JPH0638514B2 - フオトインタラプタ - Google Patents
フオトインタラプタInfo
- Publication number
- JPH0638514B2 JPH0638514B2 JP27927386A JP27927386A JPH0638514B2 JP H0638514 B2 JPH0638514 B2 JP H0638514B2 JP 27927386 A JP27927386 A JP 27927386A JP 27927386 A JP27927386 A JP 27927386A JP H0638514 B2 JPH0638514 B2 JP H0638514B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light receiving
- photo interrupter
- pellet
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
- H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトインタラプタに関し、とくに半導体発光
素子と半導体受光素子とを用いて樹脂封止一体化したフ
ォトインタラプタに関する。
素子と半導体受光素子とを用いて樹脂封止一体化したフ
ォトインタラプタに関する。
従来の半導体発光素子および半導体受光素子を用いたフ
ォトインタラプタとしては、半導体発光素子を樹脂封止
してリードを引き出した単体の発光部と、半導体受光素
子を樹脂封止してリードを引き出した単体の受光部とを
連結部を兼ねた外装ケース内に光軸を一致させて配置す
るものである。しかしこのような従来のフォトインタラ
プタでは発光部と受光部の光軸合わせの精度を出すこと
が困難であると共に、組み立て作業が煩雑であるという
欠点を有している。
ォトインタラプタとしては、半導体発光素子を樹脂封止
してリードを引き出した単体の発光部と、半導体受光素
子を樹脂封止してリードを引き出した単体の受光部とを
連結部を兼ねた外装ケース内に光軸を一致させて配置す
るものである。しかしこのような従来のフォトインタラ
プタでは発光部と受光部の光軸合わせの精度を出すこと
が困難であると共に、組み立て作業が煩雑であるという
欠点を有している。
この欠点を改良する案として、特開昭59−88876号公報に
て、半導体発光素子と半導体受光素子とをリードフレー
ム上にマウントして共通に樹脂封止一体化する構成が提
案されている。すなわち第４図(a)，(b)に示すごとく、
発光部１２と受光部14と連結部１６とが２つ割り金型を
用いたトランスファモールド技術で一体化形成されてお
り、発光側リード２２と受光側リード２４とがそれぞれ
逆方向に引き出されている。発光側リード２２の発光ペ
レット３２をマウントする部分は受光部１４に対向する
ように直角に折り曲げられている。同様に受光側リード
２４の受光ペレット３４をマウントする部分も発光部１
４に対向するように直角に折り曲げられている。両リー
ドの対向するマウント面にそれぞれマウントされた発光
ペレット３２と受光ペレット３４はそれぞれの凸レンズ
部１８を介して光結合される構成となっている。この例
では２つ割り金型を用いてレンズ部１８も同時に形成す
るために、連結部１６の中央が開口され、この開口部の
幅Ｌは、レンズ１８の径Ｄより広く形成されている。
て、半導体発光素子と半導体受光素子とをリードフレー
ム上にマウントして共通に樹脂封止一体化する構成が提
案されている。すなわち第４図(a)，(b)に示すごとく、
発光部１２と受光部14と連結部１６とが２つ割り金型を
用いたトランスファモールド技術で一体化形成されてお
り、発光側リード２２と受光側リード２４とがそれぞれ
逆方向に引き出されている。発光側リード２２の発光ペ
レット３２をマウントする部分は受光部１４に対向する
ように直角に折り曲げられている。同様に受光側リード
２４の受光ペレット３４をマウントする部分も発光部１
４に対向するように直角に折り曲げられている。両リー
ドの対向するマウント面にそれぞれマウントされた発光
ペレット３２と受光ペレット３４はそれぞれの凸レンズ
部１８を介して光結合される構成となっている。この例
では２つ割り金型を用いてレンズ部１８も同時に形成す
るために、連結部１６の中央が開口され、この開口部の
幅Ｌは、レンズ１８の径Ｄより広く形成されている。
上述した構成のフォトインタラプタは２つ割り金型を使
用することによって凸レンズ付の樹脂封止一体化構造を
達成しているが、次のような解善すべき問題点を依然と
して残している。
用することによって凸レンズ付の樹脂封止一体化構造を
達成しているが、次のような解善すべき問題点を依然と
して残している。
共通リードフレーム上に発光ペレットと受光ぺレットを
マウントし、所定のワイヤボンディングを行った後、そ
れぞれのマウント面が対向するように直角に折り曲げね
ばならないが、マウント後に折り曲げると、その曲げ歪
がペレットマウント面に影響を及ぼし、信頼性を低下さ
せてしまう。マウントする前にリードフレームを折り曲
げておけば良いが、その時には発光側リードフレームと
受光側リードフレームを分離する必要が生じ、両者の目
合せの問題が生じるのみならず、マウント工程やワイヤ
ボンディング工程も煩雑となってくるのであまり好まし
い方法とは思われない。
マウントし、所定のワイヤボンディングを行った後、そ
れぞれのマウント面が対向するように直角に折り曲げね
ばならないが、マウント後に折り曲げると、その曲げ歪
がペレットマウント面に影響を及ぼし、信頼性を低下さ
せてしまう。マウントする前にリードフレームを折り曲
げておけば良いが、その時には発光側リードフレームと
受光側リードフレームを分離する必要が生じ、両者の目
合せの問題が生じるのみならず、マウント工程やワイヤ
ボンディング工程も煩雑となってくるのであまり好まし
い方法とは思われない。
さらに発光側リードと受光側リードとがそれぞれ逆方向
に引き出されて後、再び同一方向に折り曲げられねばな
らないが、その折げ工程は樹脂モールド工程の後になる
ため、樹脂部にクラックを生じないよう引出し端面から
所定の距離を隔てた位置に折り曲げ部が配置されるの
で、フォトインタラプタの光軸方向の寸法が大きくなら
ざるを得ない。
に引き出されて後、再び同一方向に折り曲げられねばな
らないが、その折げ工程は樹脂モールド工程の後になる
ため、樹脂部にクラックを生じないよう引出し端面から
所定の距離を隔てた位置に折り曲げ部が配置されるの
で、フォトインタラプタの光軸方向の寸法が大きくなら
ざるを得ない。
また凸レンズをモールド工程で同時に形成する必要上、
連結部の中央に開口部が設けられるので、連結部の機械
的強度が弱くなる。これを補強するにはフォトインタラ
プタの光軸と垂直方向の寸法を大きくしなければならな
い。
連結部の中央に開口部が設けられるので、連結部の機械
的強度が弱くなる。これを補強するにはフォトインタラ
プタの光軸と垂直方向の寸法を大きくしなければならな
い。
このように従来提案されている樹脂モールド一体型フォ
トインタラプタの構造は、その製造工程に煩雑さを伴う
とともに、製品寸法も大型化してしまうという欠点があ
る。
トインタラプタの構造は、その製造工程に煩雑さを伴う
とともに、製品寸法も大型化してしまうという欠点があ
る。
本発明の目的のひとつは量産性に適した新しい構造の樹
脂モールド一体型のフォトインタラプタを提供すること
にある。
脂モールド一体型のフォトインタラプタを提供すること
にある。
本発明の他の目的は従来よりも小型で、とくに光軸に垂
直な方向の寸法が小さな構造の樹脂モールド一体型のフ
ォトインタラプタを提供することにある。
直な方向の寸法が小さな構造の樹脂モールド一体型のフ
ォトインタラプタを提供することにある。
本発明の特徴はリードフレームの発光ペレットと受光ペ
レットとをそれぞれマウントする面がモールド樹脂内に
おいて、実質的に同一平面上に位置するように各リード
が並置されていることである。したがって発光ペレット
と受光ペレットとはそのペレットの側面が互いに対向す
る関係で光結合される構成となるが、リードのマウント
面を対向させる必要がなくなり量産性にすぐれた構造と
なっている。
レットとをそれぞれマウントする面がモールド樹脂内に
おいて、実質的に同一平面上に位置するように各リード
が並置されていることである。したがって発光ペレット
と受光ペレットとはそのペレットの側面が互いに対向す
る関係で光結合される構成となるが、リードのマウント
面を対向させる必要がなくなり量産性にすぐれた構造と
なっている。
さらに本発明では、発光側リードおよび受光側リードの
全てがモールド樹脂の同一面から同一方向に引き出され
て、かつ全リードを一直線上に配列することができるの
で、光軸方向およびその直角方向の寸法も小型にするこ
とができる。
全てがモールド樹脂の同一面から同一方向に引き出され
て、かつ全リードを一直線上に配列することができるの
で、光軸方向およびその直角方向の寸法も小型にするこ
とができる。
光結合効率を改善するためにリードの発光ペレットマウ
ント面領域の厚みをリードの厚みより薄くして、その段
差部を光の反射に利用するのが好ましい。
ント面領域の厚みをリードの厚みより薄くして、その段
差部を光の反射に利用するのが好ましい。
さらに樹脂モールドの成形時に一対の凸レンズを同時に
形成することも、連結部に開口部を設ける必要なく容易
に達成できる。
形成することも、連結部に開口部を設ける必要なく容易
に達成できる。
第１図は本発明によるフォトインタラプタの一実施例の
外観を示す斜視図であり、第２図(a)〜(c)は第１図の平
面図、正面図、右側面図をそれぞれ示す。
外観を示す斜視図であり、第２図(a)〜(c)は第１図の平
面図、正面図、右側面図をそれぞれ示す。
図面から明らかなように全リードは同一平面上に配列さ
れており、発光ペレット３２の一方の電極はリード２２
の先端のマウント領域２２２上にマウントされて電気的
に接続され、発光ペレット３２の他方の電極は発光側リ
ード２２の他方の先端２２４にワイヤボンディング線４
２により電気的に接続されている。同様に受光側のリー
ド２４の一方のペレットマウント領域２４２上に受光ペ
レット３４の一方の電極がマウント接続され、他方の電
極が他方の受光側リード先端２４４にワイヤボンディン
グ線４２が電気的導通をとられている。第２図(a)，(b)
から明らかなように、この実施例ではリードのペレット
マウント領域は幅広に形成され、かつ隣接するリード部
の厚みより薄くなるようにあらかじめ成形しておいてマ
ウント領域とリードとの境界に段差を設けている。この
段差部によって発光ペレット３２の側面から出る光のう
ち、後方に向う成分が反射される一方、受光ペレット３
４側に入射した光も受光ペレット側のマウント部の段差
のところで光が反射されて受光素子の入射光量を増や
し、光結合効率を高めることに寄与している。
れており、発光ペレット３２の一方の電極はリード２２
の先端のマウント領域２２２上にマウントされて電気的
に接続され、発光ペレット３２の他方の電極は発光側リ
ード２２の他方の先端２２４にワイヤボンディング線４
２により電気的に接続されている。同様に受光側のリー
ド２４の一方のペレットマウント領域２４２上に受光ペ
レット３４の一方の電極がマウント接続され、他方の電
極が他方の受光側リード先端２４４にワイヤボンディン
グ線４２が電気的導通をとられている。第２図(a)，(b)
から明らかなように、この実施例ではリードのペレット
マウント領域は幅広に形成され、かつ隣接するリード部
の厚みより薄くなるようにあらかじめ成形しておいてマ
ウント領域とリードとの境界に段差を設けている。この
段差部によって発光ペレット３２の側面から出る光のう
ち、後方に向う成分が反射される一方、受光ペレット３
４側に入射した光も受光ペレット側のマウント部の段差
のところで光が反射されて受光素子の入射光量を増や
し、光結合効率を高めることに寄与している。
本実施例のごとく全リードが同一平面上に配列され、両
ペレットのマウント面も同一平面上にあるため、樹脂モ
ールド体の厚みは従来のものに比べ大幅に薄く形成する
ことが可能となる。また全リード２２，２４の図示のご
とく同一方向に引き出せるのでフォトインタラプタの
