JPH0586850B2 - - Google Patents
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- JPH0586850B2 JPH0586850B2 JP60108704A JP10870485A JPH0586850B2 JP H0586850 B2 JPH0586850 B2 JP H0586850B2 JP 60108704 A JP60108704 A JP 60108704A JP 10870485 A JP10870485 A JP 10870485A JP H0586850 B2 JPH0586850 B2 JP H0586850B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- pattern
- deflector
- deflection
- sample stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、荷電ビーム露光方法に係わり、特に
大偏向と小偏向との２種の偏向を利用した荷電ビ
ーム露光方法に関する。
大偏向と小偏向との２種の偏向を利用した荷電ビ
ーム露光方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
電子ビーム露光方法において、電子ビームを偏
向によつて位置決めを行うためのDA変換器のセ
トリング時間は、スループツトに多大な影響を与
える。セトリング時間を短縮するために、大偏向
領域をカバーする主偏向用高速DA変換器と、小
偏向領域のための副偏向用高速DA変換器とを用
い、主副２段偏向を行う方法は、非常に効果のあ
る方法である。この方法は、文献（E.V，Weber
and R.D.Moore，J.Vac，Sci.Technol，16，
1780（1979））に見られるように、電子ビーム露光
装置EL−２（商品名）で実用化した。この装置の
発表以降に発表された可変成形ビームを用いた電
子ビーム露光装置の大部分はこの方法を用いてい
ることからも、この方法の有効性が実証されてい
る。
向によつて位置決めを行うためのDA変換器のセ
トリング時間は、スループツトに多大な影響を与
える。セトリング時間を短縮するために、大偏向
領域をカバーする主偏向用高速DA変換器と、小
偏向領域のための副偏向用高速DA変換器とを用
い、主副２段偏向を行う方法は、非常に効果のあ
る方法である。この方法は、文献（E.V，Weber
and R.D.Moore，J.Vac，Sci.Technol，16，
1780（1979））に見られるように、電子ビーム露光
装置EL−２（商品名）で実用化した。この装置の
発表以降に発表された可変成形ビームを用いた電
子ビーム露光装置の大部分はこの方法を用いてい
ることからも、この方法の有効性が実証されてい
る。
しかしながら、この種の方法にあつては次のよ
うな問題点があつた。即ち、試料台を停止して露
光する方式であるので、試料台移動に伴う無駄時
間のためスループツトが低い。電子ビーム露光装
置において露光を行うときの試料台の移動時間
は、スループツトに多大な影響を及ぼすことは周
知である。試料台の停止時に露光を行う方法は、
ある露光領域から次の露光領域に移るときの試料
台移動に伴う時間が多大であるため、偏向領域を
大きくして試料台のステツプ＆リピートする時間
を短縮することがスループツト向上のために必要
となつている。
うな問題点があつた。即ち、試料台を停止して露
光する方式であるので、試料台移動に伴う無駄時
間のためスループツトが低い。電子ビーム露光装
置において露光を行うときの試料台の移動時間
は、スループツトに多大な影響を及ぼすことは周
知である。試料台の停止時に露光を行う方法は、
ある露光領域から次の露光領域に移るときの試料
台移動に伴う時間が多大であるため、偏向領域を
大きくして試料台のステツプ＆リピートする時間
を短縮することがスループツト向上のために必要
となつている。
ところが、大偏向を行うには、偏向に伴う収差
や歪み等の影響でパターン精度を向上することが
困難であり、偏向におけるワーキング距離を大き
くとるために、電子ビームの電流密度が低下し
て、その結果スループツトが低下する等の問題が
発生する。一方、試料台の移動中に露光を行う場
合には、試料台の移動に伴う無駄時間はステツプ
＆リピート方式に比べ著しく小さくできる利点が
ある。
や歪み等の影響でパターン精度を向上することが
困難であり、偏向におけるワーキング距離を大き
くとるために、電子ビームの電流密度が低下し
て、その結果スループツトが低下する等の問題が
発生する。一方、試料台の移動中に露光を行う場
合には、試料台の移動に伴う無駄時間はステツプ
＆リピート方式に比べ著しく小さくできる利点が
ある。
これらのことにより、試料台の連続移動中に主
副２段偏向でパターンを描画することが電子ビー
ム露光装置のスループツトを向上する上で非常に
有利なことが判る。しかし、試料台の連続移動中
に主副２段偏向により露光する方式では、副偏向
による小領域内のパターンの露光中に試料台の移
動に伴つて副偏向器の偏向可能範囲外に、小領域
内のパターンが出てしまい、露光ができなくなる
問題を生じる。
副２段偏向でパターンを描画することが電子ビー
ム露光装置のスループツトを向上する上で非常に
有利なことが判る。しかし、試料台の連続移動中
に主副２段偏向により露光する方式では、副偏向
による小領域内のパターンの露光中に試料台の移
動に伴つて副偏向器の偏向可能範囲外に、小領域
内のパターンが出てしまい、露光ができなくなる
問題を生じる。
なお、上記の問題は電子ビームの代わりにイオ
ンビームを用いるイオンビーム露光方法のついて
も同様に言えることである。
ンビームを用いるイオンビーム露光方法のついて
も同様に言えることである。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、試料台の連続移動中
に、主・副２段の偏向によつて高速のパターン描
画を行うことができ、且つ試料台移動に伴う描画
すべきパターンと副偏向可能領域との位置関係の
ずれを補正することができ、スループツトの向上
をはかり得る荷電ビーム露光方法を提供すること
にある。
その目的とするところは、試料台の連続移動中
に、主・副２段の偏向によつて高速のパターン描
画を行うことができ、且つ試料台移動に伴う描画
すべきパターンと副偏向可能領域との位置関係の
ずれを補正することができ、スループツトの向上
をはかり得る荷電ビーム露光方法を提供すること
にある。
本発明の骨子は、試料台の連続移動中に主副２
段の偏向によつて、パターン描画を行う際に、副
偏向領域内のパターン露光中に次に露光すべきパ
ターンが副偏向器の偏向可能領域からはずれた場
合に、副偏向の偏向可能領域を主偏向器により補
正することにある。
段の偏向によつて、パターン描画を行う際に、副
偏向領域内のパターン露光中に次に露光すべきパ
ターンが副偏向器の偏向可能領域からはずれた場
合に、副偏向の偏向可能領域を主偏向器により補
正することにある。
即ち本発明は、ビーム偏向幅の大きな主偏向器
及びビーム偏向幅の小さな副偏向器を用い、試料
が載置された試料台を連続移動しながらベクタ方
式で試料上に所望のパターンを描画する荷重ビー
ム露光方法において、露光すべき領域を前記副偏
向器により偏向可能な小領域に分割して該小領域
毎に順次パターンを描画するに際し、小領域の露
光中に前記試料台の移動により前記副偏向器の偏
向可能領域外に小領域内のパターンが位置したと
き、前記副偏向器による小領域内の露光を中断
し、前記主偏向器によつて荷電ビームの偏向位置
を残パターンが前記副偏向器の偏向可能領域内に
入るように変更した後、中断した残りのパターン
を描画するようにした方法である。
及びビーム偏向幅の小さな副偏向器を用い、試料
が載置された試料台を連続移動しながらベクタ方
式で試料上に所望のパターンを描画する荷重ビー
ム露光方法において、露光すべき領域を前記副偏
向器により偏向可能な小領域に分割して該小領域
毎に順次パターンを描画するに際し、小領域の露
光中に前記試料台の移動により前記副偏向器の偏
向可能領域外に小領域内のパターンが位置したと
き、前記副偏向器による小領域内の露光を中断
し、前記主偏向器によつて荷電ビームの偏向位置
を残パターンが前記副偏向器の偏向可能領域内に
入るように変更した後、中断した残りのパターン
を描画するようにした方法である。
本発明によれば、試料台移動により描画すべき
パターンが副偏向可能領域外に位置したとして
も、主偏向器によりビームの偏向位置を補正する
ことにより、上記パターンを副偏向可能領域内に
位置させることができる。このため、描画パター
ンの副偏向可能領域オーバーによる描画中の試料
台移動速度の制限がなくなり、荷重ビーム露光装
置のスループツトの向上をはかり得る。特に、副
偏向領域毎に描画パターン数が大きくばらつくよ
うなLSIパターンについては、スループツト向上
の効果は絶大なものがある。
パターンが副偏向可能領域外に位置したとして
も、主偏向器によりビームの偏向位置を補正する
ことにより、上記パターンを副偏向可能領域内に
位置させることができる。このため、描画パター
ンの副偏向可能領域オーバーによる描画中の試料
台移動速度の制限がなくなり、荷重ビーム露光装
置のスループツトの向上をはかり得る。特に、副
偏向領域毎に描画パターン数が大きくばらつくよ
うなLSIパターンについては、スループツト向上
の効果は絶大なものがある。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子
ビーム露光装置を示す概略構成図である。図中１
０は試料室であり、この試料室１０内には半導体
ウエキ等の試料１１を載置した試料台１２が収容
されている。試料台１２は、計算機３０からの指
令を受けた試料台駆動回路３１によりＸ方向（紙
面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動
される。そして、試料台１２の移動位置はレーザ
測長系３２により測定され、その測定情報が計算
機３０及び後述する偏向制御回路３３に送出され
るものとなつている。
ビーム露光装置を示す概略構成図である。図中１
０は試料室であり、この試料室１０内には半導体
ウエキ等の試料１１を載置した試料台１２が収容
されている。試料台１２は、計算機３０からの指
令を受けた試料台駆動回路３１によりＸ方向（紙
面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動
される。そして、試料台１２の移動位置はレーザ
測長系３２により測定され、その測定情報が計算
機３０及び後述する偏向制御回路３３に送出され
るものとなつている。
一方、試料室１０の上方には、電子銃２１、各
種レンズ２２ａ，〜，２２ｅ、各種偏向器２３，
〜，２６及びビーム成形アパーチヤマスク２７
ａ，２７ｂ等からなる電子光学鏡筒２０が設けら
れている。ここで、偏向器２３は、ビームをON
−OFFするブランキング用偏向板であり、この
偏向板２３にはブランキング制御回路３４からブ
ランキング信号が印加される。偏向器２４には、
アパーチヤマスク２７ａ，２７ｂの光学的なアパ
ーチヤ重なりを利用してビームの寸法を可変制御
するビーム寸法可変用偏向板であり、この偏向板
２４には可変ビーム寸法制御回路３５から偏向信
号が印加される。また、偏向器２５，２６は、ビ
ームを試料上で走査するビーム走査用偏向板であ
り、これらの偏向板２５，２６には偏向制御回路
３３から偏向信号が印加されるものとなつてい
る。
種レンズ２２ａ，〜，２２ｅ、各種偏向器２３，
〜，２６及びビーム成形アパーチヤマスク２７
ａ，２７ｂ等からなる電子光学鏡筒２０が設けら
れている。ここで、偏向器２３は、ビームをON
−OFFするブランキング用偏向板であり、この
偏向板２３にはブランキング制御回路３４からブ
ランキング信号が印加される。偏向器２４には、
アパーチヤマスク２７ａ，２７ｂの光学的なアパ
ーチヤ重なりを利用してビームの寸法を可変制御
するビーム寸法可変用偏向板であり、この偏向板
２４には可変ビーム寸法制御回路３５から偏向信
号が印加される。また、偏向器２５，２６は、ビ
ームを試料上で走査するビーム走査用偏向板であ
り、これらの偏向板２５，２６には偏向制御回路
３３から偏向信号が印加されるものとなつてい
る。
ここで、偏向板２５は、ビームを試料上で大き
く偏向する主偏向板で、偏向板２６はビームを試
料上で小さく偏向する副偏向板である。そして、
主偏向板２５でビーム位置を決定し、副偏向板で
該偏向板２６の偏向可能領域内の領域を描画する
ものとなつている。なお、偏向制御回路３３で
は、上記各偏向板２５，２６に対し高速のDA変
換器を介して偏向電圧を印加するものとなつてい
る。
く偏向する主偏向板で、偏向板２６はビームを試
料上で小さく偏向する副偏向板である。そして、
主偏向板２５でビーム位置を決定し、副偏向板で
該偏向板２６の偏向可能領域内の領域を描画する
ものとなつている。なお、偏向制御回路３３で
は、上記各偏向板２５，２６に対し高速のDA変
換器を介して偏向電圧を印加するものとなつてい
る。
次に、上記構成の露光装置を用いた電子ビーム
露光方法について説明する。
露光方法について説明する。
まず、本実施例における露光方式の基本は、第
２図に示す如く試料１１上を主偏向板２５の偏向
幅で決まる複数のフレーム（フイールド）４１に
分割し、各フイールドを副偏向板２６の偏向幅で
決まる小領域（サブフイールド）４２に分割し、
主偏向板２５によりビームの位置を所定のサブフ
イールドにセツトし、副偏向板２６により該サブ
フイールドを描画する方法である。さらに、この
描画時に試料台１２を連続移動する方法である。
実際には、試料台を一方向（Ｙ方向）に連続移動
しながら、所定のフイールドのサブフイールドを
S1→S2→S3→S4→S5→S6→S7→S8→S9の順に順次
描画していく。
２図に示す如く試料１１上を主偏向板２５の偏向
幅で決まる複数のフレーム（フイールド）４１に
分割し、各フイールドを副偏向板２６の偏向幅で
決まる小領域（サブフイールド）４２に分割し、
主偏向板２５によりビームの位置を所定のサブフ
イールドにセツトし、副偏向板２６により該サブ
フイールドを描画する方法である。さらに、この
描画時に試料台１２を連続移動する方法である。
実際には、試料台を一方向（Ｙ方向）に連続移動
しながら、所定のフイールドのサブフイールドを
S1→S2→S3→S4→S5→S6→S7→S8→S9の順に順次
描画していく。
このような露光方式において、例えばサブフイ
ールド領域S5を描画している状態について、第３
図を参照して詳しく説明する。また、このときの
計算機３０の制御フローを第４図に示しておく。
ールド領域S5を描画している状態について、第３
図を参照して詳しく説明する。また、このときの
計算機３０の制御フローを第４図に示しておく。
まず、主偏向板２５によりビームの主偏向位置
を第３図ａに示す如くA1点にセツトする。この
とき、副偏向板２６の偏向可能領域（図中破線で
囲んだ領域）ＲはサブフイールドS5を全て含んで
いる。次いで、露光すべきパターンP1，P2，〜
PN+Jを順次描画する。パターンP1，P2の描画終了
時点では、第３図ｂに示す如く試料台１２の移動
により副偏向板２６の偏向可能領域Ｒがサブフイ
ールドS5と僅かにずれている。しかし、これ以降
に描画するパターンPI，〜，PN，〜，PN+Jは副偏
向器２６の偏向可能領域Ｒ内に位置しているの
で、次の描画に何等不都合は生じない。
を第３図ａに示す如くA1点にセツトする。この
とき、副偏向板２６の偏向可能領域（図中破線で
囲んだ領域）ＲはサブフイールドS5を全て含んで
いる。次いで、露光すべきパターンP1，P2，〜
PN+Jを順次描画する。パターンP1，P2の描画終了
時点では、第３図ｂに示す如く試料台１２の移動
により副偏向板２６の偏向可能領域Ｒがサブフイ
ールドS5と僅かにずれている。しかし、これ以降
に描画するパターンPI，〜，PN，〜，PN+Jは副偏
向器２６の偏向可能領域Ｒ内に位置しているの
で、次の描画に何等不都合は生じない。
ところが、パターン数が多く試料台１２の移動
にパターン描画が追従できない場合、例えば第３
図ｃに示す如くパターンPIを描画した後にパター
ンPNを描画しようとする場合、描画すべきパタ
ーンPNが副偏向板２６の偏向可能領域Ｒの外に
位置することがある。これが、試料台連続移動方
式の描画を妨げる要因となつていたのである。
にパターン描画が追従できない場合、例えば第３
図ｃに示す如くパターンPIを描画した後にパター
ンPNを描画しようとする場合、描画すべきパタ
ーンPNが副偏向板２６の偏向可能領域Ｒの外に
位置することがある。これが、試料台連続移動方
式の描画を妨げる要因となつていたのである。
そこで本実施例方法では、第３図ｃのような状
態が生じた場合、主偏向板２５によりビームの主
偏向位置をA1点からA2点に再セツトし、第３図
ｄに示す如く描画すべきパターンPNが副偏向板
２６の偏向可能領域R′内に入るようにしている。
このようにすることによつて、パターンPN，〜，
PN+Jを描画することが可能となる。従つて、先と
同様にパターンPN，〜，PN+Jの順に描画すればよ
い。なお、パターンPN，〜，PN+Jの描画中に再び
描画すべきパターンが副偏向板２６の偏向可能領
域を外れた場合、先と同様に主偏向板２５により
ビームの主偏向位置を再セツトすればよい。
態が生じた場合、主偏向板２５によりビームの主
偏向位置をA1点からA2点に再セツトし、第３図
ｄに示す如く描画すべきパターンPNが副偏向板
２６の偏向可能領域R′内に入るようにしている。
このようにすることによつて、パターンPN，〜，
PN+Jを描画することが可能となる。従つて、先と
同様にパターンPN，〜，PN+Jの順に描画すればよ
い。なお、パターンPN，〜，PN+Jの描画中に再び
描画すべきパターンが副偏向板２６の偏向可能領
域を外れた場合、先と同様に主偏向板２５により
ビームの主偏向位置を再セツトすればよい。
かくして本実施例方法によれば、試料台１２を
連続移動しながら、主副２段の偏向によつて、パ
ターンを描画することができる。さらに、試料台
１２の移動によつて描画すべきパターンが副偏向
器２６の偏向可能領域外に位置した場合、主偏向
器２５によりビームの偏向位置を再セツトするこ
とにより、これらのパターンも同様に描画するこ
とができる。つまり、試料台連続移動方式の主副
２段の偏向方式で、LSI等のパターンを効果的に
描画できることになる。このため、試料台１２を
停止してパターンを描画する従来方法に比べ、露
光スループツトの著しい向上をはかり得る。
連続移動しながら、主副２段の偏向によつて、パ
ターンを描画することができる。さらに、試料台
１２の移動によつて描画すべきパターンが副偏向
器２６の偏向可能領域外に位置した場合、主偏向
器２５によりビームの偏向位置を再セツトするこ
とにより、これらのパターンも同様に描画するこ
とができる。つまり、試料台連続移動方式の主副
２段の偏向方式で、LSI等のパターンを効果的に
描画できることになる。このため、試料台１２を
停止してパターンを描画する従来方法に比べ、露
光スループツトの著しい向上をはかり得る。
また、本実施例方法では、サブフイールドのパ
ターンの露光順序を試料台１２の移動方向と同方
向に規定しているので、描画パターンの位置が副
偏向板１６の偏向可能領域の移動に伴つて移動す
ることになり、このため描画すべきパターンの位
置が偏向可能領域外に出る確率が少なくなる。従
つて、主偏向板１５によるビームの再セツト回数
を極力少なくすることができ、これにより露光ス
ループツトのより一層の向上をはかり得る。
ターンの露光順序を試料台１２の移動方向と同方
向に規定しているので、描画パターンの位置が副
偏向板１６の偏向可能領域の移動に伴つて移動す
ることになり、このため描画すべきパターンの位
置が偏向可能領域外に出る確率が少なくなる。従
つて、主偏向板１５によるビームの再セツト回数
を極力少なくすることができ、これにより露光ス
ループツトのより一層の向上をはかり得る。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定され
るものではない。例えば、前記フイールド内のサ
ブフイールドの分割例は第２図に何等限定される
ものではなく、主偏向器及び副偏向器の種類及び
その駆動系（例えばDA変換器）の特性等に応じ
て適宜定めればよい。さらに、サブフイールドの
露光順序も適宜変更可能であるのは、勿論のこと
である。また、本発明方法に使用する露光装置の
構成は前記第１図に何等限定されるものではな
く、試料台を移動するための試料台駆動系及び試
料上でビームを偏向するための主副２段の偏向器
を備えたものであればよい。また、電子ビームの
代りにイオンビームを用いるイオンビーム露光方
法に適用することも可能である。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
るものではない。例えば、前記フイールド内のサ
ブフイールドの分割例は第２図に何等限定される
ものではなく、主偏向器及び副偏向器の種類及び
その駆動系（例えばDA変換器）の特性等に応じ
て適宜定めればよい。さらに、サブフイールドの
露光順序も適宜変更可能であるのは、勿論のこと
である。また、本発明方法に使用する露光装置の
構成は前記第１図に何等限定されるものではな
く、試料台を移動するための試料台駆動系及び試
料上でビームを偏向するための主副２段の偏向器
を備えたものであればよい。また、電子ビームの
代りにイオンビームを用いるイオンビーム露光方
法に適用することも可能である。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子
ビーム露光装置を示す概略構成図、第２図はフイ
ールドとサブフイールドとの関係を表わすための
模式図、第３図ａ〜ｄは上記実施例方法における
描画手順を説明するための模式図、第４図は上記
描画時における計算機の制御フローを示すフロー
チヤートである。 １０……試料室、１１……試料、１２……試料
台、２０……電子光学鏡筒、２１……電子銃、２
２ａ，〜，２２ｅ……レンズ、２３……ブランキ
ング用偏向器、２４……ビーム寸法可変用偏向
器、２５……ビーム走査用偏向板（主偏向器）、
２６……ビーム走査用偏向板（副偏向器、２７
ａ，２７ｂ……アパーチヤマスク、３０……計算
機、３１……試料台駆動回路、３２……レーザ測
長系、３３……偏向制御回路、３４……ブランキ
ング制御回路、３５……可変成形ビーム寸法制御
回路、４１……フイールド、４２……サブフイー
ルド。
ビーム露光装置を示す概略構成図、第２図はフイ
ールドとサブフイールドとの関係を表わすための
模式図、第３図ａ〜ｄは上記実施例方法における
描画手順を説明するための模式図、第４図は上記
描画時における計算機の制御フローを示すフロー
チヤートである。 １０……試料室、１１……試料、１２……試料
台、２０……電子光学鏡筒、２１……電子銃、２
２ａ，〜，２２ｅ……レンズ、２３……ブランキ
ング用偏向器、２４……ビーム寸法可変用偏向
器、２５……ビーム走査用偏向板（主偏向器）、
２６……ビーム走査用偏向板（副偏向器、２７
ａ，２７ｂ……アパーチヤマスク、３０……計算
機、３１……試料台駆動回路、３２……レーザ測
長系、３３……偏向制御回路、３４……ブランキ
ング制御回路、３５……可変成形ビーム寸法制御
回路、４１……フイールド、４２……サブフイー
ルド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ビーム偏向幅の大きな主偏向器及びビーム偏
向幅の小さな副偏向器を用い、試料が載置された
試料台を連続移動しながらベクタ方式で試料上に
所望のパターンを描画する荷重ビーム露光方法に
おいて、露光すべき領域を前記副偏向器により偏
向可能な小領域に分割して該小領域毎に順次パタ
ーンを描画するに際し、小領域の露光中に前記試
料台の移動により前記副偏向器の偏向可能領域外
に小領域内のパターンが位置したとき、前記副偏
向器による小領域内の露光を中断し、前記主偏向
器によつて荷重ビームの偏向位置を残パターンが
前記副偏向器の偏向可能領域内に入るように変更
した後、中断した残りのパターンを描画すること
を特徴とする荷電ビーム露光方法。 ２ 前記小領域内のパターンの露光順序を、前記
試料台の移動方向と同方向に設定したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の荷重ビーム露
光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108704A JPS61267320A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108704A JPS61267320A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267320A JPS61267320A (ja) | 1986-11-26 |
| JPH0586850B2 true JPH0586850B2 (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=14491498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60108704A Granted JPS61267320A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 荷電ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267320A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111945B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1995-11-29 | 東芝機械株式会社 | 荷電ビ−ム描画方法及び描画装置 |
| US4818885A (en) * | 1987-06-30 | 1989-04-04 | International Business Machines Corporation | Electron beam writing method and system using large range deflection in combination with a continuously moving table |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59231810A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-26 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム露光装置 |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP60108704A patent/JPS61267320A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61267320A (ja) | 1986-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |