JPH0589553A - 光磁気デイスク再生装置 - Google Patents
光磁気デイスク再生装置Info
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- JPH0589553A JPH0589553A JP3275062A JP27506291A JPH0589553A JP H0589553 A JPH0589553 A JP H0589553A JP 3275062 A JP3275062 A JP 3275062A JP 27506291 A JP27506291 A JP 27506291A JP H0589553 A JPH0589553 A JP H0589553A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 パルス発生器１によりレーザ光源３から所定
の周期で光磁気ディスク７にレーザ光束を照射し、得ら
れた戻り光を二つの光検出器１２、１３で受光すると
き、上記光検出器１２、１３に上記戻り光以外の光束を
入射させた上で差動をとり再生信号を得る構成とするこ
とによって、上記光磁気ディスク７への平均入射光量を
極めて小とし、さらに、光検出器１２、１３にてｐｉｎ
フォトダイオードのショット雑音が支配的な領域で光電
変換が行われる。 【効果】 低出力の領域であっても熱雑音が発生せず、
得られる差動信号は、雑音に埋もれることがなく、Ｃ／
Ｎが高い光磁気信号となる。
の周期で光磁気ディスク７にレーザ光束を照射し、得ら
れた戻り光を二つの光検出器１２、１３で受光すると
き、上記光検出器１２、１３に上記戻り光以外の光束を
入射させた上で差動をとり再生信号を得る構成とするこ
とによって、上記光磁気ディスク７への平均入射光量を
極めて小とし、さらに、光検出器１２、１３にてｐｉｎ
フォトダイオードのショット雑音が支配的な領域で光電
変換が行われる。 【効果】 低出力の領域であっても熱雑音が発生せず、
得られる差動信号は、雑音に埋もれることがなく、Ｃ／
Ｎが高い光磁気信号となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に記録
された信号を再生する光磁気ディスク再生装置に関す
る。
された信号を再生する光磁気ディスク再生装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体、例えば光磁気ディスク
の信号再生方法は、光磁気ディスク上に磁化の向きとし
て記録されている情報を、光と磁化の相互作用であるカ
ー効果またはファラデ効果による偏光面の微小な回転に
変えて再生する方法である。しかし、光電変換を担うｐ
ｉｎフォトダイオード等には偏光に対する選択性がない
ため、偏光ビームスプリッタあるいは検光子等を用い
て、偏光面の回転を光の強度変化に変換して再生する方
法が用いられている。
の信号再生方法は、光磁気ディスク上に磁化の向きとし
て記録されている情報を、光と磁化の相互作用であるカ
ー効果またはファラデ効果による偏光面の微小な回転に
変えて再生する方法である。しかし、光電変換を担うｐ
ｉｎフォトダイオード等には偏光に対する選択性がない
ため、偏光ビームスプリッタあるいは検光子等を用い
て、偏光面の回転を光の強度変化に変換して再生する方
法が用いられている。
【０００３】ここで、従来の光磁気ディスクの信号再生
装置を図４を用いて説明する。この図４において、レー
ザ光源３１のレーザ光はＰ偏光成分（Ｐ波）のレーザ光
とする。上記レーザ光源３１からの出射光束は、コリメ
ータレンズ３２によって平行光束とされ、第１の偏光ビ
ームスプリッタ（ＰＢＳ）３３を通って対物レンズ３４
により光磁気ディスク７の信号記録層７ａに入射され
る。この光磁気ディスク７の信号記録層７ａで反射され
た反射光束は、対物レンズ３４を介し、第１のＰＢＳ３
３の反射面３３ａに達する。この第１のＰＢＳ３３の反
射面３３ａは、反射光束の方向を９０度変える。この９
０度方向を変えられた反射光束は、１／２波長板３６で
偏光面が４５度回転され、集光レンズ３７で集束状態と
され、第２の偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３８に入
射される。上記第２のＰＢＳ３８に入射された反射光束
は、該第２のＰＢＳ３８の反射面３８ａにより、互いに
直交する偏光面を持つ偏光成分に分離される。上記第２
のＰＢＳ３８の反射面３８ａを透過する第１の偏光成分
（Ｐ偏光成分）は、例えばｐｉｎフォトダイオードで構
成される光検出器３９に照射される。一方上記第２のＰ
ＢＳ３８の反射面３８ａで反射される第２の偏光成分
（Ｓ偏光成分）は、例えばｐｉｎフォトダイオードで構
成される光検出器４０に照射される。このとき、上記第
１の光検出器３９の出力信号Ｏ1 ’は、差動増幅器４１
の一方の入力側に供給され、また上記第２の光検出器４
０の出力信号Ｏ2 ’は、差動増幅器４２の他方の入力側
に供給される。
装置を図４を用いて説明する。この図４において、レー
ザ光源３１のレーザ光はＰ偏光成分（Ｐ波）のレーザ光
とする。上記レーザ光源３１からの出射光束は、コリメ
ータレンズ３２によって平行光束とされ、第１の偏光ビ
ームスプリッタ（ＰＢＳ）３３を通って対物レンズ３４
により光磁気ディスク７の信号記録層７ａに入射され
る。この光磁気ディスク７の信号記録層７ａで反射され
た反射光束は、対物レンズ３４を介し、第１のＰＢＳ３
３の反射面３３ａに達する。この第１のＰＢＳ３３の反
射面３３ａは、反射光束の方向を９０度変える。この９
０度方向を変えられた反射光束は、１／２波長板３６で
偏光面が４５度回転され、集光レンズ３７で集束状態と
され、第２の偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３８に入
射される。上記第２のＰＢＳ３８に入射された反射光束
は、該第２のＰＢＳ３８の反射面３８ａにより、互いに
直交する偏光面を持つ偏光成分に分離される。上記第２
のＰＢＳ３８の反射面３８ａを透過する第１の偏光成分
（Ｐ偏光成分）は、例えばｐｉｎフォトダイオードで構
成される光検出器３９に照射される。一方上記第２のＰ
ＢＳ３８の反射面３８ａで反射される第２の偏光成分
（Ｓ偏光成分）は、例えばｐｉｎフォトダイオードで構
成される光検出器４０に照射される。このとき、上記第
１の光検出器３９の出力信号Ｏ1 ’は、差動増幅器４１
の一方の入力側に供給され、また上記第２の光検出器４
０の出力信号Ｏ2 ’は、差動増幅器４２の他方の入力側
に供給される。
【０００４】ここで、光磁気ディスク７の信号記録層７
ａから反射される反射光束の偏光面は、カー効果によっ
て垂直磁化膜の磁化の方向に伴って回転される。図６に
上記光磁気ディスク７の反射光の偏光成分を示す。この
図において、光磁気ディスクに入射されるレーザ光のＰ
偏光方向を縦軸（Ｐ波軸）とする。この場合、該光磁気
ディスク７で反射される反射光は、光磁気ディスク７の
信号記録層７ａの磁化の向きに応じてそれぞれＩ0 + 及
びＩO - で表される。Ｐ波軸と反射光Ｉ0 + のなす角度
をθK 、Ｐ波軸と反射光ＩO - のなす角度を−θK と
し、反射光ＩO のＳ偏光成分（Ｓ波成分）及びＰ偏光成
分（Ｐ波成分）をそれぞれＩS 及びＩP とする。このＩ
S が上記光磁気信号であり、ＩP が同相成分である。ま
た、該θK が上述のカー効果による偏光面の回転角（カ
ー回転角）である。
ａから反射される反射光束の偏光面は、カー効果によっ
て垂直磁化膜の磁化の方向に伴って回転される。図６に
上記光磁気ディスク７の反射光の偏光成分を示す。この
図において、光磁気ディスクに入射されるレーザ光のＰ
偏光方向を縦軸（Ｐ波軸）とする。この場合、該光磁気
ディスク７で反射される反射光は、光磁気ディスク７の
信号記録層７ａの磁化の向きに応じてそれぞれＩ0 + 及
びＩO - で表される。Ｐ波軸と反射光Ｉ0 + のなす角度
をθK 、Ｐ波軸と反射光ＩO - のなす角度を−θK と
し、反射光ＩO のＳ偏光成分（Ｓ波成分）及びＰ偏光成
分（Ｐ波成分）をそれぞれＩS 及びＩP とする。このＩ
S が上記光磁気信号であり、ＩP が同相成分である。ま
た、該θK が上述のカー効果による偏光面の回転角（カ
ー回転角）である。
【０００５】例えば、磁化の方向が一方の向きであると
きには偏光面はθK度回転すると共に、磁化の方向が他
方の向きであるときには−θK 度回転する。そのため、
垂直磁化膜の磁化の方向が一方の向きであるときには、
第２のＰＢＳ３８を透過して光検出器３９に照射される
第１の偏光面の偏光成分が小もしくは大となると共に、
第２のＰＢＳ３８で反射されて光検出器４０に照射され
る第２の偏光面の偏光成分が大もしくは小となる。一
方、垂直磁化膜の磁化の方向が他方の向きであるときに
は、上述の逆状態となる。したがって、差動増幅器４１
より出力端子４２に出力される信号は、該差動増幅器４
２によって同相成分ＩP が除去され、光磁気ディスク３
５の信号記録層３５ａに記録された光磁気信号（ＭＯ）
ＩS のみとなる。
きには偏光面はθK度回転すると共に、磁化の方向が他
方の向きであるときには−θK 度回転する。そのため、
垂直磁化膜の磁化の方向が一方の向きであるときには、
第２のＰＢＳ３８を透過して光検出器３９に照射される
第１の偏光面の偏光成分が小もしくは大となると共に、
第２のＰＢＳ３８で反射されて光検出器４０に照射され
る第２の偏光面の偏光成分が大もしくは小となる。一
方、垂直磁化膜の磁化の方向が他方の向きであるときに
は、上述の逆状態となる。したがって、差動増幅器４１
より出力端子４２に出力される信号は、該差動増幅器４
２によって同相成分ＩP が除去され、光磁気ディスク３
５の信号記録層３５ａに記録された光磁気信号（ＭＯ）
ＩS のみとなる。
【０００６】上記図４に示した光磁気再生装置の性能を
評価する手段に、Ｃ／Ｎ（キャリア・ツウ・ノイズ・レ
シオ）がある。このＣ／Ｎ特性を説明する。ここでいう
雑音の要因としては、例えばレーザ光源をレーザダイオ
ードとしたときのレーザダイオードの雑音、レーザ光が
光磁気ディスクで反射されるときにディスク表面の微細
な凹凸や記録媒体の特性の揺らぎによって発生する媒体
雑音、ｐｉｎフォトダイオードの熱雑音及びｐｉｎフォ
トダイオードのショット雑音がある。これらの雑音が総
合されたものがＣ／Ｎにおける雑音（Ｎ）となる。上記
レーザダイオードの雑音は、レーザダイオードのＳ／Ｎ
（シグナル・ツウ・ノイズ・レシオ）が７０〜８０dB以
上であり、上記のＣ／Ｎに対して問題とならないレベル
である。ｐｉｎフォトダイオードの熱雑音は常にあるレ
ベル存在し、常温でこれを取り除くことは難しい。媒体
雑音は、上述の光学的な差動方法に対しては同相成分の
雑音であり、ある程度除去可能である。これらの関係を
図５に示す。
評価する手段に、Ｃ／Ｎ（キャリア・ツウ・ノイズ・レ
シオ）がある。このＣ／Ｎ特性を説明する。ここでいう
雑音の要因としては、例えばレーザ光源をレーザダイオ
ードとしたときのレーザダイオードの雑音、レーザ光が
光磁気ディスクで反射されるときにディスク表面の微細
な凹凸や記録媒体の特性の揺らぎによって発生する媒体
雑音、ｐｉｎフォトダイオードの熱雑音及びｐｉｎフォ
トダイオードのショット雑音がある。これらの雑音が総
合されたものがＣ／Ｎにおける雑音（Ｎ）となる。上記
レーザダイオードの雑音は、レーザダイオードのＳ／Ｎ
（シグナル・ツウ・ノイズ・レシオ）が７０〜８０dB以
上であり、上記のＣ／Ｎに対して問題とならないレベル
である。ｐｉｎフォトダイオードの熱雑音は常にあるレ
ベル存在し、常温でこれを取り除くことは難しい。媒体
雑音は、上述の光学的な差動方法に対しては同相成分の
雑音であり、ある程度除去可能である。これらの関係を
図５に示す。
【０００７】図５において、横軸はｐｉｎフォトダイオ
ード入力光量、縦軸は該ｐｉｎフォトダイオードの出力
電力である。熱雑音Ｎ1 は入射光量に関係なく略一定の
値を示す。ショット雑音Ｎ2 は光が電気に変換されると
きに生じる雑音で入射光量の平方根に比例する。媒体雑
音Ｎ3 及びレーザ雑音Ｎ4 は入射光量の増加にしたがっ
て増加するが、レーザ雑音Ｎ4 のレベルの方が小さい。
キャリア信号Ｃも入射光量が増えるにしたがって増加す
るが、入力光量があるレベルを越えたときには、減少す
る。これは、光磁気ディスク３５に照射される光量が大
きくなり過ぎて、レーザ光が照射された部分の温度が上
昇し、カー回転角θK が減少するためである。したがっ
て、Ｃ／Ｎの値は、図に示すＣＮＲ1 、ＣＮＲ2 、ＣＮ
Ｒ3 と入射光量の増加に伴って増加し、ショット雑音が
支配的な入射光量の範囲になると一定値ＣＮＲ4 とな
る。
ード入力光量、縦軸は該ｐｉｎフォトダイオードの出力
電力である。熱雑音Ｎ1 は入射光量に関係なく略一定の
値を示す。ショット雑音Ｎ2 は光が電気に変換されると
きに生じる雑音で入射光量の平方根に比例する。媒体雑
音Ｎ3 及びレーザ雑音Ｎ4 は入射光量の増加にしたがっ
て増加するが、レーザ雑音Ｎ4 のレベルの方が小さい。
キャリア信号Ｃも入射光量が増えるにしたがって増加す
るが、入力光量があるレベルを越えたときには、減少す
る。これは、光磁気ディスク３５に照射される光量が大
きくなり過ぎて、レーザ光が照射された部分の温度が上
昇し、カー回転角θK が減少するためである。したがっ
て、Ｃ／Ｎの値は、図に示すＣＮＲ1 、ＣＮＲ2 、ＣＮ
Ｒ3 と入射光量の増加に伴って増加し、ショット雑音が
支配的な入射光量の範囲になると一定値ＣＮＲ4 とな
る。
【０００８】上記Ｃ／Ｎは、光磁気ディスク７の信号記
録層７ａへの入射光量Ｉの平方根とカー回転角θK との
積に略比例する。したがって、Ｃ／Ｎを大とするため
に、レーザ光源３１のパワーを大として入射光量Ｉを増
加することが考えられる。しかし、単に入射光量Ｉを増
加すると、光磁気ディスク３５の信号記録層３５ａの垂
直磁化膜の温度が局部的に上昇し、カー回転角θK の減
少を招き、Ｃ／Ｎの増加が抑制される。これは、上述し
た図５におけるキャリア信号Ｃの増加の抑制と同様であ
る。この傾向は、再生時の光磁気ディスクの線速度が低
下する程顕著となる。
録層７ａへの入射光量Ｉの平方根とカー回転角θK との
積に略比例する。したがって、Ｃ／Ｎを大とするため
に、レーザ光源３１のパワーを大として入射光量Ｉを増
加することが考えられる。しかし、単に入射光量Ｉを増
加すると、光磁気ディスク３５の信号記録層３５ａの垂
直磁化膜の温度が局部的に上昇し、カー回転角θK の減
少を招き、Ｃ／Ｎの増加が抑制される。これは、上述し
た図５におけるキャリア信号Ｃの増加の抑制と同様であ
る。この傾向は、再生時の光磁気ディスクの線速度が低
下する程顕著となる。
【０００９】そこで考えられるのが、光磁気ディスク７
の信号記録層７ａの垂直磁化膜の温度上昇を招くことな
く、入射光量Ｉを増すことにより、Ｃ／Ｎの向上を図る
光磁気ディスク再生装置である。これについては、本出
願人が先に特願昭６２−３３９８号で提案している。す
なわち、光磁気ディスク７にレーザ光束を連続的に照射
し続けるのではなく、サンプリング周期で断続的に照射
することにより、入射光量Ｉを増加しても、垂直磁化膜
の温度上昇を招かないようにしたものである。しかし、
上述したようにショット雑音Ｎ2 は、入射光量Ｉの平方
根に比例するため、光磁気ディスク７にレーザ光束を断
続的に照射する場合であっても、入射光量Ｉを増加させ
るときのＣ／Ｎの上昇は入射光量Ｉの平方根に比例して
増加するにすぎない。このショット雑音は、ランダム雑
音であり、差動増幅器においてもそのままでは、除去し
えない雑音である。これに対し本出願人は、特開昭６３
−２９８７３４にて、光検出器の後段に積分手段を設
け、ショット雑音等のランダム雑音による影響を軽減し
て、Ｃ／Ｎの向上を図るようにした光磁気ディスク再生
装置を提案した。
の信号記録層７ａの垂直磁化膜の温度上昇を招くことな
く、入射光量Ｉを増すことにより、Ｃ／Ｎの向上を図る
光磁気ディスク再生装置である。これについては、本出
願人が先に特願昭６２−３３９８号で提案している。す
なわち、光磁気ディスク７にレーザ光束を連続的に照射
し続けるのではなく、サンプリング周期で断続的に照射
することにより、入射光量Ｉを増加しても、垂直磁化膜
の温度上昇を招かないようにしたものである。しかし、
上述したようにショット雑音Ｎ2 は、入射光量Ｉの平方
根に比例するため、光磁気ディスク７にレーザ光束を断
続的に照射する場合であっても、入射光量Ｉを増加させ
るときのＣ／Ｎの上昇は入射光量Ｉの平方根に比例して
増加するにすぎない。このショット雑音は、ランダム雑
音であり、差動増幅器においてもそのままでは、除去し
えない雑音である。これに対し本出願人は、特開昭６３
−２９８７３４にて、光検出器の後段に積分手段を設
け、ショット雑音等のランダム雑音による影響を軽減し
て、Ｃ／Ｎの向上を図るようにした光磁気ディスク再生
装置を提案した。
【００１０】なお、本出願人は、光検出器の入射光量
を、ｐｉｎフォトダイオードのショット雑音が支配的な
領域まで大きくするために加算されるレーザ光束とし
て、光磁気ディスクの反射光束を用いず、媒体雑音の影
響を受けないレーザ光束を用いることを特徴とする光磁
気記録媒体の信号検出装置についても、特開平２−１９
８０４４のなかで提案した。
を、ｐｉｎフォトダイオードのショット雑音が支配的な
領域まで大きくするために加算されるレーザ光束とし
て、光磁気ディスクの反射光束を用いず、媒体雑音の影
響を受けないレーザ光束を用いることを特徴とする光磁
気記録媒体の信号検出装置についても、特開平２−１９
８０４４のなかで提案した。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに光磁気ディスクに断続的にレーザ光束を照射し、該
光磁気ディスクからの断続的な反射光束を光検出器で受
光し、その光検出器の後段に設けた積分手段により、シ
ョット雑音等のランダム雑音による影響を軽減しようと
した光磁気再生装置であっても、低出力の領域では、図
２Ｄに示すように熱雑音が目立ち、得られる差動信号
は、雑音に埋もれてしまうことがある。
うに光磁気ディスクに断続的にレーザ光束を照射し、該
光磁気ディスクからの断続的な反射光束を光検出器で受
光し、その光検出器の後段に設けた積分手段により、シ
ョット雑音等のランダム雑音による影響を軽減しようと
した光磁気再生装置であっても、低出力の領域では、図
２Ｄに示すように熱雑音が目立ち、得られる差動信号
は、雑音に埋もれてしまうことがある。
【００１２】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて成
されたものであり、Ｃ／Ｎが高い光磁気ディスク再生装
置を提供することを目的とする。
されたものであり、Ｃ／Ｎが高い光磁気ディスク再生装
置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光源を
所定の周期でパルス発生させ、光磁気ディスクにレーザ
光束を照射すると共に、光磁気ディスクからの戻り光を
二つの光検出器で受光し、上記光検出器からの差動をと
ることによって再生信号を得るようにした光磁気ディス
ク再生装置において、上記光検出器に上記光磁気ディス
クからの戻り光以外の光束を入射させた上で、差動をと
るようにすることを特徴としている。
所定の周期でパルス発生させ、光磁気ディスクにレーザ
光束を照射すると共に、光磁気ディスクからの戻り光を
二つの光検出器で受光し、上記光検出器からの差動をと
ることによって再生信号を得るようにした光磁気ディス
ク再生装置において、上記光検出器に上記光磁気ディス
クからの戻り光以外の光束を入射させた上で、差動をと
るようにすることを特徴としている。
【００１４】
【作用】本発明によれば、レーザ光源を所定の周期で断
続的にパワーオンさせて、レーザ光源から光磁気ディス
クへの照射光束を断続的とし、該光磁気ディスクへの平
均入射光量を極めて小とすることで入射光量が増加して
も垂直磁化膜の温度上昇を招かないようにし、さらに、
光検出器に上記光磁気ディスクからの戻り光以外の光束
を加算させることにより、ｐｉｎフォトダイオードのシ
ョット雑音が支配的な領域で光検出器により光電変換が
行われるようにすることでＣ／Ｎを向上させる。
続的にパワーオンさせて、レーザ光源から光磁気ディス
クへの照射光束を断続的とし、該光磁気ディスクへの平
均入射光量を極めて小とすることで入射光量が増加して
も垂直磁化膜の温度上昇を招かないようにし、さらに、
光検出器に上記光磁気ディスクからの戻り光以外の光束
を加算させることにより、ｐｉｎフォトダイオードのシ
ョット雑音が支配的な領域で光検出器により光電変換が
行われるようにすることでＣ／Ｎを向上させる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係る光磁気ディスク再生装置
の第１の実施例について図１、図２を参照しながら説明
する。図１において、レーザ光源３は、シングルモード
レーザダイオードであり、出射される出射光束は、Ｐ波
とする。また、レーザ光源１１は、マルチモードレーザ
ダイオードであり、出射される出射光束は、例えば波長
が７８０nmのＰ波のレーザ光とする。
の第１の実施例について図１、図２を参照しながら説明
する。図１において、レーザ光源３は、シングルモード
レーザダイオードであり、出射される出射光束は、Ｐ波
とする。また、レーザ光源１１は、マルチモードレーザ
ダイオードであり、出射される出射光束は、例えば波長
が７８０nmのＰ波のレーザ光とする。
【００１６】先ず、パルス発生器１から例えばサンプリ
ング周期で発生されたパルス信号は、増幅器２を介し、
例えばレーザダイオード等のレーザ光源３に供給され
る。該レーザ光源３は、上記パルス信号に応じた断続的
な出射光束をピーク値６mW位の出力で出射するものとす
る。上記出射光束は、コリメータレンズ４で平行光束と
され、偏光選択性を持つビームスプリッタ５を介して、
対物レンズ６に至り、該対物レンズ６によって、光磁気
ディスク７の信号記録層７ａに集光され、照射される。
ここで、例えばこのビームスプリッタ５のＰ波に対する
透過率ＴP を９８％、反射率ＲP を２％とし、Ｓ波に対
する透過率ＴS を０％、反射率ＲS を１００％とする。
すなわち、光磁気ディスク７に照射される光量は、レー
ザ光源３の全光量の９８％となる。上記光磁気ディスク
７で反射された反射光束は、再び上記ビームスプリッタ
５に入射され、反射面５ａで反射される。この反射光束
は、１／２波長板８で偏光面が４５度回転され、集光レ
ンズ９を介し、偏光ビームスプリッタ１０に入射され
る。この偏光ビームスプリッタ１０で互いに直交する偏
光面を持つ偏光成分に分離されると共に、分離されたそ
れぞれの偏光成分には、上記レーザ光源１１からのレー
ザ光が加算される。上記レーザ光源１１からのレーザ光
は、いわゆる媒体雑音を含まないゲタ同相成分というこ
とができる。上記偏光ビームスプリッタ１０の界面１０
ａを透過した光磁気ディスク７からの断続的な反射光束
の第１の偏光成分と、上記ゲタ同相成分が加算されたレ
ーザ光は、光検出器１２に入射される。また、偏光ビー
ムスプリッタ１０の界面１０ａで反射されさらに反射面
１０ｂで反射された光磁気ディスク７からの断続的な反
射光束の第２の偏光成分と上記ゲタ同相成分が加算され
たレーザ光は、光検出器１３に入射される。
ング周期で発生されたパルス信号は、増幅器２を介し、
例えばレーザダイオード等のレーザ光源３に供給され
る。該レーザ光源３は、上記パルス信号に応じた断続的
な出射光束をピーク値６mW位の出力で出射するものとす
る。上記出射光束は、コリメータレンズ４で平行光束と
され、偏光選択性を持つビームスプリッタ５を介して、
対物レンズ６に至り、該対物レンズ６によって、光磁気
ディスク７の信号記録層７ａに集光され、照射される。
ここで、例えばこのビームスプリッタ５のＰ波に対する
透過率ＴP を９８％、反射率ＲP を２％とし、Ｓ波に対
する透過率ＴS を０％、反射率ＲS を１００％とする。
すなわち、光磁気ディスク７に照射される光量は、レー
ザ光源３の全光量の９８％となる。上記光磁気ディスク
７で反射された反射光束は、再び上記ビームスプリッタ
５に入射され、反射面５ａで反射される。この反射光束
は、１／２波長板８で偏光面が４５度回転され、集光レ
ンズ９を介し、偏光ビームスプリッタ１０に入射され
る。この偏光ビームスプリッタ１０で互いに直交する偏
光面を持つ偏光成分に分離されると共に、分離されたそ
れぞれの偏光成分には、上記レーザ光源１１からのレー
ザ光が加算される。上記レーザ光源１１からのレーザ光
は、いわゆる媒体雑音を含まないゲタ同相成分というこ
とができる。上記偏光ビームスプリッタ１０の界面１０
ａを透過した光磁気ディスク７からの断続的な反射光束
の第１の偏光成分と、上記ゲタ同相成分が加算されたレ
ーザ光は、光検出器１２に入射される。また、偏光ビー
ムスプリッタ１０の界面１０ａで反射されさらに反射面
１０ｂで反射された光磁気ディスク７からの断続的な反
射光束の第２の偏光成分と上記ゲタ同相成分が加算され
たレーザ光は、光検出器１３に入射される。
【００１７】上記第１の実施例の動作を図２を参照して
説明する。図１の第１の実施例において、光磁気ディス
ク７にレーザ光がサンプリング周期で断続的に照射され
る。この場合レーザ光の発生時間は、サンプリング周期
の１／５〜１／20とされる。このとき光検出器１２及び
１３の出力信号Ｏ1 及びＯ2 は、例えばそれぞれ図２Ａ
帯び図２Ｂに示すようになる。これら出力信号Ｏ1 及び
Ｏ2 には、ショット雑音が支配的な領域となるようなゲ
タ同相成分が含まれている。したがって、差動増幅器１
４より導出される出力端子１５には、同図Ｃに示すよう
にゲタ同相成分が除去された光磁気信号ＯO が出力され
る。この出力信号ＭＯは、同図Ｄに示された従来のパル
スリード方法によって得られる出力信号ＯO ’の低レベ
ルに目立つ熱雑音が除去されたものとなり、熱雑音に埋
もれてしまうことはない。
説明する。図１の第１の実施例において、光磁気ディス
ク７にレーザ光がサンプリング周期で断続的に照射され
る。この場合レーザ光の発生時間は、サンプリング周期
の１／５〜１／20とされる。このとき光検出器１２及び
１３の出力信号Ｏ1 及びＯ2 は、例えばそれぞれ図２Ａ
帯び図２Ｂに示すようになる。これら出力信号Ｏ1 及び
Ｏ2 には、ショット雑音が支配的な領域となるようなゲ
タ同相成分が含まれている。したがって、差動増幅器１
４より導出される出力端子１５には、同図Ｃに示すよう
にゲタ同相成分が除去された光磁気信号ＯO が出力され
る。この出力信号ＭＯは、同図Ｄに示された従来のパル
スリード方法によって得られる出力信号ＯO ’の低レベ
ルに目立つ熱雑音が除去されたものとなり、熱雑音に埋
もれてしまうことはない。
【００１８】すなわち、光磁気ディスク７にレーザ光を
断続的に照射することにより平均入射光量を小としなが
らも、入射光量Ｉを増加させ、光磁気ディスク７の垂直
磁化膜の温度上昇を招かないようにしながら、ｐｉｎフ
ォトダイオードのショット雑音が支配的な領域となるよ
うにゲダ同相成分を加算したレーザ光を光検出器に照射
する。その結果、図２Ｄに示された熱雑音を除去し、Ｃ
／Ｎの向上を図り、図６に示すように、光検出器のＣ／
Ｎを理論限界値ＣＮＲ5 まで高めることができる。
断続的に照射することにより平均入射光量を小としなが
らも、入射光量Ｉを増加させ、光磁気ディスク７の垂直
磁化膜の温度上昇を招かないようにしながら、ｐｉｎフ
ォトダイオードのショット雑音が支配的な領域となるよ
うにゲダ同相成分を加算したレーザ光を光検出器に照射
する。その結果、図２Ｄに示された熱雑音を除去し、Ｃ
／Ｎの向上を図り、図６に示すように、光検出器のＣ／
Ｎを理論限界値ＣＮＲ5 まで高めることができる。
【００１９】次に、本発明に係る光磁気ディスク再生装
置の第２の実施例について図３を参照しながら説明す
る。図３において、パルス発生器２１から例えばサンプ
リング周期で発生されたパルス信号は、増幅器２２を介
し、例えばレーザダイオード等のレーザ光源２３に供給
される。該レーザ光源２３は、上記パルス信号に応じた
断続的な出射光束を出射する。ここでこの出射光束を、
Ｐ偏光成分とする。上記出射光束は、コリメータレンズ
２４で平行光束とされ、ミラー面２５ａを有し偏光選択
性を持つビームスプリッタ２５、対物レンズ２６を介し
て、光磁気ディスク７の信号記録層７ａに照射される。
ここで例えばこのビームスプリッタ２５のＰ波に対する
透過率ＴP を９８％、反射率ＲP を２％とし、Ｓ波に対
する透過率ＴS を０％、反射率ＲS を１００％とする。
この場合、光磁気ディスク７に照射される光量は、レー
ザ光源３１の全光量の９８％となる。一方、レーザ光の
２％（ゲタ同相成分）は、ビームスプリッタ２５の界面
２５ｂで反射され、上記ミラー面２５ａで再び反射され
る。次に、光磁気ディスクで反射されたレーザ光は、再
び上記ビームスプリッタ２５に入射され、上記ビームス
プリッタ２５の界面２５ｂで光磁気信号ＩS の100 ％
が、光磁気ディスク７の反射光のＰ波成分ＩP の２％
（同相成分）が反射されるとともに、上記ミラー面２５
ａで反射されたゲタ同相成分と加算される。該加算され
た光束は、１／２波長板２７で偏光面が４５度回転さ
れ、集光レンズ２８を介して、偏光ビームスプリッタ
（ＰＢＳ）２９に入射され、該ＰＢＳ２９により互いに
直交する偏光面を持つ偏光成分に分離される。このＰＢ
Ｓ２９を透過した第１の偏光面を持つ偏光成分は、例え
ばｐｉｎフォトダイオードで構成される第１の光検出器
３０ａに入射される。一方、ＰＢＳ２９で反射された第
２の偏光面を持つ偏光成分は、例えばｐｉｎフォトダイ
オードで構成される第２の光検出器３０ｂに入射され
る。該光検出器３０ａ及び３０ｂの出力信号は、図示し
ない差動増幅器の入力端子に入力され，同相成分が除去
されＭＯ信号のみが検出される。
置の第２の実施例について図３を参照しながら説明す
る。図３において、パルス発生器２１から例えばサンプ
リング周期で発生されたパルス信号は、増幅器２２を介
し、例えばレーザダイオード等のレーザ光源２３に供給
される。該レーザ光源２３は、上記パルス信号に応じた
断続的な出射光束を出射する。ここでこの出射光束を、
Ｐ偏光成分とする。上記出射光束は、コリメータレンズ
２４で平行光束とされ、ミラー面２５ａを有し偏光選択
性を持つビームスプリッタ２５、対物レンズ２６を介し
て、光磁気ディスク７の信号記録層７ａに照射される。
ここで例えばこのビームスプリッタ２５のＰ波に対する
透過率ＴP を９８％、反射率ＲP を２％とし、Ｓ波に対
する透過率ＴS を０％、反射率ＲS を１００％とする。
この場合、光磁気ディスク７に照射される光量は、レー
ザ光源３１の全光量の９８％となる。一方、レーザ光の
２％（ゲタ同相成分）は、ビームスプリッタ２５の界面
２５ｂで反射され、上記ミラー面２５ａで再び反射され
る。次に、光磁気ディスクで反射されたレーザ光は、再
び上記ビームスプリッタ２５に入射され、上記ビームス
プリッタ２５の界面２５ｂで光磁気信号ＩS の100 ％
が、光磁気ディスク７の反射光のＰ波成分ＩP の２％
（同相成分）が反射されるとともに、上記ミラー面２５
ａで反射されたゲタ同相成分と加算される。該加算され
た光束は、１／２波長板２７で偏光面が４５度回転さ
れ、集光レンズ２８を介して、偏光ビームスプリッタ
（ＰＢＳ）２９に入射され、該ＰＢＳ２９により互いに
直交する偏光面を持つ偏光成分に分離される。このＰＢ
Ｓ２９を透過した第１の偏光面を持つ偏光成分は、例え
ばｐｉｎフォトダイオードで構成される第１の光検出器
３０ａに入射される。一方、ＰＢＳ２９で反射された第
２の偏光面を持つ偏光成分は、例えばｐｉｎフォトダイ
オードで構成される第２の光検出器３０ｂに入射され
る。該光検出器３０ａ及び３０ｂの出力信号は、図示し
ない差動増幅器の入力端子に入力され，同相成分が除去
されＭＯ信号のみが検出される。
【００２０】すなわち、光検出器の入射光量を、ｐｉｎ
フォトダイオードのショット雑音が支配的な領域まで大
きくするために、加算される光束として、光磁気ディス
ク７の反射光束を用いず、レーザ光源２３からの出射光
束の一部を用いる。
フォトダイオードのショット雑音が支配的な領域まで大
きくするために、加算される光束として、光磁気ディス
ク７の反射光束を用いず、レーザ光源２３からの出射光
束の一部を用いる。
【００２１】上記第２の実施例についての動作も上述し
た第１の実施例と同様、図２において説明できるもので
ある。
た第１の実施例と同様、図２において説明できるもので
ある。
【００２２】以上により、本発明に係る光磁気ディスク
再生装置の第２の実施例は、光磁気ディスク７にレーザ
光を断続的に照射することにより平均入射光量を小とし
ながらも、入射光量Ｉを増加させ、光磁気ディスク７の
垂直磁化膜の温度上昇を招かないようにしながら、ｐｉ
ｎフォトダイオードのショット雑音が支配的な領域とな
るようにゲダ同相成分を加算したレーザ光を光検出器に
照射する。その結果、図２Ｄに示された熱雑音を除去
し、Ｃ／Ｎの向上を図り、図６に示すように、光検出器
のＣ／Ｎを理論限界値ＣＮＲ5 まで高めることができ
る。
再生装置の第２の実施例は、光磁気ディスク７にレーザ
光を断続的に照射することにより平均入射光量を小とし
ながらも、入射光量Ｉを増加させ、光磁気ディスク７の
垂直磁化膜の温度上昇を招かないようにしながら、ｐｉ
ｎフォトダイオードのショット雑音が支配的な領域とな
るようにゲダ同相成分を加算したレーザ光を光検出器に
照射する。その結果、図２Ｄに示された熱雑音を除去
し、Ｃ／Ｎの向上を図り、図６に示すように、光検出器
のＣ／Ｎを理論限界値ＣＮＲ5 まで高めることができ
る。
【００２３】なお、本発明に係る光磁気ディスク再生装
置は、上述したような実施例だけに限定されるものでな
いことは、言うまでもなく、例えば差動光学系を用いず
に光検出器のｐｉｎフォトダイオードに入射されるレー
ザ光に含まれる媒体雑音が少ないので、１個の光検出器
で光磁気信号の検出が可能である自己結合型を用いても
よい。
置は、上述したような実施例だけに限定されるものでな
いことは、言うまでもなく、例えば差動光学系を用いず
に光検出器のｐｉｎフォトダイオードに入射されるレー
ザ光に含まれる媒体雑音が少ないので、１個の光検出器
で光磁気信号の検出が可能である自己結合型を用いても
よい。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る光磁気ディスク再生装置
は、レーザ光源を所定の周期でパルス発生させることに
より、光磁気ディスクへの照射光束を断続的に発生さ
せ、さらに光検出器に媒体雑音を含まない光束を加算す
ることにより、ｐｉｎフォトダイオードのショット雑音
が支配的な領域で光検出器により光電変換を行わせ、低
出力の領域であってもサーマルノイズを発生させず得ら
れる差動信号が雑音に埋もれることのない、Ｃ／Ｎが高
い光磁気信号が得られる。
は、レーザ光源を所定の周期でパルス発生させることに
より、光磁気ディスクへの照射光束を断続的に発生さ
せ、さらに光検出器に媒体雑音を含まない光束を加算す
ることにより、ｐｉｎフォトダイオードのショット雑音
が支配的な領域で光検出器により光電変換を行わせ、低
出力の領域であってもサーマルノイズを発生させず得ら
れる差動信号が雑音に埋もれることのない、Ｃ／Ｎが高
い光磁気信号が得られる。
【図１】本発明に係る光磁気信号再生装置の第１の実施
例の構成図である。
例の構成図である。
【図２】本発明に係る光磁気信号再生装置の第１、第２
の実施例の動作を説明する図である。
の実施例の動作を説明する図である。
【図３】本発明に係る光磁気信号再生装置の第２の実施
例の構成図である。
例の構成図である。
【図４】従来の光磁気信号再生装置の構成図である。
【図５】Ｃ／Ｎ特性を示す図である。
【図６】光磁気ディスクの反射光の偏光成分を示す図で
ある。
ある。
１・・・・・パルス発生器 ３・・・・・レーザ光源 ４・・・・・コリメータレンズ ５・・・・・偏光ビームスプリッタ ６・・・・・対物レンズ ７・・・・・光磁気ディスク ８・・・・・１／２波長板 ９・・・・・集光レンズ １１・・・・・ＬＥＤ １２、１３・・光検出器 １４・・・・・差動増幅器
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ光源を所定の周期でパルス発生さ
せ、光磁気ディスクにレーザ光束を照射すると共に、光
磁気ディスクからの戻り光を二つの光検出器で受光し、
上記光検出器からの差動をとることによって再生信号を
得るようにした光磁気ディスク再生装置において、 上記光検出器に上記光磁気ディスクからの戻り光以外の
光束を入射させた上で、差動をとるようにした光磁気デ
ィスク再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3275062A JPH0589553A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 光磁気デイスク再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3275062A JPH0589553A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 光磁気デイスク再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589553A true JPH0589553A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17550312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3275062A Withdrawn JPH0589553A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 光磁気デイスク再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8042638B2 (en) | 2005-07-05 | 2011-10-25 | Yanmar Co., Ltd. | Rotary working machine |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3275062A patent/JPH0589553A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8042638B2 (en) | 2005-07-05 | 2011-10-25 | Yanmar Co., Ltd. | Rotary working machine |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |