JPH058957U - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH058957U JPH058957U JP5501791U JP5501791U JPH058957U JP H058957 U JPH058957 U JP H058957U JP 5501791 U JP5501791 U JP 5501791U JP 5501791 U JP5501791 U JP 5501791U JP H058957 U JPH058957 U JP H058957U
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- JP
- Japan
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- chips
- semiconductor laser
- photocoupler
- light
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 少ない素子数でもって双方向の信号伝搬を行
うことができるフォトカプラを提供する。 【構成】 2つのチップ11,12を互いに対向させて
光信号の伝達を行う光半導体装置において、上記各チッ
プ11,12として半導体レーザチップを用いる。発光
と受光をそれぞれのチップ11,12に兼用させる。
うことができるフォトカプラを提供する。 【構成】 2つのチップ11,12を互いに対向させて
光信号の伝達を行う光半導体装置において、上記各チッ
プ11,12として半導体レーザチップを用いる。発光
と受光をそれぞれのチップ11,12に兼用させる。
Description
【0001】
この考案は、光半導体装置に関し、より詳しくは、双方向タイプのフォトカプ ラに関する。
【0002】
図5に示すように、従来のフォトカプラは、1組の発光素子1と受光素子2、 例えばGaAs発光ダイオードとシリコンフォトダイオードとを対向させ、これら を透光性を有する樹脂5でモールドし、さらに樹脂5の外周を黒色樹脂でモール ドして構成されている。3はリードフレーム、4はAuワイヤを示している。発 光素子1は、入力電気信号により発光して、受光素子2がこの光を受光して電気 信号に変えて出力する。すなわち、電気信号を一度光信号に変え、この光信号を 再び電気信号に変えている。これにより入力側Aと出力側Bとを電気的に完全に 分離した状態で、入力側Aから出力側Bへ信号を伝達することができる。したが って、入力側Aと出力側Bとの絶縁耐圧を非常に大きくでき、また、入力側Aの 雑音が出力側Bに伝搬するのを防止することができる。
【0003】
しかしながら、上記フォトカプラでは、入力側Aから出力側Bへの一方向の信 号伝搬しかできない。このため、双方向の信号伝搬を行うとき、従来は、図6に 示すように、発光素子1'と受光素子2'とをもう1組揃えてB側からA側への信 号伝搬を行っている。このようにした場合、素子数が増えて組み立てが困難とな り、また、端子数も増える(8本)ため、フォトカプラとして小型化することがで きないという問題がある。
【0004】 そこで、この考案の目的は、少ない素子数でもって双方向の信号伝搬を行うこ とができる光半導体装置を提供することにある。
【0005】
上記目的を達成するために、この考案の光半導体装置は、2つのチップを互い に対向させて光信号の伝達を行う光半導体装置において、上記各チップは半導体 レーザチップからなることを特徴としている。
【0006】
一般に、半導体レーザチップは、電極間に電流が注入されたとき発光素子とし て光を放出する一方、チップ内に光が入射されたとき、微弱ではあるが受光素子 として電流を発生させる。このように、半導体レーザチップは、発光素子と受光 素子の両方の性質を兼ね備えている。したがって、2つの半導体レーザチップを 互いにレーザ光出射箇所を対向させて配置した場合、一方のチップが発光素子と して働くとき他方のチップが受光素子として働き、また、上記一方のチップが受 光素子として働くとき上記他方のチップが発光素子として働く。したがって、少 ない素子数でもって双方向のフォトカプラが構成される。具体的には、双方向の 信号伝搬を行う場合に、従来に比して素子数は4個から2個へと減り、端子数も 8本から4本に減少する。
【0007】
以下、この考案の光半導体装置を実施例により詳細に説明する。
【0008】 図1は一実施例の双方向フォトカプラのブロック構成を示している。図1に示 すように、このフォトカプラは、互いに対向する一対の半導体レーザチップ11 ,12を備えている。13,14,15,16はリードピンを示している。このフォ トカプラを作製する場合、まず、図4(a)に示すように、半導体レーザチップ1 1,12をそれぞれ発光面が11a,12aが対向するようにリードフレーム19に ボンディングする。続いて、図4(b)に示すように、Auワイヤ20,21を用い て半導体レーザチップ11,12のリード配線を行う。この後、図4(c)に示すよ うに、半導体レーザチップ11,12を、これらのチップの発振光に対して透光 性を有する(透明または半透明)樹脂22でモールドする。これにより、2つのチ ップ11,12の間に光結合路(オプティカルパス)を形成する。さらに、外乱光 が入らないように、樹脂22の周囲を難燃性の黒色エポキシ樹脂22でモールド する。最後に、リードフレーム19をカットして、リードピン13,14,15, 16を成形する。
【0009】 このようにして作製した双方向フォトカプラは、半導体レーザチップ11,1 2がそれぞれ発光素子と受光素子の性質を兼ね備えているので、A,Bいずれの 側から信号を入力したとしても、反対側に信号を出力することができる。すなわ ち、双方向の信号伝搬を2つの半導体レーザチップ11,12で行うことができ 、従来に比して少ない素子数でもって行うことができる。また、発光素子として 発光ダイオードより高速の応答性を持つ半導体レーザチップ11,12を用いて いるので、従来に比して高速の信号伝搬を行うことができる。
【0010】 なお、半導体レーザチップは一般に受光感度がフォトダイオードより低いため 、上記フォトカプラの構成では受光側の出力信号を大きくできない。そこで、出 力信号を増やす手段として、図2に示すように、A側の半導体レーザチップ11 とB側の半導体レーザチップ12との間にレンズ(ホログラムレンスでも良い。) 25を挿入する。これにより、半導体レーザチップ11と12の間の光結合効率 を向上でき、受光側の出力信号を大きくすることができる。この場合、焦点位置 を正確に合わせる必要はなく、組み立て上、特に問題となることはない。
【0011】 また、図6に示すように、半導体レーザチップ11と12の間に上記樹脂22 よりも高屈折率を有する樹脂28を入れることによって、光結合効率を上げるこ ともできる。
【0012】
以上より明らかなように、この考案は、2つのチップを互いに対向させて光信 号の伝達を行う光半導体装置において、上記各チップとして半導体レーザチップ を用いているので、発光と受光をそれぞれのチップで兼用できる。したがって、 少ない素子数でもって双方向の信号伝搬を行うことができる。
【図1】 この考案の一実施例の双方向フォトカプラの
ブロック構成を示す図である。
ブロック構成を示す図である。
【図2】 上記双方向フォトカプラの構造に改良を加え
た例を示す図である。
た例を示す図である。
【図3】 上記双方向フォトカプラの構造に改良を加え
た例を示す図である。
た例を示す図である。
【図4】 上記双方向フォトカプラの作製工程を示す図
である。
である。
【図5】 従来の単方向フォトカプラの断面構造を示す
図である。
図である。
【図6】 従来の双方向フォトカプラのブロック構成を
示す図である。
示す図である。
11,12 半導体レーザチップ 13,14,15,16 リードピン 19 リードフレーム 20,21 Auワイヤ 22 シリコン樹脂 23 黒色エポ
キシ樹脂 25 レンズ 28 高屈折率
樹脂
キシ樹脂 25 レンズ 28 高屈折率
樹脂
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 2つのチップを互いに対向させて光信号
の伝達を行う光半導体装置において、 上記各チップは半導体レーザチップからなることを特徴
とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5501791U JPH058957U (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5501791U JPH058957U (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH058957U true JPH058957U (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=12986901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5501791U Pending JPH058957U (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH058957U (ja) |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP5501791U patent/JPH058957U/ja active Pending
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