JPH0590846A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
- Publication number
- JPH0590846A JPH0590846A JP25216991A JP25216991A JPH0590846A JP H0590846 A JPH0590846 A JP H0590846A JP 25216991 A JP25216991 A JP 25216991A JP 25216991 A JP25216991 A JP 25216991A JP H0590846 A JPH0590846 A JP H0590846A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- transistor
- high frequency
- collector
- base
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 増幅動作停止時の漏れ電力を逓減できる。
【構成】 増幅動作時にはスイッチ15を「オン」し、
スイッチ16を「オフ」する。増幅動作停止時にはスイ
ッチ15を「オフ」し、スイッチ16を「オン」する。
スイッチ16を「オフ」する。増幅動作停止時にはスイ
ッチ15を「オフ」し、スイッチ16を「オン」する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波出力信号を「オ
ン」「オフ」制御するスイッチング動作を行う高周波増
幅回路に利用する。
ン」「オフ」制御するスイッチング動作を行う高周波増
幅回路に利用する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来例の高周波増幅回路の回路図
である。
である。
【0003】従来、高周波増幅回路は、図3に示すよう
な構成であった。図3において、11は入力端子、1
2、18は直流カット用のコンデンサ、13、14はバ
イアスを与えるための抵抗、41はスイッチ、17はト
ランジスタ、19は出力端子、20は電源である。
な構成であった。図3において、11は入力端子、1
2、18は直流カット用のコンデンサ、13、14はバ
イアスを与えるための抵抗、41はスイッチ、17はト
ランジスタ、19は出力端子、20は電源である。
【0004】スイッチ41が「オン」状態にて入力端子
11に入力された高周波信号はトランジスタ17により
増幅され、出力端子19へ出力される。一方スイッチ4
1が「オフ」の状態ではトランジスタ17にバイアスが
印加されないために、入力端子11に入力された高周波
信号はコンデンサ12、トランジスタ17のコレクタ容
量、コンデンサ18を通り出力端子19に出力される。
11に入力された高周波信号はトランジスタ17により
増幅され、出力端子19へ出力される。一方スイッチ4
1が「オフ」の状態ではトランジスタ17にバイアスが
印加されないために、入力端子11に入力された高周波
信号はコンデンサ12、トランジスタ17のコレクタ容
量、コンデンサ18を通り出力端子19に出力される。
【0005】したがって、スイッチ41が「オフ」の状
態での出力端子19に現れる漏れ電力は、コンデンサ1
2、18が一般的にトランジスタ17のコレクタ容量C
0bよりも非常に大きいためにトランジスタ17のコレク
タ容量C0bに支配されていた。
態での出力端子19に現れる漏れ電力は、コンデンサ1
2、18が一般的にトランジスタ17のコレクタ容量C
0bよりも非常に大きいためにトランジスタ17のコレク
タ容量C0bに支配されていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来例の高周波増幅回路では、スイッチが「オフ」の状態
では、トランジスタに印加されるすべての電圧が断とな
るために、コレクタ端子とエミッタ端子間との電位差が
「0」となり、コレクタベース間のコレクタ容量C0bが
スイッチの「オン」の状態の時と比較して増加する結果
出力端子に現れる高周波信号の漏れ電力が大きくなる問
題点があった。
来例の高周波増幅回路では、スイッチが「オフ」の状態
では、トランジスタに印加されるすべての電圧が断とな
るために、コレクタ端子とエミッタ端子間との電位差が
「0」となり、コレクタベース間のコレクタ容量C0bが
スイッチの「オン」の状態の時と比較して増加する結果
出力端子に現れる高周波信号の漏れ電力が大きくなる問
題点があった。
【0007】本発明は上記の問題点を解決するもので、
増幅作用停止時の漏れ電力を逓減できる高周波増幅回路
を提供することを目的とする。
増幅作用停止時の漏れ電力を逓減できる高周波増幅回路
を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波信号を
増幅するトランジスタと、このトランジスタのコレクタ
に第一の抵抗を介して電圧を印加する電源と、上記トラ
ンジスタのコレクタとベースとの間およびこのベースと
共通電位との間にそれぞれ挿入されバイアスを与える第
二の抵抗および第三の抵抗とを備えた高周波増幅回路に
おいて、上記トランジスタのコレクタと上記第二の抵抗
との間に挿入された第一のスイッチと、上記第三の抵抗
に並列に接続されこの第二のスイッチと逆の制御論理で
動作する第二のスイッチとを備えたことを特徴とする。
増幅するトランジスタと、このトランジスタのコレクタ
に第一の抵抗を介して電圧を印加する電源と、上記トラ
ンジスタのコレクタとベースとの間およびこのベースと
共通電位との間にそれぞれ挿入されバイアスを与える第
二の抵抗および第三の抵抗とを備えた高周波増幅回路に
おいて、上記トランジスタのコレクタと上記第二の抵抗
との間に挿入された第一のスイッチと、上記第三の抵抗
に並列に接続されこの第二のスイッチと逆の制御論理で
動作する第二のスイッチとを備えたことを特徴とする。
【0009】また、本発明は、上記第一のスイッチおよ
び上記第二のスイッチはトランジスタで構成されること
ができる。
び上記第二のスイッチはトランジスタで構成されること
ができる。
【0010】
【作用】増幅動作時にはトランジスタのコレクタと第二
の抵抗との間に挿入された第一のスイッチを「オン」
し、第三の抵抗に並列に接続された第二のスイッチを
「オフ」する。増幅動作の停止時には第一のスイッチを
「オフ」し、第二のスイッチを「オン」し、コレクタに
は電圧を印加したままにし、エミッタと共通電位との間
を短絡する。
の抵抗との間に挿入された第一のスイッチを「オン」
し、第三の抵抗に並列に接続された第二のスイッチを
「オフ」する。増幅動作の停止時には第一のスイッチを
「オフ」し、第二のスイッチを「オン」し、コレクタに
は電圧を印加したままにし、エミッタと共通電位との間
を短絡する。
【0011】以上により増幅作用停止時の漏れ電力を逓
減できる。
減できる。
【0012】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図1は本発明一実施例高周波増幅回路の回路図で
ある。
する。図1は本発明一実施例高周波増幅回路の回路図で
ある。
【0013】図1において、高周波増幅回路は、入力端
子11と、高周波信号を増幅するトランジスタとして共
通電位にエミッタが接続されたNPN型のトランジスタ
17と、入力端子11とトランシスタ17のベースとの
間に挿入されたコンデンサ12と、トランジスタ17の
コレクタに第一の抵抗として抵抗21を介して「+」電
圧を印加する電源20と、トランジスタ17のコレクタ
とベースとの間およびこのベースと共通電位との間にそ
れぞれ接続されバイアスを与える第二の抵抗として抵抗
13および第三の抵抗として抵抗14と、トランジスタ
17のコレクタに接続されたコンデンサ18と、コンデ
ンサ18に接続された出力端子19とを備える。
子11と、高周波信号を増幅するトランジスタとして共
通電位にエミッタが接続されたNPN型のトランジスタ
17と、入力端子11とトランシスタ17のベースとの
間に挿入されたコンデンサ12と、トランジスタ17の
コレクタに第一の抵抗として抵抗21を介して「+」電
圧を印加する電源20と、トランジスタ17のコレクタ
とベースとの間およびこのベースと共通電位との間にそ
れぞれ接続されバイアスを与える第二の抵抗として抵抗
13および第三の抵抗として抵抗14と、トランジスタ
17のコレクタに接続されたコンデンサ18と、コンデ
ンサ18に接続された出力端子19とを備える。
【0014】ここで本発明の特徴とするところは、トラ
ンジスタ17のコレクタと抵抗13との間に挿入された
第一のスイッチとしてスイッチ15と、抵抗14に並列
に接続されこのスイッチ15と逆の制御論理で動作する
第二のスイッチとしてスイッチ16とを備えたことにあ
る。
ンジスタ17のコレクタと抵抗13との間に挿入された
第一のスイッチとしてスイッチ15と、抵抗14に並列
に接続されこのスイッチ15と逆の制御論理で動作する
第二のスイッチとしてスイッチ16とを備えたことにあ
る。
【0015】このような構成の高周波増幅回路の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0016】図1において、入力端子11に入力された
高周波信号は、コンデンサ12を通りトランジスタ17
のベースへ供給される。
高周波信号は、コンデンサ12を通りトランジスタ17
のベースへ供給される。
【0017】一方、電源20からトランジスタ17のコ
レクタ端子には電圧が印加されている。スイッチ15と
スイッチ16とは互いに逆の論理で「オン」「オフ」動
作を行うものである。スイッチ15が「オン」のときに
スイッチ16は「オフ」となり、抵抗13および抵抗1
4によってトランジスタ17に所要のベースバイアス電
圧が印加され、トランジスタ17は動作状態となって高
周波信号を増幅し、コンデンサ18を介して出力端子1
9へ出力する。
レクタ端子には電圧が印加されている。スイッチ15と
スイッチ16とは互いに逆の論理で「オン」「オフ」動
作を行うものである。スイッチ15が「オン」のときに
スイッチ16は「オフ」となり、抵抗13および抵抗1
4によってトランジスタ17に所要のベースバイアス電
圧が印加され、トランジスタ17は動作状態となって高
周波信号を増幅し、コンデンサ18を介して出力端子1
9へ出力する。
【0018】また、スイッチ15が「オフ」のときには
スイッチ16がオンとなるように制御されるために、ベ
ースにはバイアス電圧が供給されなくなると共にスイッ
チ16によって共通電位と同電位となり、トランジスタ
17は「カットオフ」となり増幅動作を停止する。この
とき出力端子19へ出力される高周波信号レベルはベー
ス−エミッタ(共通電位)間のエミッタ容量Cibとコレ
クタベース間のコレクタ容量C0bとにより決定される。
図4はトランジスタ17のコレクタ容量C0bおよびエミ
ッタ容量Cibをそれぞれコレクタベース間VCBおよびベ
ースエミッタVEB間の電圧を変化させた場合について示
したものである。図4よりコレクタ容量C0bはコレクタ
ベース間に電圧を印加した方が小さい値を示し、またエ
ミッタ容量Cibはベースエミッタ間に電圧差がない程大
きな値を示している。これらの関係からトランジスタ1
7の「オフ」時の漏れ電力を低減するためには、上述の
ようにトランジスタ17のコレクタ端子電圧を常に印加
状態とし、かつベース端子電圧をエミッタ(共通電圧)
と同電位とすることによって実現できる。
スイッチ16がオンとなるように制御されるために、ベ
ースにはバイアス電圧が供給されなくなると共にスイッ
チ16によって共通電位と同電位となり、トランジスタ
17は「カットオフ」となり増幅動作を停止する。この
とき出力端子19へ出力される高周波信号レベルはベー
ス−エミッタ(共通電位)間のエミッタ容量Cibとコレ
クタベース間のコレクタ容量C0bとにより決定される。
図4はトランジスタ17のコレクタ容量C0bおよびエミ
ッタ容量Cibをそれぞれコレクタベース間VCBおよびベ
ースエミッタVEB間の電圧を変化させた場合について示
したものである。図4よりコレクタ容量C0bはコレクタ
ベース間に電圧を印加した方が小さい値を示し、またエ
ミッタ容量Cibはベースエミッタ間に電圧差がない程大
きな値を示している。これらの関係からトランジスタ1
7の「オフ」時の漏れ電力を低減するためには、上述の
ようにトランジスタ17のコレクタ端子電圧を常に印加
状態とし、かつベース端子電圧をエミッタ(共通電圧)
と同電位とすることによって実現できる。
【0019】図2は本発明他の実施例高周波増幅回路の
回路図である。図2は図1のスイッチ15、16をPN
PおよびNPN型のトランジスタで実現した場合の回路
図を示す。制御端子27に電源20と同電位の論理電圧
の信号を入力することによりトランジスタ17が「オ
ン」「オフ」動作を行う。制御端子27が「L」のとき
トランジスタ25が「オン」、トランジスタ26が「オ
フ」となってトランジスタ17には抵抗13、14で決
定されるバイアス電圧が印加され、トランジスタ17は
増幅動作を行い出力端子19に高周波信号を出力する。
回路図である。図2は図1のスイッチ15、16をPN
PおよびNPN型のトランジスタで実現した場合の回路
図を示す。制御端子27に電源20と同電位の論理電圧
の信号を入力することによりトランジスタ17が「オ
ン」「オフ」動作を行う。制御端子27が「L」のとき
トランジスタ25が「オン」、トランジスタ26が「オ
フ」となってトランジスタ17には抵抗13、14で決
定されるバイアス電圧が印加され、トランジスタ17は
増幅動作を行い出力端子19に高周波信号を出力する。
【0020】制御端子27が「H」のときトランジスタ
25は「オフ」、トランジスタ26は「オン」となり、
トランジスタ17のベース電位が共通電位と同電位とな
るためにトランジスタ17は「カットオフ」の状態にな
る。このときエミッタ容量Cibの容量は最大値を示しま
たコレクタベース間のコレクタ容量C0bは最小値を示す
ために高周波信号の出力端子19への漏れを低減でき
る。
25は「オフ」、トランジスタ26は「オン」となり、
トランジスタ17のベース電位が共通電位と同電位とな
るためにトランジスタ17は「カットオフ」の状態にな
る。このときエミッタ容量Cibの容量は最大値を示しま
たコレクタベース間のコレクタ容量C0bは最小値を示す
ために高周波信号の出力端子19への漏れを低減でき
る。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、増幅作
用停止時の漏れ電力を逓減できる優れた効果がある。
用停止時の漏れ電力を逓減できる優れた効果がある。
【図1】本発明一実施例高周波増幅回路の回路図。
【図2】本発明他の実施例高周波増幅回路の回路図。
【図3】従来例の高周波増幅回路の回路図。
【図4】高周波増幅回路のコレクタベース間およびベー
スエミッタ間の電圧とコレクタ容量およびエミッタ容量
との関係を示す図。
スエミッタ間の電圧とコレクタ容量およびエミッタ容量
との関係を示す図。
11 入力端子 12、18 直流カット用のコンデンサ 13、14、21 バイアス用の抵抗 15、16 スイッチ 17 高周波増幅用のトランジスタ 19 出力端子 20 電源 25、26 スイッチ用のトランジスタ 27 制御端子
Claims (2)
- 【請求項1】 高周波信号を増幅するトランジスタと、
このトランジスタのコレクタに第一の抵抗を介して電圧
を印加する電源と、上記トランジスタのコレクタとベー
スとの間およびこのベースと共通電位との間にそれぞれ
挿入されバイアスを与える第二の抵抗および第三の抵抗
とを備えた高周波増幅回路において、 上記トランジスタのコレクタと上記第二の抵抗との間に
挿入された第一のスイッチと、上記第三の抵抗に並列に
接続されこの第二のスイッチと逆の制御論理で動作する
第二のスイッチとを備えたことを特徴とする高周波増幅
回路。 - 【請求項2】 上記第一のスイッチおよび上記第二のス
イッチはトランジスタで構成された請求項1記載の高周
波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25216991A JPH0590846A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25216991A JPH0590846A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 高周波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590846A true JPH0590846A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17233454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25216991A Pending JPH0590846A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5575676A (en) * | 1994-02-25 | 1996-11-19 | The Whitaker Corporation | Cam-equipped connector |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25216991A patent/JPH0590846A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5575676A (en) * | 1994-02-25 | 1996-11-19 | The Whitaker Corporation | Cam-equipped connector |
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