JPH0586068B2 - - Google Patents
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- JPH0586068B2 JPH0586068B2 JP1035205A JP3520589A JPH0586068B2 JP H0586068 B2 JPH0586068 B2 JP H0586068B2 JP 1035205 A JP1035205 A JP 1035205A JP 3520589 A JP3520589 A JP 3520589A JP H0586068 B2 JPH0586068 B2 JP H0586068B2
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- Japan
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- substrate
- package
- chip
- heat dissipation
- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/401—Package configurations characterised by multiple insulating or insulated package substrates, interposers or RDLs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/22—Arrangements for cooling characterised by their shape, e.g. having conical or cylindrical projections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/15—Containers comprising an insulating or insulated base
- H10W76/157—Containers comprising an insulating or insulated base having interconnections parallel to the insulating or insulated base
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
A 産業上の利用分野
本発明は、電子部品パツケージに関し、具体的
には、半導体チツプを装着するように設計された
回路付き基板を利用する電子部品パツケージに関
する。
には、半導体チツプを装着するように設計された
回路付き基板を利用する電子部品パツケージに関
する。
B 従来技術
柔軟基板であれ硬質基板であれ、回路付き基板
を有する電子パツケージが知られており、その例
が米国特許第4092697号明細書及び第4415025号明
細書(両方とも硬質セラミツク基板を用いてい
る)、ならびに米国特許第4231154号明細書(柔軟
な薄膜基板を用いている)に記載されている。こ
れらの特許はすべて、本発明の出願人に譲渡さ
れ、引用により本明細書に組み込まれる。さらに
本明細書の教示から明らかになるように、本発明
は、最も具体的には、放熱カバー部材を利用する
上記で定義したようなパツケージを対象としてい
る。このようなカバーも、米国特許第4092697号
明細書及び第4415025号明細書に記載されており、
動作中にパツケージから正の放熱を行なうため
に、多くのこのような電子パツケージ中で望まし
いものである。この種のパツケージでは、その動
作寿命を増大させるために、このような放熱が不
可欠である。
を有する電子パツケージが知られており、その例
が米国特許第4092697号明細書及び第4415025号明
細書(両方とも硬質セラミツク基板を用いてい
る)、ならびに米国特許第4231154号明細書(柔軟
な薄膜基板を用いている)に記載されている。こ
れらの特許はすべて、本発明の出願人に譲渡さ
れ、引用により本明細書に組み込まれる。さらに
本明細書の教示から明らかになるように、本発明
は、最も具体的には、放熱カバー部材を利用する
上記で定義したようなパツケージを対象としてい
る。このようなカバーも、米国特許第4092697号
明細書及び第4415025号明細書に記載されており、
動作中にパツケージから正の放熱を行なうため
に、多くのこのような電子パツケージ中で望まし
いものである。この種のパツケージでは、その動
作寿命を増大させるために、このような放熱が不
可欠である。
本明細書で定義するように、本発明パツケージ
は、チツプを最初の回路付き基板上方の高い位置
に維持して、パツケージのチツプと放熱カバーの
直接接触によつて、このような放熱をより効率的
に実現する。このような高くした配置は、パツケ
ージ組立て中にチツプを保護し、かつこのような
組立てにかかる時間とコストを削減させる。この
ようにチツプを高くすると、動作中、パツケージ
からの放熱がさらに促進される。
は、チツプを最初の回路付き基板上方の高い位置
に維持して、パツケージのチツプと放熱カバーの
直接接触によつて、このような放熱をより効率的
に実現する。このような高くした配置は、パツケ
ージ組立て中にチツプを保護し、かつこのような
組立てにかかる時間とコストを削減させる。この
ようにチツプを高くすると、動作中、パツケージ
