JPH0589723A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0589723A JPH0589723A JP3274542A JP27454291A JPH0589723A JP H0589723 A JPH0589723 A JP H0589723A JP 3274542 A JP3274542 A JP 3274542A JP 27454291 A JP27454291 A JP 27454291A JP H0589723 A JPH0589723 A JP H0589723A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 積層磁器コンデンサの誘電体層の一層当たり
の厚みが15μm以下になっても、25℃における比誘
電率εs が4000以上、−55℃から125℃の範囲
におけるTCが±15%以内、150℃で1hr熱処理
した後、1000hr経過後の容量変化率が3%以内、
25℃におけるtanδが2.5%以内の誘電体磁器組
成物を提供する。 【構成】 基本成分はBaTiO3 −NbO2. 5 −Ni
Oの三成分からなり、添加成分は、CaZrO3 及び/
又はBaZrO3 、Ln2 O3 (LnはGd,Sm及び
/又はNd)並びにMnOからなり、BaTiO3 は9
5.0〜99.0mol%、NbO2.5 は0.6〜4.
2mol%、NiOは0.2〜2.0mol%の割合に
なっている。基本成分100重量部に対して、CaZr
O3 及び/又はBaZrO3 は0.15〜1.90重量
部、Ln2 O3 は0.08〜0.30重量部、MnOは
0.007〜0.20重量部の割合で含まれている。
の厚みが15μm以下になっても、25℃における比誘
電率εs が4000以上、−55℃から125℃の範囲
におけるTCが±15%以内、150℃で1hr熱処理
した後、1000hr経過後の容量変化率が3%以内、
25℃におけるtanδが2.5%以内の誘電体磁器組
成物を提供する。 【構成】 基本成分はBaTiO3 −NbO2. 5 −Ni
Oの三成分からなり、添加成分は、CaZrO3 及び/
又はBaZrO3 、Ln2 O3 (LnはGd,Sm及び
/又はNd)並びにMnOからなり、BaTiO3 は9
5.0〜99.0mol%、NbO2.5 は0.6〜4.
2mol%、NiOは0.2〜2.0mol%の割合に
なっている。基本成分100重量部に対して、CaZr
O3 及び/又はBaZrO3 は0.15〜1.90重量
部、Ln2 O3 は0.08〜0.30重量部、MnOは
0.007〜0.20重量部の割合で含まれている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平坦な温度特性を有する
高誘電率系の誘電体磁器組成物に関するものである。
高誘電率系の誘電体磁器組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】平坦な温度特性を有する高誘電率系の誘
電体磁器組成物としては、例えばチタン酸バリウム(B
aTiO3 )に錫酸ビスマスなどのビスマス酸化物を添
加したもの(例1)、チタン酸バリウム(BaTi
O3)に五酸化ニオブ(Nb2 O5)と酸化コバルト(C
oOやCo2 O3 など)を添加したもの(例2)、チタ
ン酸バリウム(BaTiO3 )に五酸化ニオブ(Nb2
O5 )と希土類(La,Nd,Dyなど)の酸化物を添
加したもの(例3)などが知られている。
電体磁器組成物としては、例えばチタン酸バリウム(B
aTiO3 )に錫酸ビスマスなどのビスマス酸化物を添
加したもの(例1)、チタン酸バリウム(BaTi
O3)に五酸化ニオブ(Nb2 O5)と酸化コバルト(C
oOやCo2 O3 など)を添加したもの(例2)、チタ
ン酸バリウム(BaTiO3 )に五酸化ニオブ(Nb2
O5 )と希土類(La,Nd,Dyなど)の酸化物を添
加したもの(例3)などが知られている。
【0003】ところで、近年、電子回路の高密度化に伴
い、積層磁器コンデンサを更に小型化・大容量化するこ
とが求められている。積層磁器コンデンサを小型化・大
容量化する方法としては、誘電体層を形成している誘電
体磁器組成物自体の比誘電率εs を高める以外に、誘電
体層を薄層化・多層化することが知られている。そこ
で、上記誘電体磁器組成物を用いた積層磁器コンデンサ
についても小型化・大容量化のために誘電体層の薄層化
・多層化が図られている。
い、積層磁器コンデンサを更に小型化・大容量化するこ
とが求められている。積層磁器コンデンサを小型化・大
容量化する方法としては、誘電体層を形成している誘電
体磁器組成物自体の比誘電率εs を高める以外に、誘電
体層を薄層化・多層化することが知られている。そこ
で、上記誘電体磁器組成物を用いた積層磁器コンデンサ
についても小型化・大容量化のために誘電体層の薄層化
・多層化が図られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、例1の誘電体
磁器組成物は比誘電率εs 自体が1000〜2000と
かなり低いので、誘電体層を薄層化・多層化しても積層
磁器コンデンサの小型化・大容量化には限界があった。
磁器組成物は比誘電率εs 自体が1000〜2000と
かなり低いので、誘電体層を薄層化・多層化しても積層
磁器コンデンサの小型化・大容量化には限界があった。
【0005】また、例2、3の誘電体磁器組成物につい
ても、誘電体層の薄層化・多層化に伴なって、同一の電
圧を印加した場合に単位厚さ当りにかかる電界強度が大
きくなるので、誘電体層を薄層化・多層化し過ぎると積
層磁器コンデンサの誘電体損失(以下、tanδ)が悪
化し、静電容量の温度変化率(以下、TC)が悪化する
という問題点があった。
ても、誘電体層の薄層化・多層化に伴なって、同一の電
圧を印加した場合に単位厚さ当りにかかる電界強度が大
きくなるので、誘電体層を薄層化・多層化し過ぎると積
層磁器コンデンサの誘電体損失(以下、tanδ)が悪
化し、静電容量の温度変化率(以下、TC)が悪化する
という問題点があった。
【0006】本発明は積層磁器コンデンサの誘電体層の
一層当たりの厚みが15μm以下になっても、25℃に
おける比誘電率εs が4000以上、−55℃から12
5℃の範囲におけるTCが±15%以内、150℃で1
hr熱処理した後、1000hr経過後の容量変化率が
3%以内、25℃におけるtanδが2.5%以内の誘
電体磁器組成物を提供することを目的とするものであ
る。
一層当たりの厚みが15μm以下になっても、25℃に
おける比誘電率εs が4000以上、−55℃から12
5℃の範囲におけるTCが±15%以内、150℃で1
hr熱処理した後、1000hr経過後の容量変化率が
3%以内、25℃におけるtanδが2.5%以内の誘
電体磁器組成物を提供することを目的とするものであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】まず、本発明に係る誘電
体磁器組成物は基本成分と添加成分とからなり、基本成
分はBaTiO3 −NbO2.5 −NiOの三成分からな
り、添加成分は、CaZrO3 及び/又はBaZrO
3 、Ln2 O3 (LnはGd,Sm及び/又はNd)並
びにMnOからなる。
体磁器組成物は基本成分と添加成分とからなり、基本成
分はBaTiO3 −NbO2.5 −NiOの三成分からな
り、添加成分は、CaZrO3 及び/又はBaZrO
3 、Ln2 O3 (LnはGd,Sm及び/又はNd)並
びにMnOからなる。
【0008】ここで、基本成分及び添加成分を得るため
の出発原料としては実施例で示した酸化物以外の酸化
物、炭酸塩、水酸化物等を使用してもよい。
の出発原料としては実施例で示した酸化物以外の酸化
物、炭酸塩、水酸化物等を使用してもよい。
【0009】次に、基本成分中において、BaTiO3
は95.0〜99.0mol%、NbO2.5 は0.6〜
4.2mol%、NiOは0.2〜2.0mol%の割
合になっている。
は95.0〜99.0mol%、NbO2.5 は0.6〜
4.2mol%、NiOは0.2〜2.0mol%の割
合になっている。
【0010】BaTiO3 の割合が95.0〜99.0
mol%であるとした理由は、BaTiO3 の割合が9
5.0mol%未満では比誘電率εs が4000を下回
ったり、−55℃〜125℃におけるTCが±15%を
外れ、またBaTiO3 の割合が99.0mol%を越
えると25℃におけるtanδが2.5%を越えたり、
−55℃〜125℃におけるTCが±15%を外れてし
まうからである。
mol%であるとした理由は、BaTiO3 の割合が9
5.0mol%未満では比誘電率εs が4000を下回
ったり、−55℃〜125℃におけるTCが±15%を
外れ、またBaTiO3 の割合が99.0mol%を越
えると25℃におけるtanδが2.5%を越えたり、
−55℃〜125℃におけるTCが±15%を外れてし
まうからである。
【0011】また、NbO2.5 の割合が0.6〜4.2
mol%であるとした理由は、NbO2.5 の割合が0.
6mol%未満では比誘電率εs が4000を下回り、
tanδが2.5%を越え、−55℃〜125℃におけ
るTCが±15%を外れてしまい、またNbO2.5の割
合が4.2mol%を越えると比誘電率εs が4000
を下回り、−55℃〜125℃におけるTCが±15%
を外れてしまうからである。
mol%であるとした理由は、NbO2.5 の割合が0.
6mol%未満では比誘電率εs が4000を下回り、
tanδが2.5%を越え、−55℃〜125℃におけ
るTCが±15%を外れてしまい、またNbO2.5の割
合が4.2mol%を越えると比誘電率εs が4000
を下回り、−55℃〜125℃におけるTCが±15%
を外れてしまうからである。
【0012】また、NiOの割合が0.2〜2.0mo
l%であるとした理由は、NiOの割合が0.2mol
%未満では比誘電率εs が4000を下回り、tanδ
が2.5%を越えてしまい、またNiOの割合が2.0
mol%を越えると比誘電率εs が4000を下回って
しまうからである。
l%であるとした理由は、NiOの割合が0.2mol
%未満では比誘電率εs が4000を下回り、tanδ
が2.5%を越えてしまい、またNiOの割合が2.0
mol%を越えると比誘電率εs が4000を下回って
しまうからである。
【0013】次に、添加成分について、CaZrO3 及
び/又はBaZrO3 は基本成分100重量部に対して
0.15〜1.90重量部の割合で含有され、Ln2 O
3 は基本成分100重量部に対して0.08〜0.30
重量部の割合で含有され、MnOは基本成分100重量
部に対して0.007〜0.20重量部の割合で含有さ
れている。
び/又はBaZrO3 は基本成分100重量部に対して
0.15〜1.90重量部の割合で含有され、Ln2 O
3 は基本成分100重量部に対して0.08〜0.30
重量部の割合で含有され、MnOは基本成分100重量
部に対して0.007〜0.20重量部の割合で含有さ
れている。
【0014】ここで、CaZrO3 及び/又はBaZr
O3 の含有割合を基本成分100重量部に対して0.1
5〜1.90重量部としたのは、CaZrO3 及び/又
はBaZrO3 の含有割合が基本成分100重量部に対
して0.15重量部未満では比誘電率εs が4000を
下回ったり、1000時間後の容量変化率が3.0%を
越えてしまい、またCaZrO3 及び/又はBaZrO
3 の含有割合が基本成分100重量部に対して1.9重
量部を越えるとTCが±15%を外れてしまうからであ
る。尚、CaZrO3 とBaZrO3 はほゞ同様の働き
をするので少なくともいずれか一方が含まれていればよ
い。
O3 の含有割合を基本成分100重量部に対して0.1
5〜1.90重量部としたのは、CaZrO3 及び/又
はBaZrO3 の含有割合が基本成分100重量部に対
して0.15重量部未満では比誘電率εs が4000を
下回ったり、1000時間後の容量変化率が3.0%を
越えてしまい、またCaZrO3 及び/又はBaZrO
3 の含有割合が基本成分100重量部に対して1.9重
量部を越えるとTCが±15%を外れてしまうからであ
る。尚、CaZrO3 とBaZrO3 はほゞ同様の働き
をするので少なくともいずれか一方が含まれていればよ
い。
【0015】また、Ln2 O3 の含有割合を基本成分1
00重量部に対して0.08〜0.30重量部としたの
は、Ln2 O3 の含有割合が基本成分100重量部に対
して0.08重量部未満では1000時間後の容量変化
率が3%を越えたり、TCが±15%を外れてしまい、
またLn2 O3 の含有割合が基本成分100重量部に対
して0.30重量部を越えると比誘電率εs が4000
を下回ってしまうからである。
00重量部に対して0.08〜0.30重量部としたの
は、Ln2 O3 の含有割合が基本成分100重量部に対
して0.08重量部未満では1000時間後の容量変化
率が3%を越えたり、TCが±15%を外れてしまい、
またLn2 O3 の含有割合が基本成分100重量部に対
して0.30重量部を越えると比誘電率εs が4000
を下回ってしまうからである。
【0016】また、MnOの含有割合を基本成分100
重量部に対して0.007〜0.20重量部としたの
は、MnOの含有割合が基本成分100重量部に対して
0.007重量部未満ではtanδが2.5%を越えて
しまい、またMnOの含有割合が基本成分100重量部
に対して0.2重量部を越えるとTCが±15%を外れ
たり、1000hr後の容量変化率が3%を越えてしま
うからである。
重量部に対して0.007〜0.20重量部としたの
は、MnOの含有割合が基本成分100重量部に対して
0.007重量部未満ではtanδが2.5%を越えて
しまい、またMnOの含有割合が基本成分100重量部
に対して0.2重量部を越えるとTCが±15%を外れ
たり、1000hr後の容量変化率が3%を越えてしま
うからである。
【0017】尚、本発明においては、誘電体磁器組成物
の中にCeO2 ,Al2 O3 ,SiO2 などの焼結助剤
を、電気特性を悪化させない範囲で微量添加してもよ
い。
の中にCeO2 ,Al2 O3 ,SiO2 などの焼結助剤
を、電気特性を悪化させない範囲で微量添加してもよ
い。
【0018】
【実施例】まず、試料No.1の場合について説明す
る。 原料粉末の調製: 基本成分の原料として、純度99.
99%以上のチタン酸バリウム(BaTiO3 )、五酸
化ニオブ(Nb2 O5 )及び酸化ニッケル(NiO)を
次の割合で秤量した。 BaTiO3 …994.775g(99.0mol%) Nb2 O3 …………4.581g(Nbで0.8mol
%) NiO………………0.644g(0.2mol%)
る。 原料粉末の調製: 基本成分の原料として、純度99.
99%以上のチタン酸バリウム(BaTiO3 )、五酸
化ニオブ(Nb2 O5 )及び酸化ニッケル(NiO)を
次の割合で秤量した。 BaTiO3 …994.775g(99.0mol%) Nb2 O3 …………4.581g(Nbで0.8mol
%) NiO………………0.644g(0.2mol%)
【0019】また、添加物の原料として、メタジルコニ
ウム酸カルシウム(CaZrO3 )、酸化ガドリニウム
(Gd2 O3 )及び酸化マンガン(MnO)を、基本成
分1000gに対して次の割合で秤量した。 CaZrO3 …7.60g Gd2 O3 ……1.50g MnO…………0.50g
ウム酸カルシウム(CaZrO3 )、酸化ガドリニウム
(Gd2 O3 )及び酸化マンガン(MnO)を、基本成
分1000gに対して次の割合で秤量した。 CaZrO3 …7.60g Gd2 O3 ……1.50g MnO…………0.50g
【0020】そして、これら基本成分の原料及び添加成
分の原料を3リットルの水とともにボールミル中に入
れ、15時間湿式混合し、この湿式混合した原料をボー
ルミルから取り出し、大気中において150℃で3時間
乾燥し、この乾燥した原料をらいかい器で粗粉砕し、原
料粉末を得た。
分の原料を3リットルの水とともにボールミル中に入
れ、15時間湿式混合し、この湿式混合した原料をボー
ルミルから取り出し、大気中において150℃で3時間
乾燥し、この乾燥した原料をらいかい器で粗粉砕し、原
料粉末を得た。
【0021】グリーンシートの形成: 次に、この原料
粉末に有機バインダーを10重量%添加し、更に100
重量%の溶媒を加え、ボールミルを用いて24時間湿式
混合し、原料スラリーを得た。そして、この原料スラリ
ーを用い、リバースロールコータで10〜30μmの厚
さのグリーンシートを複数枚形成した。
粉末に有機バインダーを10重量%添加し、更に100
重量%の溶媒を加え、ボールミルを用いて24時間湿式
混合し、原料スラリーを得た。そして、この原料スラリ
ーを用い、リバースロールコータで10〜30μmの厚
さのグリーンシートを複数枚形成した。
【0022】内部電極の印刷: 次に、スクリーン印刷
機を用いて各グリーンシートの一方の面にPdペースト
からなる50個の内部電極パターン(1個の内部電極パ
ターンは長さ14mm×幅7mm)を印刷形成した。
機を用いて各グリーンシートの一方の面にPdペースト
からなる50個の内部電極パターン(1個の内部電極パ
ターンは長さ14mm×幅7mm)を印刷形成した。
【0023】積層チップの形成: 次に、内部電極パタ
ーンの乾燥後、内部電極パターンを上にして、グリーン
シートを10枚積層した。この際、隣り合うグリーンシ
ートの内部電極パターンはその長手方向に半分程ずれる
ようにした。そして、積層させたグリーンシートの上下
に厚さ30μmのグリーンシートをカバーシートとして
5枚ずつ積層した。更に、この積層物を金型に入れて熱
圧着させた。そして、この熱圧着により得られた積層物
を格子状に裁断し、50個の積層チップを得た。
ーンの乾燥後、内部電極パターンを上にして、グリーン
シートを10枚積層した。この際、隣り合うグリーンシ
ートの内部電極パターンはその長手方向に半分程ずれる
ようにした。そして、積層させたグリーンシートの上下
に厚さ30μmのグリーンシートをカバーシートとして
5枚ずつ積層した。更に、この積層物を金型に入れて熱
圧着させた。そして、この熱圧着により得られた積層物
を格子状に裁断し、50個の積層チップを得た。
【0024】積層チップの焼成: 積層チップを焼成炉
に入れ、大気雰囲気下で、20℃/hrの速度で300
℃まで昇温させながら加熱し、この温度で3時間保持さ
せて積層チップ内の有機バインダーを分解燃焼させ、2
50℃/hrの速度で1280℃まで昇温させながら加
熱し、この温度で2時間保持させて十分緻密化させ、1
50℃/hrの速度で降温させ、室温まで冷却した。
に入れ、大気雰囲気下で、20℃/hrの速度で300
℃まで昇温させながら加熱し、この温度で3時間保持さ
せて積層チップ内の有機バインダーを分解燃焼させ、2
50℃/hrの速度で1280℃まで昇温させながら加
熱し、この温度で2時間保持させて十分緻密化させ、1
50℃/hrの速度で降温させ、室温まで冷却した。
【0025】外部電極の形成: この積層チップの両方
の端部(裁断によって内部電極の端部が露出している部
分)にAgペーストを塗布し、これを約800℃で焼き
付けて外部電極とし、積層磁器コンデンサを作成した。
の端部(裁断によって内部電極の端部が露出している部
分)にAgペーストを塗布し、これを約800℃で焼き
付けて外部電極とし、積層磁器コンデンサを作成した。
【0026】電気特性の測定: 次に、このようにして
形成した積層磁器コンデンサについて、誘電体層の比誘
電率εs 、25℃におけるtanδ、TC及び1000
時間後の容量変化率ΔCを測定したところ、比誘電率ε
s が4200、tanδが1.90%、TCのΔCmax
が+10.4%、ΔCmin が−13.3%、容量変化率
ΔCが2.8%であった。なお、電気特性は次の要領で
測定した。
形成した積層磁器コンデンサについて、誘電体層の比誘
電率εs 、25℃におけるtanδ、TC及び1000
時間後の容量変化率ΔCを測定したところ、比誘電率ε
s が4200、tanδが1.90%、TCのΔCmax
が+10.4%、ΔCmin が−13.3%、容量変化率
ΔCが2.8%であった。なお、電気特性は次の要領で
測定した。
【0027】(1) 比誘電率εs 温度25℃、周波数1kHz、電圧(実効値)1.0V
の条件で積層磁器コンデンサの静電容量を測定し、この
測定値、内部電極の有効交差面積及び電極間距離とから
計算で求めた。
の条件で積層磁器コンデンサの静電容量を測定し、この
測定値、内部電極の有効交差面積及び電極間距離とから
計算で求めた。
【0028】(2) tanδ 比誘電率εs の測定と同一条件にて測定した。
【0029】(3) 静電容量の温度特性 恒温槽の中に試料である積層磁器コンデンサを入れ、−
55℃,−25℃,0℃,20℃,25℃,40℃,6
0℃,85℃,105℃,125℃の各温度において周
波数1kHZ、電圧1.0V(実効値)の条件で静電容
量を測定し、25℃の時の静電容量Cに対する変化率を
求め、この変化率の最大値ΔCmax 及びこの変化率の最
小値ΔCmin を求めた。
55℃,−25℃,0℃,20℃,25℃,40℃,6
0℃,85℃,105℃,125℃の各温度において周
波数1kHZ、電圧1.0V(実効値)の条件で静電容
量を測定し、25℃の時の静電容量Cに対する変化率を
求め、この変化率の最大値ΔCmax 及びこの変化率の最
小値ΔCmin を求めた。
【0030】(4) 1000時間後の容量変化率ΔC 試料である積層磁器コンデンサに150℃の熱処理を1
時間施した時の静電容量C1 とそれから1000時間後
の静電容量C2 を測定し、次式により1000時間後の
容量変化率ΔCを算出した。 ΔC=〔(C2 −C1 )/C1 〕×100(%)
時間施した時の静電容量C1 とそれから1000時間後
の静電容量C2 を測定し、次式により1000時間後の
容量変化率ΔCを算出した。 ΔC=〔(C2 −C1 )/C1 〕×100(%)
【0031】以上、試料No.1の場合について説明し
たが、試料No2〜47についても基本成分及び添加成
分の組成を表1に示すように変えた他は試料No.1と
全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作製し、同一の
方法で電気特性を測定した。結果は表1に示す通りとな
った。
たが、試料No2〜47についても基本成分及び添加成
分の組成を表1に示すように変えた他は試料No.1と
全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作製し、同一の
方法で電気特性を測定した。結果は表1に示す通りとな
った。
【0032】尚、表1の基本成分の欄の数値の単位はモ
ル%、添加成分の欄の数値の単位は基本成分100重量
部に対する重量部である。添加成分の欄におけるCZは
CaZrO3 の略、CBはBaZrO3 の略である。肉
厚tの欄の数値(μm)は誘電体層一層当たりの平均肉
厚である。また試料Noに※印を付けた試料は比較例で
ある。
ル%、添加成分の欄の数値の単位は基本成分100重量
部に対する重量部である。添加成分の欄におけるCZは
CaZrO3 の略、CBはBaZrO3 の略である。肉
厚tの欄の数値(μm)は誘電体層一層当たりの平均肉
厚である。また試料Noに※印を付けた試料は比較例で
ある。
【0033】
【表1(1) 】
【0034】
【表1(2) 】
【0035】
【表1(3) 】
【0036】次に、表1(1) 〜表1(3) の結果について
検討する。まず、BaTiO3 の割合が、試料No.
1,4に示すように99.0mol%の場合は所望の電
気特性のものが得られるが、BaTiO3 の割合が、試
料No.5に示すように99.1mol%の場合は、2
5℃におけるtanδが2.5%よりも大きくなり、−
55℃〜125℃における静電容量の25℃を基準とし
た変化率の最小値が−15%を下回ってしまい、所望の
電気特性のものを得ることができない。従って、BaT
iO3 の割合の上限値は99.0mol%ということに
なる。
検討する。まず、BaTiO3 の割合が、試料No.
1,4に示すように99.0mol%の場合は所望の電
気特性のものが得られるが、BaTiO3 の割合が、試
料No.5に示すように99.1mol%の場合は、2
5℃におけるtanδが2.5%よりも大きくなり、−
55℃〜125℃における静電容量の25℃を基準とし
た変化率の最小値が−15%を下回ってしまい、所望の
電気特性のものを得ることができない。従って、BaT
iO3 の割合の上限値は99.0mol%ということに
なる。
【0037】また、BaTiO3 の割合が、試料No.
2,3に示すように95.0mol%の場合は所望の電
気特性のものが得られるが、BaTiO3 の割合が、試
料No.6に示すように94.9mol%の場合は誘電
率εs が4000を下回り、−55℃〜125℃におけ
る静電容量の25℃を基準とした変化率の最小値が−1
5%を下回ってしまう。従って、BaTiO3 の割合の
下限値は95.0mol%ということになる。
2,3に示すように95.0mol%の場合は所望の電
気特性のものが得られるが、BaTiO3 の割合が、試
料No.6に示すように94.9mol%の場合は誘電
率εs が4000を下回り、−55℃〜125℃におけ
る静電容量の25℃を基準とした変化率の最小値が−1
5%を下回ってしまう。従って、BaTiO3 の割合の
下限値は95.0mol%ということになる。
【0038】また、Nb2 O5 の割合が、試料No.2
に示すように4.2mol%の場合は所望の電気特性の
ものが得られるが、NbO2.5 の割合が、試料No.8
に示すように4.3mol%の場合は誘電率εs が40
00を下回り、−55℃〜125℃における静電容量の
25℃を基準とした変化率の最小値が−15%を大きく
下回ってしまう。従って、Nb2 O5 の割合の上限値は
4.2mol%ということになる。
に示すように4.2mol%の場合は所望の電気特性の
ものが得られるが、NbO2.5 の割合が、試料No.8
に示すように4.3mol%の場合は誘電率εs が40
00を下回り、−55℃〜125℃における静電容量の
25℃を基準とした変化率の最小値が−15%を大きく
下回ってしまう。従って、Nb2 O5 の割合の上限値は
4.2mol%ということになる。
【0039】また、Nb2 O5 の割合が、試料No.4
に示すように0.6mol%の場合は所望の電気特性の
ものが得られるが、NbO2.5 の割合が、試料No.7
に示すように0.5mol%の場合はTcの最小値が−
15%を下回り、誘電率εsが4000を下回ってしま
う。従って、Nb2 O5 の割合の下限値は0.6mol
%ということになる。
に示すように0.6mol%の場合は所望の電気特性の
ものが得られるが、NbO2.5 の割合が、試料No.7
に示すように0.5mol%の場合はTcの最小値が−
15%を下回り、誘電率εsが4000を下回ってしま
う。従って、Nb2 O5 の割合の下限値は0.6mol
%ということになる。
【0040】また、NiOの割合が、試料No.3に示
すように2.0mol%の場合は所望の電気特性のもの
が得られるが、NiOの割合が、試料No.10に示す
ように2.1mol%の場合は比誘電率εs が4000
を下回ってしまう。従って、NiOの割合の上限値は
2.0mol%ということになる。
すように2.0mol%の場合は所望の電気特性のもの
が得られるが、NiOの割合が、試料No.10に示す
ように2.1mol%の場合は比誘電率εs が4000
を下回ってしまう。従って、NiOの割合の上限値は
2.0mol%ということになる。
【0041】また、NiOの割合が、試料No.1に示
すように0.2mol%の場合は所望の電気特性のもの
が得られるが、NiOの割合が、試料No.9に示すよ
うに0.1mol%の場合はtanδが2.5%を越
え、誘電率εs が4000を下回ってしまう。従って、
NiOの割合の下限値は0.2mol%ということにな
る。
すように0.2mol%の場合は所望の電気特性のもの
が得られるが、NiOの割合が、試料No.9に示すよ
うに0.1mol%の場合はtanδが2.5%を越
え、誘電率εs が4000を下回ってしまう。従って、
NiOの割合の下限値は0.2mol%ということにな
る。
【0042】また、CaZrO3 の添加量が、試料N
o.21に示すように1.9重量部の場合は所望の電気
特性を得ることができるが、CaZrO3 の添加量が、
試料No.22に示すように1.96重量部の場合はT
Cが−15%を下回ってしまう。従って、CaZrO3
又はBaZrO3 の添加量の上限値は基本成分100重
量部に対して1.9重量部ということになる。
o.21に示すように1.9重量部の場合は所望の電気
特性を得ることができるが、CaZrO3 の添加量が、
試料No.22に示すように1.96重量部の場合はT
Cが−15%を下回ってしまう。従って、CaZrO3
又はBaZrO3 の添加量の上限値は基本成分100重
量部に対して1.9重量部ということになる。
【0043】また、CaZrO3 の添加量が、試料N
o.17に示すように基本成分100重量部に対して
0.15重量部の場合は所望の電気特性を得ることがで
きるが、CaZrO3 又はBaZrO3 の添加量が、試
料No.16に示すように零の場合は1000hr後の
容量変化率が3.0%を越えてしまう。従って、CaZ
rO3 又はBaZrO3 の添加量の下限値は基本成分1
00重量部に対して0.15重量部ということになる。
o.17に示すように基本成分100重量部に対して
0.15重量部の場合は所望の電気特性を得ることがで
きるが、CaZrO3 又はBaZrO3 の添加量が、試
料No.16に示すように零の場合は1000hr後の
容量変化率が3.0%を越えてしまう。従って、CaZ
rO3 又はBaZrO3 の添加量の下限値は基本成分1
00重量部に対して0.15重量部ということになる。
【0044】尚、試料No.11〜15で示すようにC
aZrO3 とBaZrO3 とはほゞ同様の働きをしてい
る。従って、CaZrO3 とBaZrO3 のうちの少な
くとも一方が基本成分100重量部に対して0.15〜
1.9重量部含まれていれば、所望の電気特性を得るこ
とができる。
aZrO3 とBaZrO3 とはほゞ同様の働きをしてい
る。従って、CaZrO3 とBaZrO3 のうちの少な
くとも一方が基本成分100重量部に対して0.15〜
1.9重量部含まれていれば、所望の電気特性を得るこ
とができる。
【0045】また、Gdの添加量が、試料No.28に
示すように0.30重量部の場合は所望の電気特性を得
ることができるが、Gdの添加量が、試料No.29に
示すように0.32重量部の場合は比誘電率εs が40
00を下回ってしまう。従って、Gdの添加量の上限値
は0.30重量部ということになる。
示すように0.30重量部の場合は所望の電気特性を得
ることができるが、Gdの添加量が、試料No.29に
示すように0.32重量部の場合は比誘電率εs が40
00を下回ってしまう。従って、Gdの添加量の上限値
は0.30重量部ということになる。
【0046】また、Gd2 O3 の添加量が、試料No.
23に示すように零の場合にはTCが−15%を下回
り、容量変化率が3%を越えてしまうが、Gd2 O3 の
添加量が、試料No.24に示すように基本成分100
重量部に対して0.08重量部の場合は所望の電気特性
を得ることができる。従って、Gd2 O3 の添加量の下
限値は基本成分100重量部に対してGdで0.08重
量部ということになる。なお、Nd,Smについてもほ
ゞ同様の傾向を示した。
23に示すように零の場合にはTCが−15%を下回
り、容量変化率が3%を越えてしまうが、Gd2 O3 の
添加量が、試料No.24に示すように基本成分100
重量部に対して0.08重量部の場合は所望の電気特性
を得ることができる。従って、Gd2 O3 の添加量の下
限値は基本成分100重量部に対してGdで0.08重
量部ということになる。なお、Nd,Smについてもほ
ゞ同様の傾向を示した。
【0047】また、MnOの添加量が、試料No.35
に示すように0.20重量部の場合は所望の電気特性の
ものを得ることができるが、MnOの添加量が、試料N
o.36に示すように0.21重量部の場合はTcが−
15%を下回り、熱処理して1000hr経過後の容量
変化率が3%を越えてしまう。従って、MnOの上限値
は基本成分100重量部に対して0.20重量部という
ことになる。
に示すように0.20重量部の場合は所望の電気特性の
ものを得ることができるが、MnOの添加量が、試料N
o.36に示すように0.21重量部の場合はTcが−
15%を下回り、熱処理して1000hr経過後の容量
変化率が3%を越えてしまう。従って、MnOの上限値
は基本成分100重量部に対して0.20重量部という
ことになる。
【0048】また、MnOの添加量が、試料No.31
に示すように基本成分100重量部に対して0.007
重量部の場合は所望の電気特性を得ることができるが、
MnOの添加量が、試料No.30に示すように零の場
合は、25℃におけるtanδが2.5%を越えてしま
う。従って、MnOの下限値は基本成分100重量部に
対して0.007重量部ということになる。
に示すように基本成分100重量部に対して0.007
重量部の場合は所望の電気特性を得ることができるが、
MnOの添加量が、試料No.30に示すように零の場
合は、25℃におけるtanδが2.5%を越えてしま
う。従って、MnOの下限値は基本成分100重量部に
対して0.007重量部ということになる。
【0049】また、本発明の組成範囲に入らない誘電体
磁器組成物では、試料No.37〜39及び43,44
に示すように、誘電体層の厚さが15μm以下になる
と、tanδが2.5%を越え、TCが±15%の範囲
から外れてしまうが、本発明の組成範囲に入る誘電体磁
器組成物では、試料No.41,42,46,47に示
すように誘電体層の厚さが15μm以下になっても所望
の電気特性のものが得られている。
磁器組成物では、試料No.37〜39及び43,44
に示すように、誘電体層の厚さが15μm以下になる
と、tanδが2.5%を越え、TCが±15%の範囲
から外れてしまうが、本発明の組成範囲に入る誘電体磁
器組成物では、試料No.41,42,46,47に示
すように誘電体層の厚さが15μm以下になっても所望
の電気特性のものが得られている。
【0050】なお、上記実施例では内部電極用の導電性
ペーストとしてAgペーストを使用したが、焼成温度に
応じてAg/Pdペーストを用いることもできる。焼成
温度が上記実施例のように1280℃の場合、Ag/P
dペーストとしてはAg/Pd=30/70の組成のも
のが好ましい。
ペーストとしてAgペーストを使用したが、焼成温度に
応じてAg/Pdペーストを用いることもできる。焼成
温度が上記実施例のように1280℃の場合、Ag/P
dペーストとしてはAg/Pd=30/70の組成のも
のが好ましい。
【0051】
【発明の効果】本発明によれば誘電体層の一層当たりの
厚みが15μmより小さくなっても、25℃における比
誘電率が4000以上、−55℃〜125℃の範囲にお
ける25℃を基準にした静電容量の温度変化率が±15
%以内、1000時間後の容量変化率が3%以内、25
℃におけるtanδが2.5%以内の特性を有する誘電
体磁器組成物が得られる。
厚みが15μmより小さくなっても、25℃における比
誘電率が4000以上、−55℃〜125℃の範囲にお
ける25℃を基準にした静電容量の温度変化率が±15
%以内、1000時間後の容量変化率が3%以内、25
℃におけるtanδが2.5%以内の特性を有する誘電
体磁器組成物が得られる。
Claims (1)
- 【請求項1】 基本成分と添加成分とからなり、基本成
分はBaTiO3−NbO2.5 −NiOの三成分からな
り、添加成分は、CaZrO3 及び/又はBaZrO
3 、Ln2 O3 (LnはGd,Sm及び/又はNd)並
びにMnOからなり、 基本成分中において、BaTiO3 は95.0〜99.
0mol%、NbO2. 5 は0.6〜4.2mol%、N
iOは0.2〜2.0mol%の割合になっており、 CaZrO3 及び/又はBaZrO3 は基本成分100
重量部に対して0.15〜1.90重量部の割合で含ま
れ、Ln2 O3 は基本成分100重量部に対して0.0
8〜0.30重量部の割合で含まれ、MnOは基本成分
100重量部に対して0.007〜0.20重量部の割
合で含まれている誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274542A JPH0589723A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274542A JPH0589723A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589723A true JPH0589723A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17543168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3274542A Pending JPH0589723A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589723A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1982004487A1 (fr) * | 1981-06-12 | 1982-12-23 | Tokuyama Keiichi | Alimentation pour un equipement electronique installe sur un vehicule automobile |
| JP2016113355A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 誘電体磁器組成物、誘電体材料及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| KR20180038429A (ko) * | 2018-04-02 | 2018-04-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 유전체 재료 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536308A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Tdk Corp | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP3274542A patent/JPH0589723A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536308A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Tdk Corp | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1982004487A1 (fr) * | 1981-06-12 | 1982-12-23 | Tokuyama Keiichi | Alimentation pour un equipement electronique installe sur un vehicule automobile |
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| KR20160073243A (ko) * | 2014-12-16 | 2016-06-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 유전체 재료 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
| KR20180038429A (ko) * | 2018-04-02 | 2018-04-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 유전체 재료 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960416 |