幅、すなわち光軸方向の寸法も小さくすることができ
る。全リードが同一平面上で同一方向に引き出されてい
るので、量産に適した２つ割り金型によるトランスファ
モールド技術が容易に適用でき、第４図の従来例のよう
に連結部１６の中央に凸レンズの直径より大きな開口部
を設ける必要も全く生じないから、強度的にも従来例よ
り秀れていると言うことができる。第２図(a)に示すご
とく、連結部にもリードの一部を延在させておくことに
より、より薄型化した場合でも連結部の機械的強度が補
強された構成となっている。
ペレットのマウント面も同一平面上にあるため、樹脂モ
ールド体の厚みは従来のものに比べ大幅に薄く形成する
ことが可能となる。また全リード２２，２４の図示のご
とく同一方向に引き出せるのでフォトインタラプタの
幅、すなわち光軸方向の寸法も小さくすることができ
る。全リードが同一平面上で同一方向に引き出されてい
るので、量産に適した２つ割り金型によるトランスファ
モールド技術が容易に適用でき、第４図の従来例のよう
に連結部１６の中央に凸レンズの直径より大きな開口部
を設ける必要も全く生じないから、強度的にも従来例よ
り秀れていると言うことができる。第２図(a)に示すご
とく、連結部にもリードの一部を延在させておくことに
より、より薄型化した場合でも連結部の機械的強度が補
強された構成となっている。
２つ割り金型を用いてトランスファーモールド成型する
場合、第４図に示す従来例では、２つ割り金型の接合線
をリードフレーム面と一致させる必要上、点線５２で示
すごとくフォトインタラプタの高さ方向に金型が割れね
ばならず、金型構造も複雑となる。これに対して本実施
例の場合はフォトインタラプタの厚み方向に金型が割れ
れば良いので金型構造も簡単で良い利点がある。第１図
において、金型の接合線は参照符号６０で示した点線で
表わされている。
場合、第４図に示す従来例では、２つ割り金型の接合線
をリードフレーム面と一致させる必要上、点線５２で示
すごとくフォトインタラプタの高さ方向に金型が割れね
ばならず、金型構造も複雑となる。これに対して本実施
例の場合はフォトインタラプタの厚み方向に金型が割れ
れば良いので金型構造も簡単で良い利点がある。第１図
において、金型の接合線は参照符号６０で示した点線で
表わされている。
本発明の実施例では発光ペレット３２と受光ペレット３
４は同一光軸上に並置され、各ペレットの側面が対向す
るように配置されるので、従来のごとく各ペレットの主
面を対向配置させる場合に比べ弱冠光結合効率は低下す
るものの実用上は差し支えない。とくに凸レンズ１８に
より発光ペレット３２の側面から放射された光は収束さ
れて受光側の凸レンズの面に照射され、それによって受
光ペレット３４の側面の中で最大の受光感度を有する部
分に集光する構成とすることにより充分実用に供するこ
とが可能となる。
４は同一光軸上に並置され、各ペレットの側面が対向す
るように配置されるので、従来のごとく各ペレットの主
面を対向配置させる場合に比べ弱冠光結合効率は低下す
るものの実用上は差し支えない。とくに凸レンズ１８に
より発光ペレット３２の側面から放射された光は収束さ
れて受光側の凸レンズの面に照射され、それによって受
光ペレット３４の側面の中で最大の受光感度を有する部
分に集光する構成とすることにより充分実用に供するこ
とが可能となる。
本発明の曲型的具体例としては、発光ペレット３２とし
て赤外光を発するヒ化ガリウム（GaAs）の発光ダイオー
ドを用い、受光ペレット３４としてはシリコン（Si）の
フォトトランジスタが用いられる。各ペレットは銀ペー
ストでリードフレームにマウントされる。金線によるワ
イヤボンディングののちトランスファモールドされる。
モールド樹脂としては赤外光透過性の可視光カット樹
脂、たとえばエポキシ樹脂に可視光カットの染料を添加
した製品名NT8513−9700（日東電工製）を用いる。
て赤外光を発するヒ化ガリウム（GaAs）の発光ダイオー
ドを用い、受光ペレット３４としてはシリコン（Si）の
フォトトランジスタが用いられる。各ペレットは銀ペー
ストでリードフレームにマウントされる。金線によるワ
イヤボンディングののちトランスファモールドされる。
モールド樹脂としては赤外光透過性の可視光カット樹
脂、たとえばエポキシ樹脂に可視光カットの染料を添加
した製品名NT8513−9700（日東電工製）を用いる。
各部の寸法例を挙げると、樹脂モールド体部の全幅（光
軸方向の寸法）は１１．０mmで、厚みは２．５mm、高さ
は８．５mmである。凸レンズ１８は半球でその直径は２
mmである。両凸レンズの頂点間の距離は３．０mmであ
る。凸レンズ１８の上下に位置する突出部１７の高さは
凸レンズの半径と同程度に選ばれている。各リード間の
間隔は同一で２．５４mmである。両リードのペレットマ
ウント領域の厚みとしては０．２６mmとした。また、上
述のように凸レンズ１８の上下にモールド樹脂で突出部
１７が形成されているので、対向するレンズ１８間に光
遮蔽物を挿入してもレンズ１８に傷が入りずらくなるよ
うに保護することができる。
軸方向の寸法）は１１．０mmで、厚みは２．５mm、高さ
は８．５mmである。凸レンズ１８は半球でその直径は２
mmである。両凸レンズの頂点間の距離は３．０mmであ
る。凸レンズ１８の上下に位置する突出部１７の高さは
凸レンズの半径と同程度に選ばれている。各リード間の
間隔は同一で２．５４mmである。両リードのペレットマ
ウント領域の厚みとしては０．２６mmとした。また、上
述のように凸レンズ１８の上下にモールド樹脂で突出部
１７が形成されているので、対向するレンズ１８間に光
遮蔽物を挿入してもレンズ１８に傷が入りずらくなるよ
うに保護することができる。
本発明のフォトインタラプタが上記材料寸法例に限定さ
れないことは言うまでもないことである。
れないことは言うまでもないことである。
第３図(a)，(b)は本発明に基づく他の実施例を示す正面
図および平面図である。第１，２図の実施例と同一個所
は同一参照符号を付している。この実施例と前述の実施
例との主な相違はリードのペレットマウント面の形状で
ある。両マウント領域２２６，２２８は野球のホームベ
ース形状の凹部が形成され、発光ペレット３２の側面か
らの出射光を第１の実施例よりも効率良く反射して受光
側へ向わせる構成となっている。受光側では入射した光
を第１の実施例よりも効率良く反射して受光ペレット３
４へ入射しやすくしている。この実施例では両矩形ペレ
ット２の側面が凹部の２側面と平行となるように傾けら
れている。
図および平面図である。第１，２図の実施例と同一個所
は同一参照符号を付している。この実施例と前述の実施
例との主な相違はリードのペレットマウント面の形状で
ある。両マウント領域２２６，２２８は野球のホームベ
ース形状の凹部が形成され、発光ペレット３２の側面か
らの出射光を第１の実施例よりも効率良く反射して受光
側へ向わせる構成となっている。受光側では入射した光
を第１の実施例よりも効率良く反射して受光ペレット３
４へ入射しやすくしている。この実施例では両矩形ペレ
ット２の側面が凹部の２側面と平行となるように傾けら
れている。
本発明におけるマウント部の凹部の形成は、リードフレ
ームの打ち抜き金型を適宜設計しておくことにより、リ
ードフレーム作成の段階で同時に形成されるので製造上
の工程増加は生じない。またリードフレームの作成は打
ち抜きに限らず、周知のエッチング技術で行なうことが
できることも明らかであろう。
ームの打ち抜き金型を適宜設計しておくことにより、リ
ードフレーム作成の段階で同時に形成されるので製造上
の工程増加は生じない。またリードフレームの作成は打
ち抜きに限らず、周知のエッチング技術で行なうことが
できることも明らかであろう。
また本発明のフォトインタラプタは暗ボックス内で使用
される場合のように外乱光の少ない環境下での使用用途
においてはそのまま使用できるが、外乱光の多い環境下
では遮光用のケースに別途組み込むことでより高信頼度
で使用できる。
される場合のように外乱光の少ない環境下での使用用途
においてはそのまま使用できるが、外乱光の多い環境下
では遮光用のケースに別途組み込むことでより高信頼度
で使用できる。
以上説明したように、本発明のフォトインタラプタは薄
く小型に形成でき、しかもレンズに対する保護も施され
ているので、現在の軽薄短小化を求められる電子部品の
ひとつとして時代のニーズに合致したものとなる。また
ペレットのマウント後にリードを折り曲げる必要がない
ので折り曲げ歪がペレットのマウント面に影響せず、高
信頼のフォトインタラプタが得られる。本発明によって
製造容易となり、資材の使用量も低減できるので量産性
とともにきわめて安価なフォトインタラプタが実用化で
きるようになった。
く小型に形成でき、しかもレンズに対する保護も施され
ているので、現在の軽薄短小化を求められる電子部品の
ひとつとして時代のニーズに合致したものとなる。また
ペレットのマウント後にリードを折り曲げる必要がない
ので折り曲げ歪がペレットのマウント面に影響せず、高
信頼のフォトインタラプタが得られる。本発明によって
製造容易となり、資材の使用量も低減できるので量産性
とともにきわめて安価なフォトインタラプタが実用化で
きるようになった。
第１図は本発明の第１の実施例によるフォトインタラプ
タの外観を示す斜視図である。 第２図(a)〜(c)は第１図の正面透視図、平面透視図およ
び右側面図である。 第３図(a)，(b)は本発明の第２の実施例によるフォトイ
ンタラプタの正面図および平面図である。 第４図(a)，(b)は従来提案されている樹脂モールド一体
化フォトインタラプタを示す斜視図および正面透視図で
ある。 １２……発光部、１４……受光部、１６……連結部、１
７……突出部、１８……凸レンズ、２２，２４……リー
ド、２２２，２４２……ペレットマウント部。
タの外観を示す斜視図である。 第２図(a)〜(c)は第１図の正面透視図、平面透視図およ
び右側面図である。 第３図(a)，(b)は本発明の第２の実施例によるフォトイ
ンタラプタの正面図および平面図である。 第４図(a)，(b)は従来提案されている樹脂モールド一体
化フォトインタラプタを示す斜視図および正面透視図で
ある。 １２……発光部、１４……受光部、１６……連結部、１
７……突出部、１８……凸レンズ、２２，２４……リー
ド、２２２，２４２……ペレットマウント部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 作村 洋一 熊本県宇土郡不知火町大字長崎89 九州電 子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−134992（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−76982（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−30556（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】半導体発光素子を内蔵する発光部と半導体
受光素子を内蔵する受光部とを間隙を保って対向配置す
る連結部を有し、かつ前記発光部と受光部と連結部とが
モールド樹脂体による一体成型で一体化されており、前
記半導体発光素子に電気的に接続された発光側リードと
前記半導体受光素子に電気的に接続された受光側リード
とが前記モールド樹脂体から引き出されているフォトイ
ンタラプタにおいて、前記発光側リードの前記半導体発
光素子をマウントする面と前記受光側リードの前記半導
体発光素子をマウントする面とが実質的に同一平面上に
位置するとともに前記発光部と受光部の相対向する側面
に凸レンズがそれぞれ設けられ、かつ前記各凸レンズの
上下に前記凸レンズの半径と同程度の高さの突出部が前
記モールド樹脂体で形成されていることを特徴とするフ
ォトインタラプタ。 - 【請求項２】前記発光側および受光側のリードの前記マ
ウント面が凹部となっていることを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項記載のフォトインタラプタ。
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