からの放熱がさらに促進される。
上記の有利な特徴を有する電子パツケージは、
とりわけ、当技術分野において大きな進歩である
と思われる。
とりわけ、当技術分野において大きな進歩である
と思われる。
C 発明が解決しようとする問題点
本発明の主目的は、とりわけ、上記の特徴を有
する電子パツケージを提供することによつて、電
子パツケージ技術を改善することにある。
する電子パツケージを提供することによつて、電
子パツケージ技術を改善することにある。
D 問題点を解決するための手段
本発明の一態様によれば、少なくとも一層の回
路を上に有する第1の回路付き基板、第1の回路
付き基板に電気的に接続された少なくとも一層の
回路を備えている柔軟な第2の回路付き基板、及
び対向する第1と第2の面を有する電子デバイス
を含み、第2の柔軟な回路付き基板上の回路がデ
バイスの第1の面上の指定された個所に接続され
ている、電子パツケージが設けられる。デバイス
は、第1の回路付き基板から隔置されて配置され
ている。パツケージは、電子デバイスの第2の面
に向いた表面を有する放熱部材、及び電子デバイ
スの第2の面とデバイスに向いた放熱部材の表面
との間に位置し、かつ両者に接触する所定の量の
物質層を含んでいる。この物質層は、電子デバイ
スと放熱部材の間に表面張力の作用により吸引力
を生じて、電子パツケージの動作中、電子デバイ
スを第1の回路付き基板から隔置した位置に維持
する。
路を上に有する第1の回路付き基板、第1の回路
付き基板に電気的に接続された少なくとも一層の
回路を備えている柔軟な第2の回路付き基板、及
び対向する第1と第2の面を有する電子デバイス
を含み、第2の柔軟な回路付き基板上の回路がデ
バイスの第1の面上の指定された個所に接続され
ている、電子パツケージが設けられる。デバイス
は、第1の回路付き基板から隔置されて配置され
ている。パツケージは、電子デバイスの第2の面
に向いた表面を有する放熱部材、及び電子デバイ
スの第2の面とデバイスに向いた放熱部材の表面
との間に位置し、かつ両者に接触する所定の量の
物質層を含んでいる。この物質層は、電子デバイ
スと放熱部材の間に表面張力の作用により吸引力
を生じて、電子パツケージの動作中、電子デバイ
スを第1の回路付き基板から隔置した位置に維持
する。
E 実施例
第1図に、本発明の好ましい実施例による電子
パツケージ10を示す。パツケージ10は、少な
くとも一層の回路13を有する第1の回路付き基
板11、第1の基板11に電気的に接続された柔
軟な第2の回路付き基板15、第2の基板15に
電気的に接続され、基板11上方の高くした位置
に配置された電子デバイス(半導体チツプ)1
7、第1の基板11に接合されパツケージ10の
カバーとなつている放熱部材19、及び放熱部材
19とデバイス17の間にそれらと接触して配置
され、両者との間の直接接触を保証して、その動
作中に本発明の放熱を改善する所定量の物質21
を含む。下記の説明からわかるように、最終の組
立て済みパツケージ(及びその動作中)では、物
質21は(第1図及び第2図に示すように)液体
状態でも凝固状態でもよい。ただし、どちらの場
合にも、最初の組立て中は、組立てがしやすいよ
うに、物質21は液体状態である。下記に説明す
るように、最終状態で液体状態にある場合でも、
物質21は、部材19とデバイス17のそれぞれ
の表面上に部材19とデバイス17の間に吸引力
(吸着力)を生み出すのに十分な表面張力を発生
させ、パツケージの動作中、このような力を使つ
て、デバイスを図示した高くした位置にユニーク
に維持する。物質21は、組立て済み最終パツケ
ージ(及び動作)において液体状態(たとえば、
オイル)である場合、パツケージ10の上記の組
立て及び動作の間中、本明細書に定義する吸引力
を作用させる。物質21は、最終の組立て済みパ
ツケージ10で固体状態(たとえば、ワツクス)
である場合、パツケージ組立て中だけ(デバイス
及び付随の柔軟基板15を所期の高さに「持ち上
げる」ために)、本明細書で定義する吸引力を作
用させ、その後、固化すると、粘着力によつてデ
バイスをこの高くなつた位置に維持する。さら
に、物質21は、最終パツケージ中で液体状態の
場合、粘着剤として働かないが、上記のように、
本明細書で定義する吸引力によつて、半導体デバ
イスをその高くした位置にユニークに維持する。
当然のことながら、この能力は、本発明の顕著な
特徴となつている。
パツケージ10を示す。パツケージ10は、少な
くとも一層の回路13を有する第1の回路付き基
板11、第1の基板11に電気的に接続された柔
軟な第2の回路付き基板15、第2の基板15に
電気的に接続され、基板11上方の高くした位置
に配置された電子デバイス(半導体チツプ)1
7、第1の基板11に接合されパツケージ10の
カバーとなつている放熱部材19、及び放熱部材
19とデバイス17の間にそれらと接触して配置
され、両者との間の直接接触を保証して、その動
作中に本発明の放熱を改善する所定量の物質21
を含む。下記の説明からわかるように、最終の組
立て済みパツケージ(及びその動作中)では、物
質21は(第1図及び第2図に示すように)液体
状態でも凝固状態でもよい。ただし、どちらの場
合にも、最初の組立て中は、組立てがしやすいよ
うに、物質21は液体状態である。下記に説明す
るように、最終状態で液体状態にある場合でも、
物質21は、部材19とデバイス17のそれぞれ
の表面上に部材19とデバイス17の間に吸引力
(吸着力)を生み出すのに十分な表面張力を発生
