JPH0536308A - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率誘電体磁器組成物Info
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- JPH0536308A JPH0536308A JP3212666A JP21266691A JPH0536308A JP H0536308 A JPH0536308 A JP H0536308A JP 3212666 A JP3212666 A JP 3212666A JP 21266691 A JP21266691 A JP 21266691A JP H0536308 A JPH0536308 A JP H0536308A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高誘電率誘電体組成物に関し、広
い温度範囲にわたって誘電率変化が少なく、誘電体損失
の小さい優れた高誘電率誘電体組成物を提供することを
目的とする。 【構成】 高誘電率誘電体磁器組成物の主成分としてB
aTiO3 :94.0〜99.0モル%、Nb2 O5 : 0.5〜3.
0 モル%、NiO: 0.5〜3.0 モル%に対し、添加物と
して、CaZrO3 を 0.2〜7.0 重量%含有させた。ま
た前記組成物に、La2 O3 、Nd2 O3 、Sm2 O3
の内、いずれか一種類を 0.7重量%以下含有させた。更
に、前記組成物に、MnOを 0.3重量%以下含有させ
た。
い温度範囲にわたって誘電率変化が少なく、誘電体損失
の小さい優れた高誘電率誘電体組成物を提供することを
目的とする。 【構成】 高誘電率誘電体磁器組成物の主成分としてB
aTiO3 :94.0〜99.0モル%、Nb2 O5 : 0.5〜3.
0 モル%、NiO: 0.5〜3.0 モル%に対し、添加物と
して、CaZrO3 を 0.2〜7.0 重量%含有させた。ま
た前記組成物に、La2 O3 、Nd2 O3 、Sm2 O3
の内、いずれか一種類を 0.7重量%以下含有させた。更
に、前記組成物に、MnOを 0.3重量%以下含有させ
た。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高誘電率誘電体磁器組
成物に係り、特に広い温度範囲にわたって誘電率の変化
が小さく、かつ誘電体損失が小さいため、例えば自動車
のエンジンルーム等の高温にさらされる場所での使用可
能な高誘電率誘電体磁器組成物に関する。
成物に係り、特に広い温度範囲にわたって誘電率の変化
が小さく、かつ誘電体損失が小さいため、例えば自動車
のエンジンルーム等の高温にさらされる場所での使用可
能な高誘電率誘電体磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】誘電率が高く、その温度変化の小さな誘
電体磁器組成物として、従来、チタン酸バリウム(Ba
TiO3 )にビスマス化合物、例えばBi2 O3 、2S
nO2 や、Bi2 O3 、2ZrO2 とTa2 O3 やNb
2 O5 等を添加して、その温度特性変化率を小さくした
ものが使用されていた。
電体磁器組成物として、従来、チタン酸バリウム(Ba
TiO3 )にビスマス化合物、例えばBi2 O3 、2S
nO2 や、Bi2 O3 、2ZrO2 とTa2 O3 やNb
2 O5 等を添加して、その温度特性変化率を小さくした
ものが使用されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の成分
を含む組成物では、誘電率を高くすると、静電容量の変
化率が大きくなり、誘電率を大きくするには、おのずと
限界があった。このため、前記組成物をコンデンサに使
用した場合、小型で大容量を得ることは困難であって、
X7R特性(−55℃〜+125℃で静電容量変化率が
±15%)が限度であった。
を含む組成物では、誘電率を高くすると、静電容量の変
化率が大きくなり、誘電率を大きくするには、おのずと
限界があった。このため、前記組成物をコンデンサに使
用した場合、小型で大容量を得ることは困難であって、
X7R特性(−55℃〜+125℃で静電容量変化率が
±15%)が限度であった。
【0004】また、前記組成物のように、ビスマス化合
物を含むものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器
組成物素体に屈曲を生じたりする問題があった。更に、
ビスマスを含有するチタン酸バリウム積層型磁器コンデ
ンサを作製した場合、内部電極であるパラジウム、また
は銀−パラジウム合金と誘電体の成分であるビスマスが
反応を起こし、電極としての機能を失うため、内部電極
として高価な白金を使用しなければならず、積層型磁器
コンデンサのコストアップの要因になっていた。
物を含むものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器
組成物素体に屈曲を生じたりする問題があった。更に、
ビスマスを含有するチタン酸バリウム積層型磁器コンデ
ンサを作製した場合、内部電極であるパラジウム、また
は銀−パラジウム合金と誘電体の成分であるビスマスが
反応を起こし、電極としての機能を失うため、内部電極
として高価な白金を使用しなければならず、積層型磁器
コンデンサのコストアップの要因になっていた。
【0005】本発明は、このような従来の課題を解決
し、広い温度範囲にわたって誘電率変化が少なく、誘電
体損失の小さい、優れた高誘電率誘電体磁器組成物を提
供することを目的とする。
し、広い温度範囲にわたって誘電率変化が少なく、誘電
体損失の小さい、優れた高誘電率誘電体磁器組成物を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明者は鋭意研究の結果、主成分として、 BaTiO3 :94.0〜99.0モル% Nb2 O5 : 0.5〜 3.0モル% NiO : 0.5〜 3.0モル% に対して、添加物として、CaZrO3 を 0.2〜7.0 重
量%含有することにより、キュリー点を温度+側へシフ
トすることを見いだした。
め、本発明者は鋭意研究の結果、主成分として、 BaTiO3 :94.0〜99.0モル% Nb2 O5 : 0.5〜 3.0モル% NiO : 0.5〜 3.0モル% に対して、添加物として、CaZrO3 を 0.2〜7.0 重
量%含有することにより、キュリー点を温度+側へシフ
トすることを見いだした。
【0007】また、必要に応じて、La2 O3 、Nd2
O3 、Sm2 O3 の内、一種類を0.7 重量%以下含有す
ることにより、特性が優れることを見い出した。これら
に更にMnOを0〜0.3 重量%含有することにより特性
が一層向上するものとなる。
O3 、Sm2 O3 の内、一種類を0.7 重量%以下含有す
ることにより、特性が優れることを見い出した。これら
に更にMnOを0〜0.3 重量%含有することにより特性
が一層向上するものとなる。
【0008】
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物を用いること
により、常温での比誘電率が2000〜4700という
高誘電率値を有し、誘電体損失( tanδ)は、 1.2%以
下と言う小さい値であり、誘電率の温度変化はEIAJ
(日本電子工業会規約)に規定するX7R特性(−55
℃〜+125℃の温度範囲で誘電率の変化が±15%以
内)を満足し、更にX8R特性(−55℃〜+150℃
の温度範囲で誘電率の変化が±15%以内)を満足し、
抗折強度も強くなるという、優れた特性の高誘電率誘電
体磁器組成物を得ることができた。
により、常温での比誘電率が2000〜4700という
高誘電率値を有し、誘電体損失( tanδ)は、 1.2%以
下と言う小さい値であり、誘電率の温度変化はEIAJ
(日本電子工業会規約)に規定するX7R特性(−55
℃〜+125℃の温度範囲で誘電率の変化が±15%以
内)を満足し、更にX8R特性(−55℃〜+150℃
の温度範囲で誘電率の変化が±15%以内)を満足し、
抗折強度も強くなるという、優れた特性の高誘電率誘電
体磁器組成物を得ることができた。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1〜図5は、本発明の1実施例を示した図であ
り、図1は高誘電率誘電体磁器組成物の三元組成図、図
2は、高誘電率誘電体磁器組成物の製造工程図、図3は
静電容量の温度特性カーブ、図4は、98・BaTiO
3 −1・Nb2 O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量
別のキュリーポイント位置と25℃における誘電率を示
した図、図5は、98・BaTiO3 −1・Nb2 O5
−1・NiO+CaZrO3 添加量別時の抗折強度を示
した図である。
する。図1〜図5は、本発明の1実施例を示した図であ
り、図1は高誘電率誘電体磁器組成物の三元組成図、図
2は、高誘電率誘電体磁器組成物の製造工程図、図3は
静電容量の温度特性カーブ、図4は、98・BaTiO
3 −1・Nb2 O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量
別のキュリーポイント位置と25℃における誘電率を示
した図、図5は、98・BaTiO3 −1・Nb2 O5
−1・NiO+CaZrO3 添加量別時の抗折強度を示
した図である。
【0010】先ず、図2に基づき、本実施例の高誘電率
誘電体磁器組成物の製造工程を説明する。なお、図2の
各工程番号はカッコ内に示す。
誘電体磁器組成物の製造工程を説明する。なお、図2の
各工程番号はカッコ内に示す。
【0011】出発原料として、BaCO3 とTiO2 を
1:1のモル比で調合し(S1)、調合した出発原料に
脱水乾燥処理を行う(S2)。次に、これらの原料を仮
成形し、1000〜1200℃で2時間安定にして化学
反応を行わしめ、BaTiO3 を形成する仮焼成を行う
(S3)。このBaTiO3 を例えばアトマイザー等で
粉砕する(S4)。
1:1のモル比で調合し(S1)、調合した出発原料に
脱水乾燥処理を行う(S2)。次に、これらの原料を仮
成形し、1000〜1200℃で2時間安定にして化学
反応を行わしめ、BaTiO3 を形成する仮焼成を行う
(S3)。このBaTiO3 を例えばアトマイザー等で
粉砕する(S4)。
【0012】このようにして得られたBaTiO3 、ま
たは溶液法により調整して得られたBaTiO3 粉末を
焼成後の組成が所定の組成となるようにBaTiO3 、
Nb2 O5 、NiO、La2 O3 、Nd2 O3 、Sm2
