JPH0590155A - Device and method for manufacturing single crystal thin film - Google Patents
Device and method for manufacturing single crystal thin filmInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好なＩｎＰの単結晶薄膜を製造することが
可能である。
【構成】 基板１上にＩｎＰ薄膜２を設け、ＩｎＰ薄膜
２の上層にリンガラス（ＰＳＧ）のキャップ層３を重ね
た後、光ビームＢＭをＩｎＰ薄膜２にスポット照射し、
ＩｎＰ薄膜２のその部分を加熱溶融し、このビームを所
定方向に走査してゾーンメルティング法でＩｎＰの単結
晶薄膜を作成する。この際に、リンＰ成分を含んだキャ
ップ層３がＩｎＰ薄膜２の上層に設けられていることに
より、ＩｎＰ薄膜２からのリンＰの蒸発を抑えることが
できる。
(57) [Summary] [Objective] It is possible to manufacture a good InP single crystal thin film. [Structure] An InP thin film 2 is provided on a substrate 1, a phosphor glass (PSG) cap layer 3 is overlaid on the InP thin film 2, and a light beam BM is spot-irradiated on the InP thin film 2.
That part of the InP thin film 2 is heated and melted, and this beam is scanned in a predetermined direction to form an InP single crystal thin film by the zone melting method. At this time, since the cap layer 3 containing the phosphorus P component is provided in the upper layer of the InP thin film 2, the evaporation of phosphorus P from the InP thin film 2 can be suppressed.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の単結晶薄膜を
作成する単結晶薄膜の製造装置及び製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single crystal thin film manufacturing apparatus and method for forming a semiconductor single crystal thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ガラス等の基板上に、Ｓｉの単結
晶薄膜を形成する単結晶薄膜の製造技術が知られてい
る。この製造技術では、図４に示すように、基板５０上
に直接、Ｓｉの薄膜５１を設け、このＳｉ薄膜の表面に
光ビームや電子ビ−ム等のビ−ムＢＭを直接、スポット
照射して加熱溶融し、この光ビームや電子ビ−ム等をＳ
ｉ薄膜上で所定の方向に走査することにより、ゾーンメ
ルティング法でＳｉの単結晶薄膜を成長させるようにな
っている。2. Description of the Related Art Conventionally, a technique for producing a single crystal thin film for forming a single crystal thin film of Si on a substrate such as glass has been known. In this manufacturing technique, as shown in FIG. 4, a Si thin film 51 is directly provided on a substrate 50, and a beam BM such as a light beam or an electron beam is directly spot-irradiated on the surface of this Si thin film. Then, it is heated and melted, and this light beam, electron beam, etc.
By scanning the i thin film in a predetermined direction, a single crystal thin film of Si is grown by the zone melting method.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この仕方では、上述の
ようにしてＳｉの単結晶薄膜を製造することはできる。
しかしながら、Ｓｉのかわりに３−５族化合物半導体で
あるＩｎＰの単結晶薄膜を上記の手法により作成しよう
とする場合、ＩｎＰの融点は約１０７０℃でありＳｉの
融点（１４２０℃）よりも低くて良いが、Ｐ（リン）の
蒸気圧が高いため、ＩｎＰを加熱するとＰが蒸発してし
まう。この結果、上記の手法によっては良好なＩｎＰの
単結晶薄膜を製造することができないという欠点があっ
た。According to this method, the Si single crystal thin film can be manufactured as described above.
However, when a single crystal thin film of InP, which is a 3-5 group compound semiconductor instead of Si, is to be formed by the above method, the melting point of InP is about 1070 ° C., which is lower than the melting point of Si (1420 ° C.). Although good, since the vapor pressure of P (phosphorus) is high, heating InP causes P to evaporate. As a result, there is a drawback that a good InP single crystal thin film cannot be manufactured by the above method.