させ、パツケージの動作中、このような力を使つ
て、デバイスを図示した高くした位置にユニーク
に維持する。物質21は、組立て済み最終パツケ
ージ(及び動作)において液体状態(たとえば、
オイル)である場合、パツケージ10の上記の組
立て及び動作の間中、本明細書に定義する吸引力
を作用させる。物質21は、最終の組立て済みパ
ツケージ10で固体状態(たとえば、ワツクス)
である場合、パツケージ組立て中だけ(デバイス
及び付随の柔軟基板15を所期の高さに「持ち上
げる」ために)、本明細書で定義する吸引力を作
用させ、その後、固化すると、粘着力によつてデ
バイスをこの高くなつた位置に維持する。さら
に、物質21は、最終パツケージ中で液体状態の
場合、粘着剤として働かないが、上記のように、
本明細書で定義する吸引力によつて、半導体デバ
イスをその高くした位置にユニークに維持する。
当然のことながら、この能力は、本発明の顕著な
特徴となつている。
第1の基板11は、その上面27(第2図)に
回路25の成形金属(たとえば、銅)層が付着さ
れた、絶縁性(たとえば、エポキシ)本体部23
を有するプリント回路板であることが好ましい。
回路25は、表面27上に隔置された、通常の多
数の回路形成技法のうちのどれかを使つて(たと
えば、ブランケツト金属箔からフオトエツチング
して)基板11上に形成された(図に示すよう
な)個別の導電性セグメントを含んでいる。
回路25の成形金属(たとえば、銅)層が付着さ
れた、絶縁性(たとえば、エポキシ)本体部23
を有するプリント回路板であることが好ましい。
回路25は、表面27上に隔置された、通常の多
数の回路形成技法のうちのどれかを使つて(たと
えば、ブランケツト金属箔からフオトエツチング
して)基板11上に形成された(図に示すよう
な)個別の導電性セグメントを含んでいる。
第1の基板11は、硬質構造であることが好ま
しい。具体的には、その本体部分23が、エポキ
シまたは同様な材料製であることが好ましく、厚
さ(第1図の寸法「t」)は少なくとも0.75mmで
あることが好ましい。約5.0mmまでの厚さを有す
る既知の基板が許容される。
しい。具体的には、その本体部分23が、エポキ
シまたは同様な材料製であることが好ましく、厚
さ(第1図の寸法「t」)は少なくとも0.75mmで
あることが好ましい。約5.0mmまでの厚さを有す
る既知の基板が許容される。
第2の回路付き基板15は、上記のように、柔
軟性のものであり、回路31の画定された層(た
とえば、クロム・銅・クロム)を有する有機誘電
材料(たとえば、ポリイミド)の絶縁部分29を
含んでいる。図に示すように、ポリイミド材の上
面に回路31が配置され、これは、第1の基板1
1上の回路25を半導体チツプ17底面の当該接
続個所と相互接続させる働きをする。通常の多数
の接続技法のどれか、たとえば、各個別セグメン
ト33(第3図)ごとに少なくとも1個のはんだ
ボール32を使用するはんだ付けを用いて、基板
15を回路25に電気的に接続させる。第3図を
見るとわかりやすいが、第2の回路付き基板15
は、画定されたパターンに従つてポリイミド上に
配置された複数の個別導電性セグメント33を含
んでいる。このパターンが、これらのセグメント
用の個々の突出端部の第1のアレイ35及び第2
のアレイ37(第2図)を画定する。第1のアレ
イ35は、図面に示すように、好ましくは従来の
技法(熱圧着ボンデイングなど)を用いて、半導
体チツプ17の下面41の当該接触個所に電気的
に接続される。したがつて、各セグメント33の
対向端部は、それぞれ基板11の表面27上にあ
る指定された当該の導電セグメント25の1つに
個別に(すなわち、上記のはんだボール技術を用
いて)接続された、第2のアレイ37を形成する
働きをする。
軟性のものであり、回路31の画定された層(た
とえば、クロム・銅・クロム)を有する有機誘電
材料(たとえば、ポリイミド)の絶縁部分29を
含んでいる。図に示すように、ポリイミド材の上
面に回路31が配置され、これは、第1の基板1
1上の回路25を半導体チツプ17底面の当該接
続個所と相互接続させる働きをする。通常の多数
の接続技法のどれか、たとえば、各個別セグメン
ト33(第3図)ごとに少なくとも1個のはんだ
ボール32を使用するはんだ付けを用いて、基板
15を回路25に電気的に接続させる。第3図を
見るとわかりやすいが、第2の回路付き基板15
は、画定されたパターンに従つてポリイミド上に
配置された複数の個別導電性セグメント33を含
んでいる。このパターンが、これらのセグメント
用の個々の突出端部の第1のアレイ35及び第2
のアレイ37(第2図)を画定する。第1のアレ
イ35は、図面に示すように、好ましくは従来の
技法(熱圧着ボンデイングなど)を用いて、半導
体チツプ17の下面41の当該接触個所に電気的
に接続される。したがつて、各セグメント33の
対向端部は、それぞれ基板11の表面27上にあ
る指定された当該の導電セグメント25の1つに
個別に(すなわち、上記のはんだボール技術を用
いて)接続された、第2のアレイ37を形成する
働きをする。
やはり第3図に示すように、基板15用のポリ
イミド材29は、突出端部セグメントの上記第1
のアレイ35がその中を延びる開口43を画定す
る。すなわち、第3図に示した方式で、チツプ1
7を開口(またはウインドウ)43に対して配置
する。上記のように、第2の回路付き基板15は
柔軟性のものである。柔軟性とは、ポリイミドと