O3 、CaZrO3 、MnCO3 等を秤量し(S5)、
湿式混合して(S6)、脱水、乾燥を行う(S7)。
たは溶液法により調整して得られたBaTiO3 粉末を
焼成後の組成が所定の組成となるようにBaTiO3 、
Nb2 O5 、NiO、La2 O3 、Nd2 O3 、Sm2
O3 、CaZrO3 、MnCO3 等を秤量し(S5)、
湿式混合して(S6)、脱水、乾燥を行う(S7)。
【0013】これに有機バインダーを適当量加え、約3
t/cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5mm、厚さ 0.6mm
の円板状成形物を作製する。次に、この成形物を122
0〜1340℃で2時間安定して本焼成を行う(S
8)。
t/cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5mm、厚さ 0.6mm
の円板状成形物を作製する。次に、この成形物を122
0〜1340℃で2時間安定して本焼成を行う(S
8)。
【0014】得られた磁器組成物素体の両端に、銀電極
を焼き付けてコンデンサとする(S9)。最後に、これ
らのコンデンサの各電気特性を、周波数1KHZ 、室温
20℃の条件で測定する(S10)。前記測定結果は表
1、表2に示す。
を焼き付けてコンデンサとする(S9)。最後に、これ
らのコンデンサの各電気特性を、周波数1KHZ 、室温
20℃の条件で測定する(S10)。前記測定結果は表
1、表2に示す。
【0015】
【表1】
【0016】
【表2】
【0017】前記の測定では、表1、表2に示したよう
に、試料No.1〜10についてのデータを測定した。そ
の結果によれば、表1、表2の試料中、試料No.1、
3、3−4、3−7、3−9、3−11、3−15、3
−17、6、8、10は本発明の範囲に含まれない(表
の×印で示した試料)。
に、試料No.1〜10についてのデータを測定した。そ
の結果によれば、表1、表2の試料中、試料No.1、
3、3−4、3−7、3−9、3−11、3−15、3
−17、6、8、10は本発明の範囲に含まれない(表
の×印で示した試料)。
【0018】本発明の誘電体磁器組成物は、 BaTi
O3 : 94.00〜99.00 モル%、Nb2 O5 :0.50〜3.0
モル%、NiO:0.50〜3.0 モル%を主成分とし、添加
物として、CaZrO3 を 0.2〜7.0重量%含有するも
のであり、必要に応じて、添加物、La2 O3 、Nd2
O3 、Sm2 O3 の内一種類を0.70重量%以下含有する
ものである。またMnOを0〜0.3 重量%添加すること
によって、その特性は更に向上する。
O3 : 94.00〜99.00 モル%、Nb2 O5 :0.50〜3.0
モル%、NiO:0.50〜3.0 モル%を主成分とし、添加
物として、CaZrO3 を 0.2〜7.0重量%含有するも
のであり、必要に応じて、添加物、La2 O3 、Nd2
O3 、Sm2 O3 の内一種類を0.70重量%以下含有する
ものである。またMnOを0〜0.3 重量%添加すること
によって、その特性は更に向上する。
【0019】図1には、前記主成分の組成から成る三元
成分図を示してあり、図1中、各点の番号は、表1中の
試料No.と一致する。次に、前記のような本発明の組成
範囲の限度理由を、表1、表2を参照しながら説明す
る。なお、表1、表2の試料No.の前に示した○印は、
本発明の範囲となった試料であり、×印は本発明の範囲
外となった試料である。
成分図を示してあり、図1中、各点の番号は、表1中の
試料No.と一致する。次に、前記のような本発明の組成
範囲の限度理由を、表1、表2を参照しながら説明す
る。なお、表1、表2の試料No.の前に示した○印は、
本発明の範囲となった試料であり、×印は本発明の範囲
外となった試料である。
【0020】BaTiO3 が94.00 モル%未満であれ
ば、比誘電率(εS )は低くなり(試料No.6参照)、
99.0モル%を越えると誘電体素体が還元して黒化してし
まう(試料No.1参照)。
ば、比誘電率(εS )は低くなり(試料No.6参照)、
99.0モル%を越えると誘電体素体が還元して黒化してし
まう(試料No.1参照)。
【0021】また、Nb2 O5 が 0.5モル%未満であれ
ば、同様に還元黒化し測定不能となり(試料No.1参
照)、 3.0モル%を越えるとεS は低くなったり(試料
No.6、10参照)、ΔC/C25℃が大きくなる(試
料No.6、10参照)。
ば、同様に還元黒化し測定不能となり(試料No.1参
照)、 3.0モル%を越えるとεS は低くなったり(試料
No.6、10参照)、ΔC/C25℃が大きくなる(試
料No.6、10参照)。
【0022】更に、NiOが 0.5モル%未満であれば、
誘電体素体が還元黒化し測定不能となり(試料No.1参
照)、 3.0モル%を越えるとεS が低くなったり(試料
No.6参照)、ΔC/C25℃が大きくなったり(試料
No.6、8参照)する。
誘電体素体が還元黒化し測定不能となり(試料No.1参
照)、 3.0モル%を越えるとεS が低くなったり(試料
No.6参照)、ΔC/C25℃が大きくなったり(試料
No.6、8参照)する。
【0023】La2 O3 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、の
内、一種類が前記主成分に対して無添加でも、使用上問
題ないが(試料No.2、3−1、3−2、3−3、3−
5参照)、 0.7重量%以下の添加で焼結性が良くなり
(試料No.3−6、3−8、3−10参照)、 0.7重量
%を越えるとΔC/C25℃が大きくなりX8R特性は
はずれる(試料No.3−7、3−9、3−11参照)。
内、一種類が前記主成分に対して無添加でも、使用上問
題ないが(試料No.2、3−1、3−2、3−3、3−
5参照)、 0.7重量%以下の添加で焼結性が良くなり
(試料No.3−6、3−8、3−10参照)、 0.7重量
%を越えるとΔC/C25℃が大きくなりX8R特性は
はずれる(試料No.3−7、3−9、3−11参照)。
【0024】CaZrO3 を 0.2重量%未満ではΔC/
C25℃が大きくなり、X8R特性をはずれ(試料No.
3参照)、 7.0重量%を越えてもΔC/C25℃が大き
くなり、X8R特性を満足しなくなる(試料No.3−4
参照)。
C25℃が大きくなり、X8R特性をはずれ(試料No.
3参照)、 7.0重量%を越えてもΔC/C25℃が大き
くなり、X8R特性を満足しなくなる(試料No.3−4
参照)。
【0025】MnOの添加は、無添加でも使用上問題な
いが(試料No.2、3−1、3−2、3−3、3−5、
3−6、3−8、3−10、3−16、4、5、7、9
参照)、 0.3Wt%以下の添加で還元防止になり、 tanδ
が改善され、焼結性も向上する(試料No.3−12、3
−13、3−14)。
いが(試料No.2、3−1、3−2、3−3、3−5、
3−6、3−8、3−10、3−16、4、5、7、9
参照)、 0.3Wt%以下の添加で還元防止になり、 tanδ
が改善され、焼結性も向上する(試料No.3−12、3
−13、3−14)。
【0026】また、MnOの添加が 0.3重量%を越える
と、ΔC/C25℃が大きくなり、tanδは悪化し、緻
密な磁器が得られなくなる(試料No.3−15参照)。
更に、原料中に含まれるアルカリ金属酸化物または製造
工程より混入する微量の不純物としてのSiO2 、Al
2 O3 は、焼結性を良くすることはあるが、特性を悪化
させることはない。
と、ΔC/C25℃が大きくなり、tanδは悪化し、緻
密な磁器が得られなくなる(試料No.3−15参照)。
更に、原料中に含まれるアルカリ金属酸化物または製造
工程より混入する微量の不純物としてのSiO2 、Al
2 O3 は、焼結性を良くすることはあるが、特性を悪化
させることはない。
【0027】その他、NiOとNb2 O5 の添加方法
は、.NiOとNb2 O5 それぞれ単味で添加しても、
NiO,Nb2 O5 と化合物にして添加しても効果は同
じであった。
は、.NiOとNb2 O5 それぞれ単味で添加しても、
NiO,Nb2 O5 と化合物にして添加しても効果は同
じであった。
【0028】図3に静電容量の温度特性カーブを示す。
図中の番号は表1中の試料No.と一致する。図3から明
らかなように、本発明の範囲の組成を有する磁器組成物
は、温度変化率(ΔC/C25℃)が広い温度範囲で少
なく、安定している。
図中の番号は表1中の試料No.と一致する。図3から明
らかなように、本発明の範囲の組成を有する磁器組成物
は、温度変化率(ΔC/C25℃)が広い温度範囲で少
なく、安定している。
【0029】また、図4には、98・BaTiO3 −1
・Nb2O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量別のキ
ュリーポイント位置と、25℃における誘電率を示して
ある。この図より、前記本発明の範囲の組成では、キュ
リーポイントが高く、比誘電率も高くなっていることが
明らかである。
・Nb2O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量別のキ
ュリーポイント位置と、25℃における誘電率を示して
ある。この図より、前記本発明の範囲の組成では、キュ
リーポイントが高く、比誘電率も高くなっていることが
明らかである。
【0030】更に、図5には、98・BaTiO3 −1
・Nb2O5 −NiO+CaZrO3 添加量別の抗折強
度を示してある。この図より、前記本発明の範囲では、
抗折強度が大きく、優れた特性の組成物となっているこ
とが明らかである。
・Nb2O5 −NiO+CaZrO3 添加量別の抗折強
度を示してある。この図より、前記本発明の範囲では、
抗折強度が大きく、優れた特性の組成物となっているこ
とが明らかである。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) 本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率が約200
0〜4700という高い値を有し、誘電体損失は 1.2%
以下という小さい値であり、静電容量の温度変化率は、
EIAJに規定するX7R特性を満足し、更にX8R特
性も満足する。
のような効果がある。 (1) 本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率が約200
0〜4700という高い値を有し、誘電体損失は 1.2%
以下という小さい値であり、静電容量の温度変化率は、
EIAJに規定するX7R特性を満足し、更にX8R特
性も満足する。
【0032】(2) 抗折強度の強い特性の高誘電率誘電体
磁器組成物を得ることができる。 (3) 誘電体磁器組成物中に、パラジウムまたは銀パラジ
ウム合金と反応し易いビスマスを含めないため、この組
成物を誘電体層として積層コンデンサを製造する場合、
内部電極としてパラジウム単独または銀パラジウム合金
の使用が可能となる。従って、高価な白金または白金パ
ラジウム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコスト
ダウンが実現できる。
磁器組成物を得ることができる。 (3) 誘電体磁器組成物中に、パラジウムまたは銀パラジ
ウム合金と反応し易いビスマスを含めないため、この組
成物を誘電体層として積層コンデンサを製造する場合、
内部電極としてパラジウム単独または銀パラジウム合金
の使用が可能となる。従って、高価な白金または白金パ
ラジウム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコスト
ダウンが実現できる。
【図1】本発明の第1実施例における高誘電率誘電体磁
器組成物の三元組成図である。
器組成物の三元組成図である。
【図2】同実施例における高誘電率誘電体磁器組成物の
製造工程を示した図である。
製造工程を示した図である。
【図3】同実施例における静電容量の温度特性カーブで
ある。
ある。
【図4】同実施例における98・BaTiO3 −1・N
b2 O5 −NiO+CaZrO3 添加量別のキュリーポ
イント位置と、25℃における誘電率を示した図であ
る。
b2 O5 −NiO+CaZrO3 添加量別のキュリーポ
イント位置と、25℃における誘電率を示した図であ
る。
【図5】同実施例における98・BaTiO3 −1・N
b2 O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量別時の抗折
強度を示した図である。
b2 O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量別時の抗折
強度を示した図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 主成分として、 BaTiO3 :94.0〜99.0モル% Nb2 O5 : 0.5〜 3.0モル% NiO : 0.5〜 3.0モル% に対して、添加物として、CaZrO3 を 0.2〜7.0 重
量%含有してなることを特徴とする高誘電率誘電体磁器
組成物。 - 【請求項2】 前記組成物に、La2 O3 、Nd
2 O3 、Sm2 O3 、の内、いずれか一種類を 0.7重量
%以下含有することを特徴とする請求項1記載の高誘電
率誘電体磁器組成物。 - 【請求項3】 上記組成物に、MnOを 0.3重量%以下
含有することを特徴とする請求項1記載の高誘電率誘電
体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212666A JPH0536308A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212666A JPH0536308A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536308A true JPH0536308A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16626394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3212666A Withdrawn JPH0536308A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536308A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0589723A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US5646080A (en) * | 1995-11-20 | 1997-07-08 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric stable at high temperature |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP3212666A patent/JPH0536308A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0589723A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US5646080A (en) * | 1995-11-20 | 1997-07-08 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric stable at high temperature |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |