JPH0590155A - 単結晶薄膜の製造装置及び製造方法 - Google Patents
単結晶薄膜の製造装置及び製造方法Info
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- JPH0590155A JPH0590155A JP5321491A JP5321491A JPH0590155A JP H0590155 A JPH0590155 A JP H0590155A JP 5321491 A JP5321491 A JP 5321491A JP 5321491 A JP5321491 A JP 5321491A JP H0590155 A JPH0590155 A JP H0590155A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好なＩｎＰの単結晶薄膜を製造することが
可能である。 【構成】 基板１上にＩｎＰ薄膜２を設け、ＩｎＰ薄膜
２の上層にリンガラス（ＰＳＧ）のキャップ層３を重ね
た後、光ビームＢＭをＩｎＰ薄膜２にスポット照射し、
ＩｎＰ薄膜２のその部分を加熱溶融し、このビームを所
定方向に走査してゾーンメルティング法でＩｎＰの単結
晶薄膜を作成する。この際に、リンＰ成分を含んだキャ
ップ層３がＩｎＰ薄膜２の上層に設けられていることに
より、ＩｎＰ薄膜２からのリンＰの蒸発を抑えることが
できる。
可能である。 【構成】 基板１上にＩｎＰ薄膜２を設け、ＩｎＰ薄膜
２の上層にリンガラス（ＰＳＧ）のキャップ層３を重ね
た後、光ビームＢＭをＩｎＰ薄膜２にスポット照射し、
ＩｎＰ薄膜２のその部分を加熱溶融し、このビームを所
定方向に走査してゾーンメルティング法でＩｎＰの単結
晶薄膜を作成する。この際に、リンＰ成分を含んだキャ
ップ層３がＩｎＰ薄膜２の上層に設けられていることに
より、ＩｎＰ薄膜２からのリンＰの蒸発を抑えることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の単結晶薄膜を
作成する単結晶薄膜の製造装置及び製造方法に関する。
作成する単結晶薄膜の製造装置及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス等の基板上に、Ｓｉの単結
晶薄膜を形成する単結晶薄膜の製造技術が知られてい
る。この製造技術では、図４に示すように、基板５０上
に直接、Ｓｉの薄膜５１を設け、このＳｉ薄膜の表面に
光ビームや電子ビ−ム等のビ−ムＢＭを直接、スポット
照射して加熱溶融し、この光ビームや電子ビ−ム等をＳ
ｉ薄膜上で所定の方向に走査することにより、ゾーンメ
ルティング法でＳｉの単結晶薄膜を成長させるようにな
っている。
晶薄膜を形成する単結晶薄膜の製造技術が知られてい
る。この製造技術では、図４に示すように、基板５０上
に直接、Ｓｉの薄膜５１を設け、このＳｉ薄膜の表面に
光ビームや電子ビ−ム等のビ−ムＢＭを直接、スポット
照射して加熱溶融し、この光ビームや電子ビ−ム等をＳ
ｉ薄膜上で所定の方向に走査することにより、ゾーンメ
ルティング法でＳｉの単結晶薄膜を成長させるようにな
っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この仕方では、上述の
ようにしてＳｉの単結晶薄膜を製造することはできる。
しかしながら、Ｓｉのかわりに３−５族化合物半導体で
あるＩｎＰの単結晶薄膜を上記の手法により作成しよう
とする場合、ＩｎＰの融点は約１０７０℃でありＳｉの
融点（１４２０℃）よりも低くて良いが、Ｐ（リン）の
蒸気圧が高いため、ＩｎＰを加熱するとＰが蒸発してし
まう。この結果、上記の手法によっては良好なＩｎＰの
単結晶薄膜を製造することができないという欠点があっ
た。
ようにしてＳｉの単結晶薄膜を製造することはできる。
しかしながら、Ｓｉのかわりに３−５族化合物半導体で
あるＩｎＰの単結晶薄膜を上記の手法により作成しよう
とする場合、ＩｎＰの融点は約１０７０℃でありＳｉの
融点（１４２０℃）よりも低くて良いが、Ｐ（リン）の
