JPH0590468A - Lead frame - Google Patents
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- JPH0590468A JPH0590468A JP3249109A JP24910991A JPH0590468A JP H0590468 A JPH0590468 A JP H0590468A JP 3249109 A JP3249109 A JP 3249109A JP 24910991 A JP24910991 A JP 24910991A JP H0590468 A JPH0590468 A JP H0590468A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードピッチの狭小化やリード平坦幅の減少に
も拘らず、リード先端部分の変形が発生せず、短絡やワ
イヤボンディング不良を回避することができ、しかも半
導体集積回路チップからの発熱をいちはやく放散するこ
とができ、高集積化及び高速化に対応できる信頼性の高
いリードフレームを提供する。
【構成】リードフレームにおいて、陽極酸化による化成
を施された金属箔からなる放熱材が、リード先端側上の
アイランドの周囲を取り囲む位置や、リード先端部及び
アイランドに渡る領域に、あるいはリード先端側からそ
の内側に渡る領域に、貼り付けられていることを特徴と
する。
(57) [Abstract] [Purpose] Despite narrowing of the lead pitch and reduction of the flat width of the lead, deformation of the tip of the lead does not occur, short circuits and defective wire bonding can be avoided, and semiconductor integration is possible. (EN) Provided is a highly reliable lead frame which can quickly dissipate heat generated from a circuit chip and can cope with high integration and high speed. [Constitution] In a lead frame, a heat dissipation material made of a metal foil formed by anodic oxidation is placed at a position surrounding the periphery of the island on the lead tip side, a region extending over the lead tip and the island, or on the lead tip side. It is characterized in that it is attached to an area extending from the inside to the inside.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
集積回路チップの実装に用いられるリードフレームに関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame used for mounting semiconductor integrated circuit chips such as IC and LSI.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リードフレームは一例として図５に示す
ように、半導体集積回路チップが搭載されるアイランド
と、前記チップにワイヤボンディング等により電気的接
続されるリード、および前記リードとアイランドとを支
持するフレームを有する導電性フレームを云う。或は、
図６に示すように前記の半導体集積回路チップにワイヤ
ボンディング等により接続されるリードと、前記のリー
ドを支持するフレームとを有しているが、前記アイラン
ドは設けられていない導電性フレームもリードフレーム
の一例である。2. Description of the Related Art As an example of a lead frame, as shown in FIG. 5, an island on which a semiconductor integrated circuit chip is mounted, leads electrically connected to the chip by wire bonding, and the leads and the island are supported. It refers to a conductive frame having a frame. Or
As shown in FIG. 6, the semiconductor integrated circuit chip has leads connected to each other by wire bonding and the like, and a frame supporting the leads, but the island is not provided with a conductive frame. It is an example of a frame.
【０００３】リードフレームの材質としては、Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金（Ni：42〜50.5wt％程度、42合金が代表的）や
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金（コバール合金、Ni：29wt％−
Co：17wt％程度）、あるいは多くの合金の種類があり概
ね熱伝導度・電気伝導度に優れたＣｕ系合金などが主に
用いられている。そしてこれらの金属板を所望のパター
ンを有する金型を使用して打ち抜いて製造する（プレス
法）か、または上記の金属板上にフォトレジストを塗布
し、所望のパターンを有するマスクを使用して露光と現
像を施し、フォトレジスト膜をパターン化した後に、ウ
ェットエッチングを行い、最後にフォトレジスト膜を除
去して製造していた（エッチング法）。Fe-N is used as the material of the lead frame.
i-based alloys (Ni: 42-50.5 wt%, 42 alloy is typical) and Fe-Ni-Co-based alloys (Kovar alloy, Ni: 29 wt%-
Co: about 17 wt%), or there are many types of alloys, and Cu-based alloys and the like, which are generally excellent in thermal conductivity and electrical conductivity, are mainly used. Then, these metal plates are punched and manufactured using a die having a desired pattern (press method), or a photoresist is applied on the metal plate, and a mask having a desired pattern is used. It was manufactured by exposing and developing, patterning the photoresist film, performing wet etching, and finally removing the photoresist film (etching method).
【０００４】そして半導体集積回路チップは、近年ます
ます多機能化と小型化の傾向にあり、高集積化、高速化
が日進月歩に進行している。これに対応してリードフレ
ームにおけるリード数も増大し、リードピッチはますま
す狭小化の傾向にある。In recent years, semiconductor integrated circuit chips have become more and more multifunctional and smaller, and higher integration and higher speed have been advancing day by day. Correspondingly, the number of leads in the lead frame is also increasing, and the lead pitch is becoming narrower and narrower.
【０００５】ところが、従来技術に係わるリードフレー
ムにおいては、リードピッチの狭小化にともなってリー
ド平坦幅も減少してくると、リードフレームの製造工程
やＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路チップの製造工程で
のハンドリングにより、とりわけリードの先端部分が変
形し易くなり、変形によるリード相互の短絡や、ワイヤ
ボンディングに代表されるチップ内部での端子の電気的
接続の際のボンディング不良が発生すると云う欠点があ
った。また、半導体集積回路チップの高集積化及び高速
化に伴う発熱を放散することも大変に重要となってく
る。さらに、例えば図７に示すような、金属板を放熱板
とし、接着剤を用いてリード先端部に貼り付け、その上
に半導体集積回路チップを搭載するような場合、接着剤
中の不純物によって絶縁抵抗が低下し、リードと放熱板
の短絡を招くという信頼性の面からの問題も発生してい
た。However, in the lead frame according to the related art, when the lead flat width is reduced as the lead pitch is narrowed, the lead frame manufacturing process and the semiconductor integrated circuit chip manufacturing process such as IC and LSI are performed. However, there is a drawback in that the tips of the leads are apt to be deformed particularly due to the handling of the leads, and short-circuiting between the leads due to the deformation, and a defective bonding at the time of electrical connection of terminals inside the chip represented by wire bonding occur. there were. Further, it is also very important to dissipate heat generated due to high integration and high speed of the semiconductor integrated circuit chip. Further, as shown in FIG. 7, for example, when a metal plate is used as a heat dissipation plate and is attached to the tip of the lead with an adhesive and a semiconductor integrated circuit chip is mounted thereon, insulation is caused by impurities in the adhesive. There was also a problem in terms of reliability that the resistance was lowered and the lead and the heat sink were short-circuited.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題に鑑
みて成されたものであり、リードピッチが狭小となり、
リード平坦幅が減少しているにも拘らず、リード先端部
分の変形が発生せず、短絡やワイヤボンディング不良を
回避することができ、しかも半導体集積回路チップから
の発熱をいちはやく放散することができ、高集積化及び
高速化に対応できる信頼性の高いリードフレームを提供
することを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems and has a narrow lead pitch.
Despite the reduction of the flat width of the lead, deformation of the tip of the lead does not occur, short circuits and defective wire bonding can be avoided, and the heat generated from the semiconductor integrated circuit chip can be quickly dissipated. Another object of the present invention is to provide a highly reliable lead frame that can cope with high integration and high speed.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明が提供する手段は以下にのべる。Means provided by the present invention for solving the above-mentioned problems are as follows.
【０００８】すなわち、フレームから伸延する複数のリ
ードと、フレームから伸延する支持部によって懸吊され
ているアイランドとを有するリードフレームにおいて、
リード先端側上でアイランドの周囲を取り囲む位置に、
帯状の放熱材が貼り付けられていることを特徴とするリ
ードフレームを提供する。That is, in a lead frame having a plurality of leads extending from the frame and an island suspended by a support portion extending from the frame,
At the position that surrounds the periphery of the island on the lead tip side,
Provided is a lead frame having a band-shaped heat dissipation material attached thereto.
【０００９】そして、そのときの放熱材は陽極酸化によ
る化成を施された金属箔からなることが好ましい。The heat dissipating material at that time is preferably made of a metal foil which has been subjected to chemical conversion by anodic oxidation.
【００１０】あるいはフレームから伸延する複数のリー
ドと、フレームから伸延する支持部によって懸吊されて
いるアイランドとを有するリードフレームにおいて、リ
ード先端部及びアイランドに渡る領域に、陽極酸化によ
る化成を施された板状の金属箔からなる放熱材が貼り付
けられていることを特徴とするリードフレームを提供す
る。Alternatively, in a lead frame having a plurality of leads extending from the frame and an island suspended by a support extending from the frame, the lead tip portion and the region extending over the island are anodized. Disclosed is a lead frame, to which a heat dissipation material made of a plate-shaped metal foil is attached.
【００１１】さらには、フレームから伸延する複数のリ
ードを有し、アイランドは設けられていないリードフレ
ームにおいて、リード先端側からその内側に渡る領域
に、陽極酸化による化成を施した板状の金属箔からなる
放熱材が貼り付けられていることを特徴とするリードフ
レームを提供するものである。Further, in a lead frame which has a plurality of leads extending from the frame and is not provided with islands, a plate-shaped metal foil formed by anodic oxidation in a region extending from the lead tip side to the inside thereof. The present invention provides a lead frame, which is characterized in that a heat-dissipating material made of is attached.
【００１２】[0012]
【作用】本発明に係るリードフレームにおいてはリード
先端部分に陽極酸化による化成を施した帯状の金属箔を
貼り付けてあるために、インナーリード部分の変形は発
生し難く、変形によるリード相互間の短絡や、ワイヤボ
ンディング等の付着不良を回避することが極めて容易に
なる。また、この金属箔は表面が多孔質の絶縁性酸化皮
膜で覆われているため、放熱材としての役割を果たし、
半導体集積回路チップの高集積化、高速化による半導体
集積回路チップからの発熱をすばやく放散できる。さら
に、その良好な絶縁性により放熱板とリードとの短絡も
防ぐことができ、信頼性の向上にも役立つ。In the lead frame according to the present invention, since the strip-shaped metal foil formed by anodic oxidation is attached to the tip portions of the leads, deformation of the inner lead portions is unlikely to occur, and the deformation between the leads due to the deformation may occur. It becomes extremely easy to avoid short-circuits and adhesion defects such as wire bonding. In addition, since the surface of this metal foil is covered with a porous insulating oxide film, it functions as a heat dissipation material,
It is possible to quickly dissipate heat generated from the semiconductor integrated circuit chip due to high integration and high speed of the semiconductor integrated circuit chip. Furthermore, due to its good insulating property, it is possible to prevent a short circuit between the heat dissipation plate and the lead, which is also useful for improving reliability.
【００１３】前記のアイランドを有するリードフレーム
において、アイランドからインナーリード部分へかけ
て、陽極酸化による化成を施した金属箔からなる板状の
放熱材を貼り付けてある場合には、リードの先端はより
強固に固定されるので、変形はいっそう起こり難くな
り、変形によるリード相互間の短絡やボンディング不良
を回避することが極めて容易になる。また、このときア
イランド部分にも前記放熱板をを貼り付けてあるため、
半導体集積回路チップからの発熱はよりいっそうすばや
く放散され易くなっている。In the lead frame having the above-mentioned island, when a plate-shaped heat radiating material made of a metal foil formed by anodic oxidation is attached from the island to the inner lead portion, the tip of the lead is Since it is more firmly fixed, the deformation becomes even less likely to occur, and it becomes extremely easy to avoid a short circuit between leads and a defective bonding due to the deformation. Further, at this time, since the heat dissipation plate is also attached to the island portion,
The heat generated from the semiconductor integrated circuit chip is likely to be dissipated more quickly.
