら基板の耐熱温度以下200℃以上の範囲で、
生成された膜の酸化状態に応じて適当な値に設定
すればよい。

［発明の効果］本願第１の発明によれば、従来は得られなかつ
た広範囲の（10⁶〜10¹⁰Ω／□の範囲の）高い面
抵抗値と、高い透過率とを有する膜を得ることが
できるため、アナログ的な作用を行なわせるのに
適した広範囲の面抵抗値を有する高抵抗透明導電
膜を得ることができるという利点がある。

また特許請求の範囲第２項及び第５項にそれぞ
れ記載された本願第２及び第４の発明によれば、
各蒸着条件を適当に選定することにより、従来の
方法では得られなかつた、面抵抗値が10⁶〜10¹⁰
Ω／□の範囲の高抵抗透明導電膜を容易に得るこ
とができる。

特に第４の発明によれば、SiOとIn₂O₃とを混
合して１ペレツトを構成する場合に比べて面抵抗
値の再現性を良くすることができる。

また特許請求の範囲第４項及び第６項にそれぞ
れ記載された第３及び第５の発明によれば、蒸着
により膜を生成した後熱処理を行うため、透明導
電膜の透過率を高くすることができる上に、面抵
抗値の安定化を図ることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例で用いる蒸着装
置の構成を概略的に示す構成図、第２図は第１の
実施例により得られた透明導電膜の面抵抗値と
In₂O₃含有比との関係を示す線図、第３図は同実
施例により得られた透明導電膜の透過率と酸化イ
ンジウム含有比との関係を示す線図、第４図ない
し第６図はそれぞれ本発明の第２ないし第４の実
施例で用いる蒸着装置の構成を概略的に示す構成
図、第７図はガラス基板と第１の実施例により得
られた透明導電膜と第５の実施例により得られた
透明導電膜とについて透過率と波長との関係を示
す線図、第８図は第５の実施例により得られる透
明導電膜の面抵抗値と熱処理時間との関係を示す
線図である。１……真空チヤンバ、２……基板支持板、３…
…ガラス基板、８……ガス導入管、１１，１１′
……電子ビーム加熱蒸着源、１２，１２′……ペ
レツト、１３……マスク、１４……蒸着窓、１５
……基板移動方向。

Claims

【特許請求の範囲】１酸化ケイ素と酸化インジウムとの混合酸化物
からなり、インジウム及びケイ素の総量に対する
インジウムの含有比が25重量パーセント以上で、
かつ10⁶〜10¹⁰Ω／□の面抵抗値を有することを
特徴とする透明導電膜。２基板上に酸化インジウムを含有する透明導電
膜を生成させる方法において、酸化ケイ素及び酸化インジウムの総量に対する
酸化インジウムの含有比を60〜20重量パーセント
とした膜生成用組成物を蒸発材料として用い、電
子ビーム加熱蒸着法または電子ビーム加熱イオン
プレーテイング法により前記基板上に10⁶〜10¹⁰
Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させることを
特徴とする透明導電膜の生成方法。３前記電子ビーム加熱蒸着法または電子ビーム
加熱イオンプレーテイング法は前記基板の板面に
対して傾斜した方向から前記蒸発材料を蒸発させ
る斜め蒸着法である特許請求の範囲第２項に記載
の透明導電膜の生成方法。４基板上に酸化インジウムを含有する透明導電
膜を生成させる方法において、酸化ケイ素及び酸化インジウムの総量に対する
酸化インジウムの含有比を60〜20重量パーセント
とした膜生成用組成物を蒸発材料として用い、電
子ビーム加熱蒸着法または電子ビーム加熱イオン
プレーテイング法により前記基板上に膜を生成さ
せ、次いで基板の耐熱温度以下200℃以上の温度に
保たれた大気炉中で前記膜を熱処理し、10⁶〜
10¹⁰Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させるこ
とを特徴とする透明導電膜の生成方法。５基板上に酸化インジウムを含有する透明導電
膜を生成させる方法において、酸化ケイ素またはケイ素からなるペレツトと酸
化インジウムまたはインジウムからなるペレツト
とを用い、ケイ素原子に対するインジウム原子の蒸発速度
比を0.1以上とするように制御しつつそれぞれの
ペレツトを独立にかつ同時に加熱蒸着させて前記
基板上に10⁶〜10¹⁰Ω／□の面抵抗値を有する膜
を生成させることを特徴とする透明導電膜の生成
方法。６基板上に酸化インジウムを含有する透明導電
膜を生成させる方法において、酸化ケイ素またはケイ素からなるペレツトと酸
化インジウムまたはインジウムからなるペレツト
とを用い、ケイ素原子に対するインジウム原子の蒸発速度
比を0.1以上とするように制御しつつそれぞれの
蒸発材料を独立にかつ同時に加熱蒸着させて前記
基板上に膜を生成させ、次いで基板の耐熱温度以下200℃以上の温度に
保たれた大気炉中で前記膜を熱処理し、10⁶〜
10¹⁰Ω／□の面抵抗値を有する膜を生成させるこ
とを特徴とする透明導電膜の生成方法。