回路素子を合わせた厚さがわずか約0.075mmであ
るという意味である。基板15の一部分上にこの
ような能力をもつことは、本明細書の説明から理
解される目的のための本発明の顕著な一態様であ
る。
イミド材29は、突出端部セグメントの上記第1
のアレイ35がその中を延びる開口43を画定す
る。すなわち、第3図に示した方式で、チツプ1
7を開口(またはウインドウ)43に対して配置
する。上記のように、第2の回路付き基板15は
柔軟性のものである。柔軟性とは、ポリイミドと
回路素子を合わせた厚さがわずか約0.075mmであ
るという意味である。基板15の一部分上にこの
ような能力をもつことは、本明細書の説明から理
解される目的のための本発明の顕著な一態様であ
る。
第1図及び第2図に示すように、放熱部材19
は金属(アルミニウムや銅など)製であることが
好ましく、周知の密封法(フローさせ、そのあと
硬化させたエポキシ51など)を用いて、基板11
に対して密封する。本体部分23がセラミツク製
の場合には、密封材51は、低温ろう付け材やは
んだ材でよい。図に示すように、放熱部材19
は、基板11に対しその外周部の周りで密封し、
第1図に示した内部部品(すなわち、チツプ1
7、第2の基板15)用のカバーとなる。さら
に、放熱部材19は、基板11に向かう方向に
(第1図で、下向きに凸面で)カーブした曲線状
の内面53を備えていることが好ましい。本発明
の好ましい実施例では、放熱部材19は、隣接す
る半導体チツプ17に関してその中央に位置する
シリコン挿入片55を含んでいる(第1図及び第
2図)。ただし、本発明のより広義な態様では、
この挿入片を使用せず、その代わり、チツプ17
を金属内面に直接接触させてもよい。
は金属(アルミニウムや銅など)製であることが
好ましく、周知の密封法(フローさせ、そのあと
硬化させたエポキシ51など)を用いて、基板11
に対して密封する。本体部分23がセラミツク製
の場合には、密封材51は、低温ろう付け材やは
んだ材でよい。図に示すように、放熱部材19
は、基板11に対しその外周部の周りで密封し、
第1図に示した内部部品(すなわち、チツプ1
7、第2の基板15)用のカバーとなる。さら
に、放熱部材19は、基板11に向かう方向に
(第1図で、下向きに凸面で)カーブした曲線状
の内面53を備えていることが好ましい。本発明
の好ましい実施例では、放熱部材19は、隣接す
る半導体チツプ17に関してその中央に位置する
シリコン挿入片55を含んでいる(第1図及び第
2図)。ただし、本発明のより広義な態様では、
この挿入片を使用せず、その代わり、チツプ17
を金属内面に直接接触させてもよい。
第1図及び第2図に示すように、半導体チツプ
17は、第1の基板11の上面27から隔置され
た高い位置(第2図で寸法「eh」で示す所定の
高さの所)に方向を正しく配置する。上記のよう
に、この操作は、パツケージ組立て中に行なわ
れ、液状ワツクスまたはオイル材料によつて生じ
る吸引力により容易になる。これは、チツプ17
と放熱部材19の曲線状表面53との直接接続が
可能となり、したがつて、その動作中に完成済み
パツケージ10の放熱を改善させる点で、本発明
の顕著な態様である。上記のように、このような
放熱は、この種のパツケージで、妥当な動作寿命
を保証するのに不可欠である。本明細書に記載す
るやり方でチツプ17を高くすると、チツプを損
傷する恐れなしに、放熱部材を第1の基板11上
に配置し密封することが可能となるので、パツケ
ージ10の組立てが容易になる。当然のことなが
ら、放熱部材を基板11上に配置すると、表面5
3と27の間で圧縮によつてチツプが損傷する恐
れがある。したがつて、寸法「eh」は、このよ
うな圧縮、及びそれによる比較的脆い半導体チツ
プに対する破壊または損傷を防止するのに十分な
許容差を与えるものである。好ましい実施例で
は、寸法「eh」は約0.025ないし約0.01mmの範囲
内にあることが好ましい。
17は、第1の基板11の上面27から隔置され
た高い位置(第2図で寸法「eh」で示す所定の
高さの所)に方向を正しく配置する。上記のよう
に、この操作は、パツケージ組立て中に行なわ
れ、液状ワツクスまたはオイル材料によつて生じ
る吸引力により容易になる。これは、チツプ17
と放熱部材19の曲線状表面53との直接接続が
可能となり、したがつて、その動作中に完成済み
パツケージ10の放熱を改善させる点で、本発明
の顕著な態様である。上記のように、このような
放熱は、この種のパツケージで、妥当な動作寿命
を保証するのに不可欠である。本明細書に記載す
るやり方でチツプ17を高くすると、チツプを損
傷する恐れなしに、放熱部材を第1の基板11上
に配置し密封することが可能となるので、パツケ
ージ10の組立てが容易になる。当然のことなが
ら、放熱部材を基板11上に配置すると、表面5
3と27の間で圧縮によつてチツプが損傷する恐
れがある。したがつて、寸法「eh」は、このよ
うな圧縮、及びそれによる比較的脆い半導体チツ
プに対する破壊または損傷を防止するのに十分な
許容差を与えるものである。好ましい実施例で
は、寸法「eh」は約0.025ないし約0.01mmの範囲
内にあることが好ましい。
チツプ17は、当技術分野で周知のチツプ
(CMOSなど)から選択してよく、図面に示すよ
うに、上記の下面41及びその反対側の上面57
を含む。第2図に示すように、この両面は、この
種のデバイスでは通常のことであるが、ほぼ平面
状である。本発明の好ましい実施例では、チツプ
