JPH058939U - 半導体装置用バンプ電極整形装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 信頼性の高い半導体装置の実装が可能なバン
プ電極の整形を容易に行なう。 【構成】 半導体装置実装用基板４と半導体装置１の間
を電気的に接続し、ボールボンディング用ワイヤボンダ
により一端が切断されてバンプ電極形成面に形成された
バンプ電極２を加圧整形する整形部７を具備してなる整
形装置６であって、前記整形部７の先端に前記バンプ電
極２の外径ｄ１よりも大きな凹部７ａが形成され、該凹
部７ａ内側の底面に前記バンプ電極２の当接部８が形成
されると共に、該凹部７ａの深さが所定の深さｈ３とさ
れて、前記当接部８の少なくとも一部を前記バンプ電極
２のワイヤ残り部２ａに当接させて加圧整形し、凹部７
ａの周囲部分である先端部がバンプ電極２の形成面であ
る半導体装置実装用基板４の導体５に当接するまで整形
部７を下降自在に構成した。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体装置と半導体装置実装用基板の導体の間を電気的に接続する バンプ電極の整形装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

半導体装置を突起状接続電極であるバンプ電極を介して半導体装置実装用基板 にフェースダウンボンディングする実装構造は、ワイヤボンディングによる実装 構造に比べて、高密度実装が可能であり、ギャング（一括）ボンディングができ るため実装に要する時間が短い等の優れた特徴がある。

【０００３】 図９及び図１０は、従来のバンプ電極（整形がされていない電極）を具備して なる半導体装置と、その半導体装置がフェースダウンボンディングされた半導体 装置実装用基板を示すもので、同図における半導体装置１は、バンプ電極である 金属バンプ２（Auバンプ、Cuバンプ等）を具備してなるフリップチップを示すも のである。この半導体装置１のバンプ電極である金属バンプ２の形成には、メッ キによる方法、又は、ワイヤボンダによる方法があるが、メッキによる方法では 、歩留りが低く、さらにはフォトリソグラフィ工程を必要とし、レジスト材料費 、設備費及び人件費等でコストがかさむため、一般にはワイヤボンダによる方法 が多くとられている。

【０００４】 このワイヤボンダによる金属バンプ２（一般にはスタッドバンプ又はボールバ ンプと呼ばれている）の形成は、ワイヤボンダのキャピラリーの先端から突出す る電極材料、たとえばAuワイヤ（他にはCu、半田等)の先端を、トーチ等により 加熱してAuワイヤのボールを形成し、そのAuワイヤのボールを、バンプ電極形成 面である半導体装置１上のAlパッドに熱圧着後、キャピラリーの動作（たとえば 横方向に移動させる）によりAuワイヤをボールの根元から切断して（引きちぎっ て）形成するという方法がとられていた。このため、金属バンプ２の形状は、そ の一端側である切断された側に、ボールアップ時のボールからの熱によりAuワイ ヤ内部のAu結晶粒が成長し、およそ数十μｍ程（図９においてｈ１−ｈ２に相当 ）のワイヤ残り部２ａが生ずる（図９参照）。

【０００５】 このバンプ電極である金属バンプ２のワイヤ残り部２ａは、ばらつきが大きく 、半導体装置１は、図１０に示すように導電性樹脂であるAgペースト３又は半田 等を用いて、このワイヤ残り部２ａをも含めた金属バンプ２を介して半導体装置 実装用基板４に実装されるが、金属バンプ２と半導体装置実装用基板４の導体５ との接合後に、半導体装置１と半導体装置実装用基板４の平行度が保てず、金属 バンプ２の高さが低い部分では充分な接合ができず、熱的、機械的応力が集中す る等、極めて不都合な実装状態となる。

【０００６】 図１１及び図１２は、このような不都合を解消するために検討された実装方法 で、半導体装置用バンプ電極整形装置６によりバンプ電極である金属バンプ２を 整形して実装するものである。この従来の半導体装置用バンプ電極整形装置６は 、先端が平坦な整形部７を具備し、その整形部７の平坦な部分をバンプ電極２の 当接部８とし、その当接部８によりバンプ電極２をワイヤ残り部２ａの上方から 加圧（スタンピング）、又は加圧及び加熱を行い、ワイヤ残り部２ａを潰して整 形するものである。このように先端に平坦な整形部７を具備したバンプ電極整形 装置６としては、たとえばワイヤボンダのキャピラリーのワイヤ送り出し孔９を ふさいで、その先端を平坦な当接部８とし、その当接部８が半導体装置１及び半 導体装置実装用基板４の導体５等のバンプ電極形成面と略平行に配設されたもの が検討されている。

【０００７】 このようなバンプ電極整形装置６を用いて整形されたバンプ電極２を有する半 導体装置１は、図１２に示すようにインジウム合金１０や半田、及び導電性樹脂 （たとえばAgペースト）等を介在させて半導体装置実装用基板４の導体５に接合 されたり、図１３に示すように導電粒子を分散混合した異方性導電樹脂シート１ １を介在させて前記導体５に接合されたり、又は、図１４に示すように前記導体 ５に圧接されて接合された後、半導体装置１と半導体装置実装用基板４の間に、 たとえば光硬化性樹脂１２等を充填して実装されていた。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】

ところが、このように構成された従来の半導体装置用バンプ電極整形装置６に おいては、整形部７の先端が平坦でその先端がバンプ電極２の当接部８とされ、 その平坦な当接部８をバンプ電極２の上方からワイヤ残り部２ａに当接させて加 圧整形（スタンピング）するため、加圧力及びバンプ電極の強度により整形度合 いが異なる。このため、整形の条件である加圧力等の調整を、ばらつきの大きな ワイヤ残り部２ａを有する個々のバンプ電極２に対して行ない、スタンピング毎 に整形されたバンプ電極２の高さを測定し、整形後のバンプ電極２の高さを確認 する必要があり、多大な労力と時間を要し、整形作業が容易ではなく、製造コス トが高くなるという問題点があった。特にこの問題は、半導体装置１のバンプ電 極２の数が多くなればなるほど顕著であった。

【０００９】 また、整形されたバンプ電極２の高さは、整形条件のばらつきや測定精度等に より一定とはならず、なおバンプ電極２の高さにばらつきを有するものとなる。 このような不揃いの高さのバンプ電極２を介して半導体装置１を半導体装置実装 用基板４に実装した場合には、前述の加圧整形前と略同様に半導体装置１と半導 体装置実装用基板４の平行度が保てず、バンプ電極２の高さが低い部分では充分 な接合ができず接続不良が生じたり、熱的、機械的なストレスが接合力の最も弱 いバンプ電極２の接合部分に集中して、剥離断線を生ずる等、実装の信頼性が悪 いという問題点があった。

【００１０】 本考案は、前記背景に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、 信頼性の高い半導体装置の実装が可能なバンプ電極が容易に形成できるバンプ電 極整形装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】 上記課題を解決するため本考案は、半導体装置実装用基板４と半導体装置１の 間を電気的に接続し、ボールボンディング用ワイヤボンダにより一端が切断され てバンプ電極形成面に形成されたバンプ電極２を加圧整形する整形部７を具備し てなる整形装置６であって、前記整形部７の先端に前記バンプ電極２の外径ｄ１ よりも大きな凹部７ａが形成され、該凹部７ａ内側の底面に前記バンプ電極２の 当接部８が形成されると共に、該凹部７ａの深さが所定の深さｈ３とされて、前 記当接部８の少なくとも一部を前記バンプ電極２のワイヤ残り部２ａに当接させ 、前記整形部７を該整形部７の先端が、前記バンプ電極形成面である半導体装置 １のパッド、あるいは、半導体装置実装用基板４の導体５に略当接するまで下降 自在に構成したことを特徴とするものである。

【００１２】 また、半導体装置実装用基板４と半導体装置１の間を電気的に接続し、ボール ボンディング用ワイヤボンダにより一端が切断されてバンプ電極形成面に形成さ れたバンプ電極２を加圧整形する整形部７を具備してなる整形装置６であって、 前記整形部７の先端に前記バンプ電極２の当接部８を形成すると共に、該当接部 ８の外周端近傍に所定の高さｈ４を有するスペーサ１３を、前記当接部８から略 垂直方向に突出させて固着し、前記スペーサ１３で囲まれた当接部８の少なくと も一部を前記バンプ電極２のワイヤ残り部２ａに当接させ、前記整形部７を該整 形部７の先端に固着したスペーサ１３が、前記バンプ電極形成面である半導体装 置１のパッド、あるいは、半導体装置実装用基板４の導体５に略当接するまで下 降自在に構成したことを特徴とするものである。

