JPH0590468A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0590468A JPH0590468A JP3249109A JP24910991A JPH0590468A JP H0590468 A JPH0590468 A JP H0590468A JP 3249109 A JP3249109 A JP 3249109A JP 24910991 A JP24910991 A JP 24910991A JP H0590468 A JPH0590468 A JP H0590468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- frame
- island
- lead frame
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2081—Compound repelling a metal, e.g. solder
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードピッチの狭小化やリード平坦幅の減少に
も拘らず、リード先端部分の変形が発生せず、短絡やワ
イヤボンディング不良を回避することができ、しかも半
導体集積回路チップからの発熱をいちはやく放散するこ
とができ、高集積化及び高速化に対応できる信頼性の高
いリードフレームを提供する。 【構成】リードフレームにおいて、陽極酸化による化成
を施された金属箔からなる放熱材が、リード先端側上の
アイランドの周囲を取り囲む位置や、リード先端部及び
アイランドに渡る領域に、あるいはリード先端側からそ
の内側に渡る領域に、貼り付けられていることを特徴と
する。
も拘らず、リード先端部分の変形が発生せず、短絡やワ
イヤボンディング不良を回避することができ、しかも半
導体集積回路チップからの発熱をいちはやく放散するこ
とができ、高集積化及び高速化に対応できる信頼性の高
いリードフレームを提供する。 【構成】リードフレームにおいて、陽極酸化による化成
を施された金属箔からなる放熱材が、リード先端側上の
アイランドの周囲を取り囲む位置や、リード先端部及び
アイランドに渡る領域に、あるいはリード先端側からそ
の内側に渡る領域に、貼り付けられていることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
集積回路チップの実装に用いられるリードフレームに関
するものである。
集積回路チップの実装に用いられるリードフレームに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームは一例として図５に示す
ように、半導体集積回路チップが搭載されるアイランド
と、前記チップにワイヤボンディング等により電気的接
続されるリード、および前記リードとアイランドとを支
持するフレームを有する導電性フレームを云う。或は、
図６に示すように前記の半導体集積回路チップにワイヤ
ボンディング等により接続されるリードと、前記のリー
ドを支持するフレームとを有しているが、前記アイラン
ドは設けられていない導電性フレームもリードフレーム
の一例である。
ように、半導体集積回路チップが搭載されるアイランド
と、前記チップにワイヤボンディング等により電気的接
続されるリード、および前記リードとアイランドとを支
持するフレームを有する導電性フレームを云う。或は、
図６に示すように前記の半導体集積回路チップにワイヤ
ボンディング等により接続されるリードと、前記のリー
ドを支持するフレームとを有しているが、前記アイラン
ドは設けられていない導電性フレームもリードフレーム
の一例である。
【０００３】リードフレームの材質としては、Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金（Ni：42〜50.5wt％程度、42合金が代表的）や
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金（コバール合金、Ni：29wt％−
Co：17wt％程度）、あるいは多くの合金の種類があり概
ね熱伝導度・電気伝導度に優れたＣｕ系合金などが主に
用いられている。そしてこれらの金属板を所望のパター
ンを有する金型を使用して打ち抜いて製造する（プレス
法）か、または上記の金属板上にフォトレジストを塗布
し、所望のパターンを有するマスクを使用して露光と現
像を施し、フォトレジスト膜をパターン化した後に、ウ
ェットエッチングを行い、最後にフォトレジスト膜を除
去して製造していた（エッチング法）。
ｉ系合金（Ni：42〜50.5wt％程度、42合金が代表的）や
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金（コバール合金、Ni：29wt％−
Co：17wt％程度）、あるいは多くの合金の種類があり概
ね熱伝導度・電気伝導度に優れたＣｕ系合金などが主に
用いられている。そしてこれらの金属板を所望のパター
ンを有する金型を使用して打ち抜いて製造する（プレス
法）か、または上記の金属板上にフォトレジストを塗布
し、所望のパターンを有するマスクを使用して露光と現
像を施し、フォトレジスト膜をパターン化した後に、ウ