の平面状上面57は、放熱部材19の曲線状表面
53と位置合わせされ、それと向い合せに保持さ
れる。ただし、本発明のより広義の態様では、こ
の両面に他の形状を採用してもよい。たとえば、
(上記のように挿入片55を含む代わりに金属表
面を使用するのに加えて)放熱部材19にほぼ平
面状表面を利用することも、本発明の範囲内に含
まれる。
(CMOSなど)から選択してよく、図面に示すよ
うに、上記の下面41及びその反対側の上面57
を含む。第2図に示すように、この両面は、この
種のデバイスでは通常のことであるが、ほぼ平面
状である。本発明の好ましい実施例では、チツプ
の平面状上面57は、放熱部材19の曲線状表面
53と位置合わせされ、それと向い合せに保持さ
れる。ただし、本発明のより広義の態様では、こ
の両面に他の形状を採用してもよい。たとえば、
(上記のように挿入片55を含む代わりに金属表
面を使用するのに加えて)放熱部材19にほぼ平
面状表面を利用することも、本発明の範囲内に含
まれる。
上記のように、パツケージ10は、チツプ17
の表面57と放熱部材19の表面53の間に位置
しかつ両者と接触して、パツケージ10の動作
中、柔軟基板15に取り付けたチツプ17を第1
の基板11上方の規定された高くした位置に維持
する手段をユニークな形でもたらす、所定量の上
記物質21を含んでいる。物質21は、パツケー
ジの動作中に液体状態の場合、チツプ17と放熱
部材19の間に吸引力(第2図におけるF)を生
じて、パツケージの組立て及び動作中、チツプ1
7を図に示した位置に維持するのに十分な表面張
力を有するオイルであることが好ましい。パツケ
ージの動作中、液体状態を維持する適当な物質の
例は、高度精製鉱油、シリコーン油、または、そ
の他、真空拡散ポンプで現在使用されているよう
なオイル(たとえば、混合5環ポリフエニルエー
テルやペルフルオロポリエーテルなど)などであ
る。
の表面57と放熱部材19の表面53の間に位置
しかつ両者と接触して、パツケージ10の動作
中、柔軟基板15に取り付けたチツプ17を第1
の基板11上方の規定された高くした位置に維持
する手段をユニークな形でもたらす、所定量の上
記物質21を含んでいる。物質21は、パツケー
ジの動作中に液体状態の場合、チツプ17と放熱
部材19の間に吸引力(第2図におけるF)を生
じて、パツケージの組立て及び動作中、チツプ1
7を図に示した位置に維持するのに十分な表面張
力を有するオイルであることが好ましい。パツケ
ージの動作中、液体状態を維持する適当な物質の
例は、高度精製鉱油、シリコーン油、または、そ
の他、真空拡散ポンプで現在使用されているよう
なオイル(たとえば、混合5環ポリフエニルエー
テルやペルフルオロポリエーテルなど)などであ
る。
物質21としてワツクスを選択した場合、加熱
した液体の形でチツプ17の表面57に塗布する
が、上記のように、組立て後は(したがつて、パ
ツケージの動作中も)固体の形をとることにな
る。物質21は、オイルであれワツクスであれ、
パツケージ10の組立て中、放熱部材19を第1
の基板11に密封する前に、表面53または57
のどちらかあるいはその両方に塗布する。次に、
放熱部材19を基板11上に配置し、放熱部材の
内面とチツプの表面57が物質21を介して接触
すると、物質21の表面張力の作用により放熱部
材の内面とチツプの表面57の間に吸引力が働
き、柔軟基板を取り付けたチツプを「持ち上げ
て」、放熱部材の内面と接触させる。上記のよう
に、このような密封中にチツプ17を高くした位
置に配置すると、放熱部材と下方の基板部材の間
の圧縮によつて起こる恐れのある損傷が防止され
る。やはり本明細書に記載する他の部品(すなわ
ち、柔軟な回路付き基板15)を用いるとき、本
明細書に記載する種類のチツプを上記の高くなつ
た位置に維持するには、約0.5グラムないし約1.5
グラム、理想的には約1.0グラムの範囲の吸引力
Fが必要なことが決定されている。
した液体の形でチツプ17の表面57に塗布する
が、上記のように、組立て後は(したがつて、パ
ツケージの動作中も)固体の形をとることにな
る。物質21は、オイルであれワツクスであれ、
パツケージ10の組立て中、放熱部材19を第1
の基板11に密封する前に、表面53または57
のどちらかあるいはその両方に塗布する。次に、
放熱部材19を基板11上に配置し、放熱部材の
内面とチツプの表面57が物質21を介して接触
すると、物質21の表面張力の作用により放熱部
材の内面とチツプの表面57の間に吸引力が働
き、柔軟基板を取り付けたチツプを「持ち上げ
て」、放熱部材の内面と接触させる。上記のよう
に、このような密封中にチツプ17を高くした位
置に配置すると、放熱部材と下方の基板部材の間
の圧縮によつて起こる恐れのある損傷が防止され
る。やはり本明細書に記載する他の部品(すなわ
ち、柔軟な回路付き基板15)を用いるとき、本
明細書に記載する種類のチツプを上記の高くなつ
た位置に維持するには、約0.5グラムないし約1.5
グラム、理想的には約1.0グラムの範囲の吸引力
Fが必要なことが決定されている。
第2図に示すように、物質21は、液状のと
き、チツプ17と放熱部材19の間にメニスカス
を形成する。やはり第2図に示すように、このメ
ニスカスは、チツプの周辺上縁部の周りで凹形の
形をとる。本明細書に記載するような十分な吸引
力を保証するため、この形が必要と思われる。上
記の表面張力及びそれによる吸引力を発生するの
に十分と思われる液状物質21の量は、チツプ1
7の縁部の約2ミクロンのギヤツプ(寸法「d」)
を充填するのに十分な量である。すなわち、チツ
プ17の周囲全体及び表面53上の隣接する当該
位置の周りのこの外縁部の間隔「d」は、約2ミ
クロンである。(上記のCMOSチツプ及びポリイ
ミド基板を使用する)1実施例では、液状物質の
量として0.1マイクロリツトルが妥当なことが決
定された。
き、チツプ17と放熱部材19の間にメニスカス
を形成する。やはり第2図に示すように、このメ
ニスカスは、チツプの周辺上縁部の周りで凹形の
形をとる。本明細書に記載するような十分な吸引
力を保証するため、この形が必要と思われる。上
記の表面張力及びそれによる吸引力を発生するの
に十分と思われる液状物質21の量は、チツプ1
7の縁部の約2ミクロンのギヤツプ(寸法「d」)
を充填するのに十分な量である。すなわち、チツ
プ17の周囲全体及び表面53上の隣接する当該
位置の周りのこの外縁部の間隔「d」は、約2ミ
クロンである。(上記のCMOSチツプ及びポリイ
ミド基板を使用する)1実施例では、液状物質の
量として0.1マイクロリツトルが妥当なことが決
定された。
上記のシリコン挿入片55を使い、この挿入片
中に複数の毛細管スロツトを設けると、チツプ1
7と放熱部材19の間の吸引力がさらに増強され
る。この毛細管スロツトは、本発明の好ましい実
施例では、縦長の形であり、挿入片の曲線状表面
53を横切つてほぼ平行な向きに走つている。第
2図に示すように、本発明では、スロツト63
が、見る人に向かつて、見る人から所期の長さだ
け離れて走つている。スロツト63は、挿入片5
5内で、それぞれチツプ17の外のり寸法を約
2.5mmだけ上回るのに十分な全長をもつことが好
ましい。その上、各スロツトは、約1または2ミ
クロンの外側幅をもつことが好ましい。これらの
比較的小さな寸法をもつスロツトを設けるには、
上記のシリコン挿入片を使用することが望まし
い。金属(銅やアルミニウムなど)製の放熱部材
内に上記寸法のスロツトを設けることは、簡単に
は可能でない。周知の手段(はんだなど)を用い
て、放熱部材19内部に挿入片55を固定して配
置する。
中に複数の毛細管スロツトを設けると、チツプ1
7と放熱部材19の間の吸引力がさらに増強され
る。この毛細管スロツトは、本発明の好ましい実
施例では、縦長の形であり、挿入片の曲線状表面
53を横切つてほぼ平行な向きに走つている。第
2図に示すように、本発明では、スロツト63
が、見る人に向かつて、見る人から所期の長さだ
け離れて走つている。スロツト63は、挿入片5
5内で、それぞれチツプ17の外のり寸法を約
2.5mmだけ上回るのに十分な全長をもつことが好
ましい。その上、各スロツトは、約1または2ミ
クロンの外側幅をもつことが好ましい。これらの
比較的小さな寸法をもつスロツトを設けるには、
上記のシリコン挿入片を使用することが望まし
い。金属(銅やアルミニウムなど)製の放熱部材
内に上記寸法のスロツトを設けることは、簡単に
は可能でない。周知の手段(はんだなど)を用い
て、放熱部材19内部に挿入片55を固定して配
置する。
チツプ17と本発明の放熱部材の間で正の吸引
力を確保するため、シリコン挿入片55の曲線状
表面53は、それに沿つた液状物質21の表面張
力を増大させるのに十分な粗面度特性をもつてい
ることが好ましい。この粗面度は約1.0ミクロン
未満であることが好ましい。
力を確保するため、シリコン挿入片55の曲線状
表面53は、それに沿つた液状物質21の表面張
力を増大させるのに十分な粗面度特性をもつてい
ることが好ましい。この粗面度は約1.0ミクロン
未満であることが好ましい。
以上、パツケージの電子デバイス(半導体チツ
プ)をパツケージの放熱が改善されるユニークな
やり方で、パツケージの放熱部材に直接接触させ
て維持するという、電子パツケージを示し説明し
てきた。さらに、本発明は、本明細書に記載した
ように、比較的脆い半導体チツプに対する損傷を
防止しながら、このようなパツケージの製造を容
易にする。
プ)をパツケージの放熱が改善されるユニークな
やり方で、パツケージの放熱部材に直接接触させ
て維持するという、電子パツケージを示し説明し
てきた。さらに、本発明は、本明細書に記載した
ように、比較的脆い半導体チツプに対する損傷を
防止しながら、このようなパツケージの製造を容
易にする。
F 発明の効果
本発明の構造によれば、ヒートシンクを直接チ
ツプに接触させる場合に生じるチツプ損傷の問題
を生じることなく、安全確実に組み立てることが
でき、しかも高効率の放熱作用を実現できる。
ツプに接触させる場合に生じるチツプ損傷の問題
を生じることなく、安全確実に組み立てることが
でき、しかも高効率の放熱作用を実現できる。
第1図は、本発明の好ましい実施例による電子
パツケージの側面断面図である。第2図は、チツ
プと放熱カバーの間の直接接続をより明確に示す
第1図のパツケージの部分拡大図である。第3図
は、柔軟な回路付き基板の内部リード線をチツプ
の底面に電気的に接続する方式を示す部分透視図
である。 10……電子パツケージ、11,15……回路
付き基板、13……回路層、17……電子デバイ
ス、19……放熱部材、21……液状物質。
パツケージの側面断面図である。第2図は、チツ
プと放熱カバーの間の直接接続をより明確に示す
第1図のパツケージの部分拡大図である。第3図
は、柔軟な回路付き基板の内部リード線をチツプ
の底面に電気的に接続する方式を示す部分透視図