蒸気圧が高いため、ＩｎＰを加熱するとＰが蒸発してし
まう。この結果、上記の手法によっては良好なＩｎＰの
単結晶薄膜を製造することができないという欠点があっ
た。
【０００４】本発明は、良好なＩｎＰの単結晶薄膜を製
造することの可能な単結晶薄膜の製造装置及び製造方法
を提供することを目的としている。
造することの可能な単結晶薄膜の製造装置及び製造方法
を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の単結晶薄膜の製造装置は、単結晶薄膜として
作成されるべきＩｎＰ薄膜を加熱溶融するための加熱手
段と、ＩｎＰ薄膜を支持するための基板と、ＩｎＰ薄膜
を加熱溶融するに際してＩｎＰ薄膜からのリンＰの蒸発
を抑えるためのキャップ層とを有していることを特徴と
している。
に本発明の単結晶薄膜の製造装置は、単結晶薄膜として
作成されるべきＩｎＰ薄膜を加熱溶融するための加熱手
段と、ＩｎＰ薄膜を支持するための基板と、ＩｎＰ薄膜
を加熱溶融するに際してＩｎＰ薄膜からのリンＰの蒸発
を抑えるためのキャップ層とを有していることを特徴と
している。
【０００６】前記キャップ層は、ＩｎＰの融点よりも高
い融点を有し、リンＰ成分を所定の割り合いで含んだ材
質で形成されているのが良く、また、前記キャップ層の
上層にはさらに、リンＰを含んでいない材質のキャップ
層が設けられていても良い。
い融点を有し、リンＰ成分を所定の割り合いで含んだ材
質で形成されているのが良く、また、前記キャップ層の
上層にはさらに、リンＰを含んでいない材質のキャップ
層が設けられていても良い。
【０００７】また、前記基板と前記ＩｎＰ薄膜との間に
はさらに、ＩｎＰ薄膜との親和性を保持するための層が
設けられるようになっている。
はさらに、ＩｎＰ薄膜との親和性を保持するための層が
設けられるようになっている。
【０００８】ＩｎＰの単結晶薄膜を作成するのに、本発
明では、基板上にＩｎＰ薄膜を設け、リンを所定の割り
合いで含んだキャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に重ね、ま
たは該キャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に設ける他にもリ
ンを所定の割り合いで含んだ層を基板とＩｎＰ薄膜との
間にも設け、この状態でＩｎＰ薄膜を加熱溶融しゾーン
メルティングの手法でＩｎＰの単結晶薄膜を作成する。
明では、基板上にＩｎＰ薄膜を設け、リンを所定の割り
合いで含んだキャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に重ね、ま
たは該キャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に設ける他にもリ
ンを所定の割り合いで含んだ層を基板とＩｎＰ薄膜との
間にも設け、この状態でＩｎＰ薄膜を加熱溶融しゾーン
メルティングの手法でＩｎＰの単結晶薄膜を作成する。
【０００９】基板とＩｎＰ薄膜との間に層を設ける場合
に、該層のＩｎＰ薄膜と対向する面にはＩｎ，Ｐを多く
含ませるようにするのが良い。
に、該層のＩｎＰ薄膜と対向する面にはＩｎ，Ｐを多く
含ませるようにするのが良い。
【００１０】また、ＩｎＰ薄膜の上層に重ねられたキャ
ップ層の上面にさらにリンを含んでいない材質の層を設
け、またはさらに外部雰囲気をリンＰ分圧を印加したも
のにして、ＩｎＰの単結晶薄膜を作成しても良い。
ップ層の上面にさらにリンを含んでいない材質の層を設
け、またはさらに外部雰囲気をリンＰ分圧を印加したも
のにして、ＩｎＰの単結晶薄膜を作成しても良い。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１２】図１は本発明に係る単結晶薄膜の製造装置
の第１の実施例の概略構成図である。この第１の実施例
の製造装置では、単結晶薄膜として成長されるべきＩｎ
Ｐ薄膜２を加熱溶融するための加熱手段１０と、ＩｎＰ
薄膜２を支持する基板１と、ＩｎＰ薄膜２を加熱溶融す
