JPH0810185Y2 - 半導体装置用バンプ電極整形装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本考案は、半導体装置と半導体装
置実装用基板の導体の間を電気的に接続するバンプ電極
の整形装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を突起状接続電極であるバン
プ電極を介して半導体装置実装用基板にフェースダウン
ボンディングする実装構造は、ワイヤボンディングによ
る実装構造に比べて、高密度実装が可能であり、ギャン
グ（一括）ボンディングができるため実装に要する時間
が短い等の優れた特徴がある。

【０００３】図９及び図１０は、従来のバンプ電極（整
形がされていない電極）を具備してなる半導体装置と、
その半導体装置がフェースダウンボンディングされた半
導体装置実装用基板を示すもので、同図における半導体
装置１は、バンプ電極である金属バンプ２（Auバンプ、
Cuバンプ等）を具備してなるフリップチップを示すもの
である。この半導体装置１のバンプ電極である金属バン
プ２の形成には、メッキによる方法、又は、ワイヤボン
ダによる方法があるが、メッキによる方法では、歩留り
が低く、さらにはフォトリソグラフィ工程を必要とし、
レジスト材料費、設備費及び人件費等でコストがかさむ
ため、一般にはワイヤボンダによる方法が多くとられて
いる。

【０００４】このワイヤボンダによる金属バンプ２（一
般にはスタッドバンプ又はボールバンプと呼ばれてい
る）の形成は、ワイヤボンダのキャピラリーの先端から
突出する電極材料、たとえばAuワイヤ（他にはCu、半田
等)の先端を、トーチ等により加熱してAuワイヤのボー
ルを形成し、そのAuワイヤのボールを、バンプ電極形成
面である半導体装置１上のAlパッドに熱圧着後、キャピ
ラリーの動作（たとえば横方向に移動させる）によりAu
ワイヤをボールの根元から切断して（引きちぎって）形
成するという方法がとられていた。このため、金属バン
プ２の形状は、その一端側である切断された側に、ボー
ルアップ時のボールからの熱によりAuワイヤ内部のAu結
晶粒が成長し、およそ数十μｍ程（図９においてｈ１−
ｈ２に相当）のワイヤ残り部２ａが生ずる（図９参
照）。

【０００５】このバンプ電極である金属バンプ２のワイ
ヤ残り部２ａは、ばらつきが大きく、半導体装置１は、
図１０に示すように導電性樹脂であるAgペースト３又は
半田等を用いて、このワイヤ残り部２ａをも含めた金属
バンプ２を介して半導体装置実装用基板４に実装される
が、金属バンプ２と半導体装置実装用基板４の導体５と
の接合後に、半導体装置１と半導体装置実装用基板４の
平行度が保てず、金属バンプ２の高さが低い部分では充
分な接合ができず、熱的、機械的応力が集中する等、極
めて不都合な実装状態となる。

【０００６】図１１及び図１２は、このような不都合を
解消するために検討された実装方法で、半導体装置用バ
ンプ電極整形装置６によりバンプ電極である金属バンプ
２を整形して実装するものである。この従来の半導体装
置用バンプ電極整形装置６は、先端が平坦な整形部７を
具備し、その整形部７の平坦な部分をバンプ電極２の当
接部８とし、その当接部８によりバンプ電極２をワイヤ
残り部２ａの上方から加圧（スタンピング）、又は加圧
及び加熱を行い、ワイヤ残り部２ａを潰して整形するも
のである。このように先端に平坦な整形部７を具備した
バンプ電極整形装置６としては、たとえばワイヤボンダ
のキャピラリーのワイヤ送り出し孔９をふさいで、その
先端を平坦な当接部８とし、その当接部８が半導体装置
１及び半導体装置実装用基板４の導体５等のバンプ電極
形成面と略平行に配設されたものが検討されている。