である。 10……電子パツケージ、11,15……回路
付き基板、13……回路層、17……電子デバイ
ス、19……放熱部材、21……液状物質。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 回路が形成されている第1の基板と、 上記第1の基板の回路に接続された回路を有す
る、柔軟性のある第2の基板と、 第1及び第2の対向した表面を有し、第1の表
面において上記第2の基板の回路と接続されてい
る電子デバイスと、 上記電子デバイスの上記第2の表面と対面する
表面を有する放熱部材と、 上記電子デバイスの上記第2の表面とこれと対
面する上記放熱部材の表面との間に設けられ、表
面張力の作用により上記電子デバイスを上記放熱
部材に吸着させて上記電子デバイスの上記第1の
表面と上記第1の基板の表面との間に所定の間隔
を保つための物質層と、 を有することを特徴とする電子パツケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US182639 | 1988-04-18 | ||
| US07/182,639 US4962416A (en) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | Electronic package with a device positioned above a substrate by suction force between the device and heat sink |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270253A JPH01270253A (ja) | 1989-10-27 |
| JPH0586068B2 true JPH0586068B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=22669383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035205A Granted JPH01270253A (ja) | 1988-04-18 | 1989-02-16 | 電子パツケージ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4962416A (ja) |
| EP (1) | EP0338249B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01270253A (ja) |
| DE (1) | DE68920469T2 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5345107A (en) * | 1989-09-25 | 1994-09-06 | Hitachi, Ltd. | Cooling apparatus for electronic device |
| DE4019091A1 (de) * | 1990-06-15 | 1991-12-19 | Battelle Institut E V | Waermeableitungseinrichtung fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu deren herstellung |
| US5252850A (en) * | 1992-01-27 | 1993-10-12 | Photometrics Ltd. | Apparatus for contouring a semiconductor, light responsive array with a prescribed physical profile |
| TW258829B (ja) * | 1994-01-28 | 1995-10-01 | Ibm | |
| US5923538A (en) * | 1994-10-17 | 1999-07-13 | Lsi Logic Corporation | Support member for mounting a microelectronic circuit package |
| US5614763A (en) * | 1995-03-13 | 1997-03-25 | Zetetic Institute | Methods for improving performance and temperature robustness of optical coupling between solid state light sensors and optical systems |
| US5706171A (en) * | 1995-11-20 | 1998-01-06 | International Business Machines Corporation | Flat plate cooling using a thermal paste retainer |
| US5825087A (en) * | 1996-12-03 | 1998-10-20 | International Business Machines Corporation | Integral mesh flat plate cooling module |
| EP0994645B1 (en) * | 1997-04-04 | 2003-09-24 | Unisys Corporation | Temperature control system for an electronic device in which device temperature is estimated from heater temperature and heat sink temperature |
| US5909056A (en) * | 1997-06-03 | 1999-06-01 | Lsi Logic Corporation | High performance heat spreader for flip chip packages |
| US6037658A (en) * | 1997-10-07 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | Electronic package with heat transfer means |
| FR2771890B1 (fr) * | 1997-11-28 | 2000-02-18 | Thomson Csf | Procede de montage en surface d'un boitier hyperfrequence sur un circuit imprime et boitier et circuit imprime pour la mise en oeuvre du procede |
| DE10035175C1 (de) * | 2000-07-19 | 2002-01-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung von flexiblen Dünnfilmsubstraten |
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| JP6101728B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2017-03-22 | 株式会社フジクラ | ベーパーチャンバー |
| US11335621B2 (en) * | 2016-07-19 | 2022-05-17 | International Business Machines Corporation | Composite thermal interface objects |
| US20230418009A1 (en) * | 2022-06-26 | 2023-12-28 | International Business Machines Corporation | Thermal management of computer hardware modules |
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| NL159818B (nl) * | 1972-04-06 | 1979-03-15 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting, bevattende een flexibele isolerende folie, die aan een zijde is voorzien van metalen geleider- sporen. |
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| US4567505A (en) * | 1983-10-27 | 1986-01-28 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Heat sink and method of attaching heat sink to a semiconductor integrated circuit and the like |
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-
1988
- 1988-04-18 US US07/182,639 patent/US4962416A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1035205A patent/JPH01270253A/ja active Granted
- 1989-03-16 EP EP89104682A patent/EP0338249B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-16 DE DE68920469T patent/DE68920469T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01270253A (ja) | 1989-10-27 |
| EP0338249A3 (en) | 1990-06-13 |
| EP0338249A2 (en) | 1989-10-25 |
| US4962416A (en) | 1990-10-09 |
| EP0338249B1 (en) | 1995-01-11 |
| DE68920469T2 (de) | 1995-07-20 |
| DE68920469D1 (de) | 1995-02-23 |
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