ェットエッチングを行い、最後にフォトレジスト膜を除
去して製造していた（エッチング法）。
【０００４】そして半導体集積回路チップは、近年ます
ます多機能化と小型化の傾向にあり、高集積化、高速化
が日進月歩に進行している。これに対応してリードフレ
ームにおけるリード数も増大し、リードピッチはますま
す狭小化の傾向にある。
ます多機能化と小型化の傾向にあり、高集積化、高速化
が日進月歩に進行している。これに対応してリードフレ
ームにおけるリード数も増大し、リードピッチはますま
す狭小化の傾向にある。
【０００５】ところが、従来技術に係わるリードフレー
ムにおいては、リードピッチの狭小化にともなってリー
ド平坦幅も減少してくると、リードフレームの製造工程
やＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路チップの製造工程で
のハンドリングにより、とりわけリードの先端部分が変
形し易くなり、変形によるリード相互の短絡や、ワイヤ
ボンディングに代表されるチップ内部での端子の電気的
接続の際のボンディング不良が発生すると云う欠点があ
った。また、半導体集積回路チップの高集積化及び高速
化に伴う発熱を放散することも大変に重要となってく
る。さらに、例えば図７に示すような、金属板を放熱板
とし、接着剤を用いてリード先端部に貼り付け、その上
に半導体集積回路チップを搭載するような場合、接着剤
中の不純物によって絶縁抵抗が低下し、リードと放熱板
の短絡を招くという信頼性の面からの問題も発生してい
た。
ムにおいては、リードピッチの狭小化にともなってリー
ド平坦幅も減少してくると、リードフレームの製造工程
やＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路チップの製造工程で
のハンドリングにより、とりわけリードの先端部分が変
形し易くなり、変形によるリード相互の短絡や、ワイヤ
ボンディングに代表されるチップ内部での端子の電気的
接続の際のボンディング不良が発生すると云う欠点があ
った。また、半導体集積回路チップの高集積化及び高速
化に伴う発熱を放散することも大変に重要となってく
る。さらに、例えば図７に示すような、金属板を放熱板
とし、接着剤を用いてリード先端部に貼り付け、その上
に半導体集積回路チップを搭載するような場合、接着剤
中の不純物によって絶縁抵抗が低下し、リードと放熱板
の短絡を招くという信頼性の面からの問題も発生してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題に鑑
みて成されたものであり、リードピッチが狭小となり、
リード平坦幅が減少しているにも拘らず、リード先端部
分の変形が発生せず、短絡やワイヤボンディング不良を
回避することができ、しかも半導体集積回路チップから
の発熱をいちはやく放散することができ、高集積化及び
高速化に対応できる信頼性の高いリードフレームを提供
することを課題とする。
みて成されたものであり、リードピッチが狭小となり、
リード平坦幅が減少しているにも拘らず、リード先端部
分の変形が発生せず、短絡やワイヤボンディング不良を
回避することができ、しかも半導体集積回路チップから
の発熱をいちはやく放散することができ、高集積化及び
高速化に対応できる信頼性の高いリードフレームを提供
することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明が提供する手段は以下にのべる。
めに本発明が提供する手段は以下にのべる。
【０００８】すなわち、フレームから伸延する複数のリ
ードと、フレームから伸延する支持部によって懸吊され
ているアイランドとを有するリードフレームにおいて、
リード先端側上でアイランドの周囲を取り囲む位置に、
帯状の放熱材が貼り付けられていることを特徴とするリ
ードフレームを提供する。
ードと、フレームから伸延する支持部によって懸吊され
ているアイランドとを有するリードフレームにおいて、
リード先端側上でアイランドの周囲を取り囲む位置に、
帯状の放熱材が貼り付けられていることを特徴とするリ
ードフレームを提供する。
【０００９】そして、そのときの放熱材は陽極酸化によ
る化成を施された金属箔からなることが好ましい。
る化成を施された金属箔からなることが好ましい。
【００１０】あるいはフレームから伸延する複数のリー
ドと、フレームから伸延する支持部によって懸吊されて
いるアイランドとを有するリードフレームにおいて、リ
ード先端部及びアイランドに渡る領域に、陽極酸化によ
る化成を施された板状の金属箔からなる放熱材が貼り付
けられていることを特徴とするリードフレームを提供す
る。
ドと、フレームから伸延する支持部によって懸吊されて
いるアイランドとを有するリードフレームにおいて、リ
ード先端部及びアイランドに渡る領域に、陽極酸化によ
る化成を施された板状の金属箔からなる放熱材が貼り付
けられていることを特徴とするリードフレームを提供す
る。
【００１１】さらには、フレームから伸延する複数のリ
ードを有し、アイランドは設けられていないリードフレ
ームにおいて、リード先端側からその内側に渡る領域
に、陽極酸化による化成を施した板状の金属箔からなる
放熱材が貼り付けられていることを特徴とするリードフ
レームを提供するものである。
ードを有し、アイランドは設けられていないリードフレ
ームにおいて、リード先端側からその内側に渡る領域
に、陽極酸化による化成を施した板状の金属箔からなる
放熱材が貼り付けられていることを特徴とするリードフ
レームを提供するものである。
【００１２】
【作用】本発明に係るリードフレームにおいてはリード
先端部分に陽極酸化による化成を施した帯状の金属箔を
貼り付けてあるために、インナーリード部分の変形は発
生し難く、変形によるリード相互間の短絡や、ワイヤボ
ンディング等の付着不良を回避することが極めて容易に
なる。また、この金属箔は表面が多孔質の絶縁性酸化皮
膜で覆われているため、放熱材としての役割を果たし、
半導体集積回路チップの高集積化、高速化による半導体
集積回路チップからの発熱をすばやく放散できる。さら
に、その良好な絶縁性により放熱板とリードとの短絡も
防ぐことができ、信頼性の向上にも役立つ。
先端部分に陽極酸化による化成を施した帯状の金属箔を
貼り付けてあるために、インナーリード部分の変形は発
生し難く、変形によるリード相互間の短絡や、ワイヤボ
ンディング等の付着不良を回避することが極めて容易に
なる。また、この金属箔は表面が多孔質の絶縁性酸化皮
膜で覆われているため、放熱材としての役割を果たし、
半導体集積回路チップの高集積化、高速化による半導体
集積回路チップからの発熱をすばやく放散できる。さら
に、その良好な絶縁性により放熱板とリードとの短絡も
防ぐことができ、信頼性の向上にも役立つ。
【００１３】前記のアイランドを有するリードフレーム
において、アイランドからインナーリード部分へかけ
て、陽極酸化による化成を施した金属箔からなる板状の
放熱材を貼り付けてある場合には、リードの先端はより
強固に固定されるので、変形はいっそう起こり難くな
り、変形によるリード相互間の短絡やボンディング不良
を回避することが極めて容易になる。また、このときア
イランド部分にも前記放熱板をを貼り付けてあるため、
半導体集積回路チップからの発熱はよりいっそうすばや
く放散され易くなっている。
において、アイランドからインナーリード部分へかけ
て、陽極酸化による化成を施した金属箔からなる板状の
放熱材を貼り付けてある場合には、リードの先端はより
強固に固定されるので、変形はいっそう起こり難くな
り、変形によるリード相互間の短絡やボンディング不良
を回避することが極めて容易になる。また、このときア
イランド部分にも前記放熱板をを貼り付けてあるため、
半導体集積回路チップからの発熱はよりいっそうすばや
く放散され易くなっている。
【００１４】一方、前記のアイランドの無いリードフレ
ームに関しては、アイランドの代わりに陽極酸化による
化成を施した金属箔からなる板状の放熱材を用い、イン
ナーリード先端側にかけて貼り付けた場合には、やはり
前記同様にリードの先端はより強固に固定されるので、
一層変形は起り難く、さらに変形によるリード相互間の
短絡やボンディング不良は回避することが極めて容易に
なる。また、半導体集積回路チップを表面が多孔質の絶
縁性酸化皮膜からなる放熱板上に直に搭載してあるた
め、半導体集積回路チップからの発熱はよりいっそうす
ばやく放散され易くなっている。
ームに関しては、アイランドの代わりに陽極酸化による
化成を施した金属箔からなる板状の放熱材を用い、イン
ナーリード先端側にかけて貼り付けた場合には、やはり
前記同様にリードの先端はより強固に固定されるので、
一層変形は起り難く、さらに変形によるリード相互間の
短絡やボンディング不良は回避することが極めて容易に
なる。また、半導体集積回路チップを表面が多孔質の絶
縁性酸化皮膜からなる放熱板上に直に搭載してあるた
め、半導体集積回路チップからの発熱はよりいっそうす
ばやく放散され易くなっている。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の三つの実施例
について説明する。
について説明する。
【００１６】＜実施例１＞図１（ａ）は本発明の一実施
例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−
Ａ断面図である。図中、アイランド3 はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に支持部９によっ
て懸吊されており、その上に半導体集積回路チップ４が
搭載されるようにできている。本発明の要旨に係わる放
熱材１として金属箔（Ａｌ箔、厚さ５０μｍ）を酸性水
溶液中において陽極電解し本金属箔上に陽極酸化による
絶縁性皮膜を化成した後、接着剤（例えば東亜合成化学
工業（株）製、商品名：ＢＸ−６０）を片面に塗布し、
金型で寸法通りに帯状に打ち抜き保護フィルムを剥して
前記のリード先端21に熱圧着する。
例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−
Ａ断面図である。図中、アイランド3 はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に支持部９によっ
て懸吊されており、その上に半導体集積回路チップ４が
搭載されるようにできている。本発明の要旨に係わる放
熱材１として金属箔（Ａｌ箔、厚さ５０μｍ）を酸性水
溶液中において陽極電解し本金属箔上に陽極酸化による
絶縁性皮膜を化成した後、接着剤（例えば東亜合成化学
工業（株）製、商品名：ＢＸ−６０）を片面に塗布し、
金型で寸法通りに帯状に打ち抜き保護フィルムを剥して
前記のリード先端21に熱圧着する。
【００１７】＜実施例２＞図２（ａ）は本発明の他の一
実施例を示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面図である。図中、リード２はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に前記フレーム仕
切り枠５やフレーム外枠６から伸延している。アイラン
ド３は支持部９によって懸吊されている。本発明の要旨
に係わる放熱材１は本実施例においては、前記リードの
先端21とアイランド３とを覆う領域62に板状に設けられ
る。この放熱材１により、リードの先端２１の変形が効
果的に防止されるとともに、さらに半導体集積回路チッ
プからの発熱もいちはやく放散できる。この放熱材１は
金属箔（Ａｌ箔、厚さ５０μｍ）を酸性水溶液中におい
て陽極酸化により化成し、金型を用いて所望する寸法に
切断し、片面に接着剤をバーコーターを用いてコーティ
ングし貼り付ける。
実施例を示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の
Ｂ−Ｂ断面図である。図中、リード２はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に前記フレーム仕
切り枠５やフレーム外枠６から伸延している。アイラン
ド３は支持部９によって懸吊されている。本発明の要旨
に係わる放熱材１は本実施例においては、前記リードの
先端21とアイランド３とを覆う領域62に板状に設けられ
る。この放熱材１により、リードの先端２１の変形が効
果的に防止されるとともに、さらに半導体集積回路チッ
プからの発熱もいちはやく放散できる。この放熱材１は
金属箔（Ａｌ箔、厚さ５０μｍ）を酸性水溶液中におい
て陽極酸化により化成し、金型を用いて所望する寸法に
切断し、片面に接着剤をバーコーターを用いてコーティ
ングし貼り付ける。
【００１８】＜実施例３＞図３（ａ）は本発明の別の他
の一実施例の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の
Ｃ−Ｃ断面図である。図中、リード２はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に前記フレーム仕
切り枠５やフレーム外枠６から伸延している。本発明の
要旨に係わる放熱材１は、本実施例においては、前記リ
ード先端21とリードフレーム中の一セクションの中央部
（図１、図２におけるアイランド３が配置される部分）
とを覆う領域に板状に設けられる。この放熱材１によ
り、リードの先端21の変形が効果的に防止され、さらに
半導体集積回路チップからの発熱をよりすばやく放散で
きる。この放熱材１は金属箔（Ａｌ箔、厚さ７５μｍ）
を酸性水溶液中において陽極酸化により化成し、金型を
用いて所望する寸法に切断し、片面に接着剤をスクリー
ン印刷法を用いてコーティングし貼着する。このアイラ
ンドの無いリードフレームの場合には放熱材１の上に半
導体集積回路を乗せる。
の一実施例の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の
Ｃ−Ｃ断面図である。図中、リード２はフレーム仕切り
枠５とフレーム外枠６に挟まれた領域に前記フレーム仕
切り枠５やフレーム外枠６から伸延している。本発明の
要旨に係わる放熱材１は、本実施例においては、前記リ
ード先端21とリードフレーム中の一セクションの中央部
（図１、図２におけるアイランド３が配置される部分）
とを覆う領域に板状に設けられる。この放熱材１によ
り、リードの先端21の変形が効果的に防止され、さらに
半導体集積回路チップからの発熱をよりすばやく放散で
きる。この放熱材１は金属箔（Ａｌ箔、厚さ７５μｍ）
を酸性水溶液中において陽極酸化により化成し、金型を
用いて所望する寸法に切断し、片面に接着剤をスクリー
ン印刷法を用いてコーティングし貼着する。このアイラ
ンドの無いリードフレームの場合には放熱材１の上に半
導体集積回路を乗せる。
【００１９】前記の各実施例に係る陽極酸化皮膜の製作
方法の一例について説明する。前処理を施した金属箔
（Ａｌ箔）を酸性水溶液中（Ｈ2 ＳＯ4 濃度１５％、液
温２０℃）に浸し、直流電圧１６Ｖで１５分間の陽極電
解を施し、表面に多孔質で絶縁性を有する陽極酸化によ
る皮膜を化成した。
方法の一例について説明する。前処理を施した金属箔
（Ａｌ箔）を酸性水溶液中（Ｈ2 ＳＯ4 濃度１５％、液
温２０℃）に浸し、直流電圧１６Ｖで１５分間の陽極電
解を施し、表面に多孔質で絶縁性を有する陽極酸化によ
る皮膜を化成した。
【００２０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係るリードフレームは、リード先端部の変形による短
絡、及びボンディング不良を回避することが容易にで
き、さらに半導体集積回路チップからの発熱の放散性能
を素早いものへと向上させることができる。また、アイ
ランドの無いリードフレームに対しては、アイランドの
代用と、放熱材の役目を兼ねて陽極酸化皮膜を化成した
金属箔をリードフレームの裏面に張り付けることによっ
て、やはり変形を低減しリード相互間の短絡やワイヤボ
ンディング不良を回避し、更に半導体集積回路チップか
らの発熱の放散性を向上させることができることに加
え、さらに本陽極酸化皮膜が優れた絶縁性を有している
ために、接着剤を使用したことに伴う絶縁性に対する信
頼性が向上し、金属箔を用いたり、接着剤を薄くするこ
とにより、より薄型のパッケージが可能となる。
係るリードフレームは、リード先端部の変形による短
絡、及びボンディング不良を回避することが容易にで
き、さらに半導体集積回路チップからの発熱の放散性能
を素早いものへと向上させることができる。また、アイ
ランドの無いリードフレームに対しては、アイランドの
代用と、放熱材の役目を兼ねて陽極酸化皮膜を化成した
金属箔をリードフレームの裏面に張り付けることによっ
て、やはり変形を低減しリード相互間の短絡やワイヤボ
ンディング不良を回避し、更に半導体集積回路チップか
らの発熱の放散性を向上させることができることに加
え、さらに本陽極酸化皮膜が優れた絶縁性を有している
ために、接着剤を使用したことに伴う絶縁性に対する信
頼性が向上し、金属箔を用いたり、接着剤を薄くするこ
とにより、より薄型のパッケージが可能となる。
【００２１】すなわち本発明は、狭小なリードピッチの
場合においても信頼性が確保され半導体集積回路チップ
の高集積化、高速化に対応できるリードフレームを提供
することができる。
場合においても信頼性が確保され半導体集積回路チップ
の高集積化、高速化に対応できるリードフレームを提供
することができる。
【００２２】
【図１】本発明の一実施例に係るリードフレームを示す
平面図とＡ−Ａの断面図である。
平面図とＡ−Ａの断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係るリードフレームを示
す平面図とＢ−Ｂの断面図である。
す平面図とＢ−Ｂの断面図である。
【図３】本発明の別の他の実施例に係るリードフレーム
を示す平面図とＣ−Ｃの断面図である。
を示す平面図とＣ−Ｃの断面図である。
【図４】図３に示したリードフレームを用いた半導体集
積回路チップの実装でワイヤボンディングを施した様子
を示す断面図である。
積回路チップの実装でワイヤボンディングを施した様子
を示す断面図である。
【図５】従来技術に係るリードフレームを示す平面図で
ある。
ある。
【図６】従来技術に係るアイランドの無いリードフレー
ムを示す平面図である。
ムを示す平面図である。
【図７】図６に示したリードフレームを用いた半導体集
積回路チップの実装でワイヤボンディングを施した様子
を示す断面図である。
積回路チップの実装でワイヤボンディングを施した様子
を示す断面図である。
１・・・放熱板 ２・・・リード ３・・・アイランド ４・・・半導体集積回路チップ ５・・・フレーム仕切り枠 ６・・・フレーム外枠 ７・・・金属板 ８・・・接着剤 ９・・・支持部 21・・・リード先端
Claims (4)
- 【請求項１】フレームから伸延する複数のリードと、フ
レームから伸延する支持部によって懸吊されているアイ
ランドとを有するリードフレームにおいて、リード先端
側上のアイランドの周囲を取り囲む位置に、帯状の放熱
材が貼り付けられていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】放熱材が陽極酸化による化成を施された金
属箔からなることを特徴とする請求項１に記載のリード
フレーム。 - 【請求項３】フレームから伸延する複数のリードと、フ
レームから伸延する支持部によって懸吊されているアイ
ランドとを有するリードフレームにおいて、リード先端
部及びアイランドに渡る領域に、陽極酸化による化成を
施された板状の金属箔からなる放熱材が貼り付けられて
いることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】フレームから伸延する複数のリードを有
し、アイランドは設けられていないリードフレームにお
いて、リード先端側からその内側に渡る領域に、陽極酸
化による化成を施した板状の金属箔からなる放熱材が貼
り付けられていることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249109A JPH0590468A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249109A JPH0590468A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590468A true JPH0590468A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17188090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249109A Pending JPH0590468A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817988A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| KR100453693B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2005-01-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지용히트스프레더의산화막잔금구조및그방법 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249109A patent/JPH0590468A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817988A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| KR100453693B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2005-01-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지용히트스프레더의산화막잔금구조및그방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6201292B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device, circuit member used therefor | |
| US8716069B2 (en) | Semiconductor device employing aluminum alloy lead-frame with anodized aluminum | |
| JP2000022044A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP7483955B2 (ja) | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
| WO1991007776A1 (en) | A method for housing a tape-bonded electronic device and the package employed | |
| JP2006240955A (ja) | セラミック基板、セラミック回路基板及びそれを用いた電力制御部品。 | |
| JPH11233683A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材および樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| CN108109927A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JP2000332145A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用の回路部材とそれを用いた樹脂封止型半導体装置および回路部材の製造方法 | |
| JPH0590468A (ja) | リードフレーム | |
| JPH0719876B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0645504A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH088293A (ja) | 電子部品の接続構造およびその接続方法 | |
| US20150262925A1 (en) | Semiconductor device employing aluminum alloy lead-frame with anodized aluminum | |
| KR102936232B1 (ko) | 세라믹 기판, 그 제조방법 및 이를 구비한 파워모듈 | |
| CN112151489B (zh) | 引线框架、引线框架的形成方法及引线框架封装体 | |
| JP4283240B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3699573B2 (ja) | 半導体装置とそれに用いられる回路部材およびそれらの製造方法 | |
| JP4351327B2 (ja) | リードフレーム部材とそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびリードフレーム部材の製造方法 | |
| JP2000332146A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材およびそれらの製造方法 | |
| JPH06334114A (ja) | マルチチップ半導体装置 | |
| JP3884552B2 (ja) | 半導体装置とそれに用いられる回路部材および半導体装置の製造方法 | |
| CN111490018A (zh) | 具有金属导热凸块接垫的陶瓷基板元件、组件及制法 | |
| JPH05129508A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH06326227A (ja) | 多層リードフレームの製造方法及び構造 |