るに際してＩｎＰ薄膜２の上層に重ねられるＰＳＧ（Ph
osphosilicate ガラス）のキャップ層３とを有してい
る。加熱手段１０としては、例えばアルゴンレーザ、炭
酸ガスレーザなどが用いられる。また、ＰＳＧのキャッ
プ層３はＳｉＯ2 中にＰ2 Ｏ5 を含有した材質のもので
構成されている。但し、ＰＳＧは、リンＰの含有量が多
くなる程、融点が下がり、例えばＰ2 Ｏ5 が５％含有さ
れているＰＳＧでは、融点は約１２５０℃程度である
が、Ｐ2 Ｏ5 が１０％含有されているＰＳＧでは、融点
は約１１００℃となる。一方、ＩｎＰの融点は、約１０
７０℃であるので、Ｐ2 Ｏ5 が１０％以上含有されたＰ
ＳＧのキャップ層３を用いる場合には、ＩｎＰ薄膜２を
加熱溶融することによって、キャップ層３も溶融されて
しまう。従って、キャップ層３としては、ＩｎＰ薄膜２
を加熱溶融するときにも溶融しない材質のものでなけれ
ばならず、Ｐ2 Ｏ5 を１０％以下含有するＰＳＧを用い
るのが良い。
の第１の実施例の概略構成図である。この第１の実施例
の製造装置では、単結晶薄膜として成長されるべきＩｎ
Ｐ薄膜２を加熱溶融するための加熱手段１０と、ＩｎＰ
薄膜２を支持する基板１と、ＩｎＰ薄膜２を加熱溶融す
るに際してＩｎＰ薄膜２の上層に重ねられるＰＳＧ（Ph
osphosilicate ガラス）のキャップ層３とを有してい
る。加熱手段１０としては、例えばアルゴンレーザ、炭
酸ガスレーザなどが用いられる。また、ＰＳＧのキャッ
プ層３はＳｉＯ2 中にＰ2 Ｏ5 を含有した材質のもので
構成されている。但し、ＰＳＧは、リンＰの含有量が多
くなる程、融点が下がり、例えばＰ2 Ｏ5 が５％含有さ
れているＰＳＧでは、融点は約１２５０℃程度である
が、Ｐ2 Ｏ5 が１０％含有されているＰＳＧでは、融点
は約１１００℃となる。一方、ＩｎＰの融点は、約１０
７０℃であるので、Ｐ2 Ｏ5 が１０％以上含有されたＰ
ＳＧのキャップ層３を用いる場合には、ＩｎＰ薄膜２を
加熱溶融することによって、キャップ層３も溶融されて
しまう。従って、キャップ層３としては、ＩｎＰ薄膜２
を加熱溶融するときにも溶融しない材質のものでなけれ
ばならず、Ｐ2 Ｏ5 を１０％以下含有するＰＳＧを用い
るのが良い。
【００１３】この製造装置を用いてＩｎＰの単結晶薄膜
を作る場合には、ガラス（特に石英）の基板１上に直
接、ＩｎＰ薄膜２を設け、さらに、ＩｎＰ薄膜２の上層
にＰＳＧ（Phosphosilicate ガラス）のキャップ層３を
重ねる。しかる後、加熱手段１０からの光ビームＢＭを
上記キャップ層３を介してＩｎＰ薄膜２の上面にスポッ
ト照射して、ＩｎＰ薄膜２のその部分を加熱溶融し、こ
のビームを所定の方向に走査することにより、ゾーンメ
ルティング法でＩｎＰの単結晶薄膜を成長させる。
を作る場合には、ガラス（特に石英）の基板１上に直
接、ＩｎＰ薄膜２を設け、さらに、ＩｎＰ薄膜２の上層
にＰＳＧ（Phosphosilicate ガラス）のキャップ層３を
重ねる。しかる後、加熱手段１０からの光ビームＢＭを
上記キャップ層３を介してＩｎＰ薄膜２の上面にスポッ
ト照射して、ＩｎＰ薄膜２のその部分を加熱溶融し、こ
のビームを所定の方向に走査することにより、ゾーンメ
ルティング法でＩｎＰの単結晶薄膜を成長させる。
【００１４】この際に、ＩｎＰ薄膜２を加熱すると、前
述したように、ＩｎＰからリンＰが蒸発しようとする
が、ＩｎＰの薄膜２の上層にはキャップ層３が設けられ
さらにこのキャップ層３にはリンＰが含有されているの
で、このキャップ層３を設けることにより単結晶薄膜の
作成中、リンＰがその高い蒸気圧によって蒸発するのを
有効に防止することができる。これにより、良好なＩｎ
Ｐの単結晶薄膜を製造することが可能となる。
述したように、ＩｎＰからリンＰが蒸発しようとする
が、ＩｎＰの薄膜２の上層にはキャップ層３が設けられ
さらにこのキャップ層３にはリンＰが含有されているの
で、このキャップ層３を設けることにより単結晶薄膜の
作成中、リンＰがその高い蒸気圧によって蒸発するのを
有効に防止することができる。これにより、良好なＩｎ
Ｐの単結晶薄膜を製造することが可能となる。
【００１５】図２は本発明に係る単結晶薄膜の製造装置
の第２の実施例の概略構成図である。この第２の実施例
の製造装置は、さらに、ＩｎＰの薄膜２の下層にもＰＳ
Ｇの層４を有している。ＰＳＧの層４としては、キャッ
プ層３と同様の材質のもの、すなわち、ＳｉＯ2 中にＰ
2 Ｏ5 が１０％以下含有されたものでも良いが、これの
表面（すなわちＩｎＰ薄膜２と対向する側の面）にさら
にＩｎ，Ｐをイオン注入等により打込んで、表面にＩ
ｎ，Ｐをより多く含有するものを用いるのが良い。
の第２の実施例の概略構成図である。この第２の実施例
の製造装置は、さらに、ＩｎＰの薄膜２の下層にもＰＳ
Ｇの層４を有している。ＰＳＧの層４としては、キャッ
プ層３と同様の材質のもの、すなわち、ＳｉＯ2 中にＰ
2 Ｏ5 が１０％以下含有されたものでも良いが、これの
表面（すなわちＩｎＰ薄膜２と対向する側の面）にさら
にＩｎ，Ｐをイオン注入等により打込んで、表面にＩ
ｎ，Ｐをより多く含有するものを用いるのが良い。
【００１６】第２の実施例においても、第１の実施例と
同様の加熱溶融の仕方により、ゾーンメルティング法で
ＩｎＰの単結晶薄膜を作成することができるが、ＰＳＧ
の層４をＩｎＰ薄膜２の下層にさらに設けることによ
り、ＩｎＰ薄膜２の下面の親和性を保つことができる。
また、表面にＩｎ，Ｐを多く含有するＰＳＧの層４を用
いれば、より親和性をもたせることができる。これによ
って、ＩｎＰ薄膜２をガラスの基板１上に直接作成する
場合に比べて、ＩｎＰ薄膜２の下面がビードアップ（球
形状）となる所謂ビードアップ現象が生ずるのを防止す
ることができ、ＩｎＰの単結晶薄膜をより良好に製造す
ることができる。
同様の加熱溶融の仕方により、ゾーンメルティング法で
ＩｎＰの単結晶薄膜を作成することができるが、ＰＳＧ
の層４をＩｎＰ薄膜２の下層にさらに設けることによ
り、ＩｎＰ薄膜２の下面の親和性を保つことができる。
また、表面にＩｎ，Ｐを多く含有するＰＳＧの層４を用
いれば、より親和性をもたせることができる。これによ
って、ＩｎＰ薄膜２をガラスの基板１上に直接作成する
場合に比べて、ＩｎＰ薄膜２の下面がビードアップ（球
形状）となる所謂ビードアップ現象が生ずるのを防止す
ることができ、ＩｎＰの単結晶薄膜をより良好に製造す
ることができる。
【００１７】図３は本発明に係る単結晶薄膜の製造装置
の第３の実施例の概略構成図である。この第３の実施例
の製造装置は、ＰＳＧのキャップ層３の上層に、さら
に、他のキャップ層５を有している。このキャップ層５
は、ＰＳＧのキャップ層３からのリンＰの蒸発を防ぐた
めに設けられ、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 、あるいはＳｉＯ
2 などのガラス材料で形成されている。
の第３の実施例の概略構成図である。この第３の実施例
の製造装置は、ＰＳＧのキャップ層３の上層に、さら
に、他のキャップ層５を有している。このキャップ層５
は、ＰＳＧのキャップ層３からのリンＰの蒸発を防ぐた
めに設けられ、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 、あるいはＳｉＯ
2 などのガラス材料で形成されている。
【００１８】第３の実施例においても、第１、第２の実
施例と同様の加熱溶融の仕方により、すなわち、光ビー
ムＢＭをキャップ層５，キャップ層３を介してＩｎＰ薄
膜２に照射し、この部分を加熱溶融することにより、ゾ
ーンメルティング法でＩｎＰの単結晶薄膜を成長させる
ことができるが、キャップ層５をＰＳＧのキャップ層３
の上にさらに設けることにより、キャップ層３からリン
Ｐが蒸発するのを防ぎ、ＩｎＰの単結晶薄膜を安定した
製造状態で、一層良好に製造することができる。
施例と同様の加熱溶融の仕方により、すなわち、光ビー
ムＢＭをキャップ層５，キャップ層３を介してＩｎＰ薄
膜２に照射し、この部分を加熱溶融することにより、ゾ
ーンメルティング法でＩｎＰの単結晶薄膜を成長させる