【０００４】本発明は、良好なＩｎＰの単結晶薄膜を製
造することの可能な単結晶薄膜の製造装置及び製造方法
を提供することを目的としている。It is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for manufacturing a single crystal thin film capable of manufacturing a good InP single crystal thin film.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の単結晶薄膜の製造装置は、単結晶薄膜として
作成されるべきＩｎＰ薄膜を加熱溶融するための加熱手
段と、ＩｎＰ薄膜を支持するための基板と、ＩｎＰ薄膜
を加熱溶融するに際してＩｎＰ薄膜からのリンＰの蒸発
を抑えるためのキャップ層とを有していることを特徴と
している。In order to achieve the above object, the apparatus for producing a single crystal thin film according to the present invention comprises a heating means for heating and melting an InP thin film to be formed as a single crystal thin film, and an InP thin film. It is characterized by having a substrate for supporting and a cap layer for suppressing evaporation of phosphorus P from the InP thin film when the InP thin film is heated and melted.
【０００６】前記キャップ層は、ＩｎＰの融点よりも高
い融点を有し、リンＰ成分を所定の割り合いで含んだ材
質で形成されているのが良く、また、前記キャップ層の
上層にはさらに、リンＰを含んでいない材質のキャップ
層が設けられていても良い。It is preferable that the cap layer has a melting point higher than that of InP and is made of a material containing a phosphorus P component in a predetermined ratio. A cap layer made of a material not containing phosphorus P may be provided.
【０００７】また、前記基板と前記ＩｎＰ薄膜との間に
はさらに、ＩｎＰ薄膜との親和性を保持するための層が
設けられるようになっている。Further, a layer for maintaining affinity with the InP thin film is further provided between the substrate and the InP thin film.
【０００８】ＩｎＰの単結晶薄膜を作成するのに、本発
明では、基板上にＩｎＰ薄膜を設け、リンを所定の割り
合いで含んだキャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に重ね、ま
たは該キャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に設ける他にもリ
ンを所定の割り合いで含んだ層を基板とＩｎＰ薄膜との
間にも設け、この状態でＩｎＰ薄膜を加熱溶融しゾーン
メルティングの手法でＩｎＰの単結晶薄膜を作成する。In order to form a single crystal thin film of InP, in the present invention, an InP thin film is provided on a substrate, and a cap layer containing phosphorus at a predetermined ratio is overlaid on the InP thin film or the cap layer is formed. In addition to being provided on the upper layer of the InP thin film, a layer containing phosphorus at a predetermined ratio is also provided between the substrate and the InP thin film. In this state, the InP thin film is heated and melted and the InP single crystal is formed by the zone melting method. Create a thin film.
【０００９】基板とＩｎＰ薄膜との間に層を設ける場合
に、該層のＩｎＰ薄膜と対向する面にはＩｎ，Ｐを多く
含ませるようにするのが良い。When a layer is provided between the substrate and the InP thin film, it is preferable that the surface of the layer facing the InP thin film contains a large amount of In and P.
【００１０】また、ＩｎＰ薄膜の上層に重ねられたキャ
ップ層の上面にさらにリンを含んでいない材質の層を設
け、またはさらに外部雰囲気をリンＰ分圧を印加したも
のにして、ＩｎＰの単結晶薄膜を作成しても良い。Further, a layer of a material not containing phosphorus is further provided on the upper surface of the cap layer laminated on the upper layer of the InP thin film, or the external atmosphere is further applied with a partial pressure of phosphorus P, whereby an InP single crystal is formed. You may create a thin film.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１２】図１は本発明に係る単結晶薄膜の製造装置
の第１の実施例の概略構成図である。この第１の実施例
の製造装置では、単結晶薄膜として成長されるべきＩｎ
Ｐ薄膜２を加熱溶融するための加熱手段１０と、ＩｎＰ
薄膜２を支持する基板１と、ＩｎＰ薄膜２を加熱溶融す
るに際してＩｎＰ薄膜２の上層に重ねられるＰＳＧ（Ph
osphosilicate ガラス）のキャップ層３とを有してい
る。加熱手段１０としては、例えばアルゴンレーザ、炭
酸ガスレーザなどが用いられる。また、ＰＳＧのキャッ
プ層３はＳｉＯ2 中にＰ2 Ｏ5 を含有した材質のもので
構成されている。但し、ＰＳＧは、リンＰの含有量が多
くなる程、融点が下がり、例えばＰ2 Ｏ5 が５％含有さ
れているＰＳＧでは、融点は約１２５０℃程度である
が、Ｐ2 Ｏ5 が１０％含有されているＰＳＧでは、融点
は約１１００℃となる。一方、ＩｎＰの融点は、約１０
７０℃であるので、Ｐ2 Ｏ5 が１０％以上含有されたＰ
ＳＧのキャップ層３を用いる場合には、ＩｎＰ薄膜２を
加熱溶融することによって、キャップ層３も溶融されて
しまう。従って、キャップ層３としては、ＩｎＰ薄膜２
を加熱溶融するときにも溶融しない材質のものでなけれ
ばならず、Ｐ2 Ｏ5 を１０％以下含有するＰＳＧを用い
るのが良い。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a first embodiment of an apparatus for producing a single crystal thin film according to the present invention. In the manufacturing apparatus of the first embodiment, In which should be grown as a single crystal thin film
Heating means 10 for heating and melting the P thin film 2;
When the InP thin film 2 is heated and melted by the substrate 1 supporting the thin film 2, the PSG (Ph
and a cap layer 3 of osphosilicate glass). As the heating means 10, for example, an argon laser, a carbon dioxide gas laser or the like is used. The cap layer 3 of PSG is made of a material containing P 2 O 5 in SiO 2 . However, the melting point of PSG decreases as the phosphorus P content increases, and for example, PSG containing 5% of P 2 O 5 has a melting point of about 1250 ° C., but P 2 O 5 of 10%. %, The melting point is about 1100.degree. On the other hand, the melting point of InP is about 10
Since it is 70 ° C, P 2 O 5 containing 10% or more of P
When the SG cap layer 3 is used, heating and melting the InP thin film 2 also melts the cap layer 3. Therefore, the InP thin film 2 is used as the cap layer 3.
It must be a material that does not melt even when it is heated and melted, and it is preferable to use PSG containing 10% or less of P 2 O 5 .
【００１３】この製造装置を用いてＩｎＰの単結晶薄膜
を作る場合には、ガラス（特に石英）の基板１上に直
接、ＩｎＰ薄膜２を設け、さらに、ＩｎＰ薄膜２の上層
にＰＳＧ（Phosphosilicate ガラス）のキャップ層３を
重ねる。しかる後、加熱手段１０からの光ビームＢＭを
上記キャップ層３を介してＩｎＰ薄膜２の上面にスポッ
ト照射して、ＩｎＰ薄膜２のその部分を加熱溶融し、こ
のビームを所定の方向に走査することにより、ゾーンメ
ルティング法でＩｎＰの単結晶薄膜を成長させる。When an InP single crystal thin film is formed using this manufacturing apparatus, an InP thin film 2 is provided directly on a glass (particularly quartz) substrate 1, and a PSG (Phosphosilicate glass) layer is further provided on the InP thin film 2. ) Cap layer 3 is overlaid. Thereafter, the light beam BM from the heating means 10 is spot-irradiated on the upper surface of the InP thin film 2 through the cap layer 3 to heat and melt that portion of the InP thin film 2 and scan this beam in a predetermined direction. Thus, the InP single crystal thin film is grown by the zone melting method.
【００１４】この際に、ＩｎＰ薄膜２を加熱すると、前
述したように、ＩｎＰからリンＰが蒸発しようとする
が、ＩｎＰの薄膜２の上層にはキャップ層３が設けられ
さらにこのキャップ層３にはリンＰが含有されているの
で、このキャップ層３を設けることにより単結晶薄膜の
作成中、リンＰがその高い蒸気圧によって蒸発するのを
有効に防止することができる。これにより、良好なＩｎ
Ｐの単結晶薄膜を製造することが可能となる。At this time, when the InP thin film 2 is heated, phosphorus P tends to evaporate from InP as described above. However, a cap layer 3 is provided on the upper layer of the InP thin film 2 and the cap layer 3 is further formed. Since phosphorus P is contained, by providing this cap layer 3, it is possible to effectively prevent phosphorus P from evaporating due to its high vapor pressure during the production of the single crystal thin film. Thereby, good In
It becomes possible to manufacture a single crystal thin film of P.