【００１４】一方、前記のアイランドの無いリードフレ
ームに関しては、アイランドの代わりに陽極酸化による
化成を施した金属箔からなる板状の放熱材を用い、イン
ナーリード先端側にかけて貼り付けた場合には、やはり
前記同様にリードの先端はより強固に固定されるので、
一層変形は起り難く、さらに変形によるリード相互間の
短絡やボンディング不良は回避することが極めて容易に
なる。また、半導体集積回路チップを表面が多孔質の絶
縁性酸化皮膜からなる放熱板上に直に搭載してあるた
め、半導体集積回路チップからの発熱はよりいっそうす
ばやく放散され易くなっている。On the other hand, in the case of the lead frame having no island, when a plate-shaped heat dissipating material made of metal foil formed by anodic oxidation is used in place of the island and is attached to the inner lead tip side, After all, the tip of the lead is fixed more firmly as in the above,
Deformation is even less likely to occur, and it is extremely easy to avoid short circuits between leads and defective bonding due to deformation. Further, since the semiconductor integrated circuit chip is directly mounted on the heat sink made of a porous insulating oxide film on the surface, the heat generated from the semiconductor integrated circuit chip is more easily dissipated more quickly.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の三つの実施例
について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Three embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】＜実施例１＞図１（ａ）は本発明の一実施
例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−
Ａ断面図である。図中、アイランド3 はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に支持部９によっ
て懸吊されており、その上に半導体集積回路チップ４が
搭載されるようにできている。本発明の要旨に係わる放
熱材１として金属箔（Ａｌ箔、厚さ５０μｍ）を酸性水
溶液中において陽極電解し本金属箔上に陽極酸化による
絶縁性皮膜を化成した後、接着剤（例えば東亜合成化学
工業（株）製、商品名：ＢＸ−６０）を片面に塗布し、
金型で寸法通りに帯状に打ち抜き保護フィルムを剥して
前記のリード先端21に熱圧着する。<Embodiment 1> FIG. 1 (a) is a plan view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is an A- line in FIG. 1 (a).
FIG. In the figure, an island 3 is suspended by a support portion 9 in a region sandwiched between a frame partition frame 5 and a frame outer frame 6, and a semiconductor integrated circuit chip 4 is mounted thereon. As a heat dissipation material 1 according to the gist of the present invention, a metal foil (Al foil, thickness 50 μm) is subjected to anodic electrolysis in an acidic aqueous solution to form an insulating film on the metal foil by anodic oxidation, and then an adhesive (for example, Toagosei). Chemical Industry Co., Ltd., trade name: BX-60) is applied to one side,
A protective film is punched out in a strip shape according to the dimensions with a mold, and the lead tip 21 is thermocompression bonded.
【００１７】＜実施例２＞図２（ａ）は本発明の他の一
実施例を示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面図である。図中、リード２はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に前記フレーム仕
切り枠５やフレーム外枠６から伸延している。アイラン
ド３は支持部９によって懸吊されている。本発明の要旨
に係わる放熱材１は本実施例においては、前記リードの
先端21とアイランド３とを覆う領域62に板状に設けられ
る。この放熱材１により、リードの先端２１の変形が効
果的に防止されるとともに、さらに半導体集積回路チッ
プからの発熱もいちはやく放散できる。この放熱材１は
金属箔（Ａｌ箔、厚さ５０μｍ）を酸性水溶液中におい
て陽極酸化により化成し、金型を用いて所望する寸法に
切断し、片面に接着剤をバーコーターを用いてコーティ
ングし貼り付ける。<Embodiment 2> FIG. 2 (a) is a plan view showing another embodiment of the present invention, and FIG. 2 (b) is a sectional view taken along line BB of FIG. 2 (a). In the figure, the lead 2 extends from the frame partition frame 5 and the frame outer frame 6 in a region sandwiched between the frame partition frame 5 and the frame outer frame 6. The island 3 is suspended by the support portion 9. In this embodiment, the heat dissipating material 1 according to the gist of the present invention is provided in a plate shape in a region 62 that covers the tip 21 of the lead and the island 3. This heat dissipation material 1 effectively prevents the deformation of the tip 21 of the lead, and also allows the heat generated from the semiconductor integrated circuit chip to be quickly dissipated. This heat dissipating material 1 is formed by anodizing a metal foil (Al foil, thickness 50 μm) in an acidic aqueous solution, cutting it to a desired size using a mold, and coating an adhesive on one side with a bar coater. paste.