ことができるが、キャップ層５をＰＳＧのキャップ層３
の上にさらに設けることにより、キャップ層３からリン
Ｐが蒸発するのを防ぎ、ＩｎＰの単結晶薄膜を安定した
製造状態で、一層良好に製造することができる。
【００１９】なお、上述の各実施例では、加熱手段１０
が光ビームを出射するレーザであるとして説明したが、
加熱手段１０としては熱を放出するヒータであっても良
いし、あるいは電子ビームを出射する電子ビーム源など
であっても良い。
が光ビームを出射するレーザであるとして説明したが、
加熱手段１０としては熱を放出するヒータであっても良
いし、あるいは電子ビームを出射する電子ビーム源など
であっても良い。
【００２０】また、ＩｎＰの加熱を行う際に、外部雰囲
気をＰＨ3 ，Ｐ2 ，Ｐ4 蒸気等のリンＰ分圧を印加した
ものにすれば、ＩｎＰ薄膜２あるいはキャップ層３から
のリンＰの蒸発をより効果的に防ぐことができる。
気をＰＨ3 ，Ｐ2 ，Ｐ4 蒸気等のリンＰ分圧を印加した
ものにすれば、ＩｎＰ薄膜２あるいはキャップ層３から
のリンＰの蒸発をより効果的に防ぐことができる。
【００２１】また、上述の各実施例において、基板１と
してガラス（特に石英）を用いるとして説明したが、こ
れのかわりにＳｉを用いても良い。
してガラス（特に石英）を用いるとして説明したが、こ
れのかわりにＳｉを用いても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
単結晶薄膜として作成されるべきＩｎＰ薄膜を加熱溶融
するに際して、ＩｎＰ薄膜からのリンＰの蒸発を抑える
ためのキャップ層を用いるので、ＩｎＰ薄膜を加熱溶融
中に、ＩｎＰ薄膜からリンＰ成分が蒸発するのを有効に
防止し、良好なＩｎＰの単結晶薄膜を製造することがで
きる。
単結晶薄膜として作成されるべきＩｎＰ薄膜を加熱溶融
するに際して、ＩｎＰ薄膜からのリンＰの蒸発を抑える
ためのキャップ層を用いるので、ＩｎＰ薄膜を加熱溶融
中に、ＩｎＰ薄膜からリンＰ成分が蒸発するのを有効に
防止し、良好なＩｎＰの単結晶薄膜を製造することがで
きる。
【００２４】このキャップ層は、リンＰ成分を所定の割
り合いで含んだ材質で形成されているが、このキャップ
層の上層にさらにリンＰを含んでいない材質のキャップ
層を設けることによって、単結晶薄膜の作成中、リンＰ
成分を所定の割り合いで含んでいるキャップ層からのリ
ンＰの蒸発を防止し、常に安定した製造状態で良好なＩ
ｎＰの単結晶薄膜を製造することができる。
り合いで含んだ材質で形成されているが、このキャップ
層の上層にさらにリンＰを含んでいない材質のキャップ
層を設けることによって、単結晶薄膜の作成中、リンＰ
成分を所定の割り合いで含んでいるキャップ層からのリ
ンＰの蒸発を防止し、常に安定した製造状態で良好なＩ
ｎＰの単結晶薄膜を製造することができる。
【００２５】また、基板とＩｎＰ薄膜との間に、さらに
ＩｎＰ薄膜との親和性を保持するための層を設ければ、
ＩｎＰ薄膜の所謂ビードアップ現象を防止でき、より良
好なＩｎＰの単結晶薄膜を作成することができる。
ＩｎＰ薄膜との親和性を保持するための層を設ければ、
ＩｎＰ薄膜の所謂ビードアップ現象を防止でき、より良
好なＩｎＰの単結晶薄膜を作成することができる。
【図１】本発明に係る単結晶薄膜の製造装置の第１の実
施例の概略構成図である。
施例の概略構成図である。
【図２】本発明に係る単結晶薄膜の製造装置の第２の実
施例の概略構成図である。
施例の概略構成図である。
【図３】本発明に係る単結晶薄膜の製造装置の第３の実
施例の概略構成図である。
施例の概略構成図である。
【図４】単結晶薄膜を製造する従来の仕方を説明するた
めの図である。
めの図である。
１ 基板 ２ ＩｎＰ薄膜 ３ キャップ層 ４ 層 ５ 他のキャップ層 １０ 加熱手段
Claims (7)
- 【請求項１】 単結晶薄膜として作成されるべきＩｎＰ
薄膜を加熱溶融するための加熱手段と、ＩｎＰ薄膜を支
持するための基板と、ＩｎＰ薄膜を加熱溶融するに際し
てＩｎＰ薄膜からのリンＰの蒸発を抑えるためのキャッ
プ層とを有していることを特徴とする単結晶薄膜の製造
装置。 - 【請求項２】 前記キャップ層は、ＩｎＰの融点よりも
高い融点を有し、リンＰ成分を所定の割り合いで含んだ
材質で形成されていることを特徴とする請求項１記載の
単結晶薄膜の製造装置。 - 【請求項３】 前記キャップ層の上層にはさらに、リン
Ｐを含んでいない材質のキャップ層が設けられているこ
とを特徴とする請求項２記載の単結晶薄膜の製造装置。 - 【請求項４】 前記基板と前記ＩｎＰ薄膜との間にはさ
らに、ＩｎＰ薄膜との親和性を保持するための層が設け
られるようになっていることを特徴とする請求項１また
は３記載の単結晶薄膜の製造装置。 - 【請求項５】 基板上にＩｎＰ薄膜を設け、リンＰを所
定の割り合いで含んだキャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に
重ね、または該キャップ層をＩｎＰ薄膜の上層に設ける
他にもリンＰを所定の割り合いで含んだ層を基板とＩｎ
Ｐ薄膜との間にも設け、この状態でＩｎＰ薄膜を加熱溶
融しゾーンメルティングの手法でＩｎＰの単結晶薄膜を
作成することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 基板とＩｎＰ薄膜との間に層を設ける場
合に、該層のＩｎＰ薄膜と対向する面にはＩｎ，Ｐを多
く含ませるようにしていることを特徴とする請求項５記
載の単結晶薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 ＩｎＰ薄膜の上層に重ねられたキャップ
層の上面にさらにリンを含んでいない材質の層を設け、
またはさらに外部雰囲気をリンＰ分圧を印加したものに
して、ＩｎＰの単結晶薄膜を作成することを特徴とする
請求項５記載の単結晶薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321491A JPH0590155A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 単結晶薄膜の製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321491A JPH0590155A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 単結晶薄膜の製造装置及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590155A true JPH0590155A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=12936586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5321491A Pending JPH0590155A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 単結晶薄膜の製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7565267B2 (en) | 2005-12-28 | 2009-07-21 | Nec Corporation | Life prediction and monitoring of components |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP5321491A patent/JPH0590155A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7565267B2 (en) | 2005-12-28 | 2009-07-21 | Nec Corporation | Life prediction and monitoring of components |
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