JPH0588644A - アクテイブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
アクテイブマトリクス液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0588644A JPH0588644A JP24977091A JP24977091A JPH0588644A JP H0588644 A JPH0588644 A JP H0588644A JP 24977091 A JP24977091 A JP 24977091A JP 24977091 A JP24977091 A JP 24977091A JP H0588644 A JPH0588644 A JP H0588644A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- active matrix
- tft
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- Pending
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、液晶セルからのリーク電流を減少し
て、液晶セルの電圧降下を抑えたアクティブマトリクス
液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、信号線１３とコモン電極１７との間
に直列に接続した液晶１６及び２個のポリシリコンＴＦ
Ｔ１４，１５と、この２個のポリシリコンＴＦＴ１４，
１５のうち１つのポリシリコンＴＦＴ１５の両端にそれ
ぞれ接続した補助静電容量１８，１９とを具備する液晶
表示セルをマトリクス状に接続して構成する。
て、液晶セルの電圧降下を抑えたアクティブマトリクス
液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、信号線１３とコモン電極１７との間
に直列に接続した液晶１６及び２個のポリシリコンＴＦ
Ｔ１４，１５と、この２個のポリシリコンＴＦＴ１４，
１５のうち１つのポリシリコンＴＦＴ１５の両端にそれ
ぞれ接続した補助静電容量１８，１９とを具備する液晶
表示セルをマトリクス状に接続して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶セルからのリーク電
流を減少したアクティブマトリクス液晶表示装置に関す
るものである。
流を減少したアクティブマトリクス液晶表示装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、アクティブマトリクス液晶表示装
置は液晶及びＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含む液晶表
示セルが走査線及び信号線にマトリクス状に接続されて
構成される。
置は液晶及びＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含む液晶表
示セルが走査線及び信号線にマトリクス状に接続されて
構成される。
【０００３】図４は従来のアクティブマトリクス液晶表
示装置の液晶表示セルを示し、信号線２はスイッチング
素子であるＴＦＴ３及び液晶５を直列に介してコモン電
極６に接続される。前記ＴＦＴ３のゲートは走査線１に
接続され、前記ＴＦＴ３と液晶５の接続点は補助静電容
量４を介して接地される。即ち、走査線１が選択されＴ
ＦＴ３がオンのとき、信号線２の電位をＴＦＴ３を通し
て、並列に接続された液晶５と補助静電容量４に書き込
むようになっている。一方、走査線１が非選択でＴＦＴ
３がオフのとき、液晶５からＴＦＴ３を通して信号線２
に流れる電流がリーク電流ＩL １である。この場合、Ｔ
ＦＴ３にポリシリコンＴＦＴを使うとリーク電流ＩL １
が略１００ｐＡと非常に大きくなる。
示装置の液晶表示セルを示し、信号線２はスイッチング
素子であるＴＦＴ３及び液晶５を直列に介してコモン電
極６に接続される。前記ＴＦＴ３のゲートは走査線１に
接続され、前記ＴＦＴ３と液晶５の接続点は補助静電容
量４を介して接地される。即ち、走査線１が選択されＴ
ＦＴ３がオンのとき、信号線２の電位をＴＦＴ３を通し
て、並列に接続された液晶５と補助静電容量４に書き込
むようになっている。一方、走査線１が非選択でＴＦＴ
３がオフのとき、液晶５からＴＦＴ３を通して信号線２
に流れる電流がリーク電流ＩL １である。この場合、Ｔ
ＦＴ３にポリシリコンＴＦＴを使うとリーク電流ＩL １
が略１００ｐＡと非常に大きくなる。
【０００４】アクティブマトリクス液晶表示装置におい
て、補助静電容量４を含めた液晶５の静電容量をＣ、ポ
リシリコンＴＦＴよりなるＴＦＴ３のリーク電流をＩL
１とすると、期間ｔ中に生じる液晶セル５の電圧降下Δ
Ｖ１は ΔＶ１＝ＩL １・ｔ／Ｃ （１）
て、補助静電容量４を含めた液晶５の静電容量をＣ、ポ
リシリコンＴＦＴよりなるＴＦＴ３のリーク電流をＩL
１とすると、期間ｔ中に生じる液晶セル５の電圧降下Δ
Ｖ１は ΔＶ１＝ＩL １・ｔ／Ｃ （１）
【０００５】で近似できる。現プロセスではＣ＝０．６
ｐＦ、 ｔ＝１６．７×１０-3ｓｅｃ、 ＩL １＝１０
０ｐＡであり、これらを式（１）に代入すると、電圧降
下ΔＶ１＝２．８Ｖと近似できる。液晶セル５の印加電
圧が１０Ｖの場合、液晶セル５の電圧は１０Ｖ−２．８
Ｖ＝７．２Ｖとなり、階調表示ができなくなる。従っ
て、現状ではアクティブマトリクス液晶表示装置にポリ
シリコンＴＦＴは使用することができない。
ｐＦ、 ｔ＝１６．７×１０-3ｓｅｃ、 ＩL １＝１０
０ｐＡであり、これらを式（１）に代入すると、電圧降
下ΔＶ１＝２．８Ｖと近似できる。液晶セル５の印加電
圧が１０Ｖの場合、液晶セル５の電圧は１０Ｖ−２．８
Ｖ＝７．２Ｖとなり、階調表示ができなくなる。従っ
て、現状ではアクティブマトリクス液晶表示装置にポリ
シリコンＴＦＴは使用することができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のアク
ティブマトリクス液晶表示装置では液晶セルからのリー
ク電流が大きく、液晶セルの電圧降下が大きいという欠
点があった。
ティブマトリクス液晶表示装置では液晶セルからのリー
ク電流が大きく、液晶セルの電圧降下が大きいという欠
点があった。
【０００７】本発明は上記の実情に鑑みてなされたもの
で、液晶セルからのリーク電流を減少して、液晶セルの
電圧降下を抑えたアクティブマトリクス液晶表示装置を
提供することを目的とする。
で、液晶セルからのリーク電流を減少して、液晶セルの
電圧降下を抑えたアクティブマトリクス液晶表示装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、信号線とコモン電極との間に直列に接続さ
れた液晶及び複数のスイッチング素子と、この複数のス
イッチング素子のうち１つのスイッチング素子の両端に
それぞれ接続された補助静電容量とを具備する液晶表示
セルがマトリクス状に接続されたことを特徴とするもの
である。
するために、信号線とコモン電極との間に直列に接続さ
れた液晶及び複数のスイッチング素子と、この複数のス
イッチング素子のうち１つのスイッチング素子の両端に
それぞれ接続された補助静電容量とを具備する液晶表示
セルがマトリクス状に接続されたことを特徴とするもの
である。
【０００９】
【作用】上記手段により、液晶と直列に接続されたスイ
ッチング素子の両端にそれぞれ補助静電容量を接続し
て、スイッチング素子両端の電位差をすくなくすること
により、液晶からスイッチング素子を通して流れるリー
ク電流を減少して、液晶セルの電圧降下を抑えるように
したものである。
ッチング素子の両端にそれぞれ補助静電容量を接続し
て、スイッチング素子両端の電位差をすくなくすること
により、液晶からスイッチング素子を通して流れるリー
ク電流を減少して、液晶セルの電圧降下を抑えるように
したものである。
【００１０】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【００１１】図２は本発明の一実施例に係るアクティブ
マトリクス液晶表示装置の概略図を示し、液晶及びＴＦ
Ｔを含む液晶表示セル１１が走査線１２及び信号線１３
にマトリクス状に接続されて構成される。
マトリクス液晶表示装置の概略図を示し、液晶及びＴＦ
Ｔを含む液晶表示セル１１が走査線１２及び信号線１３
にマトリクス状に接続されて構成される。
【００１２】図１は図２のアクティブマトリクス液晶表
示装置の液晶表示セル１１の一例を示し、信号線１３は
２個のスイッチング素子であるポリシリコンＴＦＴ１
４，１５及び液晶１６を直列に介してコモン電極１７に
接続される。前記ＴＦＴ１４，１５のそれぞれゲートは
走査線１２に接続され、前記ＴＦＴ１５と液晶１６の接
続点、及び前記ＴＦＴ１４とＴＦＴ１５の接続点はそれ
ぞれ対応した補助静電容量１８，１９を介して接地され
る。即ち、走査線１２が選択されＴＦＴ１４，１５がそ
れぞれオンのとき、信号線１３の電位をＴＦＴ１４，１
５を通して、並列に接続された液晶１６と補助静電容量
１９に書き込むと共にＴＦＴ１４を通して補助静電容量
１８に書き込むようになっている。一方、走査線１２が
非選択でＴＦＴ１４，１５がオフのとき、液晶１６から
ＴＦＴ１４，１５を通して信号線１３に流れる電流がリ
ーク電流ＩL である。
示装置の液晶表示セル１１の一例を示し、信号線１３は
２個のスイッチング素子であるポリシリコンＴＦＴ１
４，１５及び液晶１６を直列に介してコモン電極１７に
接続される。前記ＴＦＴ１４，１５のそれぞれゲートは
走査線１２に接続され、前記ＴＦＴ１５と液晶１６の接
続点、及び前記ＴＦＴ１４とＴＦＴ１５の接続点はそれ
ぞれ対応した補助静電容量１８，１９を介して接地され
る。即ち、走査線１２が選択されＴＦＴ１４，１５がそ
れぞれオンのとき、信号線１３の電位をＴＦＴ１４，１
５を通して、並列に接続された液晶１６と補助静電容量
１９に書き込むと共にＴＦＴ１４を通して補助静電容量
１８に書き込むようになっている。一方、走査線１２が
非選択でＴＦＴ１４，１５がオフのとき、液晶１６から
ＴＦＴ１４，１５を通して信号線１３に流れる電流がリ
ーク電流ＩL である。
【００１３】図３（ｂ）は図３（ａ）に示すＴＦＴにお
けるリーク電流のドレイン電圧依存性を示す。即ち、ド
レイン電圧ＶD を上げてゆくと、リーク電流ＩL １（ド
レイン電流ＩD ）が急激に上昇している。又、図３
（ｂ）は、ＴＦＴのソース・ドレインに印加される電圧
が十分小さい時にはリーク電流ＩL １を小さく保てる事
も示している。
けるリーク電流のドレイン電圧依存性を示す。即ち、ド
レイン電圧ＶD を上げてゆくと、リーク電流ＩL １（ド
レイン電流ＩD ）が急激に上昇している。又、図３
（ｂ）は、ＴＦＴのソース・ドレインに印加される電圧
が十分小さい時にはリーク電流ＩL １を小さく保てる事
も示している。
【００１４】而して、図１の液晶表示セル１１におい
て、走査線１２の電位が選択から非選択に切り換わりＴ
ＦＴ１４，１５がオンからオフに切り換わったとき、補
助静電容量１８と補助静電容量１９の電位は同電位であ
るため、ＴＦＴ１５のソースとドレインは同電位であ
る。この状態で信号線１３の電位が変化すると、その変
化量ＶS はＴＦＴ１４のソース・ドレインに印加され
る。そして、前記変化量ＶSの大きさに対応したリーク
電流ＩL ４がＴＦＴ１４を通して流れ、補助静電容量１
８の両端の電圧がΔＶ１だけ変化する。この電圧変化量
ΔＶ１がＴＦＴ１５のソース・ドレインに印加される電
圧になる。前記式（１）の近似計算法ではΔＶ１＝２．
８Ｖと近似できる。即ち、従来のＴＦＴ３のソース・ド
レインに印加される電圧１０Ｖに対し、本実施例のＴＦ
Ｔ１５のソース・ドレインに印加される電圧は３Ｖ以下
であり１／３以下に低減できることになる。ＴＦＴ１５
のソース・ドレインに印加される電圧が約３Ｖの場合、
図３（ｂ）よりＴＦＴ１５に流れるリーク電流ＩL はほ
とんど０ｐＡであり、大幅に低減できることを意味して
おり、結果として液晶１６の両端の電位変化はほとんど
０Ｖであり、液晶１６の印加電圧１０Ｖを保持すること
ができ、良好な階調表示をすることができる。従って、
アクティブマトリクス液晶表示装置にポリシリコンＴＦ
Ｔを使用することができるようになる。
て、走査線１２の電位が選択から非選択に切り換わりＴ
ＦＴ１４，１５がオンからオフに切り換わったとき、補
助静電容量１８と補助静電容量１９の電位は同電位であ
るため、ＴＦＴ１５のソースとドレインは同電位であ
る。この状態で信号線１３の電位が変化すると、その変
化量ＶS はＴＦＴ１４のソース・ドレインに印加され
る。そして、前記変化量ＶSの大きさに対応したリーク
電流ＩL ４がＴＦＴ１４を通して流れ、補助静電容量１
８の両端の電圧がΔＶ１だけ変化する。この電圧変化量
ΔＶ１がＴＦＴ１５のソース・ドレインに印加される電
圧になる。前記式（１）の近似計算法ではΔＶ１＝２．
８Ｖと近似できる。即ち、従来のＴＦＴ３のソース・ド
レインに印加される電圧１０Ｖに対し、本実施例のＴＦ
Ｔ１５のソース・ドレインに印加される電圧は３Ｖ以下
であり１／３以下に低減できることになる。ＴＦＴ１５
のソース・ドレインに印加される電圧が約３Ｖの場合、
図３（ｂ）よりＴＦＴ１５に流れるリーク電流ＩL はほ
とんど０ｐＡであり、大幅に低減できることを意味して
おり、結果として液晶１６の両端の電位変化はほとんど
０Ｖであり、液晶１６の印加電圧１０Ｖを保持すること
ができ、良好な階調表示をすることができる。従って、
アクティブマトリクス液晶表示装置にポリシリコンＴＦ
Ｔを使用することができるようになる。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、液晶
セルと直列に接続されたスイッチング素子の両端にそれ
ぞれ補助静電容量を接続して、スイッチング素子両端の
電位差をすくなくすることにより、液晶セルからスイッ
チング素子を通して流れるリーク電流を減少して、液晶
セルの電圧降下を抑えることができる。
セルと直列に接続されたスイッチング素子の両端にそれ
ぞれ補助静電容量を接続して、スイッチング素子両端の
電位差をすくなくすることにより、液晶セルからスイッ
チング素子を通して流れるリーク電流を減少して、液晶
セルの電圧降下を抑えることができる。
【図１】本発明に係る液晶表示セルの一例を示す回路図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例を示す概略構成説明図であ
る。
る。
【図３】ＴＦＴにおけるリーク電流のドレイン電圧依存
性の一例を示す特性図である。
性の一例を示す特性図である。
【図４】従来の液晶表示セルを示す回路図である。
１１…液晶表示セル、１２…走査線、１３…信号線、１
４，１５…ポリシリコンＴＦＴ、１６…液晶、１７…コ
モン電極、１８，１９…補助静電容量。
４，１５…ポリシリコンＴＦＴ、１６…液晶、１７…コ
モン電極、１８，１９…補助静電容量。
Claims (2)
- 【請求項１】 信号線とコモン電極との間に直列に接続
された液晶及び複数のスイッチング素子と、この複数の
スイッチング素子のうち１つのスイッチング素子の両端
にそれぞれ接続された補助静電容量とを具備する液晶表
示セルがマトリクス状に接続されたことを特徴とするア
クティブマトリクス液晶表示装置。 - 【請求項２】 スイッチング素子としてポリシリコン薄
膜トランジスタを用いたことを特徴とする請求項１記載
のアクティブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24977091A JPH0588644A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24977091A JPH0588644A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588644A true JPH0588644A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17197972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24977091A Pending JPH0588644A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0588644A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6323918B1 (en) | 1996-12-10 | 2001-11-27 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device and process for production thereof |
| JP2011175134A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Sony Corp | 画素回路、液晶装置及び電子機器 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24977091A patent/JPH0588644A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6323918B1 (en) | 1996-12-10 | 2001-11-27 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device and process for production thereof |
| JP2011175134A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Sony Corp | 画素回路、液晶装置及び電子機器 |
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