【００１５】図２は本発明に係る単結晶薄膜の製造装置
の第２の実施例の概略構成図である。この第２の実施例
の製造装置は、さらに、ＩｎＰの薄膜２の下層にもＰＳ
Ｇの層４を有している。ＰＳＧの層４としては、キャッ
プ層３と同様の材質のもの、すなわち、ＳｉＯ2 中にＰ
2 Ｏ5 が１０％以下含有されたものでも良いが、これの
表面（すなわちＩｎＰ薄膜２と対向する側の面）にさら
にＩｎ，Ｐをイオン注入等により打込んで、表面にＩ
ｎ，Ｐをより多く含有するものを用いるのが良い。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a second embodiment of the apparatus for producing a single crystal thin film according to the present invention. In the manufacturing apparatus of the second embodiment, PS is also formed on the lower layer of the InP thin film 2.
It has a layer 4 of G. The PSG layer 4 is made of the same material as the cap layer 3, that is, P in SiO 2.
Although 2 O 5 may be contained in an amount of 10% or less, In and P are further implanted into the surface (that is, the surface facing the InP thin film 2) by ion implantation or the like to form I on the surface.
It is preferable to use a material containing more n and P.
【００１６】第２の実施例においても、第１の実施例と
同様の加熱溶融の仕方により、ゾーンメルティング法で
ＩｎＰの単結晶薄膜を作成することができるが、ＰＳＧ
の層４をＩｎＰ薄膜２の下層にさらに設けることによ
り、ＩｎＰ薄膜２の下面の親和性を保つことができる。
また、表面にＩｎ，Ｐを多く含有するＰＳＧの層４を用
いれば、より親和性をもたせることができる。これによ
って、ＩｎＰ薄膜２をガラスの基板１上に直接作成する
場合に比べて、ＩｎＰ薄膜２の下面がビードアップ（球
形状）となる所謂ビードアップ現象が生ずるのを防止す
ることができ、ＩｎＰの単結晶薄膜をより良好に製造す
ることができる。Also in the second embodiment, a single crystal thin film of InP can be formed by the zone melting method by the same heating and melting method as in the first embodiment.
By further providing the layer 4 of 2 on the lower layer of the InP thin film 2, the affinity of the lower surface of the InP thin film 2 can be maintained.
Further, if the PSG layer 4 containing a large amount of In and P on the surface is used, it is possible to further improve the affinity. This can prevent the occurrence of a so-called bead-up phenomenon in which the lower surface of the InP thin film 2 becomes a bead-up (spherical shape) as compared with the case where the InP thin-film 2 is directly formed on the glass substrate 1. The single crystal thin film of can be manufactured better.
【００１７】図３は本発明に係る単結晶薄膜の製造装置
の第３の実施例の概略構成図である。この第３の実施例
の製造装置は、ＰＳＧのキャップ層３の上層に、さら
に、他のキャップ層５を有している。このキャップ層５
は、ＰＳＧのキャップ層３からのリンＰの蒸発を防ぐた
めに設けられ、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 、あるいはＳｉＯ
2 などのガラス材料で形成されている。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a third embodiment of the apparatus for producing a single crystal thin film according to the present invention. The manufacturing apparatus of the third embodiment further has another cap layer 5 on the upper layer of the PSG cap layer 3. This cap layer 5
Is provided to prevent evaporation of phosphorus P from the cap layer 3 of PSG, and SiO 2 / Si 3 N 4 or SiO
It is made of glass material such as 2 .
【００１８】第３の実施例においても、第１、第２の実
施例と同様の加熱溶融の仕方により、すなわち、光ビー
ムＢＭをキャップ層５，キャップ層３を介してＩｎＰ薄
膜２に照射し、この部分を加熱溶融することにより、ゾ
ーンメルティング法でＩｎＰの単結晶薄膜を成長させる
ことができるが、キャップ層５をＰＳＧのキャップ層３
の上にさらに設けることにより、キャップ層３からリン
Ｐが蒸発するのを防ぎ、ＩｎＰの単結晶薄膜を安定した
製造状態で、一層良好に製造することができる。In the third embodiment as well, the InP thin film 2 is irradiated with the light beam BM through the cap layer 5 and the cap layer 3 by the same heating and melting method as in the first and second embodiments. By heating and melting this portion, a single crystal thin film of InP can be grown by the zone melting method, but the cap layer 5 is replaced with the cap layer 3 of PSG.
By further providing the above on the phosphor layer P, it is possible to prevent the phosphorus P from evaporating from the cap layer 3, and the InP single crystal thin film can be more favorably manufactured in a stable manufacturing state.
【００１９】なお、上述の各実施例では、加熱手段１０
が光ビームを出射するレーザであるとして説明したが、
加熱手段１０としては熱を放出するヒータであっても良
いし、あるいは電子ビームを出射する電子ビーム源など
であっても良い。In each of the above embodiments, the heating means 10
Was described as a laser that emits a light beam,
The heating means 10 may be a heater that emits heat, or an electron beam source that emits an electron beam.
【００２０】また、ＩｎＰの加熱を行う際に、外部雰囲
気をＰＨ3 ，Ｐ2 ，Ｐ4 蒸気等のリンＰ分圧を印加した
ものにすれば、ＩｎＰ薄膜２あるいはキャップ層３から
のリンＰの蒸発をより効果的に防ぐことができる。Further, when heating the InP, the external atmosphere is such that a partial pressure of phosphorus P such as PH 3 , P 2 and P 4 vapor is applied, the phosphorus P from the InP thin film 2 or the cap layer 3 is changed. Can be more effectively prevented from evaporating.
【００２１】また、上述の各実施例において、基板１と
してガラス（特に石英）を用いるとして説明したが、こ
れのかわりにＳｉを用いても良い。Further, in each of the above-mentioned embodiments, it is explained that glass (particularly quartz) is used as the substrate 1, but Si may be used instead.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
単結晶薄膜として作成されるべきＩｎＰ薄膜を加熱溶融
するに際して、ＩｎＰ薄膜からのリンＰの蒸発を抑える
ためのキャップ層を用いるので、ＩｎＰ薄膜を加熱溶融
中に、ＩｎＰ薄膜からリンＰ成分が蒸発するのを有効に
防止し、良好なＩｎＰの単結晶薄膜を製造することがで
きる。As described above, according to the present invention,
When the InP thin film to be formed as a single crystal thin film is heated and melted, a cap layer for suppressing the evaporation of phosphorus P from the InP thin film is used. Therefore, the phosphorus P component is evaporated from the InP thin film during the heating and melting of the InP thin film. Can be effectively prevented, and a good InP single crystal thin film can be manufactured.
【００２４】このキャップ層は、リンＰ成分を所定の割
り合いで含んだ材質で形成されているが、このキャップ
層の上層にさらにリンＰを含んでいない材質のキャップ
層を設けることによって、単結晶薄膜の作成中、リンＰ
成分を所定の割り合いで含んでいるキャップ層からのリ
ンＰの蒸発を防止し、常に安定した製造状態で良好なＩ
ｎＰの単結晶薄膜を製造することができる。The cap layer is made of a material containing phosphorus P component at a predetermined ratio. However, by providing a cap layer made of a material not containing phosphorus P on the upper layer of the cap layer, a single layer is formed. Phosphorus P during crystal thin film preparation
It prevents the evaporation of phosphorus P from the cap layer containing the components in a predetermined ratio, and provides good I in a constantly stable production state.
A single crystal thin film of nP can be manufactured.
【００２５】また、基板とＩｎＰ薄膜との間に、さらに
ＩｎＰ薄膜との親和性を保持するための層を設ければ、
ＩｎＰ薄膜の所謂ビードアップ現象を防止でき、より良
好なＩｎＰの単結晶薄膜を作成することができる。If a layer for maintaining the affinity with the InP thin film is further provided between the substrate and the InP thin film,
A so-called bead-up phenomenon of the InP thin film can be prevented, and a better InP single crystal thin film can be formed.
【図１】本発明に係る単結晶薄膜の製造装置の第１の実
施例の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a first embodiment of an apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the present invention.
【図２】本発明に係る単結晶薄膜の製造装置の第２の実
施例の概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a second embodiment of an apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the present invention.
【図３】本発明に係る単結晶薄膜の製造装置の第３の実
施例の概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a third embodiment of an apparatus for manufacturing a single crystal thin film according to the present invention.
【図４】単結晶薄膜を製造する従来の仕方を説明するた
めの図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional method of manufacturing a single crystal thin film.
１ 基板 ２ ＩｎＰ薄膜 ３ キャップ層 ４ 層 ５ 他のキャップ層 １０ 加熱手段 1 substrate 2 InP thin film 3 cap layer 4 layer 5 other cap layer 10 heating means
Claims (7)
薄膜を加熱溶融するための加熱手段と、ＩｎＰ薄膜を支
持するための基板と、ＩｎＰ薄膜を加熱溶融するに際し
てＩｎＰ薄膜からのリンＰの蒸発を抑えるためのキャッ
プ層とを有していることを特徴とする単結晶薄膜の製造
装置。1. InP to be prepared as a single crystal thin film
It has a heating means for heating and melting the thin film, a substrate for supporting the InP thin film, and a cap layer for suppressing evaporation of phosphorus P from the InP thin film when heating and melting the InP thin film. Characteristic single crystal thin film manufacturing equipment.
高い融点を有し、リンＰ成分を所定の割り合いで含んだ
材質で形成されていることを特徴とする請求項１記載の
単結晶薄膜の製造装置。2. The single crystal according to claim 1, wherein the cap layer has a melting point higher than that of InP and is made of a material containing a phosphorus P component in a predetermined ratio. Thin film manufacturing equipment.
Ｐを含んでいない材質のキャップ層が設けられているこ
とを特徴とする請求項２記載の単結晶薄膜の製造装置。3. The apparatus for producing a single crystal thin film according to claim 2, wherein a cap layer made of a material not containing phosphorus P is further provided on the cap layer.
らに、ＩｎＰ薄膜との親和性を保持するための層が設け
られるようになっていることを特徴とする請求項１また
は３記載の単結晶薄膜の製造装置。4. The layer according to claim 1, further comprising a layer for maintaining affinity with the InP thin film between the substrate and the InP thin film. Single crystal thin film manufacturing equipment.
定の割り合いで含んだキャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に
重ね、または該キャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に設ける
他にもリンＰを所定の割り合いで含んだ層を基板とＩｎ
Ｐ薄膜との間にも設け、この状態でＩｎＰ薄膜を加熱溶
融しゾーンメルティングの手法でＩｎＰの単結晶薄膜を
作成することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。5. An InP thin film is provided on a substrate, and a cap layer containing phosphorus P at a predetermined ratio is laid on the upper layer of the InP thin film, or the cap layer is provided on the upper layer of the InP thin film. A layer containing a predetermined proportion of the substrate and In
A method for producing a single crystal thin film, which is also provided between the P thin film and the InP thin film in this state is heated and melted to form an InP single crystal thin film by a zone melting method.
合に、該層のＩｎＰ薄膜と対向する面にはＩｎ，Ｐを多
く含ませるようにしていることを特徴とする請求項５記
載の単結晶薄膜の製造方法。6. The method according to claim 5, wherein when a layer is provided between the substrate and the InP thin film, the surface of the layer facing the InP thin film contains a large amount of In and P. Method for manufacturing single crystal thin film of.
層の上面にさらにリンを含んでいない材質の層を設け、
またはさらに外部雰囲気をリンＰ分圧を印加したものに
して、ＩｎＰの単結晶薄膜を作成することを特徴とする
請求項５記載の単結晶薄膜の製造方法。7. A layer of a material not containing phosphorus is further provided on the upper surface of the cap layer overlaid on the InP thin film,
7. The method for producing a single crystal thin film according to claim 5, wherein the external atmosphere is further applied with a partial pressure of phosphorus P to form the InP single crystal thin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321491A JPH0590155A (en) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | Device and method for manufacturing single crystal thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321491A JPH0590155A (en) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | Device and method for manufacturing single crystal thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590155A true JPH0590155A (en) | 1993-04-09 |
Family
ID=12936586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5321491A Pending JPH0590155A (en) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | Device and method for manufacturing single crystal thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590155A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7565267B2 (en) | 2005-12-28 | 2009-07-21 | Nec Corporation | Life prediction and monitoring of components |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP5321491A patent/JPH0590155A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7565267B2 (en) | 2005-12-28 | 2009-07-21 | Nec Corporation | Life prediction and monitoring of components |
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