JPH0590132A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

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JPH0590132A
JPH0590132A JP3248828A JP24882891A JPH0590132A JP H0590132 A JPH0590132 A JP H0590132A JP 3248828 A JP3248828 A JP 3248828A JP 24882891 A JP24882891 A JP 24882891A JP H0590132 A JPH0590132 A JP H0590132A
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JP
Japan
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load lock
temperature
wafer
lock chamber
exposure apparatus
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Pending
Application number
JP3248828A
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English (en)
Inventor
Yoshiji Fujita
佳児 藤田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3248828A priority Critical patent/JPH0590132A/ja
Publication of JPH0590132A publication Critical patent/JPH0590132A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高精度かつ高スループットが得られるX線露
光装置を提供することを目的としている。 【構成】 X線露光装置本体とこの露光装置にウェハを
供給するウェハ供給部分に雰囲気に置換するロードロッ
ク室において、ロードロック室内の温度変化を測定する
温度検出素子1と、ロードロック室内の圧力を計る圧力
検出素子2とロードロック室に任意な温度のHeを供給
することのできる温度調節機能の付いたHe供給部3
と、PWMで動作するHe供給バルブ4と、同じくPW
Mで動作する真空バルブ5と備えたことにより高精度か
つ高スループットが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばシンクロトロン
放射光(以下SRと略する)等のX線を用いて露光を行
うX線露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体露光装置の光源としてSR
等のX線を利用することが注目されている。露光に用い
られるX線はふつう波長が1nm程度の軟X線である
が、この波長領域の軟X線は非常に激しく減衰するた
め、X線露光装置においてはX線の光路近傍あるいは装
置全体を密閉容器で密閉し、密閉容器内をHe等X線を
通しやすい気体で満たして露光を行うことが一般的とな
っている。このためウェハの供給はロードロック方式を
採用し、ウェハをいれたカセットをロードロック室にセ
ットし、室内を一旦真空にした後、Heを供給するよう
な方法が取られている。ここでロードロック室を一旦真
空にする際、室内は断熱膨張がおこり、温度が低下す
る。ロードロック室中にあるウェハの温度も同じく低下
しするが、マスクに対して1:1のプロキシミティー露
光でマスクとウェハの相対位置を精密に合わせるために
は、ウェハの温度変化による熱変形を極力防ぐか、熱変
形したウェハが元に戻るまで十分な安定時間をとるかす
る必要がある。このため、図2に示すように、従来はロ
ードロック室内にヒータ21を配し、断熱膨張によって
奪われる熱ヒータによって供給する方法が取られてい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図2に
示すような機構では、次のような問題点が生じていた。
すなわちまず、ロードロック室内が真空に近くなったと
き、熱を伝える媒体としての雰囲気がなくなり、ヒータ
から発生する熱はほとんどが伝熱の形で周囲の部材に影
響を与える。つまりロードロックのカセット内にセット
されたウェハは、ヒータからカセットを経てようやく伝
わることになる。したがってウェハ上にはなかなか熱が
伝わらず、伝わっても、温度の分布のむらが生じること
になる。また、ローダー,カセット,ウェハなど熱伝導
率が異なり、単にヒータを露光機本体の温度から決定さ
れる温度にしても、ウェハ上での温度は解からないとい
う問題があった。したがってマスクとウェハの重ね合わ
せ精度が上がらない、また温度安定のための時間が必要
になるなどの影響を与えていた。
【0004】上記課題を解決するために、本発明はまず
熱の供給をHeからおこなう方法に変え、ロードロック
室内の温度と圧力によって、真空バルブおよびHe導入
バルブの開閉を自在にし、ロードロック室内のウェハの
温度変化を極力抑える機能を持つX線露光装置のロード
ロック室を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のX線露光装置のロードロック室は、温度検
出素子と、圧力検出素子と、温度調節機能の付いたHe
供給部と、Heを前記He供給部からロードロック室に
導入する、PWMで動作可能なバルブと、同じくPWM
で動作可能な真空バルブとを備えたことを特徴としてい
る。
【0006】
【作用】以下、図3を用いてこの作用を説明する。図3
は本発明のX線露光装置のロードロック部分の簡略図で
あり、30がロードロックチャンバ、31はロードロッ
ク圧力検出素子、32がローダ、33がカセット、34
がウェハである。さらに35は温度検出用に装着したダ
ミーウェハ、36はダミーウェハ上につけられた温度検
出素子である。また37はロードロック室に任意な温度
のHeを供給する部分であり、38はそのためのPWM
で駆動されるバルブ、39は同じくPWMで駆動される
真空バルブである。真空引きをおこなうと、室内は断熱
膨張によって温度が低下するが、このとき、39の真空
バルブのPWMのデューティー比をさげ、代わりに38
のHe供給バルブのデューティー比を上げることによ
り、真空引きされるよりも流量は少なく、高温のHeを
供給することができ、これにより、断熱膨張による温度
低下が軽減される。バルブ38から供給されるHeの熱
量は、真空バルブ39とHe供給バルブ38のデューテ
ィー比で決まるが、この値を31からのロードロック室
の圧力と、36のダミーウェハ上の温度から決定するこ
とも可能で、この場合、置換動作を等温置換することさ
え可能となる。
【0007】以上のように本発明は上記した構成によっ
て、断熱膨張による温度低下を軽減でき、かつウェハを
均一に温度変化させることがでる。さらにウェハ温度を
正確に計測でき、ウェハ上の温度が本体と異なっていて
もこれを最小の時間で同じにすることも可能である。
【0008】
【実施例】以下本発明の一実施例のX線露光装置のロー
ドロックについて、図面を参照しながら説明する。
【0009】図1は本発明の第1の実施例におけるX線
露光装置である。図1において、1は温度測定素子(こ
の場合測温抵抗素子PT−100)、2は圧力センサー
である。また3は温度調節が可能なHe供給部であり、
4はPWMで動作可能なHe導入バルブ、5は同じくP
WMで動作可能な真空バルブである。さらに6はウェハ
カセット、7はウェハ、8はローダ、9はローダベー
ス、10はロードロックの外壁である。以上の様に構成
されたロードロック室について、以下、そのHe置換時
の動作について説明する。
【0010】まず、He置換するときは真空バルブ5を
開放する。すなわちPWMのデューティー比を上げる。
するとロードロック室内の圧力は下がり、断熱膨張によ
って温度もさがる。ここで、ロードロック室の温度の低
下に伴い、供給するHeの温度を上げ、ロードロック室
の圧力の低下に伴って、He供給バルブのPWMのデュ
ーティー比を上げ、同時に真空バルブのPWMのデュー
ティー比を下げることにすると、ロードロックの室内は
一時的に圧力の減少が緩やかになり、室内の温度も上昇
する。これによって、ロードロック室内のウェハの温度
変化を極力おさえることは可能で、ウェハの温度との差
と供給するHe温度の関係および、バルブを開ける圧
力、デューティー比など実験により最適な条件を求めて
おけば、この置換時の真空引きのときほぼ等温変化をさ
せることも不可能ではない。
【0011】以上のように本実施例によれば、ロードロ
ック室内に、温度検出素子と、圧力検出素子と、任意な
温度にHeの温度を設定できる温度調節機能の付いたH
e供給部と、PWMで動作するHe導入バルブと、同じ
くPWMで動作する真空バルブを備え、He導入バルブ
と真空バルブのPWMのデューティー比を、ロードロッ
ク室内の温度と圧力とによって、変えることにより、ロ
ードロック内のウェハ上の温度変化を極力抑えることが
できるロードロックを提供することができる。
【0012】
【発明の効果】以上のように本発明は、ウェハロードロ
ックの置換時にウェハの温度変化を少なく制御できるの
で、温度の変化によるマスクとウェハの重ね合わせ精度
の劣化を防止でき、また温度安定のための時間を少なく
することができるため、X線露光機として、高精度かつ
高スループットが望める。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例におけるロードロック装置の
構成図
【図2】従来のロードロック装置の構成図
【図3】本発明のロードロック簡略構成図
【符号の説明】
1 温度測定素子 2 圧力センサ 3 温度調節が可能なHeの供給部 4 He導入バルブ 5 真空バルブ 6 ウェハカセット 7 ウェハ 8 ローダ 9 ローダベース 10 ロードロック外壁 20 ロードロック外壁 21 ヒータ 22 ウェハカセット 23 ウェハ 24 空気供給部 25 He供給部 26 真空引きバルブ 27 ローダ 28 ローダベース 29 メインチャンバ 30 ロードロック室外壁 31 圧力センサ 32 ローダ 33 ウェハカセット 34 ウェハ 35 ダミーウェハ 36 温度検出素子 37 温度調節付きHe供給部 38 He導入バルブ 39 真空バルブ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X線露光装置本体にウェハを供給するウ
    ェハ供給部分として、雰囲気を置換する機能を持つロー
    ドロック室を配置したX線露光装置において、このロー
    ドロック室内に、温度検出素子と、圧力検出素子と、温
    度調節機能の付いたHe供給部と、Heを前記He供給
    部からロードロック室に導入する、パルス幅変調(以後
    PWMと略す)で動作可能なバルブと、同じくPWMで
    動作可能な真空バルブとを備えたことを特徴とするX線
    露光装置。
JP3248828A 1991-09-27 1991-09-27 X線露光装置 Pending JPH0590132A (ja)

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JP3248828A JPH0590132A (ja) 1991-09-27 1991-09-27 X線露光装置

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JP3248828A Pending JPH0590132A (ja) 1991-09-27 1991-09-27 X線露光装置

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