JPH0586685B2 - - Google Patents
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- JPH0586685B2 JPH0586685B2 JP59113591A JP11359184A JPH0586685B2 JP H0586685 B2 JPH0586685 B2 JP H0586685B2 JP 59113591 A JP59113591 A JP 59113591A JP 11359184 A JP11359184 A JP 11359184A JP H0586685 B2 JPH0586685 B2 JP H0586685B2
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- collector
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
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- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の背景と目的］
本発明は光受信回路に係り、特に出力電圧を温
度、電圧に依存しない安定なものとするのに好適
な光受信回路に関するものである。
度、電圧に依存しない安定なものとするのに好適
な光受信回路に関するものである。
従来の光受信回路に使用されている増幅器の一
例を第１図に示す。トランジスタQ1のエミツタ
はダイオードＤを介して接地してあり、トランジ
スタQ1は、負荷抵抗RLを含めてエミツタ接地回
路として動作するようにしてある。トランジスタ
Q2はコレクタ接地（エミツタフオロワ）回路を
構成しており、出力インピーダンスを下げて抵抗
RFによる帰還ループへの影響を小さくしている。
トランジスタQ1，Q2、ダイオードＤ、抵抗RL，
RF，REからなる増幅部は、いわゆるトランスイ
ンピーダンス形増幅回路を構成しており、低入力
インピーダンスであため、効率のよい電流−電圧
変換回路として受光素子PDと組合せて光受信回
路として使用されている。なお、ダイオードＤ
は、出力電位を上げて次段との接続を行いやすく
する働きをもつている。
例を第１図に示す。トランジスタQ1のエミツタ
はダイオードＤを介して接地してあり、トランジ
スタQ1は、負荷抵抗RLを含めてエミツタ接地回
路として動作するようにしてある。トランジスタ
Q2はコレクタ接地（エミツタフオロワ）回路を
構成しており、出力インピーダンスを下げて抵抗
RFによる帰還ループへの影響を小さくしている。
トランジスタQ1，Q2、ダイオードＤ、抵抗RL，
RF，REからなる増幅部は、いわゆるトランスイ
ンピーダンス形増幅回路を構成しており、低入力
インピーダンスであため、効率のよい電流−電圧
変換回路として受光素子PDと組合せて光受信回
路として使用されている。なお、ダイオードＤ
は、出力電位を上げて次段との接続を行いやすく
する働きをもつている。
さて、光入力がない場合の出力電圧V1は、次
式で表わされる。
式で表わされる。
V1＝VBE1＋VF＋IB1RF ……(1)
ここに、
VBE1；トランジスタQ1のベース・エミツタ間
電圧 IB1；トランジスタQ1のベース電流 VF；ダイオードＤの電圧降下 RF；抵抗RFの抵抗値 次に、トランジスタQ1のコレクタ電流IC1を求
めると、 IC1＝｛VCC−（VBE2＋V1）｝／RL ……(2) ここに、VCC；電源電圧 VBE2；トランジスタQ2のベース、エミツタ間
電圧 RL：抵抗RLの抵抗値 となる。ところで、IC1＝IB1・hFE（hFEはトランジ
スタの電流増幅率）であることを考慮して(1)，(2)
式よりV1を求めると、次式となる。
電圧 IB1；トランジスタQ1のベース電流 VF；ダイオードＤの電圧降下 RF；抵抗RFの抵抗値 次に、トランジスタQ1のコレクタ電流IC1を求
めると、 IC1＝｛VCC−（VBE2＋V1）｝／RL ……(2) ここに、VCC；電源電圧 VBE2；トランジスタQ2のベース、エミツタ間
電圧 RL：抵抗RLの抵抗値 となる。ところで、IC1＝IB1・hFE（hFEはトランジ
スタの電流増幅率）であることを考慮して(1)，(2)
式よりV1を求めると、次式となる。
V1＝VBE1＋VF＋RF／hFERL（VCC−VBE2）／１＋RF／hFER
L……(3) ここで、VBE1，VBE2，VFは一般に約−2mv／
degという大きな負の温度係数をもつている上
に、(3)式からわかるように、V1は電源電圧VCCお
よびトランジスタのhFEという基本的な特性に依
存するので、直流的に次段増幅器と接続すると、
特性変動が大きくなり、安定な動作が困難である
という問題を生ずる。
L……(3) ここで、VBE1，VBE2，VFは一般に約−2mv／
degという大きな負の温度係数をもつている上
に、(3)式からわかるように、V1は電源電圧VCCお
よびトランジスタのhFEという基本的な特性に依
存するので、直流的に次段増幅器と接続すると、
特性変動が大きくなり、安定な動作が困難である
という問題を生ずる。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、温度や電源電圧に対して特性
が安定な光受信回路を提供することにある。
的とするところは、温度や電源電圧に対して特性
が安定な光受信回路を提供することにある。
［発明の概要］
本発明の特徴は、光信号を入力して電流に変換
する受光素子と、電流−電圧変換前置増幅回路
と、主増幅回路と、基準電圧発生回路とを、共通
電源VCCに接続することにより従続配置して成
り、前記受光素子は一端が共通電源VCCに、他端
は電流−電圧変換前置増幅回路を構成するトラン
ジスタQ1のベースに入力として接続されており、
前記電流−電圧変換前置増幅回路は、トランジス
タQ1のエミツタがダイオードを介して接地され、
トランジスタQ1のコレクタがPNPトランジスタ
Q5のコレクタと接続され、PNPトランジスタQ5
のエミツタが抵抗R2を介して共通電源VCCに接続
されることによりPNPトランジスタQ5を能動負
荷としたエミツタ接地回路を構成する第１のエミ
ツタ接地回路と、トランジスタQ2のコレクタが
共通電源VCCに接続され、トランジスタQ2のベー
スが第１のエミツタ接地回路のコレクタと接続す
ることにより第１のコレクタ接地回路を構成して
おり、第１のコレクタ接地回路の出力であるトラ
ンジスタQ2のエミツタを第１のエミツタ接地回
路の入力端であるトランジスタQ1のベースに抵
抗R1を介して接地することにより帰還回路を構
成することにより、電流−電圧変換前置増幅回路
を構成しており、前記主増幅回路は、第２のエミ
ツタ接地回路と第２のコレクタ接地回路は、トラ
ンジスタQ6のエミツタがダイオードを介して接
地され、トランジスタQ6のコレクタがPNPトラ
ンジスタQ10のコレクタと接地され、PNPトラン
ジスタQ10のエミツタが抵抗5を介して共通電源
VCCに接地されることによりPNPトランジスタ
Q10を能動負荷とした回路を構成しており、第２
のコレクタ接地回路は、トランジスタQ7のコレ
クタが共通電源VCCに接続され、トランジスタQ7
のベースが第２のエミツタ接地回路のコレクタに
接続されており、トランジスタQ7のエミツタが
出力端として取り出されると共に抵抗R4を介し
て第２のエミツタ接地回路の入力端であるトラン
ジスタQ6のベースに接続されることにより帰還
回路を構成しており、前記電流−電圧変換前置増
幅回路の出力端であるトランジスタQ2のエミツ
タと、前記主増幅回路の入力端であるトランジス
タQ6のベースが抵抗R3を介して接続されており、
前記基準電圧発生回路は、トランジスタQ11のエ
ミツタが抵抗R7を介して共通電源VCCに接続さ
れ、トランジスタQ11のコレクタはトランジスタ
Q11のベースに接続すると共に抵抗R6を介して接
地することにより基準電圧を発生するもので、出
力端であるトランジスタQ11のベースは前記電流
−電圧変換前置増幅回路及び前記主増幅回路の
PNPトランジスタQ5及びQ10のベースに夫々接続
され、各PNPトランジスタQ5，Q10の動作電流を
決定するよう構成されており、前記抵抗R1，R2，
R3，R4，R5，R7の値が、 R2＝R1／R3・R5R4／R3＝−dVBE6／dT／Ｋ／ｑlnR5／R7 （但し、VBE6はトランジスタQ6のベース、エ
ミツタ間電圧、Ｋはボルツマン定数、ｑは電子の
電荷量、Ｔは絶対温度。）の関係式を満たすよう
に設定されていることを特徴とする光受信回路に
ある。
する受光素子と、電流−電圧変換前置増幅回路
と、主増幅回路と、基準電圧発生回路とを、共通
電源VCCに接続することにより従続配置して成
り、前記受光素子は一端が共通電源VCCに、他端
は電流−電圧変換前置増幅回路を構成するトラン
ジスタQ1のベースに入力として接続されており、
前記電流−電圧変換前置増幅回路は、トランジス
タQ1のエミツタがダイオードを介して接地され、
トランジスタQ1のコレクタがPNPトランジスタ
Q5のコレクタと接続され、PNPトランジスタQ5
のエミツタが抵抗R2を介して共通電源VCCに接続
されることによりPNPトランジスタQ5を能動負
荷としたエミツタ接地回路を構成する第１のエミ
ツタ接地回路と、トランジスタQ2のコレクタが
共通電源VCCに接続され、トランジスタQ2のベー
スが第１のエミツタ接地回路のコレクタと接続す
ることにより第１のコレクタ接地回路を構成して
おり、第１のコレクタ接地回路の出力であるトラ
ンジスタQ2のエミツタを第１のエミツタ接地回
路の入力端であるトランジスタQ1のベースに抵
抗R1を介して接地することにより帰還回路を構
成することにより、電流−電圧変換前置増幅回路
を構成しており、前記主増幅回路は、第２のエミ
ツタ接地回路と第２のコレクタ接地回路は、トラ
ンジスタQ6のエミツタがダイオードを介して接
地され、トランジスタQ6のコレクタがPNPトラ
ンジスタQ10のコレクタと接地され、PNPトラン
ジスタQ10のエミツタが抵抗5を介して共通電源
VCCに接地されることによりPNPトランジスタ
Q10を能動負荷とした回路を構成しており、第２
のコレクタ接地回路は、トランジスタQ7のコレ
クタが共通電源VCCに接続され、トランジスタQ7
のベースが第２のエミツタ接地回路のコレクタに
接続されており、トランジスタQ7のエミツタが
出力端として取り出されると共に抵抗R4を介し
て第２のエミツタ接地回路の入力端であるトラン
ジスタQ6のベースに接続されることにより帰還
回路を構成しており、前記電流−電圧変換前置増
幅回路の出力端であるトランジスタQ2のエミツ
タと、前記主増幅回路の入力端であるトランジス
タQ6のベースが抵抗R3を介して接続されており、
前記基準電圧発生回路は、トランジスタQ11のエ
ミツタが抵抗R7を介して共通電源VCCに接続さ
れ、トランジスタQ11のコレクタはトランジスタ
Q11のベースに接続すると共に抵抗R6を介して接
地することにより基準電圧を発生するもので、出
力端であるトランジスタQ11のベースは前記電流
−電圧変換前置増幅回路及び前記主増幅回路の
PNPトランジスタQ5及びQ10のベースに夫々接続
され、各PNPトランジスタQ5，Q10の動作電流を
決定するよう構成されており、前記抵抗R1，R2，
R3，R4，R5，R7の値が、 R2＝R1／R3・R5R4／R3＝−dVBE6／dT／Ｋ／ｑlnR5／R7 （但し、VBE6はトランジスタQ6のベース、エ
ミツタ間電圧、Ｋはボルツマン定数、ｑは電子の
電荷量、Ｔは絶対温度。）の関係式を満たすよう
に設定されていることを特徴とする光受信回路に
ある。
［実施例］
以下本発明を第２図に示した実施例を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図は本発明の光受信回路の一実施例を示す
回路図である。第２図において、トランジスタ
Q1〜Q5、抵抗R1，R2からなる回路部１は、受光
素子PDで受けた光信号を電圧に変換する働きを
する電流−電圧変換前置増幅回路である。トラン
ジスタQ6〜Q10、抵抗R4，R5からなる回路部２
は、主増幅回路で回路部１と抵抗R3を介して接
続してある。また、トランジスタQ11，抵抗R6，
R7からなる回路部３は、トランジスタQ5，Q10の
動作電流を決定する基準電圧発生回路である。
回路図である。第２図において、トランジスタ
Q1〜Q5、抵抗R1，R2からなる回路部１は、受光
素子PDで受けた光信号を電圧に変換する働きを
する電流−電圧変換前置増幅回路である。トラン
ジスタQ6〜Q10、抵抗R4，R5からなる回路部２
は、主増幅回路で回路部１と抵抗R3を介して接
続してある。また、トランジスタQ11，抵抗R6，
R7からなる回路部３は、トランジスタQ5，Q10の
動作電流を決定する基準電圧発生回路である。
トランジスタQ5，Q10は、PNPトランジスタを
用いてあり、定電流源として使用してあり、それ
ぞれトランジスタQ1，Q6の能動負荷として動作
する。なお、回路部１は、エミツタにダイオード
（第２図ではトランジスタQ3が用いてあり、第１
図のダイオードＤと同じ作用をする）を接続し、
コレクタにPNPトランジスタQ5のコレクタを接
続してPNPトランジスタQ5を能動負荷としてト
ランジスタQ1からなるエミツタ接地回路とトラ
ンジスタQ2からなるコレクタ接地回路とを接続
し、このコレクタ接地回路の出力を上記エミツタ
接地回路の入力側に抵抗R1からなる帰還回路を
介して帰還するようにしてある。回路部２も同様
で、エミツタにダイオード（第２図ではトランジ
スタQ8）を接続し、コレクタにPNPトランジス
タQ10のコレクタを接続してPNPトランジスタ
Q10を能動負荷としたトランジスタQ6からなるエ
ミツタ接地回路とトランジスタQ7からなるコレ
クタ接地回路とを接続し、このコレクタ接地回路
の出力を上記エミツタ接地回路の入力側に抵抗
R4からなる帰還回路を介して帰還するようにし
てある。
用いてあり、定電流源として使用してあり、それ
ぞれトランジスタQ1，Q6の能動負荷として動作
する。なお、回路部１は、エミツタにダイオード
（第２図ではトランジスタQ3が用いてあり、第１
図のダイオードＤと同じ作用をする）を接続し、
コレクタにPNPトランジスタQ5のコレクタを接
続してPNPトランジスタQ5を能動負荷としてト
ランジスタQ1からなるエミツタ接地回路とトラ
ンジスタQ2からなるコレクタ接地回路とを接続
し、このコレクタ接地回路の出力を上記エミツタ
接地回路の入力側に抵抗R1からなる帰還回路を
介して帰還するようにしてある。回路部２も同様
で、エミツタにダイオード（第２図ではトランジ
スタQ8）を接続し、コレクタにPNPトランジス
タQ10のコレクタを接続してPNPトランジスタ
Q10を能動負荷としたトランジスタQ6からなるエ
ミツタ接地回路とトランジスタQ7からなるコレ
クタ接地回路とを接続し、このコレクタ接地回路
の出力を上記エミツタ接地回路の入力側に抵抗
R4からなる帰還回路を介して帰還するようにし
てある。
次に、第２図の回路の動作を式を用いて説明す
る。ただし、計算で次のことを仮定する。各トラ
ンジスタの電流増幅率は同一であるものとし、こ
れをhFEとする。また、各抵抗は温度依存性がな
いものとする。これらは集積回路内では容易に成
立する条件であり、妥当なものである。なお、ト
ランジスタQ1〜Q11のベース電流はIB1〜IB11のよ
うに、また、コレクタ電流はIC1〜IC11、また、ベ
ース・エミツタ間電圧はVBE1〜VBE11のように表
示する。また、各抵抗の抵抗値は各抵抗を示す符
号がそれを示すものとする。
る。ただし、計算で次のことを仮定する。各トラ
ンジスタの電流増幅率は同一であるものとし、こ
れをhFEとする。また、各抵抗は温度依存性がな
いものとする。これらは集積回路内では容易に成
立する条件であり、妥当なものである。なお、ト
ランジスタQ1〜Q11のベース電流はIB1〜IB11のよ
うに、また、コレクタ電流はIC1〜IC11、また、ベ
ース・エミツタ間電圧はVBE1〜VBE11のように表
示する。また、各抵抗の抵抗値は各抵抗を示す符
号がそれを示すものとする。
まず、トランジスタQ11の動作電流I0は、次式
で表わされる。
で表わされる。
I0＝（VCC−VBE11）／（R6＋R7） ……(4)
したがつて、PNPトランジスタQ5，Q10のコレ
クタ電流IC5，IC10は、次式で表わされる。
クタ電流IC5，IC10は、次式で表わされる。
IC5＝IC1＝IC2＝IC3＝IC4＝I0×R7／R2……(5)
IC10＝IC6＝IC7＝IC8＝IC9＝I0×R7／R5 ……(6)
次に、トランジスタQ6のベース電流IB6は、第
２図に示してある電流I2とI1との差であるから、
次式で表わされる。
２図に示してある電流I2とI1との差であるから、
次式で表わされる。
IB6＝I2−I1＝V3−V2／R4−V2−V1／R3 ……(7)
ここで、
V1＝VBE1＋VBE3＋IB1R1＝2VBE1＋IB1R1 ……(8)
V2＝BE6＋VBE8＝2VBE6 ……(9)
また、
VBE6−VBE1＝KT／ｑlnIC6／IC1 ……(10)
（但し、Ｋはボルツマン定数（1.38×10-23）
［Ｊ／Ｋ］、ｑは電子の電荷量（1.60×10-19）
［Ｃ］、Ｔは絶対温度。） (8)〜(10)を(7)式に代入してV3を求めると、 V3＝2VBE6＋R4（IB6−R1／R3IB1）＋２R4／R
3・KT／ｑlnIC6／IC1……(11) ところで、IB6（＝IC6／hFE）とIB1（＝IC1／hFEと
は(5)，(6)式から明らかなように、R5，R2の選び
方で自由に設定できる。いま、 IB6＝R1／R3IB1 すなわち、 R2＝R1／R3・R5 と選ぶと、(11)式は、 V3＝2VBE6＋２R4／R3 KT／ｑlnR5／R7 ……(12) と表わされる。V3を温度Ｔで微分してV3の温度
係数を求めると、 dV3／dT＝２（dVBE6／dT＋R4／R3 Ｋ／ｑlnR5／R7）…
…(13) が得られる。(13)式の第１項は負の温度係数（約
−2mv／deg）をもつのに対し、第２項は正の温
度係数であり、 R4／R3＝−dVBE6／dT／Ｋ／ｑlnR5／R7 ……(14) と選ぶと、V3、すなわち、出力電圧は温度に対
して変動することはない。
［Ｊ／Ｋ］、ｑは電子の電荷量（1.60×10-19）
［Ｃ］、Ｔは絶対温度。） (8)〜(10)を(7)式に代入してV3を求めると、 V3＝2VBE6＋R4（IB6−R1／R3IB1）＋２R4／R
3・KT／ｑlnIC6／IC1……(11) ところで、IB6（＝IC6／hFE）とIB1（＝IC1／hFEと
は(5)，(6)式から明らかなように、R5，R2の選び
方で自由に設定できる。いま、 IB6＝R1／R3IB1 すなわち、 R2＝R1／R3・R5 と選ぶと、(11)式は、 V3＝2VBE6＋２R4／R3 KT／ｑlnR5／R7 ……(12) と表わされる。V3を温度Ｔで微分してV3の温度
係数を求めると、 dV3／dT＝２（dVBE6／dT＋R4／R3 Ｋ／ｑlnR5／R7）…
…(13) が得られる。(13)式の第１項は負の温度係数（約
−2mv／deg）をもつのに対し、第２項は正の温
度係数であり、 R4／R3＝−dVBE6／dT／Ｋ／ｑlnR5／R7 ……(14) と選ぶと、V3、すなわち、出力電圧は温度に対
して変動することはない。
また、(12)式のVBE6を、
VBE6＝KT／ｑlnIC／IS ……(15)
ここに、IS；逆方向飽和電流
に置き換えると、
IC6＝R5／R2−VCC−VBE3／R6＋R7 ……(16)
であるから、V3は電源電圧依存性を有する。し
かし、その値は極めて小さく、IC6を100μAとし
た場合のV3の変動は、VCCが5Vから10％変動し
てもV3の変動分は20mv以内であり、全く問題と
ならない値である。したがつて、第２図の回路に
よれば、出力電圧V3が温度および電源電圧に依
存せず、安定に動作する。
かし、その値は極めて小さく、IC6を100μAとし
た場合のV3の変動は、VCCが5Vから10％変動し
てもV3の変動分は20mv以内であり、全く問題と
ならない値である。したがつて、第２図の回路に
よれば、出力電圧V3が温度および電源電圧に依
存せず、安定に動作する。
なお、第２図の回路の受光素子PDにPINの光入
力が入射した場合の出力電圧はPIN・R1・R4／R3
で表わされる。
力が入射した場合の出力電圧はPIN・R1・R4／R3
で表わされる。
そして、トランジスタのhFE，VBEが全体的に変
動しても、その比率が一定であれば、やはり出力
電圧V3が温度、電源電圧に依存せず安定である
ので、集積回路として実現しやすい。
動しても、その比率が一定であれば、やはり出力
電圧V3が温度、電源電圧に依存せず安定である
ので、集積回路として実現しやすい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、出力電
圧が温度や電源電圧に依存せず、温度や電源電圧
に対して特性が安定的なものにできるという効果
がある。
圧が温度や電源電圧に依存せず、温度や電源電圧
に対して特性が安定的なものにできるという効果
がある。
第１図は従来の光受信回路の増幅器の一例を示
す回路図、第２図は本発明の光受信回路の一実施
例を示す回路図である。 １……電流−電圧変換前置増幅回路、２……主
増幅回路、３……基準電圧発生回路、Q1〜Q4，
Q6〜Q9，Q11……トランジスタ、Q5，Q10……
PNPトランジスタ、R1〜R7……抵抗。
す回路図、第２図は本発明の光受信回路の一実施
例を示す回路図である。 １……電流−電圧変換前置増幅回路、２……主
増幅回路、３……基準電圧発生回路、Q1〜Q4，
Q6〜Q9，Q11……トランジスタ、Q5，Q10……
PNPトランジスタ、R1〜R7……抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光信号を入力して電流に変換する受光素子
と、電流−電圧変換前置増幅回路と、主増幅回路
と、基準電圧発生回路とを、共通電源VCCに接続
することにより従属配置して成り、前記受光素子
は一端が共通電源VCCに、他端は電流−電圧変換
前置増幅回路を構成するトランジスタQ1のベー
スに入力として接続されており、前記電流−電圧
変換前置増幅回路は、トランジスタQ1のエミツ
タがダイオードを介して接地され、トランジスタ
Q1のコレクタがPNPトランジスタQ5のコレクタ
と接続され、PNPトランジスタQ5のエミツタが
抵抗R2を介して共通電源VCCに接続されることに
よりPNPトランジスタQ5を能動負荷としたエミ
ツタ接地回路を構成する第１のエミツタ接地回路
と、トランジスタQ2のコレクタが共通電源VCCに
接続され、トランジスタQ2のベースが第１のエ
ミツタ接地回路のコレクタと接続することにより
第１のコレクタ接地回路を構成しており、第１の
コレクタ接地回路の出力であるトランジスタQ2
のエミツタを第１のエミツタ接地回路の入力端で
あるトランジスタQ1のベースに抵抗R1を介して
接地することにより帰還回路を構成することに
り、電流−電圧変換前置増幅回路を構成してお
り、前記主増幅回路は、第２のエミツタ接地回路
と第２のコレクタ接地回路とより構成されてお
り、第２のエミツタ接地回路は、トランジスタ
Q6のエミツタがダイオードを介して接地され、
トランジスタQ6のコレクタがPNPトランジスタ
Q10のコレクタと接地され、PNPトランジスタ
Q10のエミツタが抵抗R5を介して共通電源VCCに
接地されることによりPNPトランジスタQ10を能
動負荷とした回路を構成しており、第２のコレク
タ接地回路は、トランジスタQ7のコレクタが共
通電源VCCに接続され、トランジスタQ7のベース
が第２のエミツタ接地回路のコレクタに接続され
ており、トランジスタQ7のエミツタが出力端と
して取り出されると共に抵抗R4を介して第２の
エミツタ接地回路の入力端であるトランジスタ
Q6のベースに接続されることにより帰還回路を
構成しており、前記電流−電圧変換前置増幅回路
の出力端であるトランジスタQ2のエミツタと、
前記主増幅回路の入力端であるトランジスタQ6
のベースが抵抗R3を介して接続されており、前
記基準電圧発生回路は、トランジスタQ11のエミ
ツタが抵抗R7を介して共通電源VCCに接続され、
トランジスタQ11のコレクタはトランジスタQ11
のベースに接続すると共に抵抗R6を介して接地
することにより基準電圧を発生するもので、出力
端であるトランジスタQ11のベースは前記電流−
電圧変換前置増幅回路及び前記主増幅回路の
PNPトランジスタQ5及びQ10のベースに夫々接続
され、各PNPトランジスタQ5，Q10の動作電流を
決定するよう構成されており、前記抵抗R1，R2，
R3，R4，R5，R7の値が、R2 ＝R1／R3・R5R4／R3＝−dVBE6／dT／Ｋ／ｑlnR5／R7 （但し、VBE6 はトランジスタQ6のベース、エ
ミツタ間電圧、Ｋはボルツマン定数、ｑは電子の
電荷量、Ｔは絶対温度。）の関係式を満たすよう
に設定されていることを特徴とする光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113591A JPS60257631A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113591A JPS60257631A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 光受信回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257631A JPS60257631A (ja) | 1985-12-19 |
| JPH0586685B2 true JPH0586685B2 (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=14616093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113591A Granted JPS60257631A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257631A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2573344B2 (ja) * | 1989-01-30 | 1997-01-22 | 沖電気工業株式会社 | 電流・電圧変換回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182906A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-26 | Hitachi Cable Ltd | 光受信器用前置増幅回路 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP59113591A patent/JPS60257631A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60257631A (ja) | 1985-12-19 |
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