【０００７】このようなバンプ電極整形装置６を用いて
整形されたバンプ電極２を有する半導体装置１は、図１
２に示すようにインジウム合金１０や半田、及び導電性
樹脂（たとえばAgペースト）等を介在させて半導体装置
実装用基板４の導体５に接合されたり、図１３に示すよ
うに導電粒子を分散混合した異方性導電樹脂シート１１
を介在させて前記導体５に接合されたり、又は、図１４
に示すように前記導体５に圧接されて接合された後、半
導体装置１と半導体装置実装用基板４の間に、たとえば
光硬化性樹脂１２等を充填して実装されていた。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】ところが、このように
構成された従来の半導体装置用バンプ電極整形装置６に
おいては、整形部７の先端が平坦でその先端がバンプ電
極２の当接部８とされ、その平坦な当接部８をバンプ電
極２の上方からワイヤ残り部２ａに当接させて加圧整形
（スタンピング）するため、加圧力及びバンプ電極の強
度により整形度合いが異なる。このため、整形の条件で
ある加圧力等の調整を、ばらつきの大きなワイヤ残り部
２ａを有する個々のバンプ電極２に対して行ない、スタ
ンピング毎に整形されたバンプ電極２の高さを測定し、
整形後のバンプ電極２の高さを確認する必要があり、多
大な労力と時間を要し、整形作業が容易ではなく、製造
コストが高くなるという問題点があった。特にこの問題
は、半導体装置１のバンプ電極２の数が多くなればなる
ほど顕著であった。

【０００９】また、整形されたバンプ電極２の高さは、
整形条件のばらつきや測定精度等により一定とはなら
ず、なおバンプ電極２の高さにばらつきを有するものと
なる。このような不揃いの高さのバンプ電極２を介して
半導体装置１を半導体装置実装用基板４に実装した場合
には、前述の加圧整形前と略同様に半導体装置１と半導
体装置実装用基板４の平行度が保てず、バンプ電極２の
高さが低い部分では充分な接合ができず接続不良が生じ
たり、熱的、機械的なストレスが接合力の最も弱いバン
プ電極２の接合部分に集中して、剥離断線を生ずる等、
実装の信頼性が悪いという問題点があった。

【００１０】本考案は、前記背景に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、信頼性の高い半導体
装置の実装が可能なバンプ電極が容易に形成できるバン
プ電極整形装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本考案は、半導体装置実装用基板４と半導体装置１の間
を電気的に接続し、ボールボンディング用ワイヤボンダ
により一端が切断されてバンプ電極形成面に形成された
バンプ電極２を加圧整形する整形部７を具備してなる整
形装置６であって、前記整形部７の先端に前記バンプ電
極２の外径ｄ１よりも大きな凹部７ａが形成され、該凹
部７ａ内側の底面に前記バンプ電極２の当接部８が形成
されると共に、該凹部７ａの深さが所定の深さｈ３とさ
れて、前記当接部８の少なくとも一部を前記バンプ電極
２のワイヤ残り部２ａに当接させ、前記整形部７を該整
形部７の先端が、前記バンプ電極形成面である半導体装
置１のパッド、あるいは、半導体装置実装用基板４の導
体５に略当接するまで下降自在に構成したことを特徴と
するものである。

【００１２】また、半導体装置実装用基板４と半導体装
置１の間を電気的に接続し、ボールボンディング用ワイ
ヤボンダにより一端が切断されてバンプ電極形成面に形
成されたバンプ電極２を加圧整形する整形部７を具備し
てなる整形装置６であって、前記整形部７の先端に前記
バンプ電極２の当接部８を形成すると共に、該当接部８
の外周端近傍に所定の高さｈ４を有するスペーサ１３
を、前記当接部８から略垂直方向に突出させて固着し、
前記スペーサ１３で囲まれた当接部８の少なくとも一部
を前記バンプ電極２のワイヤ残り部２ａに当接させ、前
記整形部７を該整形部７の先端に固着したスペーサ１３
が、前記バンプ電極形成面である半導体装置１のパッ
ド、あるいは、半導体装置実装用基板４の導体５に略当
接するまで下降自在に構成したことを特徴とするもので
ある。

【００１３】

【作用】このように構成されているため、本考案におけ
る半導体装置用バンプ電極整形装置６においては、整形
部７の凹部７ａをバンプ電極２に合わせて整形部７を下
降させれば、凹部７ａの内側底面の当接部８がバンプ電
極２のワイヤ残り部２ａに当接し、さらに下降させるこ
とにより加圧（スタンピング）されてワイヤ残り部２ａ
が潰される。このワイヤ残り部２ａは、凹部７ａの周囲
部分である先端部がバンプ電極２の形成面である半導体
装置１のパッド、あるいは、半導体装置実装用基板４の
導体５に当接するまで整形部７が下降して潰され、バン
プ電極２の総高さが、凹部７ａの深さに略等しくなるよ
うに整形される。

【００１４】このとき、バンプ電極２は、ワイヤ残り部
２ａの径がボール状の電極下部に比べて径が小さく（た
とえば、電極材料としてAuワイヤ25μｍのものを用いた
場合、ワイヤ残り部２ａの径は約25μｍ、電極下部の径
は約90μｍ）、このため、ワイヤ残り部２ａの単位面積
当たりの加圧力は、電極下部の単位面積当たりの加圧力
に比べてはるかに大きく、ワイヤ残り部２ａは潰される
が電極下部はほとんど変形しない（たとえば上記例では
数μｍ以下）。

【００１５】このため、整形されたバンプ電極２の高さ
は、整形部７の凹部７ａの深さによって定まり、また、
バンプ電極２の整形が整形部７の先端がバンプ電極２の
形成面に当接するまで下降すれば行なえるため、バンプ
電極２の整形が容易で、全てのバンプ電極２が略均一な
高さとなると共に、整形されたバンプ電極２が半導体装
置１と半導体装置実装用基板４の導体５の間に介在して
半導体装置１と半導体装置実装用基板４を略平行に保
ち、複数のバンプ電極２と導体５の間の電気的接合が略
均等な強さで行なえ、実装の信頼性が向上する。

【００１６】また、整形部７の先端にバンプ電極２の当
接部８を形成すると共に、その当接部８の外周端近傍に
所定の高さｈ４を有するスペーサ１３を、前記当接部８
から略垂直方向に突出させて固着し、前記当接部８の少
なくとも一部を前記バンプ電極２に当接させ、前記整形
部７を該整形部７の先端に固着したスペーサ１３が、前
記バンプ電極形成面に略当接するまで下降自在に構成し
たため、整形部７の当接部８をバンプ電極２に合わせて
整形部２を下降させれば、当接部８がワイヤ残り部２ａ
に当接し、さらに下降させることにより加圧（スタンピ
ング）されてワイヤ残り部２ａが潰される。このワイヤ
残り部２ａは、スペーサ１３がバンプ電極２の形成面で
ある半導体装置１のパッド、あるいは、半導体装置実装
用基板４の導体５に当接するまで整形部７が下降して潰
され、バンプ電極２の総高さが、スペーサ１３の高さに
略等しくなるように整形される。

【００１７】このため、整形されたバンプ電極２の高さ
は、整形部７のスペーサ１３の高さによって定まり、ま
た、バンプ電極２の整形が整形部７をスペーサ１３がバ
ンプ電極２の形成面に当接するまで下降すれば行なえる
ため、バンプ電極２の整形が容易で、全てのバンプ電極
２が略均一な高さとなると共に、整形されたバンプ電極
２が半導体装置１と半導体装置実装用基板４の導体５の
間に介在して半導体装置１と半導体装置実装用基板４を
略平行に保ち、複数のバンプ電極２と導体５の間の電気
的接合が略均等な強さで行なえ、実装の信頼性が向上す
る。

【００１８】

【実施例】図１乃至図４は、本考案の第１の実施例を示
すものであり、前記従来例と異なる点は、バンプ電極２
を半導体装置１側に代えて半導体装置実装用基板４の導
体５の上に形成した点と、半導体装置用バンプ電極整形
装置６であり、他は前記従来例と同様に構成されてい
る。

【００１９】半導体装置用バンプ電極整形装置６は、バ
ンプ電極２を加圧整形する整形部７を具備してなり、そ
の整形部７がワイヤーボンダのボンディングヘッドに取
り付けられ、上下に移動自在に配設されてなるものであ
る。また、その整形部７は、その平面視が円形（図２
(b) 参照）で、整形部７の先端には平面視が円形の凹部
７ａが形成され、該凹部７ａの内面側の底面が平坦とさ
れてバンプ電極２への当接部８とされると共に、該凹部
７ａの深さが所望のバンプ電極２の高さ（整形後のバン
プ電極２の高さ）と略等しい所定の深さｈ３（整形前の
電極下部の高さｈ２とほとんど同じ高さ）とされ、その
凹部７ａの内径ｄがバンプ電極２の外径ｄ１よりも大き
く構成されたものである。

【００２０】このように構成されているため、本実施例
における半導体装置用バンプ電極整形装置６は、整形部
７の加圧力等の条件設定を行い、その整形部７をバンプ
電極２の上方に位置させて整形部７を下降させ、凹部７
ａの内面側の平坦な面である当接部８をバンプ電極２の
ワイヤ残り部２ａに当接させて、そのバンプ電極２のワ
イヤ残り部２ａを加圧（スタンピング）して整形でき、
また、整形部７は、凹部７ａの周囲部分である先端部が
バンプ電極２の形成面である半導体装置実装用基板４の
導体５に当接するまで下降してバンプ電極２のワイヤ残
り部２ａを潰す。つまり、バンプ電極２は、その総高さ
が、凹部７ａの深さに略等しく、かつ上端が平坦になる
ように整形される。

【００２１】このとき、バンプ電極２は、ワイヤ残り部
２ａの径がボール状の電極下部に比べて径が小さく（た
とえば、電極材料としてAuワイヤ25μｍのものを用いた
場合、ワイヤ残り部２ａの径は約25μｍ、電極下部の径
は約90μｍ）、このため、ワイヤ残り部２ａの単位面積
当たりの加圧力は、電極下部の単位面積当たりの加圧力
に比べてはるかに大きく、ワイヤ残り部２ａは潰される
が電極下部はほとんど変形しない（たとえば上記例では
数μｍ以下）。

【００２２】このため、整形されたバンプ電極２の高さ
は、整形部７の凹部７ａの深さによって定まり、また、
バンプ電極２の整形が整形部７の先端がバンプ電極形成
面である導体５に当接するまで下降すれば行なえるた
め、バンプ電極２の整形が容易で、全てのバンプ電極２
が略均一な高さとなると共に、整形されたバンプ電極２
が半導体装置１と半導体装置実装用基板４の導体５の間
に介在して半導体装置１と半導体装置実装用基板４を略
平行に保ち、複数のバンプ電極２と導体５の間の電気的
接合が略均等な強さで行なえ、実装の信頼性が向上す
る。

【００２３】なおここで、ワイヤ残り部２ａを整形する
際に、整形性を良くするために加熱（たとえば、約４０
０℃以下）を行なっても良い。

【００２４】図５は、本考案の第２の実施例を示すもの
であり、前記第１の実施例と異なる点は、整形部７及び
その先端に設けた凹部７ａであり、他は前記第１の実施
例と同様に構成されている。整形部７及びその整形部７
の先端の凹部７ａは、平面視が方形で、凹部７ａの一辺
の長さｄが少なくともバンプ電極２の外径ｄ１よりも大
きく形成され、その深さが所望のバンプ電極２の高さ
（整形後のバンプ電極２の高さ）と略等しい所定の深さ
とされたものであり、このような構成によっても前記第
１の実施例と同様の効果を奏する。

【００２５】なお、前記台２の実施例において、整形部
７の外形及び凹部７ａの形状は、方形に限られるもので
はなく、たとえば五角形、六角形等の多角形状とされた
ものであっても良い。

【００２６】図６は、本考案の第３の実施例を示すもの
であり、前記第２の実施例と異なる点は、整形部７であ
り、他は前記第２の実施例と同様に構成されている。整
形部７は、平面視が方形でその先端が平坦とされ、その
平坦な面をバンプ電極２の当接部８とすると共に、その
当接部８の外周端である４角に所定の高さｈ４（整形前
の電極下部の高さｈ２とほとんど同じ高さ）を有する複
数のスペーサ１３を、前記当接部８から略垂直方向に突
出させて固着して構成したものである。

【００２７】このような半導体装置用バンプ電極整形装
置６においては、整形部７の当接部８をバンプ電極２に
合わせて整形部２を下降させれば、当接部８がワイヤ残
り部２ａに当接し、さらに下降させることにより加圧
（スタンピング）されてワイヤ残り部２ａが潰される。
このワイヤ残り部２ａは、スペーサ１３がバンプ電極２
の形成面である半導体装置実装用基板４の導体５に当接
するまで整形部７が下降して潰される。つまり、バンプ
電極２は、その総高さがスペーサ１３の高さに略等し
く、かつ上端が平坦になるように整形される。

【００２８】このため、整形されたバンプ電極２の高さ
は、整形部７のスペーサ１３の高さによって定まり、ま
た、バンプ電極２の整形が整形部７をスペーサ１３がバ
ンプ電極２の形成面である導体５に当接するまで下降す
れば行なえるため、バンプ電極２の整形が容易で、全て
のバンプ電極２が略均一な高さとなると共に、整形され
たバンプ電極２が半導体装置１と半導体装置実装用基板
４の導体５の間に介在して半導体装置１と半導体装置実
装用基板４を略平行に保ち、複数のバンプ電極２と導体
５の間の電気的接合が略均等な強さで行なえ、実装の信
頼性が向上する。

【００２９】図７は、本考案の第４の実施例を示すもの
であり、前記第３の実施例と異なる点は、整形部７とス
ペーサ１３であり、他は前記第３の実施例と同様に構成
されている。整形部７は、平面視が円形でその先端が平
坦とされ、その平坦な面をバンプ電極２の当接部８とす
ると共に、その当接部８の外周端に当接部８の中心を介
して対向させて所定の高さｈ４を有する２つのスペーサ
１３を、前記当接部８から略垂直方向に突出させて固着
して構成したものである。このような構成によっても前
記第１の実施例と同様の効果を奏する。

【００３０】図８は、本考案の第５の実施例を示すもの
であり、前記第４の実施例と異なる点は、スペーサ１３
であり、他は前記第４の実施例と同様に構成されてい
る。スペーサ１３は、平面視が円形でその先端が平坦で
所定の高さｈ４を有し、前記整形部７先端の当接部８の
外周端に４つ配設され、前記当接部８から略垂直方向に
突出するように固着されて構成されたものである。この
ような構成によっても前記第１の実施例と同様の効果を
奏する。

【００３１】なお、前記各実施例においては、当接部８
を平坦な面を有するものに限って説明を行なったが、本
考案はこれに限らず、当接部が曲面状に形成されたもの
であっても良く、また、突起状電極であるバンプ電極２
は、半導体装置側又は半導体装置実装用基板側のどちら
側に設けられたものであっても良く、したがって、バン
プ電極形成面は、半導体装置のパッド又は、半導体装置
実装用基板の導体のどちらであっても良い。

【００３２】また、前記各実施例において、整形部７及
びスペーサ１３の下端のバンプ電極形成面と略当接する
部分に、バンプ電極形成面にキズや打痕を生じさせない
ように、たとえばテフロン樹脂コート等の緩衝材を設け
て構成したものであっても良いことは勿論である。

【００３３】

【考案の効果】上述のように本考案における半導体装置
用バンプ電極整形装置においては、整形部の凹部をバン
プ電極に合わせて整形部を下降させれば、凹部の内側底
面の当接部がバンプ電極のワイヤ残り部に当接し、さら
に下降させることにより加圧（スタンピング）されてワ
イヤ残り部が潰される。このワイヤ残り部は、凹部の周
囲部分である先端部がバンプ電極の形成面である半導体
装置のパッド、あるいは、半導体装置実装用基板の導体
に当接するまで整形部が下降して潰され、バンプ電極
は、その総高さが凹部の深さに略等しくなるように整形
される。

【００３４】このため、整形されたバンプ電極の高さ
は、整形部の凹部の深さによって定まり、また、バンプ
電極の整形が整形部の先端がバンプ電極の形成面に当接
するまで下降すれば行なえるため、バンプ電極の整形が
容易で、全てのバンプ電極が略均一な高さとなると共
に、整形されたバンプ電極が半導体装置と半導体装置実
装用基板の導体の間に介在して半導体装置と半導体装置
実装用基板を略平行に保ち、複数のバンプ電極と導体の
間の電気的接合が略均等な強さで行なえ、実装の信頼性
が向上する。

【００３５】また、整形部の先端にバンプ電極の当接部
を形成すると共に、その当接部の外周端近傍に所定の高
さを有する複数のスペーサを、前記当接部から略垂直方
向に突出させて固着し、前記当接部の少なくとも一部を
前記バンプ電極に当接させて加圧整形したため、整形部
の当接部をバンプ電極に合わせて整形部を下降させれ
ば、当接部がワイヤ残り部に当接し、さらに下降させる
ことにより加圧（スタンピング）されてワイヤ残り部が
潰される。このワイヤ残り部は、スペーサがバンプ電極
２の形成面である半導体装置のパッド、あるいは、半導
体装置実装用基板の導体に当接するまで整形部が下降し
て潰され、バンプ電極は、その総高さがスペーサの高さ
に略等しくなるように整形される。

【００３６】このため、整形されたバンプ電極の高さ
は、整形部のスペーサの高さによって定まり、また、バ
ンプ電極の整形が整形部をスペーサがバンプ電極の形成
面に当接するまで下降すれば行なえるため、バンプ電極
の整形が容易で、全てのバンプ電極が略均一な高さとな
ると共に、整形されたバンプ電極が半導体装置と半導体
装置実装用基板の導体の間に介在して半導体装置と半導
体装置実装用基板を略平行に保ち、複数のバンプ電極と
導体の間の電気的接合が略均等な強さで行なえ、実装の
信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の第１の実施例要部を示す一部断面側面
図である。

【図２】同上の整形部の要部を示すもので、(a) は一部
断面側面図、(b) は下面図である。

【図３】同上のバンプ電極整形時の要部の一部断面側面
図である。

【図４】同上の整形されたバンプ電極を示す側面図であ
る。

【図５】本考案の第２の実施例要部を示すもので、(a)
は整形部の一部断面側面図、(b) は整形部の下面図であ
る。

【図６】本考案の第３の実施例要部を示すもので、(a)
は整形部の側面図、(b) は整形部の下面図である。

【図７】本考案の第４の実施例要部を示す下面図であ
る。

【図８】本考案の第５の実施例要部を示す下面図であ
る。

【図９】従来の整形前のバンプ電極を示す要部側面図で
ある。

【図１０】同上の半導体装置実装基板への実装状態を示
す側面図である。

【図１１】従来の半導体装置用バンプ電極整形装置によ
るバンプ電極の整形状態を示す側面図である。

【図１２】同上の半導体装置実装用基板への一実装状態
を示す側面図である。

【図１３】同上の半導体装置実装用基板への別の実装状
態を示す一部断面側面図である。

【図１４】同上の半導体装置実装用基板へのさらに別の
実装状態を示す一部断面側面図である。

【符号の説明】 １ 半導体装置 ２ バンプ電極 ２ａ ワイヤ残り部 ４ 半導体装置実装用基板 ６ バンプ電極整形装置 ７ 整形部 ７ａ 凹部 ８ 当接部 １３ スペーサ ｄ１ バンプ電極の外径 ｈ３ 所定の深さ ｈ４ 所定の高さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−91440（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−116832（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−188948（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置実装用基板と半導体装置の間
   を電気的に接続し、ボールボンディング用ワイヤボンダ
   により一端が切断されてバンプ電極形成面に形成された
   バンプ電極を加圧整形する整形部を具備してなる整形装
   置であって、前記整形部の先端に前記バンプ電極の外径
   よりも大きな凹部が形成され、該凹部内側の底面に前記
   バンプ電極の当接部が形成されると共に、該凹部の深さ
   が所定の深さとされて、前記当接部の少なくとも一部を
   前記バンプ電極のワイヤ残り部に当接させ、前記整形部
   を該整形部の先端が、前記バンプ電極形成面に略当接す
   るまで下降自在に構成したことを特徴とする半導体装置
   用バンプ電極整形装置。
2. 【請求項２】 半導体装置実装用基板と半導体装置の間
   を電気的に接続し、ボールボンディング用ワイヤボンダ
   により一端が切断されてバンプ電極形成面に形成された
   バンプ電極を加圧整形する整形部を具備してなる整形装
   置であって、前記整形部の先端に前記バンプ電極の当接
   部を形成すると共に、該当接部の外周端近傍に所定の高
   さを有するスペーサを、前記当接部から略垂直方向に突
   出させて固着し、前記スペーサで囲まれた当接部の少な
   くとも一部を前記バンプ電極のワイヤ残り部に当接さ
   せ、前記整形部を該整形部の先端に固着したスペーサ
   が、前記バンプ電極形成面に略当接するまで下降自在に
   構成したことを特徴とする半導体装置用バンプ電極整形
   装置。