JPH0588005A - 二酸化珪素薄膜 - Google Patents
二酸化珪素薄膜Info
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 二酸化珪素自体の屈折率に変化を与えること
なく、高温・高湿に対する耐久性を向上する。 【構成】 基板を被覆する低屈折率物質として金属スズ
０．５〜１０重量％含有の二酸化珪素を使用した構成と
する。このように構成することにより、二酸化珪素薄膜
の屈折率に変化を与えることなく、二酸化珪素薄膜の耐
久性が格段に向上され、また、二酸化珪素薄膜は光学的
薄膜としても適合する。
なく、高温・高湿に対する耐久性を向上する。 【構成】 基板を被覆する低屈折率物質として金属スズ
０．５〜１０重量％含有の二酸化珪素を使用した構成と
する。このように構成することにより、二酸化珪素薄膜
の屈折率に変化を与えることなく、二酸化珪素薄膜の耐
久性が格段に向上され、また、二酸化珪素薄膜は光学的
薄膜としても適合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射鏡などの基板を被
覆する二酸化珪素薄膜に関する。
覆する二酸化珪素薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）薄膜
は、アルミニウムを反射面とした基板の保護膜や光学的
多層膜における低屈折率物質として幅広く使用されてい
る。そして、このＳｉＯ2 薄膜を、例えばアルミ鏡の保
護膜として被着させる場合、主として真空蒸着法が採用
され、その蒸着手段として電子ビーム加熱による直接蒸
着、または酸素雰囲気中における抵抗加熱による反応蒸
着などがある。
は、アルミニウムを反射面とした基板の保護膜や光学的
多層膜における低屈折率物質として幅広く使用されてい
る。そして、このＳｉＯ2 薄膜を、例えばアルミ鏡の保
護膜として被着させる場合、主として真空蒸着法が採用
され、その蒸着手段として電子ビーム加熱による直接蒸
着、または酸素雰囲気中における抵抗加熱による反応蒸
着などがある。
【０００３】ところが、上記手段によって成膜されるＳ
ｉＯ2 薄膜は、いずれも以下に示す欠点を有している。
ｉＯ2 薄膜は、いずれも以下に示す欠点を有している。
【０００４】すなわち、図１０に示すように、アルミ鏡
面上に０．２μｍのＳｉＯ2 の保護膜を被着させたもの
と、同じく０．２μｍの酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）薄膜の保護膜を被着させたものとを高温・高湿
（温度５０℃、湿度９０％）の雰囲気中に放置した場
合、両薄膜の最高反射率の変化から明らかなようにＳｉ
Ｏ2 薄膜はＡｌ2 Ｏ3 薄膜に比較して耐湿性に極めて劣
ることが判る。したがって、単なる保護膜としてはＳｉ
Ｏ2 薄膜の代りにＡｌ2 Ｏ3 薄膜を使用することが一応
の改善策として考えられる。
面上に０．２μｍのＳｉＯ2 の保護膜を被着させたもの
と、同じく０．２μｍの酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）薄膜の保護膜を被着させたものとを高温・高湿
（温度５０℃、湿度９０％）の雰囲気中に放置した場
合、両薄膜の最高反射率の変化から明らかなようにＳｉ
Ｏ2 薄膜はＡｌ2 Ｏ3 薄膜に比較して耐湿性に極めて劣
ることが判る。したがって、単なる保護膜としてはＳｉ
Ｏ2 薄膜の代りにＡｌ2 Ｏ3 薄膜を使用することが一応
の改善策として考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ａ
ｌ2 Ｏ3薄膜を低屈折率物質として光学薄膜（特に、コ
ールドミラーやバンドパスフィルタなど）に使用する場
合、Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率が１．６３とＳｉＯ2 の１．４
６に比べてかなり高いため、同じ層数の多層膜であって
もＳｉＯ2 を含む多層膜と比較して反射域の幅・反射率
の低下を招く欠点を有している。
ｌ2 Ｏ3薄膜を低屈折率物質として光学薄膜（特に、コ
ールドミラーやバンドパスフィルタなど）に使用する場
合、Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率が１．６３とＳｉＯ2 の１．４
６に比べてかなり高いため、同じ層数の多層膜であって
もＳｉＯ2 を含む多層膜と比較して反射域の幅・反射率
の低下を招く欠点を有している。
【０００６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、ＳｉＯ2 薄膜の屈折率に変化を与えることなく、し
かもＡｌ2 Ｏ3 薄膜と同程度以上の高温・高湿に対する
耐久性を備えている二酸化珪素薄膜を提供することを目
的とする。
で、ＳｉＯ2 薄膜の屈折率に変化を与えることなく、し
かもＡｌ2 Ｏ3 薄膜と同程度以上の高温・高湿に対する
耐久性を備えている二酸化珪素薄膜を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板を被覆する低屈折率物質として金属
スズ０．５〜１０重量％含有の二酸化珪素を使用したこ
とを特徴とする。
成するために、基板を被覆する低屈折率物質として金属
スズ０．５〜１０重量％含有の二酸化珪素を使用したこ
とを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明は上記のように構成したので、二酸化珪
素薄膜の屈折率に変化を与えることなく、二酸化珪素薄
膜の耐久性が格段に向上される。
素薄膜の屈折率に変化を与えることなく、二酸化珪素薄
膜の耐久性が格段に向上される。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１０】まず、図１に示すように、アルミ鏡面から
なる基板1 に低屈折率物質としての二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）に金属スズ（Ｓｎ）を混合して被着し、その薄膜2
の屈折率について調べた。図２は、ＳｉＯ2とＳｎとの
混合重量比と、それに対応するＳｉＯ2 薄膜2 の屈折率
を示しており、薄膜2 は真空蒸着法により以下に示す蒸
着条件で成膜した。
なる基板1 に低屈折率物質としての二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）に金属スズ（Ｓｎ）を混合して被着し、その薄膜2
の屈折率について調べた。図２は、ＳｉＯ2とＳｎとの
混合重量比と、それに対応するＳｉＯ2 薄膜2 の屈折率
を示しており、薄膜2 は真空蒸着法により以下に示す蒸
着条件で成膜した。
【００１１】(1) 真空度 １×１０-4〜５×１０-4To
rr（1.3 〜 6.7×１０-2Ｐａ） (2) 基板温度 ２５０〜３００℃ (3) 蒸発源 電子ビーム (4) 蒸発剤 ＳｉＯ2 とＳｎの混合物。
rr（1.3 〜 6.7×１０-2Ｐａ） (2) 基板温度 ２５０〜３００℃ (3) 蒸発源 電子ビーム (4) 蒸発剤 ＳｉＯ2 とＳｎの混合物。
【００１２】また、上記蒸着法とは異なる２元蒸着法に
よっても容易に同様のＳｉＯ2 の薄膜2 の被着が行なわ
れる。
よっても容易に同様のＳｉＯ2 の薄膜2 の被着が行なわ
れる。
【００１３】図２に示すように、Ｓｎを含有するＳｉＯ
2 の薄膜2は、添加物であるＳｎの添加量がＳｉＯ2 に
対し１０重量％以下においてはＳｉＯ2 の屈折率１．４
６にほぼ等しい値を示し、屈折率に変化を与えないこと
が判明した。
2 の薄膜2は、添加物であるＳｎの添加量がＳｉＯ2 に
対し１０重量％以下においてはＳｉＯ2 の屈折率１．４
６にほぼ等しい値を示し、屈折率に変化を与えないこと
が判明した。
【００１４】続いて、Ｓｎの添加量が１０重量％以下に
おけるＳｉＯ2 薄膜2 の高温・高湿の環境下の耐久性に
ついて評価し、図３に示す評価結果が得られた。すなわ
ち、図３は、アルミ鏡面からなる基板1 に０．２μｍの
ＳｉＯ2 薄膜2 （添加されるＳｎの量がそれぞれ０．
３、０．５、１、３、７、および１０各重量％）の各保
護膜を成膜したアルミ鏡を高温・高湿（温度５０℃、湿
度９０％）の雰囲気中に放置した場合の膜の最高反射率
の変化を示すものである。
おけるＳｉＯ2 薄膜2 の高温・高湿の環境下の耐久性に
ついて評価し、図３に示す評価結果が得られた。すなわ
ち、図３は、アルミ鏡面からなる基板1 に０．２μｍの
ＳｉＯ2 薄膜2 （添加されるＳｎの量がそれぞれ０．
３、０．５、１、３、７、および１０各重量％）の各保
護膜を成膜したアルミ鏡を高温・高湿（温度５０℃、湿
度９０％）の雰囲気中に放置した場合の膜の最高反射率
の変化を示すものである。
【００１５】図３に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜と比
較し、添加されるＳｎの量が０．３重量％のＳｉＯ2 薄
膜2 の保護膜は、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜の２５０時間に対し
て、２４０時間で反射率が８５％に低下して使用不可と
なり、また、Ｓｎの添加量が０．５〜１０重量％のＳｉ
Ｏ2 保護膜は、０．５重量％でＡｌ2 Ｏ3 保護膜と同程
度の耐久性が得られ、かつ添加量の増量とともに耐久性
が増大することが判明した。
較し、添加されるＳｎの量が０．３重量％のＳｉＯ2 薄
膜2 の保護膜は、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜の２５０時間に対し
て、２４０時間で反射率が８５％に低下して使用不可と
なり、また、Ｓｎの添加量が０．５〜１０重量％のＳｉ
Ｏ2 保護膜は、０．５重量％でＡｌ2 Ｏ3 保護膜と同程
度の耐久性が得られ、かつ添加量の増量とともに耐久性
が増大することが判明した。
【００１６】したがって、Ｓｎの添加量が０．５重量％
未満の場合には、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜と対比して、上記し
たように耐久性の低下が著しくなり、また１０重量％を
上回る場合には屈折率が高くなり、光学的薄膜に使用す
る場合、反射域の幅・反射率の低下を招くこととなる。
このように、ＳｉＯ2 薄膜2 へのＳｎの添加量として
は、０．５〜１０重量％の添加量が好ましい。
未満の場合には、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜と対比して、上記し
たように耐久性の低下が著しくなり、また１０重量％を
上回る場合には屈折率が高くなり、光学的薄膜に使用す
る場合、反射域の幅・反射率の低下を招くこととなる。
このように、ＳｉＯ2 薄膜2 へのＳｎの添加量として
は、０．５〜１０重量％の添加量が好ましい。
【００１７】また、アルミ鏡面からなる基板1 に０．２
μｍのＳｉＯ2 薄膜2 に二酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を添加
（添加されるＳｎＯ2 の量がそれぞれ１、５、１０、お
よび１５各重量％）した各保護膜を有するアルミ鏡を高
温・高湿（温度５０℃、湿度９０％）の雰囲気中に放置
した場合の膜の最高反射率の変化を図４に示す。ここ
で、ＳｉＯ2 薄膜2 にＳｎＯ2 を添加した保護膜は真空
蒸着法により以下に示す蒸着条件で成膜した。
μｍのＳｉＯ2 薄膜2 に二酸化スズ（ＳｎＯ2 ）を添加
（添加されるＳｎＯ2 の量がそれぞれ１、５、１０、お
よび１５各重量％）した各保護膜を有するアルミ鏡を高
温・高湿（温度５０℃、湿度９０％）の雰囲気中に放置
した場合の膜の最高反射率の変化を図４に示す。ここ
で、ＳｉＯ2 薄膜2 にＳｎＯ2 を添加した保護膜は真空
蒸着法により以下に示す蒸着条件で成膜した。
【００１８】(1) 真空度 １×１０-4〜５×１０-4To
rr（1.3 〜 6.7×１０-2Ｐａ） (2) 基板温度 ２５０〜３００℃ (3) 蒸発源 電子ビーム (4) 蒸発剤 ＳｉＯ2 とＳｎＯ2 の混合物。
rr（1.3 〜 6.7×１０-2Ｐａ） (2) 基板温度 ２５０〜３００℃ (3) 蒸発源 電子ビーム (4) 蒸発剤 ＳｉＯ2 とＳｎＯ2 の混合物。
【００１９】図３および図４から明らかなように、Ｓｉ
Ｏ2 薄膜2に金属スズ（Ｓｎ）を添加した保護膜が酸化
スズ（ＳｎＯ2 ）を添加した保護膜より耐久性に優れて
いることが判明した。これは酸化珪素（ＳｉＯ2 ）中に
残存する非架橋酸素の数を金属スズ（Ｓｎ）の方が酸化
スズ（ＳｎＯ2 ）より減少させることができ、化学的に
安定性を向上させるためと推測される。
Ｏ2 薄膜2に金属スズ（Ｓｎ）を添加した保護膜が酸化
スズ（ＳｎＯ2 ）を添加した保護膜より耐久性に優れて
いることが判明した。これは酸化珪素（ＳｉＯ2 ）中に
残存する非架橋酸素の数を金属スズ（Ｓｎ）の方が酸化
スズ（ＳｎＯ2 ）より減少させることができ、化学的に
安定性を向上させるためと推測される。
【００２０】次に、Ｓｎ含有のＳｉＯ2 薄膜2 を低屈折
率物質として光学的薄膜、例えばコールドミラーにおけ
る多層膜に適用した例について、図５乃至図９を参照し
説明する。
率物質として光学的薄膜、例えばコールドミラーにおけ
る多層膜に適用した例について、図５乃至図９を参照し
説明する。
【００２１】図５において、反射基板3 は、例えば硬質
ガラスからなるハロゲンランプ用反射鏡であり、その一
面を拡開させた回転放物状の凹部4 を有している。この
凹部4 の中心には光源となるハロゲンランプ5 が装着さ
れ、さらに凹部4 の内面上には可視光反射赤外線透過膜
である多層膜6 が被着されている。
ガラスからなるハロゲンランプ用反射鏡であり、その一
面を拡開させた回転放物状の凹部4 を有している。この
凹部4 の中心には光源となるハロゲンランプ5 が装着さ
れ、さらに凹部4 の内面上には可視光反射赤外線透過膜
である多層膜6 が被着されている。
【００２２】上記多層膜6 は、Ｓｎ含有のＳｉＯ2 薄膜
2 を低屈折率物質とし、また二酸化チタン（ＴｉＯ2 ：
屈折率２．３１）を高屈折率物質として、これらを交互
に１７層積層して成膜したＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層か
らなっている。この多層膜6は、真空蒸着法により以下
に示す蒸着条件で成膜した。
2 を低屈折率物質とし、また二酸化チタン（ＴｉＯ2 ：
屈折率２．３１）を高屈折率物質として、これらを交互
に１７層積層して成膜したＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層か
らなっている。この多層膜6は、真空蒸着法により以下
に示す蒸着条件で成膜した。
【００２３】(1) 真空度 １×１０-4〜５×１０-4To
rr（1.3 〜 6.7×１０-2Ｐａ） (2) 基板温度 ２５０〜３００℃ (3) 蒸発源 電子ビーム。
rr（1.3 〜 6.7×１０-2Ｐａ） (2) 基板温度 ２５０〜３００℃ (3) 蒸発源 電子ビーム。
【００２４】表１にＳｎを３重量％含有したＳｉＯ2 に
よるＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層、表２にＳｎを含まない
ＳｉＯ2 によるＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層、および表３
に比較例としてＡｌ2 Ｏ3 を低屈折率物質としたＴｉＯ
2 ／Ａｌ2 Ｏ3 交互層の膜構成をそれぞれ示す。これら
の交互膜は上記蒸着条件で成膜されており、これらの交
互膜の分光透過率特性を図６乃至図８に示す。
よるＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層、表２にＳｎを含まない
ＳｉＯ2 によるＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層、および表３
に比較例としてＡｌ2 Ｏ3 を低屈折率物質としたＴｉＯ
2 ／Ａｌ2 Ｏ3 交互層の膜構成をそれぞれ示す。これら
の交互膜は上記蒸着条件で成膜されており、これらの交
互膜の分光透過率特性を図６乃至図８に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】図６乃至図８に示す分光透過率特性から明
らかなように、Ｓｎを３重量％含有したＳｉＯ2 による
ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層の分光透過率特性は、Ｓｎを
含まないＳｉＯ2 によるＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層やＴ
ｉＯ2 ／Ａｌ2Ｏ3 交互層の分光透過率特性とほとんど
光学特性上は差異が認められない。したがって、Ｓｎを
含有したＳｉＯ2 薄膜を光学的薄膜として使用可能なこ
とが判明した。
らかなように、Ｓｎを３重量％含有したＳｉＯ2 による
ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層の分光透過率特性は、Ｓｎを
含まないＳｉＯ2 によるＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層やＴ
ｉＯ2 ／Ａｌ2Ｏ3 交互層の分光透過率特性とほとんど
光学特性上は差異が認められない。したがって、Ｓｎを
含有したＳｉＯ2 薄膜を光学的薄膜として使用可能なこ
とが判明した。
【００２９】また、上記膜構成の各交互層について、以
下の条件でサンシャインウェザーメータテストにより耐
久性の評価を行なった。
下の条件でサンシャインウェザーメータテストにより耐
久性の評価を行なった。
【００３０】(1) 温度 ６３±３℃ (2) 水噴射条件 １２０分照射中に１８分間。
【００３１】上記サンシャインウェザーメータテストに
よる評価結果を図９に示すが、図９から明らかなよう
に、Ｓｎを含有させたＳｉＯ2 薄膜は、ＳｉＯ2 単体の
薄膜やＡｌ2 Ｏ3 薄膜に比べ高温・高湿に対する耐久性
が格段に向上することが認められた。
よる評価結果を図９に示すが、図９から明らかなよう
に、Ｓｎを含有させたＳｉＯ2 薄膜は、ＳｉＯ2 単体の
薄膜やＡｌ2 Ｏ3 薄膜に比べ高温・高湿に対する耐久性
が格段に向上することが認められた。
【００３２】なお、上記実施例では、多層膜の形成方法
を真空蒸着法としたが、これに限らず、イオンプレーテ
ィング法、イオンアシスト法など他の形成方法でもよ
い。
を真空蒸着法としたが、これに限らず、イオンプレーテ
ィング法、イオンアシスト法など他の形成方法でもよ
い。
【００３３】また、上記適用例では、多層膜をコールド
ミラーにおける可視光反射赤外線透過膜に適用した例に
ついて説明したが、これに限らず、例えばハロゲン電球
バルブの外面に形成され可視光を透過し赤外線をフィラ
メントに帰還させる可視光透過赤外線反射膜や特定波長
域の光を選択的に透過または反射させる干渉フィルタ膜
に適用してもよい。
ミラーにおける可視光反射赤外線透過膜に適用した例に
ついて説明したが、これに限らず、例えばハロゲン電球
バルブの外面に形成され可視光を透過し赤外線をフィラ
メントに帰還させる可視光透過赤外線反射膜や特定波長
域の光を選択的に透過または反射させる干渉フィルタ膜
に適用してもよい。
【００３４】また、本発明は上記実施例に限定されるこ
となく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々
変形可能なことは勿論である。
となく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々
変形可能なことは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の二酸化珪
素薄膜によれば、基板を被覆する低屈折率物質として金
属スズ０．５〜１０重量％含有の二酸化珪素を使用した
構成としたことにより、二酸化珪素自体の屈折率に変化
を与えることなく、耐久性を格段に向上することができ
る。
素薄膜によれば、基板を被覆する低屈折率物質として金
属スズ０．５〜１０重量％含有の二酸化珪素を使用した
構成としたことにより、二酸化珪素自体の屈折率に変化
を与えることなく、耐久性を格段に向上することができ
る。
【００３６】また、コールドミラーやバンドパスフィル
タなどに必要とする光学的特性が得られ、コールドミラ
ーやバンドパスフィルタなどの光学的薄膜としても十分
適合することができる。
タなどに必要とする光学的特性が得られ、コールドミラ
ーやバンドパスフィルタなどの光学的薄膜としても十分
適合することができる。
【図１】本発明の一実施例のアルミ鏡からなる基板を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】ＳｉＯ2 に添加するＳｎ混合比に対するＳｉＯ
2 薄膜の屈折率の変化を示す曲線図である。
2 薄膜の屈折率の変化を示す曲線図である。
【図３】Ｓｎを添加したＳｉＯ2 薄膜の高温・高湿環境
に放置による最高反射率を示す曲線図である。
に放置による最高反射率を示す曲線図である。
【図４】ＳｎＯ2 を添加したＳｉＯ2 薄膜の高温・高湿
環境に放置による最高反射率を示す曲線図である。
環境に放置による最高反射率を示す曲線図である。
【図５】本発明を適用したコールドミラーを示す断面図
である。
である。
【図６】ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ＋Ｓｎ（Ｓｎ：３重量％）
交互層の分光透過率特性を示す曲線図である。
交互層の分光透過率特性を示す曲線図である。
【図７】ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 交互層の分光透過率特性を
示す曲線図である。
示す曲線図である。
【図８】ＴｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 交互層の分光透過率特性
を示す曲線図である。
を示す曲線図である。
【図９】表１乃至表３に示す膜構成の交互層に対するサ
ンシャインウェザーメータテストによる最高反射率を示
す曲線図である。
ンシャインウェザーメータテストによる最高反射率を示
す曲線図である。
【図１０】従来のＳｉＯ2 保護膜とＡｌ2 Ｏ3 保護膜と
の高温・高湿時における最高反射率の変化を示す曲線図
である。
の高温・高湿時における最高反射率の変化を示す曲線図
である。
1 …基板 2 …ＳｉＯ2 薄膜 3 …反射基板（基板） 6 …多層膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を被覆する低屈折率物質として金属
スズ０．５〜１０重量％含有の二酸化珪素を使用したこ
とを特徴とする二酸化珪素薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3251466A JP2754516B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 二酸化珪素薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3251466A JP2754516B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 二酸化珪素薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588005A true JPH0588005A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2754516B2 JP2754516B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=17223238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3251466A Expired - Lifetime JP2754516B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 二酸化珪素薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2754516B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3251466A patent/JP2754516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2754516B2 (ja) | 1998-05-20 |
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