JPS61136954A - 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体 - Google Patents
焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体Info
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- JPS61136954A JPS61136954A JP59256566A JP25656684A JPS61136954A JP S61136954 A JPS61136954 A JP S61136954A JP 59256566 A JP59256566 A JP 59256566A JP 25656684 A JP25656684 A JP 25656684A JP S61136954 A JPS61136954 A JP S61136954A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化インジウム系焼結体、特に半導体 ・デ
バイス等を構成する透光性導電膜の作製原料として好適
な酸化インジウム系焼結体に関する。
バイス等を構成する透光性導電膜の作製原料として好適
な酸化インジウム系焼結体に関する。
透光性導電膜は液晶表示素子やエレクトロルミネッセン
スなど表示デバイスの透明電極、種々の部品や装胃の電
気的じゃへい膜、あるいは自動車、航空機などの窓ガラ
スの氷結防止用ヒータなどく広く使用されている。
スなど表示デバイスの透明電極、種々の部品や装胃の電
気的じゃへい膜、あるいは自動車、航空機などの窓ガラ
スの氷結防止用ヒータなどく広く使用されている。
このような透明導電膜としては従来から酸化スズおよび
酸化インジウムの膜が知られている。その中でも酸化イ
ン・ゾウムあるいは酸化スズをドープした酸化インジウ
ム（以下ＩＴＯ膜という）は高透過率かつ高導電性の膜
としてスパッタリング、電子ビーム蒸着などを始めとす
る各種薄膜形成法によシ形成され広く使われている。
酸化インジウムの膜が知られている。その中でも酸化イ
ン・ゾウムあるいは酸化スズをドープした酸化インジウ
ム（以下ＩＴＯ膜という）は高透過率かつ高導電性の膜
としてスパッタリング、電子ビーム蒸着などを始めとす
る各種薄膜形成法によシ形成され広く使われている。
−例としてス・ぐツタリング技術によシ成膜される。
ＩＴＯ膜について説明する。これはインジウムスズ合金
あるいは酸化インジウムスズ焼結体を蒸着基材（以下タ
ーダットという）とし代表的にはアルゴンがス雰囲気中
あるいはアルゴン＋酸素ガス雰囲気中にてス・ぐツタリ
ングさせることＫよシ成膜される。このときＩＴＯ膜の
導電率および透過率を向上させるため、必要に応じて基
板加熱あるいはアフターアニールを行なうことが知られ
ている。スズやツタリング、電子ビーム蒸着などの方法
によシＩＴＯ膜を形成する場合において、蒸着基材とし
て酸化インジウム系焼結体を使用するとき、焼結体の焼
結性が悪いと以下の問題が生じる。
あるいは酸化インジウムスズ焼結体を蒸着基材（以下タ
ーダットという）とし代表的にはアルゴンがス雰囲気中
あるいはアルゴン＋酸素ガス雰囲気中にてス・ぐツタリ
ングさせることＫよシ成膜される。このときＩＴＯ膜の
導電率および透過率を向上させるため、必要に応じて基
板加熱あるいはアフターアニールを行なうことが知られ
ている。スズやツタリング、電子ビーム蒸着などの方法
によシＩＴＯ膜を形成する場合において、蒸着基材とし
て酸化インジウム系焼結体を使用するとき、焼結体の焼
結性が悪いと以下の問題が生じる。
■ 焼結体内部にガスを吸蔵しやすく、真空中では徐々
Ｖｃｌｆス放出を行ない、装置チャンバー内の真空度を
低下させる。
Ｖｃｌｆス放出を行ない、装置チャンバー内の真空度を
低下させる。
■ プラズマ、電子ビームなどの外部衝撃によシ焼結体
の一部が飛散しＺＴＯ膜中に混入し易い。
の一部が飛散しＺＴＯ膜中に混入し易い。
■ 焼結体の機械的強度が小さく熱歪などによって破損
し易い。
し易い。
■は膜の電気特性などの低下、■は膜の欠陥の発生、■
は蒸着基材の破損による生産性の低下、などの原因とな
る。
は蒸着基材の破損による生産性の低下、などの原因とな
る。
本発明は、従来の酸化インジウム系焼結体に付随する焼
結性不全によるガス吸蔵、衝撃破壊、機械的強度低劣、
熱歪による破損といった問題点を解決すると共に１特に
透光性導電膜の原料として用いた場合の膜欠陥の解消、