【００１８】＜実施例３＞図３（ａ）は本発明の別の他
の一実施例の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の
Ｃ−Ｃ断面図である。図中、リード２はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に前記フレーム仕
切り枠５やフレーム外枠６から伸延している。本発明の
要旨に係わる放熱材１は、本実施例においては、前記リ
ード先端21とリードフレーム中の一セクションの中央部
（図１、図２におけるアイランド３が配置される部分）
とを覆う領域に板状に設けられる。この放熱材１によ
り、リードの先端21の変形が効果的に防止され、さらに
半導体集積回路チップからの発熱をよりすばやく放散で
きる。この放熱材１は金属箔（Ａｌ箔、厚さ７５μｍ）
を酸性水溶液中において陽極酸化により化成し、金型を
用いて所望する寸法に切断し、片面に接着剤をスクリー
ン印刷法を用いてコーティングし貼着する。このアイラ
ンドの無いリードフレームの場合には放熱材１の上に半
導体集積回路を乗せる。<Embodiment 3> FIG. 3 (a) is a plan view of another embodiment of the present invention, and FIG. 3 (b) is a sectional view taken along line CC of FIG. 3 (a). In the figure, the lead 2 extends from the frame partition frame 5 and the frame outer frame 6 in a region sandwiched between the frame partition frame 5 and the frame outer frame 6. In this embodiment, the heat dissipating material 1 according to the gist of the present invention is the lead tip 21 and the central portion of one section in the lead frame (the portion where the island 3 in FIGS. 1 and 2 is arranged).
It is provided in a plate shape in a region that covers and. The heat dissipating material 1 effectively prevents the deformation of the tips 21 of the leads, and more quickly dissipates heat generated from the semiconductor integrated circuit chip. This heat dissipation material 1 is a metal foil (Al foil, thickness 75 μm)
Is anodized in an acidic aqueous solution, cut into a desired size using a mold, and an adhesive is coated on one surface by a screen printing method and attached. In the case of the lead frame having no island, the semiconductor integrated circuit is placed on the heat dissipation material 1.
【００１９】前記の各実施例に係る陽極酸化皮膜の製作
方法の一例について説明する。前処理を施した金属箔
（Ａｌ箔）を酸性水溶液中（Ｈ2 ＳＯ4 濃度１５％、液
温２０℃）に浸し、直流電圧１６Ｖで１５分間の陽極電
解を施し、表面に多孔質で絶縁性を有する陽極酸化によ
る皮膜を化成した。An example of a method of manufacturing the anodized film according to each of the above-mentioned embodiments will be described. The pre-treated metal foil (Al foil) is immersed in an acidic aqueous solution (H 2 SO 4 concentration 15%, liquid temperature 20 ° C.) and subjected to anodic electrolysis for 15 minutes at a DC voltage of 16 V, and the surface is porous and insulated. A film was formed by anodic oxidation that has the property.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係るリードフレームは、リード先端部の変形による短
絡、及びボンディング不良を回避することが容易にで
き、さらに半導体集積回路チップからの発熱の放散性能
を素早いものへと向上させることができる。また、アイ
ランドの無いリードフレームに対しては、アイランドの
代用と、放熱材の役目を兼ねて陽極酸化皮膜を化成した
金属箔をリードフレームの裏面に張り付けることによっ
て、やはり変形を低減しリード相互間の短絡やワイヤボ
ンディング不良を回避し、更に半導体集積回路チップか
らの発熱の放散性を向上させることができることに加
え、さらに本陽極酸化皮膜が優れた絶縁性を有している
ために、接着剤を使用したことに伴う絶縁性に対する信
頼性が向上し、金属箔を用いたり、接着剤を薄くするこ
とにより、より薄型のパッケージが可能となる。As described above in detail, in the lead frame according to the present invention, it is possible to easily avoid a short circuit and a bonding failure due to the deformation of the lead tip portion, and moreover the heat generated from the semiconductor integrated circuit chip is generated. The emission performance of can be improved quickly. Also, for leadframes without islands, a metal foil with an anodized film that doubles as a substitute for the islands and as a heat dissipation material is attached to the backside of the leadframes to reduce deformation and reduce lead mutual interference. In addition to being able to avoid short-circuiting between terminals and defective wire bonding, and further improving the dissipation of heat generated from the semiconductor integrated circuit chip, the anodized film also has excellent insulating properties The reliability of the insulating property associated with the use of the agent is improved, and by using a metal foil or thinning the adhesive, a thinner package is possible.
【００２１】すなわち本発明は、狭小なリードピッチの
場合においても信頼性が確保され半導体集積回路チップ
の高集積化、高速化に対応できるリードフレームを提供
することができる。That is, the present invention can provide a lead frame which can ensure reliability even in the case of a narrow lead pitch and can cope with high integration and high speed of a semiconductor integrated circuit chip.
【００２２】[0022]
【図１】本発明の一実施例に係るリードフレームを示す
平面図とＡ−Ａの断面図である。FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention and a sectional view taken along line AA.
【図２】本発明の他の実施例に係るリードフレームを示
す平面図とＢ−Ｂの断面図である。FIG. 2 is a plan view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention and a cross-sectional view taken along line BB.
【図３】本発明の別の他の実施例に係るリードフレーム
を示す平面図とＣ−Ｃの断面図である。FIG. 3 is a plan view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention and a sectional view taken along line CC.
【図４】図３に示したリードフレームを用いた半導体集
積回路チップの実装でワイヤボンディングを施した様子
を示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing a state in which wire bonding is performed in mounting a semiconductor integrated circuit chip using the lead frame shown in FIG.
【図５】従来技術に係るリードフレームを示す平面図で
ある。FIG. 5 is a plan view showing a lead frame according to a conventional technique.
【図６】従来技術に係るアイランドの無いリードフレー
ムを示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a lead frame having no island according to the related art.
【図７】図６に示したリードフレームを用いた半導体集
積回路チップの実装でワイヤボンディングを施した様子
を示す断面図である。7 is a cross-sectional view showing a state in which wire bonding is performed in mounting a semiconductor integrated circuit chip using the lead frame shown in FIG.
１・・・放熱板 ２・・・リード ３・・・アイランド ４・・・半導体集積回路チップ ５・・・フレーム仕切り枠 ６・・・フレーム外枠 ７・・・金属板 ８・・・接着剤 ９・・・支持部 21・・・リード先端 1 ... Heat sink 2 ... Lead 3 ... Island 4 ... Semiconductor integrated circuit chip 5 ... Frame partitioning frame 6 ... Frame outer frame 7 ... Metal plate 8 ... Adhesive 9 ... Support 21 ... Lead tip
Claims (4)
レームから伸延する支持部によって懸吊されているアイ
ランドとを有するリードフレームにおいて、リード先端
側上のアイランドの周囲を取り囲む位置に、帯状の放熱
材が貼り付けられていることを特徴とするリードフレー
ム。1. In a lead frame having a plurality of leads extending from a frame and an island suspended by a support extending from the frame, a strip-shaped heat radiation is provided at a position surrounding the island on the lead tip side. A lead frame, which is characterized in that materials are attached.
属箔からなることを特徴とする請求項１に記載のリード
フレーム。2. The lead frame according to claim 1, wherein the heat dissipating material is a metal foil that has been subjected to chemical conversion by anodic oxidation.
レームから伸延する支持部によって懸吊されているアイ
ランドとを有するリードフレームにおいて、リード先端
部及びアイランドに渡る領域に、陽極酸化による化成を
施された板状の金属箔からなる放熱材が貼り付けられて
いることを特徴とするリードフレーム。3. In a lead frame having a plurality of leads extending from a frame and an island suspended by a supporting portion extending from the frame, a region by the tip of the lead and the island is anodized. A lead frame, to which a heat-dissipating material made of a plate-shaped metal foil is attached.
し、アイランドは設けられていないリードフレームにお
いて、リード先端側からその内側に渡る領域に、陽極酸
化による化成を施した板状の金属箔からなる放熱材が貼
り付けられていることを特徴とするリードフレーム。4. A lead frame having a plurality of leads extending from a frame and not having an island, is formed from a plate-shaped metal foil formed by anodic oxidation in a region extending from a lead tip side to an inner side thereof. A lead frame having a heat dissipation material attached thereto.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249109A JPH0590468A (en) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249109A JPH0590468A (en) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590468A true JPH0590468A (en) | 1993-04-09 |
Family
ID=17188090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249109A Pending JPH0590468A (en) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590468A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0817988A (en) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100453693B1 (en) * | 1996-12-30 | 2005-01-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Crack structure of oxide layer of heat spreader for semiconductor package and fabricating method thereof to improve cohesion of package molding of compound material and prevent electrical circuit from being short-circuited |
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1991
- 1991-09-27 JP JP3249109A patent/JPH0590468A/en active Pending
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