【００１３】

【作用】

このように構成されているため、本考案における半導体装置用バンプ電極整形 装置６においては、整形部７の凹部７ａをバンプ電極２に合わせて整形部７を下 降させれば、凹部７ａの内側底面の当接部８がバンプ電極２のワイヤ残り部２ａ に当接し、さらに下降させることにより加圧（スタンピング）されてワイヤ残り 部２ａが潰される。このワイヤ残り部２ａは、凹部７ａの周囲部分である先端部 がバンプ電極２の形成面である半導体装置１のパッド、あるいは、半導体装置実 装用基板４の導体５に当接するまで整形部７が下降して潰され、バンプ電極２の 総高さが、凹部７ａの深さに略等しくなるように整形される。

【００１４】 このとき、バンプ電極２は、ワイヤ残り部２ａの径がボール状の電極下部に比 べて径が小さく（たとえば、電極材料としてAuワイヤ25μｍのものを用いた場合 、ワイヤ残り部２ａの径は約25μｍ、電極下部の径は約90μｍ）、このため、ワ イヤ残り部２ａの単位面積当たりの加圧力は、電極下部の単位面積当たりの加圧 力に比べてはるかに大きく、ワイヤ残り部２ａは潰されるが電極下部はほとんど 変形しない（たとえば上記例では数μｍ以下）。

【００１５】 このため、整形されたバンプ電極２の高さは、整形部７の凹部７ａの深さによ って定まり、また、バンプ電極２の整形が整形部７の先端がバンプ電極２の形成 面に当接するまで下降すれば行なえるため、バンプ電極２の整形が容易で、全て のバンプ電極２が略均一な高さとなると共に、整形されたバンプ電極２が半導体 装置１と半導体装置実装用基板４の導体５の間に介在して半導体装置１と半導体 装置実装用基板４を略平行に保ち、複数のバンプ電極２と導体５の間の電気的接 合が略均等な強さで行なえ、実装の信頼性が向上する。

【００１６】 また、整形部７の先端にバンプ電極２の当接部８を形成すると共に、その当接 部８の外周端近傍に所定の高さｈ４を有するスペーサ１３を、前記当接部８から 略垂直方向に突出させて固着し、前記当接部８の少なくとも一部を前記バンプ電 極２に当接させ、前記整形部７を該整形部７の先端に固着したスペーサ１３が、 前記バンプ電極形成面に略当接するまで下降自在に構成したため、整形部７の当 接部８をバンプ電極２に合わせて整形部２を下降させれば、当接部８がワイヤ残 り部２ａに当接し、さらに下降させることにより加圧（スタンピング）されてワ イヤ残り部２ａが潰される。このワイヤ残り部２ａは、スペーサ１３がバンプ電 極２の形成面である半導体装置１のパッド、あるいは、半導体装置実装用基板４ の導体５に当接するまで整形部７が下降して潰され、バンプ電極２の総高さが、 スペーサ１３の高さに略等しくなるように整形される。

【００１７】 このため、整形されたバンプ電極２の高さは、整形部７のスペーサ１３の高さ によって定まり、また、バンプ電極２の整形が整形部７をスペーサ１３がバンプ 電極２の形成面に当接するまで下降すれば行なえるため、バンプ電極２の整形が 容易で、全てのバンプ電極２が略均一な高さとなると共に、整形されたバンプ電 極２が半導体装置１と半導体装置実装用基板４の導体５の間に介在して半導体装 置１と半導体装置実装用基板４を略平行に保ち、複数のバンプ電極２と導体５の 間の電気的接合が略均等な強さで行なえ、実装の信頼性が向上する。

【００１８】

【実施例】

図１乃至図４は、本考案の第１の実施例を示すものであり、前記従来例と異な る点は、バンプ電極２を半導体装置１側に代えて半導体装置実装用基板４の導体 ５の上に形成した点と、半導体装置用バンプ電極整形装置６であり、他は前記従 来例と同様に構成されている。

【００１９】 半導体装置用バンプ電極整形装置６は、バンプ電極２を加圧整形する整形部７ を具備してなり、その整形部７がワイヤーボンダのボンディングヘッドに取り付 けられ、上下に移動自在に配設されてなるものである。また、その整形部７は、 その平面視が円形（図２(b) 参照）で、整形部７の先端には平面視が円形の凹部 ７ａが形成され、該凹部７ａの内面側の底面が平坦とされてバンプ電極２への当 接部８とされると共に、該凹部７ａの深さが所望のバンプ電極２の高さ（整形後 のバンプ電極２の高さ）と略等しい所定の深さｈ３（整形前の電極下部の高さｈ ２とほとんど同じ高さ）とされ、その凹部７ａの内径ｄがバンプ電極２の外径ｄ １よりも大きく構成されたものである。

【００２０】 このように構成されているため、本実施例における半導体装置用バンプ電極 整形装置６は、整形部７の加圧力等の条件設定を行い、その整形部７をバンプ電 極２の上方に位置させて整形部７を下降させ、凹部７ａの内面側の平坦な面であ る当接部８をバンプ電極２のワイヤ残り部２ａに当接させて、そのバンプ電極２ のワイヤ残り部２ａを加圧（スタンピング）して整形でき、また、整形部７は、 凹部７ａの周囲部分である先端部がバンプ電極２の形成面である半導体装置実装 用基板４の導体５に当接するまで下降してバンプ電極２のワイヤ残り部２ａを潰 す。つまり、バンプ電極２は、その総高さが、凹部７ａの深さに略等しく、かつ 上端が平坦になるように整形される。

【００２１】 このとき、バンプ電極２は、ワイヤ残り部２ａの径がボール状の電極下部に比 べて径が小さく（たとえば、電極材料としてAuワイヤ25μｍのものを用いた場合 、ワイヤ残り部２ａの径は約25μｍ、電極下部の径は約90μｍ）、このため、ワ イヤ残り部２ａの単位面積当たりの加圧力は、電極下部の単位面積当たりの加圧 力に比べてはるかに大きく、ワイヤ残り部２ａは潰されるが電極下部はほとんど 変形しない（たとえば上記例では数μｍ以下）。

【００２２】 このため、整形されたバンプ電極２の高さは、整形部７の凹部７ａの深さによ って定まり、また、バンプ電極２の整形が整形部７の先端がバンプ電極形成面で ある導体５に当接するまで下降すれば行なえるため、バンプ電極２の整形が容易 で、全てのバンプ電極２が略均一な高さとなると共に、整形されたバンプ電極２ が半導体装置１と半導体装置実装用基板４の導体５の間に介在して半導体装置１ と半導体装置実装用基板４を略平行に保ち、複数のバンプ電極２と導体５の間の 電気的接合が略均等な強さで行なえ、実装の信頼性が向上する。

【００２３】 なおここで、ワイヤ残り部２ａを整形する際に、整形性を良くするために加熱 （たとえば、約４００℃以下）を行なっても良い。

【００２４】 図５は、本考案の第２の実施例を示すものであり、前記第１の実施例と異なる 点は、整形部７及びその先端に設けた凹部７ａであり、他は前記第１の実施例と 同様に構成されている。整形部７及びその整形部７の先端の凹部７ａは、平面視 が方形で、凹部７ａの一辺の長さｄが少なくともバンプ電極２の外径ｄ１よりも 大きく形成され、その深さが所望のバンプ電極２の高さ（整形後のバンプ電極２ の高さ）と略等しい所定の深さとされたものであり、このような構成によっても 前記第１の実施例と同様の効果を奏する。

【００２５】 なお、前記台２の実施例において、整形部７の外形及び凹部７ａの形状は、方 形に限られるものではなく、たとえば五角形、六角形等の多角形状とされたもの であっても良い。

【００２６】 図６は、本考案の第３の実施例を示すものであり、前記第２の実施例と異なる 点は、整形部７であり、他は前記第２の実施例と同様に構成されている。整形部 ７は、平面視が方形でその先端が平坦とされ、その平坦な面をバンプ電極２の当 接部８とすると共に、その当接部８の外周端である４角に所定の高さｈ４（整形 前の電極下部の高さｈ２とほとんど同じ高さ）を有する複数のスペーサ１３を、 前記当接部８から略垂直方向に突出させて固着して構成したものである。

【００２７】 このような半導体装置用バンプ電極整形装置６においては、整形部７の当接部 ８をバンプ電極２に合わせて整形部２を下降させれば、当接部８がワイヤ残り部 ２ａに当接し、さらに下降させることにより加圧（スタンピング）されてワイヤ 残り部２ａが潰される。このワイヤ残り部２ａは、スペーサ１３がバンプ電極２ の形成面である半導体装置実装用基板４の導体５に当接するまで整形部７が下降 して潰される。つまり、バンプ電極２は、その総高さがスペーサ１３の高さに略 等しく、かつ上端が平坦になるように整形される。

【００２８】 このため、整形されたバンプ電極２の高さは、整形部７のスペーサ１３の高さ によって定まり、また、バンプ電極２の整形が整形部７をスペーサ１３がバンプ 電極２の形成面である導体５に当接するまで下降すれば行なえるため、バンプ電 極２の整形が容易で、全てのバンプ電極２が略均一な高さとなると共に、整形さ れたバンプ電極２が半導体装置１と半導体装置実装用基板４の導体５の間に介在 して半導体装置１と半導体装置実装用基板４を略平行に保ち、複数のバンプ電極 ２と導体５の間の電気的接合が略均等な強さで行なえ、実装の信頼性が向上する 。

【００２９】 図７は、本考案の第４の実施例を示すものであり、前記第３の実施例と異なる 点は、整形部７とスペーサ１３であり、他は前記第３の実施例と同様に構成され ている。整形部７は、平面視が円形でその先端が平坦とされ、その平坦な面をバ ンプ電極２の当接部８とすると共に、その当接部８の外周端に当接部８の中心を 介して対向させて所定の高さｈ４を有する２つのスペーサ１３を、前記当接部８ から略垂直方向に突出させて固着して構成したものである。このような構成によ っても前記第１の実施例と同様の効果を奏する。

【００３０】 図８は、本考案の第５の実施例を示すものであり、前記第４の実施例と異なる 点は、スペーサ１３であり、他は前記第４の実施例と同様に構成されている。ス ペーサ１３は、平面視が円形でその先端が平坦で所定の高さｈ４を有し、前記整 形部７先端の当接部８の外周端に４つ配設され、前記当接部８から略垂直方向に 突出するように固着されて構成されたものである。このような構成によっても前 記第１の実施例と同様の効果を奏する。

【００３１】 なお、前記各実施例においては、当接部８を平坦な面を有するものに限って説 明を行なったが、本考案はこれに限らず、当接部が曲面状に形成されたものであ っても良く、また、突起状電極であるバンプ電極２は、半導体装置側又は半導体 装置実装用基板側のどちら側に設けられたものであっても良く、したがって、バ ンプ電極形成面は、半導体装置のパッド又は、半導体装置実装用基板の導体のど ちらであっても良い。

【００３２】 また、前記各実施例において、整形部７及びスペーサ１３の下端のバンプ電極 形成面と略当接する部分に、バンプ電極形成面にキズや打痕を生じさせないよう に、たとえばテフロン樹脂コート等の緩衝材を設けて構成したものであっても良 いことは勿論である。

【００３３】

【考案の効果】

上述のように本考案における半導体装置用バンプ電極整形装置においては、整 形部の凹部をバンプ電極に合わせて整形部を下降させれば、凹部の内側底面の当 接部がバンプ電極のワイヤ残り部に当接し、さらに下降させることにより加圧（ スタンピング）されてワイヤ残り部が潰される。このワイヤ残り部は、凹部の周 囲部分である先端部がバンプ電極の形成面である半導体装置のパッド、あるいは 、半導体装置実装用基板の導体に当接するまで整形部が下降して潰され、バンプ 電極は、その総高さが凹部の深さに略等しくなるように整形される。

【００３４】 このため、整形されたバンプ電極の高さは、整形部の凹部の深さによって定ま り、また、バンプ電極の整形が整形部の先端がバンプ電極の形成面に当接するま で下降すれば行なえるため、バンプ電極の整形が容易で、全てのバンプ電極が略 均一な高さとなると共に、整形されたバンプ電極が半導体装置と半導体装置実装 用基板の導体の間に介在して半導体装置と半導体装置実装用基板を略平行に保ち 、複数のバンプ電極と導体の間の電気的接合が略均等な強さで行なえ、実装の信 頼性が向上する。

【００３５】 また、整形部の先端にバンプ電極の当接部を形成すると共に、その当接部の外 周端近傍に所定の高さを有する複数のスペーサを、前記当接部から略垂直方向に 突出させて固着し、前記当接部の少なくとも一部を前記バンプ電極に当接させて 加圧整形したため、整形部の当接部をバンプ電極に合わせて整形部を下降させれ ば、当接部がワイヤ残り部に当接し、さらに下降させることにより加圧（スタン ピング）されてワイヤ残り部が潰される。このワイヤ残り部は、スペーサがバン プ電極２の形成面である半導体装置のパッド、あるいは、半導体装置実装用基板 の導体に当接するまで整形部が下降して潰され、バンプ電極は、その総高さがス ペーサの高さに略等しくなるように整形される。

【００３６】 このため、整形されたバンプ電極の高さは、整形部のスペーサの高さによって 定まり、また、バンプ電極の整形が整形部をスペーサがバンプ電極の形成面に当 接するまで下降すれば行なえるため、バンプ電極の整形が容易で、全てのバンプ 電極が略均一な高さとなると共に、整形されたバンプ電極が半導体装置と半導体 装置実装用基板の導体の間に介在して半導体装置と半導体装置実装用基板を略平 行に保ち、複数のバンプ電極と導体の間の電気的接合が略均等な強さで行なえ、 実装の信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の第１の実施例要部を示す一部断面側面
図である。

【図２】同上の整形部の要部を示すもので、(a) は一部
断面側面図、(b) は下面図である。

【図３】同上のバンプ電極整形時の要部の一部断面側面
図である。

【図４】同上の整形されたバンプ電極を示す側面図であ
る。

【図５】本考案の第２の実施例要部を示すもので、(a)
は整形部の一部断面側面図、(b) は整形部の下面図であ
る。

【図６】本考案の第３の実施例要部を示すもので、(a)
は整形部の側面図、(b) は整形部の下面図である。

【図７】本考案の第４の実施例要部を示す下面図であ
る。

【図８】本考案の第５の実施例要部を示す下面図であ
る。

【図９】従来の整形前のバンプ電極を示す要部側面図で
ある。

【図１０】同上の半導体装置実装基板への実装状態を示
す側面図である。

【図１１】従来の半導体装置用バンプ電極整形装置によ
るバンプ電極の整形状態を示す側面図である。

【図１２】同上の半導体装置実装用基板への一実装状態
を示す側面図である。

【図１３】同上の半導体装置実装用基板への別の実装状
態を示す一部断面側面図である。

【図１４】同上の半導体装置実装用基板へのさらに別の
実装状態を示す一部断面側面図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 ２ バンプ電極 ２ａ ワイヤ残り部 ４ 半導体装置実装用基板 ６ バンプ電極整形装置 ７ 整形部 ７ａ 凹部 ８ 当接部 １３ スペーサ ｄ１ バンプ電極の外径 ｈ３ 所定の深さ ｈ４ 所定の高さ

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置実装用基板と半導体装置の間
   を電気的に接続し、ボールボンディング用ワイヤボンダ
   により一端が切断されてバンプ電極形成面に形成された
   バンプ電極を加圧整形する整形部を具備してなる整形装
   置であって、前記整形部の先端に前記バンプ電極の外径
   よりも大きな凹部が形成され、該凹部内側の底面に前記
   バンプ電極の当接部が形成されると共に、該凹部の深さ
   が所定の深さとされて、前記当接部の少なくとも一部を
   前記バンプ電極のワイヤ残り部に当接させ、前記整形部
   を該整形部の先端が、前記バンプ電極形成面に略当接す
   るまで下降自在に構成したことを特徴とする半導体装置
   用バンプ電極整形装置。
2. 【請求項２】 半導体装置実装用基板と半導体装置の間
   を電気的に接続し、ボールボンディング用ワイヤボンダ
   により一端が切断されてバンプ電極形成面に形成された
   バンプ電極を加圧整形する整形部を具備してなる整形装
   置であって、前記整形部の先端に前記バンプ電極の当接
   部を形成すると共に、該当接部の外周端近傍に所定の高
   さを有するスペーサを、前記当接部から略垂直方向に突
   出させて固着し、前記スペーサで囲まれた当接部の少な
   くとも一部を前記バンプ電極のワイヤ残り部に当接さ
   せ、前記整形部を該整形部の先端に固着したスペーサ
   が、前記バンプ電極形成面に略当接するまで下降自在に
   構成したことを特徴とする半導体装置用バンプ電極整形
   装置。