電気的・光学的特性の維持向上、並びに成膜の生産性の
向上といった点を企図してなされたものである。
結性不全によるガス吸蔵、衝撃破壊、機械的強度低劣、
熱歪による破損といった問題点を解決すると共に１特に
透光性導電膜の原料として用いた場合の膜欠陥の解消、
電気的・光学的特性の維持向上、並びに成膜の生産性の
向上といった点を企図してなされたものである。
即ち、上記問題点を解決するものとして見出された本発
明の酸化インジウム系焼結体は、Ｉｎ及び０と共に、Ｓ
ｔ及び／又はＧｅを必須の構成原子として含有すること
を特徴とするものである。
明の酸化インジウム系焼結体は、Ｉｎ及び０と共に、Ｓ
ｔ及び／又はＧｅを必須の構成原子として含有すること
を特徴とするものである。
酸化インジウム膜乃至はＩＴＯ膜における電気伝導は、
ｎ型半導体として電子による電導が主たるものであシ、
キャリヤとしての電子は、酸素欠陥やドーピングされた
スズによシ生成すると推察されている。そこで、酸化イ
ンソウム系焼結体の焼結性を改善する上では、前述の電
気伝導のメカニズムを損わないことが必要であシ、本発
明によって、これら焼結性の改善と電気伝導メカニズム
の維持発現との両方を満たす添加成分として、Ｓｉ及び
Ｇｅを見出した。
ｎ型半導体として電子による電導が主たるものであシ、
キャリヤとしての電子は、酸素欠陥やドーピングされた
スズによシ生成すると推察されている。そこで、酸化イ
ンソウム系焼結体の焼結性を改善する上では、前述の電
気伝導のメカニズムを損わないことが必要であシ、本発
明によって、これら焼結性の改善と電気伝導メカニズム
の維持発現との両方を満たす添加成分として、Ｓｉ及び
Ｇｅを見出した。
本発明の酸化インジウム系焼結体は、Ｉｎ、０並びにＳ
ｉ及び／又はＧｅのみを構成原子とし、主として酸化イ
ンジウム膜の出発原料となシ得る例えばＩｎ２Ｏ３−５
ｉ０２系、Ｉｎ２Ｏ３−Ｇ＠０２系、Ｉｎ２Ｏ３−８ｉ
０２− ＧｅＯ２系、Ｉｎ２Ｏ３−Ｓｉ系、Ｉｎ２Ｏ３
−Ｇｅ系、Ｉｎ２Ｏ３−Ｓｉ −Ｇｅ系等の焼結体や、
Ｉｎ、０１Ｓｎ並びにＳｔ及び／又はＧｅを構成原子と
し、主としてＩＴＯ膜の出発原料となシ得る例えｔｆ
Ｉｎ２０．−８ｎ０２−５１０２系、Ｉｎ２Ｏ３−５ｎ
０２− ＧｅＯ２系、Ｉｒ２Ｏ３−８ｎ０２−５ｉ０２
− ＧｅＯ２系、Ｉｎ２Ｏ３−５ｎ０２−８１系、Ｉｎ
２Ｏ３−５ｎ０２− Ｇｅ系、Ｉｎ２０．−５ｎ０２−
Ｓｉ −Ｇ。
ｉ及び／又はＧｅのみを構成原子とし、主として酸化イ
ンジウム膜の出発原料となシ得る例えばＩｎ２Ｏ３−５
ｉ０２系、Ｉｎ２Ｏ３−Ｇ＠０２系、Ｉｎ２Ｏ３−８ｉ
０２− ＧｅＯ２系、Ｉｎ２Ｏ３−Ｓｉ系、Ｉｎ２Ｏ３
−Ｇｅ系、Ｉｎ２Ｏ３−Ｓｉ −Ｇｅ系等の焼結体や、
Ｉｎ、０１Ｓｎ並びにＳｔ及び／又はＧｅを構成原子と
し、主としてＩＴＯ膜の出発原料となシ得る例えｔｆ
Ｉｎ２０．−８ｎ０２−５１０２系、Ｉｎ２Ｏ３−５ｎ
０２− ＧｅＯ２系、Ｉｒ２Ｏ３−８ｎ０２−５ｉ０２
− ＧｅＯ２系、Ｉｎ２Ｏ３−５ｎ０２−８１系、Ｉｎ
２Ｏ３−５ｎ０２− Ｇｅ系、Ｉｎ２０．−５ｎ０２−
Ｓｉ −Ｇ。
系等の焼結体を包含する。また、これらＩｎ−８ｉ−Ｇ
ｅ−０系及びＩｎ −Ｓｎ −Ｓｉ −Ｇｅ −０系に
他の構成原子として、例えば、Ｓ、Ｓｓ、Ｔｅ等の酸素
族元素の原子ｓ Ｆｓ Ｃ１％ Ｂｒ ％ Ｉのハロ
ダン原子、Ｂ、 ｈｉ％Ｇ＆％ ｒｌの第３族元素の原
子、Ｎ、 Ｐ。
ｅ−０系及びＩｎ −Ｓｎ −Ｓｉ −Ｇｅ −０系に
他の構成原子として、例えば、Ｓ、Ｓｓ、Ｔｅ等の酸素
族元素の原子ｓ Ｆｓ Ｃ１％ Ｂｒ ％ Ｉのハロ
ダン原子、Ｂ、 ｈｉ％Ｇ＆％ ｒｌの第３族元素の原
子、Ｎ、 Ｐ。
Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉの第５族元素の原子などを、本発
明の目的を損わない範囲の量で添加することができる。
明の目的を損わない範囲の量で添加することができる。
以下、透光性導電膜として利用価値の高いＩＴＯ膜の出
発原料となシ得る、Ｉｎ、 Ｏｓ Ｓｎ、並びにＳｔ及
び／又はＧｅを構成原子として含有する酸化インジウム
系焼結体を中心にして、本発明を更に詳しく説明する。
発原料となシ得る、Ｉｎ、 Ｏｓ Ｓｎ、並びにＳｔ及
び／又はＧｅを構成原子として含有する酸化インジウム
系焼結体を中心にして、本発明を更に詳しく説明する。
本発明の酸化インジウム系焼結体を構成するＩｎの出発
物質としては、Ｉｎ２Ｏ３が一般的であるが、勿論Ｉｎ
単体、Ｉｎの水酸化物、塩化物、硝酸塩、硫酸塩等を使
用することもできる。酸化物以外の出発物質を用いる場
合、酸素を含有する雰囲気中での仮焼あるいは焼結の過
程で酸化物形に変えて焼結体中にとシ込んでもよいし、
あるいは部分的にＩｎ等各出発物質の形でそのまま焼結
体中にと）込んでもよい。
物質としては、Ｉｎ２Ｏ３が一般的であるが、勿論Ｉｎ
単体、Ｉｎの水酸化物、塩化物、硝酸塩、硫酸塩等を使
用することもできる。酸化物以外の出発物質を用いる場
合、酸素を含有する雰囲気中での仮焼あるいは焼結の過
程で酸化物形に変えて焼結体中にとシ込んでもよいし、
あるいは部分的にＩｎ等各出発物質の形でそのまま焼結
体中にと）込んでもよい。
Ｓｎの出発物質としては、５ｎ０２等の酸化物が一般的
であるが、Ｓｎ単体、Ｓｎの水酸化物、塩化物、硝酸塩
、硫酸塩等を使用することもできる。Ｉｎの場合と同様
ＫＸｅ化物以外の出発物質を予め酸化物形に変えて焼結
体中にとシ込んでもよいし、あるいは部分的にＳｎ等の
形でそのまま焼結体中にとシ込んでもよい。
であるが、Ｓｎ単体、Ｓｎの水酸化物、塩化物、硝酸塩
、硫酸塩等を使用することもできる。Ｉｎの場合と同様
ＫＸｅ化物以外の出発物質を予め酸化物形に変えて焼結
体中にとシ込んでもよいし、あるいは部分的にＳｎ等の
形でそのまま焼結体中にとシ込んでもよい。
Ｓｔの出発物質としては、５ｉｏ２等の酸化物が、一般
的であるが、Ｓｔ単体、Ｓｔの水酸化物、等を使用する
こともできる。Ｉｎの場合と同様に１酸化物以外の出発
物質を予め酸化物形に変えて焼結体中にとシ込んでもよ
いし、あるいは部分的にＳｔ等の形でそのまま焼結体中
にとプ込み、例えばＩｎ２０．−５ｎ０２−５ｉ０２−
Ｓｉ系等の焼結体を形成することができる。
的であるが、Ｓｔ単体、Ｓｔの水酸化物、等を使用する
こともできる。Ｉｎの場合と同様に１酸化物以外の出発
物質を予め酸化物形に変えて焼結体中にとシ込んでもよ
いし、あるいは部分的にＳｔ等の形でそのまま焼結体中
にとプ込み、例えばＩｎ２０．−５ｎ０２−５ｉ０２−
Ｓｉ系等の焼結体を形成することができる。
Ｇｅの出発物質としては、Ｇ５０２、Ｇ＠０、等の酸化
物が一般的であるが、Ｇｅ単体、Ｇｅの水酸化物、塩化
物、等を使用することもできる。Ｉｎの場合と同様忙、
酸化物以外の出発物質を予め酸化物形に変えて焼結体中
にとシ込んでもよいし、あるいは部分的にＧｅ等の形で
そのまま焼結体中にとシ込み、例えばＩｎ２Ｏ３−５ｎ
０２− ＧａＯ２−Ｇ＠系等の焼結体を形成することが
できる。
物が一般的であるが、Ｇｅ単体、Ｇｅの水酸化物、塩化
物、等を使用することもできる。Ｉｎの場合と同様忙、
酸化物以外の出発物質を予め酸化物形に変えて焼結体中
にとシ込んでもよいし、あるいは部分的にＧｅ等の形で
そのまま焼結体中にとシ込み、例えばＩｎ２Ｏ３−５ｎ
０２− ＧａＯ２−Ｇ＠系等の焼結体を形成することが
できる。
本発明の酸化インジウム系焼結体を構成するＳｉ及びＧ
ｅは、例えばＩｎ２Ｏ３との固溶体である（Ｉｎ１−．
８１．）２０３ （０＜ａ＜１ ）、（Ｉｎ１−１．Ｇ
ｓｂ）ｚｏｓ （ｏ＜ｂく１）、（ＩＪ−６−ｄＳｉｃ
Ｇｅｄ）２０３ （０＜ｅ＜１ 、 ｏ（ｄ（ｉ ）（
Ｉｎ２Ｏ３に対する５１０２及びＧａＯ２の固溶限界は
、それぞれ５ｔｏ２約１０〜２０重！＃−１Ｇ・０２約
１０〜２０重量％の範囲にあると思料される。）、Ｉｎ
２Ｏ３と５ｎ０２との固溶体である例えば（Ｉｎ１−、
−ｆＳｎ、８１ｆ）２０３（０（ｅ（１，０＜ｆ＜１
）、（Ｉｎ１−、−ｈＳｎ、Ｇｓｈ）２０３ （ｏ＜
ｇ＜１．０（ｈ（１）、（Ｉｎ１−１−ｊ−ｋＳｎｉＳ
ｉｊＧｅｋ） （０＜１く１．０＜ｊ＜１、Ｏ＜ｋ ＜
１ ） （Ｉｎ２０３ ｉｃ対する５ｎ０２の固溶限
界は、５ｎ０２約ｌＯ〜２０重量−の範囲にあると思料
される。）、Ｉｎ２Ｇｅ２０７等の複酸化物、５ｉ０２
、ＧｅＯ２、Ｇｅｏ、５１１Ｇ＠等出発物質の形などで
存在する。
ｅは、例えばＩｎ２Ｏ３との固溶体である（Ｉｎ１−．
８１．）２０３ （０＜ａ＜１ ）、（Ｉｎ１−１．Ｇ
ｓｂ）ｚｏｓ （ｏ＜ｂく１）、（ＩＪ−６−ｄＳｉｃ
Ｇｅｄ）２０３ （０＜ｅ＜１ 、 ｏ（ｄ（ｉ ）（
Ｉｎ２Ｏ３に対する５１０２及びＧａＯ２の固溶限界は
、それぞれ５ｔｏ２約１０〜２０重！＃−１Ｇ・０２約
１０〜２０重量％の範囲にあると思料される。）、Ｉｎ
２Ｏ３と５ｎ０２との固溶体である例えば（Ｉｎ１−、
−ｆＳｎ、８１ｆ）２０３（０（ｅ（１，０＜ｆ＜１
）、（Ｉｎ１−、−ｈＳｎ、Ｇｓｈ）２０３ （ｏ＜
ｇ＜１．０（ｈ（１）、（Ｉｎ１−１−ｊ−ｋＳｎｉＳ
ｉｊＧｅｋ） （０＜１く１．０＜ｊ＜１、Ｏ＜ｋ ＜
１ ） （Ｉｎ２０３ ｉｃ対する５ｎ０２の固溶限
界は、５ｎ０２約ｌＯ〜２０重量−の範囲にあると思料
される。）、Ｉｎ２Ｇｅ２０７等の複酸化物、５ｉ０２
、ＧｅＯ２、Ｇｅｏ、５１１Ｇ＠等出発物質の形などで
存在する。
本発明の酸化インジクム系焼結体におけるＳｉ及び／又
はＧ・の含量は、Ｉｎ１モルに対して０．０００１〜０
．６モルが好ましい。何故なら、この範囲にあればキャ
リヤ電子の密度並びに移動度を適切にコントロールして
導電性を良好な範囲に保つためであｐｏ、０００１モル
未満であると、キャリヤ電子密度が所望される値よル小
さくなシ、０．６モルを超えるとキャリアの移動度を低
下させると共に導電性を劣化させる方向に働くためであ
る。Ｓｉの場合、よシ好ましい含量はＩｎ １モルに対
して０．０１〜０．３モル、更には０．０２〜０．１モ
ルであシ、ＧＯのよシ好ましい含量はＩｎ １モルに対
して０．０１〜０、３モル、更には０．０２〜０．１モ
ルである。
はＧ・の含量は、Ｉｎ１モルに対して０．０００１〜０
．６モルが好ましい。何故なら、この範囲にあればキャ
リヤ電子の密度並びに移動度を適切にコントロールして
導電性を良好な範囲に保つためであｐｏ、０００１モル
未満であると、キャリヤ電子密度が所望される値よル小
さくなシ、０．６モルを超えるとキャリアの移動度を低
下させると共に導電性を劣化させる方向に働くためであ
る。Ｓｉの場合、よシ好ましい含量はＩｎ １モルに対
して０．０１〜０．３モル、更には０．０２〜０．１モ
ルであシ、ＧＯのよシ好ましい含量はＩｎ １モルに対
して０．０１〜０、３モル、更には０．０２〜０．１モ
ルである。
また、Ｓｎの含量はＩｎ １モルに対して０．００１〜
０、３モルが好ましい。何故なら、この範囲にあれば、
キャリア電子の密度並びに移動度を適切にコントロール
して導電性を良好な範囲に保つためであシ、０．００１
モル未満であると、キャリヤ電子密度が小さくな、９．
０．３モルを超えると、キャリヤ電子の移動度を低下さ
せると共に導電性を劣化させる方向に働くためである。
０、３モルが好ましい。何故なら、この範囲にあれば、
キャリア電子の密度並びに移動度を適切にコントロール
して導電性を良好な範囲に保つためであシ、０．００１
モル未満であると、キャリヤ電子密度が小さくな、９．
０．３モルを超えると、キャリヤ電子の移動度を低下さ
せると共に導電性を劣化させる方向に働くためである。
Ｓｎのより好ましい含量はＩｎ １モルに対して０．０
１−０．１５モル、更には０．０５〜０．１モルである
。
１−０．１５モル、更には０．０５〜０．１モルである
。
本発明の酸化インジウム系焼結体は、前述した出発物質
の粉末を混合、常温圧縮して得られる圧粉体を、必要に
応じて仮焼の後、焼成するかあるｈはホットプレスによ
シ製造することができるが、本発明の場合は、圧粉体を
単忙高温下に付することによシなる焼成の工程を経るの
みで、焼結性に優れ気孔率の極めて低い緻密質の焼結体
を得ることができる。焼成温度は、所望する焼結体の組
成等に応じて適宜選択する仁とができるが、通常は１４
００〜１５００℃であシ、また焼成に用いる雰囲気は、
酸素を含有する例えば空気雰囲気、０２とＣ０１ｃｏ２
、Ｎ２、Ａｒ ｓ Ｈ２、Ｈ２Ｏｓ等との混合気体雰囲
気、酸素を含有しない例えば真空中、Ａｒ、Ｎ２等の雰
囲気とすることができる。また、使用する雰囲気中の酸
素分圧を調節することｋよシ、酸素欠陥量をコントロー
ルして、キャリヤ密度ひいては焼結体の導電性を制御す
ることができるし、更に雰囲気中に、Ｈ２、ＣＯなど還
元性ガスを導入・するととくよ）、酸素欠陥量をコント
ロールして焼結体の導電性を制御することができる。
の粉末を混合、常温圧縮して得られる圧粉体を、必要に
応じて仮焼の後、焼成するかあるｈはホットプレスによ
シ製造することができるが、本発明の場合は、圧粉体を
単忙高温下に付することによシなる焼成の工程を経るの
みで、焼結性に優れ気孔率の極めて低い緻密質の焼結体
を得ることができる。焼成温度は、所望する焼結体の組
成等に応じて適宜選択する仁とができるが、通常は１４
００〜１５００℃であシ、また焼成に用いる雰囲気は、
酸素を含有する例えば空気雰囲気、０２とＣ０１ｃｏ２
、Ｎ２、Ａｒ ｓ Ｈ２、Ｈ２Ｏｓ等との混合気体雰囲
気、酸素を含有しない例えば真空中、Ａｒ、Ｎ２等の雰
囲気とすることができる。また、使用する雰囲気中の酸
素分圧を調節することｋよシ、酸素欠陥量をコントロー
ルして、キャリヤ密度ひいては焼結体の導電性を制御す
ることができるし、更に雰囲気中に、Ｈ２、ＣＯなど還
元性ガスを導入・するととくよ）、酸素欠陥量をコント
ロールして焼結体の導電性を制御することができる。
本発明の酸化インジウム系焼結体の形状は、使用目的に
応じて適宜選択されるが、例えばＩＴＯ膜形成用のスフ
４ツタリング用ターダクトに用いる場合は、通常例えば
１２７Ｘ３８１Ｘ６（龍）等の寸法の矩形の平板等の形
状に成形される。
応じて適宜選択されるが、例えばＩＴＯ膜形成用のスフ
４ツタリング用ターダクトに用いる場合は、通常例えば
１２７Ｘ３８１Ｘ６（龍）等の寸法の矩形の平板等の形
状に成形される。
また、電子ビーム蒸着に用いる場合などには、通常例え
ば２０φｘ １０ （ｗ）等の寸法のベレット状等の形
状に成形される。
ば２０φｘ １０ （ｗ）等の寸法のベレット状等の形
状に成形される。
実施例１ ゛
純度９９．９９チ以上のｒｎ２０５．５ｎ０２及び５ｉ
ｏ２の各粉末を用い、混合粉における５ｎ０２の含量を
５重量ｃＩＩＶｃ固定し、残余をＩｎ２Ｏ３と５１０２
との任意の混合割合とした数種の混合粉を作製し、それ
ぞれの混合粉を圧力５００ ｋｌ！ ／ ｅｙｌｌ”で
プレス成形を行なったものを、空気中１４５０℃で２時
間焼成して、直径１００ｍ、厚み５ｓｍの円盤状ＩＴＯ
膜形成用焼結体を得た。
ｏ２の各粉末を用い、混合粉における５ｎ０２の含量を
５重量ｃＩＩＶｃ固定し、残余をＩｎ２Ｏ３と５１０２
との任意の混合割合とした数種の混合粉を作製し、それ
ぞれの混合粉を圧力５００ ｋｌ！ ／ ｅｙｌｌ”で
プレス成形を行なったものを、空気中１４５０℃で２時
間焼成して、直径１００ｍ、厚み５ｓｍの円盤状ＩＴＯ
膜形成用焼結体を得た。
これらの焼結体の相対密度を測定し、結果を、Ｓｉ含量
を横軸、相対密度を縦軸として第１図中曲線ＩＫ示した
。
を横軸、相対密度を縦軸として第１図中曲線ＩＫ示した
。
また、得られた焼結体の比抵抗測定し、結果をＳｉ含量
を横軸、比抵抗を縦軸として、第２図中曲線２に示した
。
を横軸、比抵抗を縦軸として、第２図中曲線２に示した
。
次いでこれらの焼結体を高周波マグネトロンスノぐツタ
リング装置のターゲットとして、下記条件にてスパッタ
リングを行ない、透光性導電膜を作製した。
リング装置のターゲットとして、下記条件にてスパッタ
リングを行ない、透光性導電膜を作製した。
記
〔ス・母ツタリング条件〕
かくして使用した焼結体ターゲットは、真空排気時のガ
ス放出が少なく、１０ Ｔｏｒｒに排気するまで５分
を要しなかった。また、機械的強度が増し、スノやツタ
リング時の破損はなかった。更に、成膜したＩＴＯ膜中
への焼結体混入の痕跡も認められなかった。尚、膜の抵
抗値は％ ５１０２を含まないＩＴＯ膜と同じレベルで
５〜６×１ｏ Ω・画であシ、また透光性について測定
を行なったところ、可視光域において９０慢以上の透過
率を示した。
ス放出が少なく、１０ Ｔｏｒｒに排気するまで５分
を要しなかった。また、機械的強度が増し、スノやツタ
リング時の破損はなかった。更に、成膜したＩＴＯ膜中
への焼結体混入の痕跡も認められなかった。尚、膜の抵
抗値は％ ５１０２を含まないＩＴＯ膜と同じレベルで
５〜６×１ｏ Ω・画であシ、また透光性について測定
を行なったところ、可視光域において９０慢以上の透過
率を示した。
実施例２
・５１０２の代＃）Ｉｃ Ｓｉを用いた以外は実施例１
と同様にして焼結体を作製し、次いでＺＴＯ膜を形成し
た。
と同様にして焼結体を作製し、次いでＺＴＯ膜を形成し
た。
かくして得られた焼結体の相対密度及び焼結体の比抵抗
は、第１図中曲線１及び第２図中曲線２と同等のもので
あった。出願後、実施例追加も可能 実施例３ ＳｉＯ２ノ代’） ＰＣ８１／ ＳｉＯ２混合粉を用い
、また、焼成雰囲気を酸素分圧調節可能な雰囲気とした
以外は、実施例１と同様にして焼結体を作製し、次いで
ＩＴＯ膜を作製した。
は、第１図中曲線１及び第２図中曲線２と同等のもので
あった。出願後、実施例追加も可能 実施例３ ＳｉＯ２ノ代’） ＰＣ８１／ ＳｉＯ２混合粉を用い
、また、焼成雰囲気を酸素分圧調節可能な雰囲気とした
以外は、実施例１と同様にして焼結体を作製し、次いで
ＩＴＯ膜を作製した。
かくして得られた焼結体の焼結性及び焼結体の導電性は
、実施例１の場合と同様に良好なものであった。
、実施例１の場合と同様に良好なものであった。
実施例４
Ｓ１０２の代シにＧｅＯ２を用いた以外は実施例１と同
様にして焼結体を作製し、次いで透光性導電膜を作製し
た。
様にして焼結体を作製し、次いで透光性導電膜を作製し
た。
かくして得られた焼結体の相対密度（第１図中曲線１）
及び焼結体の比抵抗（第２図中曲線２）は、実施例１と
同様に良好なものであった。
及び焼結体の比抵抗（第２図中曲線２）は、実施例１と
同様に良好なものであった。
本発明によれば、従来の酸化インジウム系焼結体に比べ
焼結性が著しく向上し、ガス吸蔵、４８破壊、機械的強
度低劣、熱歪による破損といった不都合が生じない。特
にス・９ノタリングタ一ダツト等透光性導電膜の原料と
して用いた場合、膜欠陥が解消され、膜の電気的・光学
的特性が維持向上すると共に、成膜の生産性が向上する
という予期しない効果が奏される。
焼結性が著しく向上し、ガス吸蔵、４８破壊、機械的強
度低劣、熱歪による破損といった不都合が生じない。特
にス・９ノタリングタ一ダツト等透光性導電膜の原料と
して用いた場合、膜欠陥が解消され、膜の電気的・光学
的特性が維持向上すると共に、成膜の生産性が向上する
という予期しない効果が奏される。
第１図は本発明の酸化インジウム系焼結体の相対密度、
第２図はこの焼結体の比抵抗をそれぞれ示すための曲線
図である。 第１図 Ｉｎ ｆ七ルｔＯ文すりＳｉミス１↓Ｇの七１し４第
２図 Ｉｎ１七１し；文才するＳ１又１盲Ｇｅの七ル夏手続補
正書印発） 昭和６０年１月２３日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １ 事件の表示 昭和５９年特許願第２５６５６６号 ？ 発明の名称 酸化インジウム系焼結体 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋室町２丁目１番地１名称
（６１８） 三井金属鉱業株式会社代表者 真
島 公 三 部４ 代理人 〒１０５ 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
６ 補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおり訂
正する。 （２） 明細書１１頁最下行の「・・・比抵抗測定し、
拳・・」を「０・・比抵抗を測定し、拳・・」 とする
。 （３） 明細書１２頁２行の「線２に・・・」を「線１
に・・・」とする。 （４） 明細書１３頁９行の「ｅ−・第２図中曲線２」
を「−・・第２図中曲線１」とする。 （５） 明細−書１３頁１０〜１１行の「出願後、実施
例追加も可能」を削除する。 （６） 明細書１４頁５行の「曲線１）・・Φ」を「曲
線２）・・１」とする。 特許請求の範囲 （１） Ｉｎ及びＯと共に、Ｓｆ及び／又はＧｅを必
須の構成原子として含有することを特徴とする酸化イン
ジウム系焼結体。 （２） Ｉ ｎ、Ｏ並びにＳｉ及び／又はＧｅと共
に、Ｓｎを構成原子として含有し、Ｓｔ及び／又はＧｅ
の含量がＩｎ１モルに対して０．０００１〜０．６モル
、Ｓｎの含量がＩｎ１モルに対して０．００１〜０．３
モルである特許請求の範囲第（１）項記載の醸化インジ
ウム系焼結体。 （３） Ｓｉの出発原料として酸化ケイ素を用いる特
許請求の範囲第（１）項又は第（２）項記載の酸化イン
ジウム系焼結体。 （４） Ｇｅの出発原料として酸化ゲルマニウムを用
いる特許請求の範囲第（１）項乃至第（３）項のうちの
１に記載の酸化インジウム系焼結体。
第２図はこの焼結体の比抵抗をそれぞれ示すための曲線
図である。 第１図 Ｉｎ ｆ七ルｔＯ文すりＳｉミス１↓Ｇの七１し４第
２図 Ｉｎ１七１し；文才するＳ１又１盲Ｇｅの七ル夏手続補
正書印発） 昭和６０年１月２３日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １ 事件の表示 昭和５９年特許願第２５６５６６号 ？ 発明の名称 酸化インジウム系焼結体 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋室町２丁目１番地１名称
（６１８） 三井金属鉱業株式会社代表者 真
島 公 三 部４ 代理人 〒１０５ 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
６ 補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおり訂
正する。 （２） 明細書１１頁最下行の「・・・比抵抗測定し、
拳・・」を「０・・比抵抗を測定し、拳・・」 とする
。 （３） 明細書１２頁２行の「線２に・・・」を「線１
に・・・」とする。 （４） 明細書１３頁９行の「ｅ−・第２図中曲線２」
を「−・・第２図中曲線１」とする。 （５） 明細−書１３頁１０〜１１行の「出願後、実施
例追加も可能」を削除する。 （６） 明細書１４頁５行の「曲線１）・・Φ」を「曲
線２）・・１」とする。 特許請求の範囲 （１） Ｉｎ及びＯと共に、Ｓｆ及び／又はＧｅを必
須の構成原子として含有することを特徴とする酸化イン
ジウム系焼結体。 （２） Ｉ ｎ、Ｏ並びにＳｉ及び／又はＧｅと共
に、Ｓｎを構成原子として含有し、Ｓｔ及び／又はＧｅ
の含量がＩｎ１モルに対して０．０００１〜０．６モル
、Ｓｎの含量がＩｎ１モルに対して０．００１〜０．３
モルである特許請求の範囲第（１）項記載の醸化インジ
ウム系焼結体。 （３） Ｓｉの出発原料として酸化ケイ素を用いる特
許請求の範囲第（１）項又は第（２）項記載の酸化イン
ジウム系焼結体。 （４） Ｇｅの出発原料として酸化ゲルマニウムを用
いる特許請求の範囲第（１）項乃至第（３）項のうちの
１に記載の酸化インジウム系焼結体。
Claims (4)
- （１）Ｉｎ及びＯと共に、Ｓｉ及び／又はＧｅを必須の
構成原子として含有することを特徴とする酸化インジウ
ム系焼結体。 - （２）Ｉｎ、Ｏ並びにＳｉ及び／又はＧｅと共に、Ｓｎ
を構成原子として含有し、Ｓｎ及び／又はＧｅの含量が
Ｉｎ１モルに対して０．０００１〜０．６モル、Ｓｎの
含量がＩｎ１モルに対して０．００１〜０．３モルであ
る特許請求の範囲第（１）項記載の酸化インジウム系焼
結体。 - （３）Ｓｉの出発原料として酸化ケイ素を用いる特許請
求の範囲第（１）項又は第（２）項記載の酸化インジウ
ム系焼結体。 - （４）Ｇｅの出発原料として酸化ゲルマニウムを用いる
特許請求の範囲第（１）項乃至第（３）項のうちの１に
記載の酸化インジウム系焼結体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256566A JPS61136954A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体 |
| JP62016146A JPS62202415A (ja) | 1984-12-06 | 1987-01-28 | 酸化インジウム系透明導電膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256566A JPS61136954A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136954A true JPS61136954A (ja) | 1986-06-24 |
| JPH0121109B2 JPH0121109B2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17294417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59256566A Granted JPS61136954A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136954A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202415A (ja) * | 1984-12-06 | 1987-09-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系透明導電膜の製造法 |
| JPS6389656A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 透明導電膜及びその生成方法 |
| JPS6410507A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Optrex Kk | Transparent conductive film and its manufacture |
| WO1995018080A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-06 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Ito sintered body, ito transparent conductive film and method of forming the film |
| JP2002069610A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 |
| JP2003055049A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-02-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット |
| JP2007055841A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体 |
| JP4823386B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-11-24 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 透明導電膜製造用の酸化物焼結体 |
| JP2015042773A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 住友金属鉱山株式会社 | 蒸着用タブレット及びその製造方法、並びに酸化物膜 |
| CN113548872A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-26 | 长沙壹纳光电材料有限公司 | 一种iwo靶材及其制备方法与应用 |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP59256566A patent/JPS61136954A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202415A (ja) * | 1984-12-06 | 1987-09-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系透明導電膜の製造法 |
| JPS6389656A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 透明導電膜及びその生成方法 |
| JPS6410507A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Optrex Kk | Transparent conductive film and its manufacture |
| WO1995018080A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-06 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Ito sintered body, ito transparent conductive film and method of forming the film |
| JP2002069610A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 |
| JP2003055049A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-02-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット |
| JP2007055841A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体 |
| JP4823386B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-11-24 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 透明導電膜製造用の酸化物焼結体 |
| JP2015042773A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 住友金属鉱山株式会社 | 蒸着用タブレット及びその製造方法、並びに酸化物膜 |
| CN113548872A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-26 | 长沙壹纳光电材料有限公司 | 一种iwo靶材及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0121109B2 (ja) | 1989-04-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |