JPH0588030A - 導波路型光スイツチ - Google Patents
導波路型光スイツチInfo
- Publication number
- JPH0588030A JPH0588030A JP25183491A JP25183491A JPH0588030A JP H0588030 A JPH0588030 A JP H0588030A JP 25183491 A JP25183491 A JP 25183491A JP 25183491 A JP25183491 A JP 25183491A JP H0588030 A JPH0588030 A JP H0588030A
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- JP
- Japan
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- liquid
- gap
- optical switch
- type optical
- core
- Prior art date
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- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ギャップ内への液体の注入・除去動作を高速
化し、高速光スイッチングを可能とする。 【構成】 基板１上に形成され、光の伝搬するコア３が
それよりも低屈折率のクラッド２，４で覆われて成る光
導波路５と、光導波路５にそのコア３を切断するように
して設けられた溝状のギャップ８と、ギャップ内に充填
され、屈折率が上記コア３のそれと略等しい液体６と、
上記ギャップ８の近傍に設けられ、ギャップ内の液体６
を強制的に加熱し気化させたり、気化した液体を強制的
に冷却し凝縮させたりする液体温度制御手段２２とを備
えていることを特徴としている。
化し、高速光スイッチングを可能とする。 【構成】 基板１上に形成され、光の伝搬するコア３が
それよりも低屈折率のクラッド２，４で覆われて成る光
導波路５と、光導波路５にそのコア３を切断するように
して設けられた溝状のギャップ８と、ギャップ内に充填
され、屈折率が上記コア３のそれと略等しい液体６と、
上記ギャップ８の近傍に設けられ、ギャップ内の液体６
を強制的に加熱し気化させたり、気化した液体を強制的
に冷却し凝縮させたりする液体温度制御手段２２とを備
えていることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導波路型光スイッチに係
り、特にコアの途中に設けたギャップ内の液体の気・液
相変化を利用してコア内を伝搬する光の光路の切り替
え、あるいは遮断をおこなうようにした光スイッチに関
するものである。
り、特にコアの途中に設けたギャップ内の液体の気・液
相変化を利用してコア内を伝搬する光の光路の切り替
え、あるいは遮断をおこなうようにした光スイッチに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムが高度化するにつれて、
低挿入損失、低クロストーク特性を持った空間分割型光
スイッチのニーズが高まってきている。
低挿入損失、低クロストーク特性を持った空間分割型光
スイッチのニーズが高まってきている。
【０００３】この種のスイッチとしては、図４に示すよ
うにＴ字状に交差させた光ファイバ（あるいは光導波
路）ａ，ｂ，ｃの交差部にエアギャップＧを設け、この
ギャップＧ内の液体の注入／除去によって、光ファイバ
とギャップとの界面の全反射条件を制御して、光スイッ
チングを行なう方法が提案されている（文献：金山、安
東；液体注入による全反射光スイッチングの検討、昭和
６３年電子通信情報学会春期全国大会、c-419,pl-19
6）。この光スイッチは、交差角θが９０°に近い値に
おいて、反射状態及び透過状態共に、低挿入損失且つ偏
波面異存性の殆ど無いスイッチングが可能である。
うにＴ字状に交差させた光ファイバ（あるいは光導波
路）ａ，ｂ，ｃの交差部にエアギャップＧを設け、この
ギャップＧ内の液体の注入／除去によって、光ファイバ
とギャップとの界面の全反射条件を制御して、光スイッ
チングを行なう方法が提案されている（文献：金山、安
東；液体注入による全反射光スイッチングの検討、昭和
６３年電子通信情報学会春期全国大会、c-419,pl-19
6）。この光スイッチは、交差角θが９０°に近い値に
おいて、反射状態及び透過状態共に、低挿入損失且つ偏
波面異存性の殆ど無いスイッチングが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この方式で
スイッチング速度を速くするためには、ギャップ内への
液体の注入及び除去が速やかに行われなければらない。
スイッチング速度を速くするためには、ギャップ内への
液体の注入及び除去が速やかに行われなければらない。
【０００５】しかし、前掲文献の光スイッチでは、液体
の注入及び除去を手動により行っており、高速スイッチ
ングが困難である。
の注入及び除去を手動により行っており、高速スイッチ
ングが困難である。
【０００６】本発明は、上記課題を解消し、高速かつ確
実に光スイッチングが行える導波路型光スイッチを提供
することを目的とする。
実に光スイッチングが行える導波路型光スイッチを提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の光スイッチは、基板上に形成され、光の伝搬す
るコアがそれよりも低屈折率のクラッドで覆われて成る
光導波路と、その光導波路にそのコアを切断するように
して設けられた溝状のギャップと、そのギャップ内に充
填され、屈折率が上記コアのそれと略等しい液体と、上
記ギャップの近傍に設けられ、ギャップ内の液体を強制
的に加熱し気化させたり、気化した液体を強制的に冷却
し凝縮させたりする液体温度制御手段とを備えて構成さ
れる。
本発明の光スイッチは、基板上に形成され、光の伝搬す
るコアがそれよりも低屈折率のクラッドで覆われて成る
光導波路と、その光導波路にそのコアを切断するように
して設けられた溝状のギャップと、そのギャップ内に充
填され、屈折率が上記コアのそれと略等しい液体と、上
記ギャップの近傍に設けられ、ギャップ内の液体を強制
的に加熱し気化させたり、気化した液体を強制的に冷却
し凝縮させたりする液体温度制御手段とを備えて構成さ
れる。
【０００８】上記クラッド上には上記液体を密閉収容す
べく上記ギャップと連通させて液体貯蔵室が形成されて
いることが望ましい。
べく上記ギャップと連通させて液体貯蔵室が形成されて
いることが望ましい。
【０００９】上記コアは略直交する交差部を有して形成
され、上記ギャップはその交差部にコアのそれぞれの枝
路に対して略４５°の角度をなすように設けられてもよ
い。
され、上記ギャップはその交差部にコアのそれぞれの枝
路に対して略４５°の角度をなすように設けられてもよ
い。
【００１０】上記液体温度制御手段は上記ギャップの直
下に設けられていることが望ましい。
下に設けられていることが望ましい。
【００１１】また、上記液体温度制御手段は電気的に発
熱したり吸熱したりするよう構成されていることが望ま
しい。
熱したり吸熱したりするよう構成されていることが望ま
しい。
【００１２】また、上記液体温度制御手段はペルチェ効
果を利用した熱電冷却素子を備えていることが望まし
い。
果を利用した熱電冷却素子を備えていることが望まし
い。
【００１３】また、上記液体温度制御手段はその熱電冷
却素子を上記基板の下面に有して構成されてもよい。こ
の場合、熱電冷却素子には基板の上面近傍に延出させて
熱伝導体が設けられていることが望ましい。
却素子を上記基板の下面に有して構成されてもよい。こ
の場合、熱電冷却素子には基板の上面近傍に延出させて
熱伝導体が設けられていることが望ましい。
【００１４】また、上記液体温度制御手段は上記基板に
半導体プロセス技術を利用して構成されていることが望
ましい。
半導体プロセス技術を利用して構成されていることが望
ましい。
【００１５】
【作用】液体温度制御手段によりギャップ内の液体を加
熱し気化させると、光導波路に進入した光は、コアのギ
ャップ端面、すなわちコアとギャップとの界面において
その屈折率の違いにより全反射して光路が切り替えら
れ、あるいは遮断される。一方、気化した液体を冷却し
凝縮させて液体に戻すと、ギャップ内がコアの屈折率と
ほぼ等しい屈折率を持つ液体で満たされることになり、
光はあたかもギャップが存在していないがごとく直進す
る。かくして光がスイッチングされる。この液体の注入
及び除去動作は、加熱・冷却による液体の強制的な気化
・凝縮によって行われるため、高速な光スイッチング動
作が実現される。
熱し気化させると、光導波路に進入した光は、コアのギ
ャップ端面、すなわちコアとギャップとの界面において
その屈折率の違いにより全反射して光路が切り替えら
れ、あるいは遮断される。一方、気化した液体を冷却し
凝縮させて液体に戻すと、ギャップ内がコアの屈折率と
ほぼ等しい屈折率を持つ液体で満たされることになり、
光はあたかもギャップが存在していないがごとく直進す
る。かくして光がスイッチングされる。この液体の注入
及び除去動作は、加熱・冷却による液体の強制的な気化
・凝縮によって行われるため、高速な光スイッチング動
作が実現される。
【００１６】液体は、クラッド上の液体貯蔵室内に密閉
収容され、ここからギャップ内に供給される。したがっ
て、液洩れ等による液体の目減りが防止され、スイッチ
ング動作に必要な液体量を常に確保しておくことができ
る。
収容され、ここからギャップ内に供給される。したがっ
て、液洩れ等による液体の目減りが防止され、スイッチ
ング動作に必要な液体量を常に確保しておくことができ
る。
【００１７】コアを略直角に交差させて形成し、その交
差部のそれぞれの岐路に対して略４５度の角度を成すよ
うにギャップを形成しておけば、スイッチングにより光
の伝搬方向を略直交方向に切替えることができる。
差部のそれぞれの岐路に対して略４５度の角度を成すよ
うにギャップを形成しておけば、スイッチングにより光
の伝搬方向を略直交方向に切替えることができる。
【００１８】液体温度制御手段をギャップの直下に配置
しておけば、加熱によりギャップ内の液体は下側部分か
ら先に気化し、その気体の上昇によって残りの液体は押
し上げられるようにして速やかに排出除去される。ま
た、加熱から冷却に切り替えることにより、それまで加
熱されていた部位が急冷され、気体が凝縮液化してギャ
ップ内に液体が速やかに注入される。このように、ギャ
ップ内の液体に対する熱の供給を効率よく円滑に行うこ
とができるので、低消費電力で高速かつ確実に光スイッ
チング動作を行うことができる。
しておけば、加熱によりギャップ内の液体は下側部分か
ら先に気化し、その気体の上昇によって残りの液体は押
し上げられるようにして速やかに排出除去される。ま
た、加熱から冷却に切り替えることにより、それまで加
熱されていた部位が急冷され、気体が凝縮液化してギャ
ップ内に液体が速やかに注入される。このように、ギャ
ップ内の液体に対する熱の供給を効率よく円滑に行うこ
とができるので、低消費電力で高速かつ確実に光スイッ
チング動作を行うことができる。
【００１９】液体温度制御手段が電気的に発熱したり吸
熱したりするよう構成されていれば、その通電量等を調
節することにより液体の加熱・冷却状態を容易に制御す
ることができる。
熱したりするよう構成されていれば、その通電量等を調
節することにより液体の加熱・冷却状態を容易に制御す
ることができる。
【００２０】液体温度制御手段にペルチェ効果を利用し
た熱電冷却素子を用いれば、これに通電する電流の向き
を正・負逆転することによって液体の加熱・冷却を容易
に切替えることができる。
た熱電冷却素子を用いれば、これに通電する電流の向き
を正・負逆転することによって液体の加熱・冷却を容易
に切替えることができる。
【００２１】熱電冷却素子は、これが基板の下面に配置
されることで、基板に対するその取付けないし形成が容
易なものとなる。しかしその反面、熱電冷却素子とギャ
ップとの距離が離れることになり、ギャップ内の液体を
加熱したり冷却したりする上で不都合である。そこで、
熱伝導率の良好な熱伝導体を熱電冷却素子よりギャップ
近傍に延出させて設け、その熱伝導体を介して熱電冷却
素子とギャップ内の液体との良好な熱交換を達成する。
されることで、基板に対するその取付けないし形成が容
易なものとなる。しかしその反面、熱電冷却素子とギャ
ップとの距離が離れることになり、ギャップ内の液体を
加熱したり冷却したりする上で不都合である。そこで、
熱伝導率の良好な熱伝導体を熱電冷却素子よりギャップ
近傍に延出させて設け、その熱伝導体を介して熱電冷却
素子とギャップ内の液体との良好な熱交換を達成する。
【００２２】液体温度制御手段をフォトリソグラフィや
ドライエッチングなどの半導体プロセス技術によって基
板に構成することにより、集積化や低コスト化に対応す
ることができる。
ドライエッチングなどの半導体プロセス技術によって基
板に構成することにより、集積化や低コスト化に対応す
ることができる。
【００２３】
【実施例】次に、本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
【００２４】図１に本発明に係る導波路型光スイッチの
一実施例として、一方向（矢印１１Ａ）から入射してき
た光を、そのまま直進方向（矢印１１Ｂ）へ伝搬させた
り、光路を切替え９０度異なる方向（矢印１１Ｃ）へ伝
搬させたりする１×２光スイッチ構造を示す。なお、同
図（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。
一実施例として、一方向（矢印１１Ａ）から入射してき
た光を、そのまま直進方向（矢印１１Ｂ）へ伝搬させた
り、光路を切替え９０度異なる方向（矢印１１Ｃ）へ伝
搬させたりする１×２光スイッチ構造を示す。なお、同
図（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。
【００２５】光導波路５は、単結晶シリコンの平面基板
１上に第１クラッド層（屈折率ｎ c ）２を形成し、そ
の上に断面形状が略矩形状のコア（屈折率ｎw ；ｎc ＜
ｎ w ）３をＴ字形状の交差部１２を有して形成したの
ち、さらにそのコア３の表面を第２クラッド層（屈折率
ｎc ）４で覆って構成される。第１，第２クラッド層
２，４及びコア３の材料としては、酸化珪素を主成分と
する材料が用いられる。コア３は、同一直線上に存在す
る二つの岐路３ａ，３ｂと、これと直交するように配置
された一つの岐路３ｃの三つの岐路３ａ，３ｂ，３ｃを
構成する。このうち、岐路３ａは光導波路５への光の入
射部として、残りの二つの岐路３ｂ，３ｃは光の出射部
として機能する。
１上に第１クラッド層（屈折率ｎ c ）２を形成し、そ
の上に断面形状が略矩形状のコア（屈折率ｎw ；ｎc ＜
ｎ w ）３をＴ字形状の交差部１２を有して形成したの
ち、さらにそのコア３の表面を第２クラッド層（屈折率
ｎc ）４で覆って構成される。第１，第２クラッド層
２，４及びコア３の材料としては、酸化珪素を主成分と
する材料が用いられる。コア３は、同一直線上に存在す
る二つの岐路３ａ，３ｂと、これと直交するように配置
された一つの岐路３ｃの三つの岐路３ａ，３ｂ，３ｃを
構成する。このうち、岐路３ａは光導波路５への光の入
射部として、残りの二つの岐路３ｂ，３ｃは光の出射部
として機能する。
【００２６】光導波路５の途中には、それぞれのコア岐
路内を伝搬する光の光軸に対して略４５°の角度を成す
ようにして溝状のギャップ８が設けられ、このギャップ
８によってコア３の交差部１２が切断されている。ギャ
ップ８の内部は、図１（ｂ）に示すように液体６で満た
されている。液体６としては、屈折率がコア３のそれと
略等しく、かつ、気化・凝縮動作を行うために適当な沸
点を持つ液体が望ましく、例えば、フルオロベンゼン
（Ｃ6 Ｈ5 Ｆ；屈折率1.4641、沸点84.9℃）やシクロヘ
キサノ−ル（Ｃ6 Ｈ11ＯＨ；屈折率1.4656、沸点161.19
℃）などが用いられる。この液体６は第２クラッド層４
の上面に設けられた液体貯蔵室からギャップ８内へ供給
されるが、この液体貯蔵室１３は、例えば図２に示すよ
うに、ギャップ８の上部を覆うようにして第２クラッド
層４に気密に取付けた金属製のパッケージ１５などに液
体６を封入することで構成できる。なお、上記ギャップ
８は微細であり、したがってギャップ８内に充填される
液体量は液体貯蔵室１３の容量に対して極微量である。
路内を伝搬する光の光軸に対して略４５°の角度を成す
ようにして溝状のギャップ８が設けられ、このギャップ
８によってコア３の交差部１２が切断されている。ギャ
ップ８の内部は、図１（ｂ）に示すように液体６で満た
されている。液体６としては、屈折率がコア３のそれと
略等しく、かつ、気化・凝縮動作を行うために適当な沸
点を持つ液体が望ましく、例えば、フルオロベンゼン
（Ｃ6 Ｈ5 Ｆ；屈折率1.4641、沸点84.9℃）やシクロヘ
キサノ−ル（Ｃ6 Ｈ11ＯＨ；屈折率1.4656、沸点161.19
℃）などが用いられる。この液体６は第２クラッド層４
の上面に設けられた液体貯蔵室からギャップ８内へ供給
されるが、この液体貯蔵室１３は、例えば図２に示すよ
うに、ギャップ８の上部を覆うようにして第２クラッド
層４に気密に取付けた金属製のパッケージ１５などに液
体６を封入することで構成できる。なお、上記ギャップ
８は微細であり、したがってギャップ８内に充填される
液体量は液体貯蔵室１３の容量に対して極微量である。
【００２７】基板１には、ギャップ８の直下に位置させ
て、ギャップ内の液体６を加熱したり冷却したりするた
めの液体温度制御手段２２が設けられている。温度制御
手段２２は、基板１の裏面にドライエッチングなどの方
法で開けられた穴７の中に形成されている。この穴７は
基板１の裏面から表面近傍に延出させて設けられてお
り、穴７の天井部、すなわちギャップ８に最も近い部位
に、液体温度制御手段２２を構成する熱電冷却素子９が
半導体プロセス技術によって形成されている。この熱電
冷却素子９は、ペルチェ効果により電気的に発熱したり
吸熱したするものであり、その発熱・吸熱要素たる半導
体−金属接合構造を多段化することで大きな温度変化が
得られるよう構成されている。液体温度制御手段２２と
ギャップ８が、基板１の上下に互いに独立して配置され
ているので、熱電冷却素子９やその給電線１０などの通
電部分と液体６との接触は構造上完全に阻止されてお
り、電気的な絶縁処理を施す必要はない。
て、ギャップ内の液体６を加熱したり冷却したりするた
めの液体温度制御手段２２が設けられている。温度制御
手段２２は、基板１の裏面にドライエッチングなどの方
法で開けられた穴７の中に形成されている。この穴７は
基板１の裏面から表面近傍に延出させて設けられてお
り、穴７の天井部、すなわちギャップ８に最も近い部位
に、液体温度制御手段２２を構成する熱電冷却素子９が
半導体プロセス技術によって形成されている。この熱電
冷却素子９は、ペルチェ効果により電気的に発熱したり
吸熱したするものであり、その発熱・吸熱要素たる半導
体−金属接合構造を多段化することで大きな温度変化が
得られるよう構成されている。液体温度制御手段２２と
ギャップ８が、基板１の上下に互いに独立して配置され
ているので、熱電冷却素子９やその給電線１０などの通
電部分と液体６との接触は構造上完全に阻止されてお
り、電気的な絶縁処理を施す必要はない。
【００２８】この熱電冷却素子９の通電を制御すること
により、ギャップ８内をその直下から加熱・冷却し、ギ
ャップ８内の液体６を気化させたり凝縮させたりする。
加熱によってギャップ８内の液体６が気化したとき、光
はギャップ８の内面（岐路３ｂのギャップ端面）で全反
射し、これと直交する枝路３ｃにその光路が切換わる。
一方、通電方向を逆転しギャップ８内を冷却したとき
は、気化していた液体が直ちに凝結し液体６に戻るた
め、光は再び岐路３ｂ側へ直進する。
により、ギャップ８内をその直下から加熱・冷却し、ギ
ャップ８内の液体６を気化させたり凝縮させたりする。
加熱によってギャップ８内の液体６が気化したとき、光
はギャップ８の内面（岐路３ｂのギャップ端面）で全反
射し、これと直交する枝路３ｃにその光路が切換わる。
一方、通電方向を逆転しギャップ８内を冷却したとき
は、気化していた液体が直ちに凝結し液体６に戻るた
め、光は再び岐路３ｂ側へ直進する。
【００２９】このように、本実施例の導波路型光スイッ
チは、微細なギャップ８内の微量な液体６を電気的に加
熱・冷却し、強制的に気化・凝縮させることにより、ギ
ャップ８内への液体６の注入及び除去動作を行うので、
光スイッチングの高速動作を実現することができる。こ
の光スイッチは、半導体集積回路の製造技術として確立
されたプロセスを用いて製造することができるので、高
集積化、多機能化が可能であり、また量産化も容易なた
め低コスト化が期待できる。
チは、微細なギャップ８内の微量な液体６を電気的に加
熱・冷却し、強制的に気化・凝縮させることにより、ギ
ャップ８内への液体６の注入及び除去動作を行うので、
光スイッチングの高速動作を実現することができる。こ
の光スイッチは、半導体集積回路の製造技術として確立
されたプロセスを用いて製造することができるので、高
集積化、多機能化が可能であり、また量産化も容易なた
め低コスト化が期待できる。
【００３０】図３に本発明に係る導波路型光スイッチの
他の実施例を示す。この光スイッチは、熱電冷却素子２
１を基板１内に埋め込まずに、熱電冷却素子２１に接続
した熱伝導性の良好な針状の熱伝導体２０を用いてギャ
ップ８の下部周辺近傍のみを加熱・冷却できるようにし
たものである。熱電冷却素子２１は基板１の裏面に設け
られている。熱伝導体２０は、基板１の裏面から上面近
傍に延出させて形成された極細い穴の中に挿入して設け
られている。この針状熱伝導体２０によって熱電冷却素
子２１とギャップ近傍との効率良い熱交換を図り、ギャ
ップ８内の液体６を加熱し気化させたり、冷却し液化さ
せたりする。
他の実施例を示す。この光スイッチは、熱電冷却素子２
１を基板１内に埋め込まずに、熱電冷却素子２１に接続
した熱伝導性の良好な針状の熱伝導体２０を用いてギャ
ップ８の下部周辺近傍のみを加熱・冷却できるようにし
たものである。熱電冷却素子２１は基板１の裏面に設け
られている。熱伝導体２０は、基板１の裏面から上面近
傍に延出させて形成された極細い穴の中に挿入して設け
られている。この針状熱伝導体２０によって熱電冷却素
子２１とギャップ近傍との効率良い熱交換を図り、ギャ
ップ８内の液体６を加熱し気化させたり、冷却し液化さ
せたりする。
【００３１】液体温度制御手段２２を図３のように構成
すれば、ギャップ８の周辺の狭い範囲のみを加熱・冷却
することが可能なため、光導波路５に対する加熱や冷却
による熱膨張や収縮などの悪影響を最小限にすることが
できる。さらに、基板１に開ける穴を小さくできるた
め、基板１の応力に対する耐久性を高めることができ
る。
すれば、ギャップ８の周辺の狭い範囲のみを加熱・冷却
することが可能なため、光導波路５に対する加熱や冷却
による熱膨張や収縮などの悪影響を最小限にすることが
できる。さらに、基板１に開ける穴を小さくできるた
め、基板１の応力に対する耐久性を高めることができ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、ギャップ
内への液体の注入及び除去動作を電気的な加熱・冷却に
よる液体の強制的な気化・凝縮によって行うことができ
るので、高速な光スイッチング動作が実現できる。
内への液体の注入及び除去動作を電気的な加熱・冷却に
よる液体の強制的な気化・凝縮によって行うことができ
るので、高速な光スイッチング動作が実現できる。
【図１】本発明に係る導波路型光スイッチの一実施例を
示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ断面図である。
示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ断面図である。
【図２】図１の光スイッチの全体構成を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る導波路型光スイッチの他の実施例
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【図４】従来例を示す図である。
１ 基板 ２ 第１クラッド層 ３ コア ４ 第２クラッド層 ５ 光導波路 ６ 液体 ８ ギャップ ９ 熱電冷却素子 １３ 液体貯蔵室 ２０ 熱伝導体 ２１ 熱電冷却素子 ２２ 液体温度制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横田 哲也 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に形成され、光の伝搬するコアが
それよりも低屈折率のクラッドで覆われて成る光導波路
と、該光導波路にそのコアを切断するようにして設けら
れた溝状のギャップと、該ギャップ内に充填され、屈折
率が上記コアのそれと略等しい液体と、上記ギャップの
近傍に設けられ、ギャップ内の液体を強制的に加熱し気
化させたり、気化した液体を強制的に冷却し凝縮させた
りする液体温度制御手段とを備えていることを特徴とす
る導波路型光スイッチ。 - 【請求項２】 上記クラッド上には上記液体を密閉収容
すべく上記ギャップと連通させて液体貯蔵室が形成され
ている請求項１記載の導波路型光スイッチ。 - 【請求項３】 上記コアは略直交する交差部を有して形
成され、上記ギャップは該交差部にコアのそれぞれの枝
路に対して略４５°の角度をなすように設けられている
請求項１又は２記載の導波路型光スイッチ。 - 【請求項４】 上記液体温度制御手段は上記ギャップの
直下に設けられている請求項１乃至３のいずれかに記載
の導波路型光スイッチ。 - 【請求項５】 上記液体温度制御手段は電気的に発熱し
たり吸熱したりするよう構成されている請求項１乃至４
のいずれかに記載の導波路型光スイッチ。 - 【請求項６】 上記液体温度制御手段はペルチェ効果を
利用した熱電冷却素子を備えている請求項１乃至５のい
ずれかに記載の導波路型光スイッチ。 - 【請求項７】 上記液体温度制御手段はその熱電冷却素
子を上記基板の下面に有し且つ該熱電冷却素子にはこれ
より基板の上面近傍に延出させて熱伝導体が設けられて
いる請求項６記載の導波路型光スイッチ。 - 【請求項８】 上記液体温度制御手段は上記基板に半導
体プロセス技術によって構成されている請求項１乃至７
のいずれかに記載の導波路型光スイッチ。
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|---|---|---|---|
| JP25183491A JP2871911B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 導波路型光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP25183491A JP2871911B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 導波路型光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588030A true JPH0588030A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2871911B2 JP2871911B2 (ja) | 1999-03-17 |
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ID=17228624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25183491A Expired - Fee Related JP2871911B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 導波路型光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871911B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960131A (en) * | 1998-02-04 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Switching element having an expanding waveguide core |
| US6055344A (en) * | 1998-02-18 | 2000-04-25 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of a total internal reflection optical switch with vertical fluid fill-holes |
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| EP1141755A4 (en) * | 1998-10-23 | 2002-01-16 | Corning Inc | LIQUID-ENCLOSED MEMS OPTICAL SWITCH |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1991
- 1991-09-30 JP JP25183491A patent/JP2871911B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US6072924A (en) * | 1996-09-02 | 2000-06-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical switch and method for assembling the same |
| US5960131A (en) * | 1998-02-04 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Switching element having an expanding waveguide core |
| US6055344A (en) * | 1998-02-18 | 2000-04-25 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of a total internal reflection optical switch with vertical fluid fill-holes |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2871911B2 (ja) | 1999-03-17 |
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