JPH0593827A - 光受信モジユール - Google Patents
光受信モジユールInfo
- Publication number
- JPH0593827A JPH0593827A JP3256525A JP25652591A JPH0593827A JP H0593827 A JPH0593827 A JP H0593827A JP 3256525 A JP3256525 A JP 3256525A JP 25652591 A JP25652591 A JP 25652591A JP H0593827 A JPH0593827 A JP H0593827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- receiving element
- optical
- semiconductor substrate
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバーと受光素子との光結合を良好且
つ均一化することができると共に、生産性向上を図るの
に優れた構造を有する光受信モジュールを提供すること
を目的とする。 【構成】 半導体基板２４の一面に設けられた受光素子
２６と、受光素子２６に対向する半導体基板２４の裏面
に形成されると共に、終端部に受光素子２６の受光面と
鋭角度θをもって対向する傾斜面３２を有する長溝２８
と、終端面を傾斜面３２に対向して長溝２８内に固着さ
れた光ファイバー３０とを具備し、光ファイバーを伝送
してきた光信号を傾斜面３２で反射して半導体基板２４
の裏面側から受光素子２６に入射させる構造とした。
つ均一化することができると共に、生産性向上を図るの
に優れた構造を有する光受信モジュールを提供すること
を目的とする。 【構成】 半導体基板２４の一面に設けられた受光素子
２６と、受光素子２６に対向する半導体基板２４の裏面
に形成されると共に、終端部に受光素子２６の受光面と
鋭角度θをもって対向する傾斜面３２を有する長溝２８
と、終端面を傾斜面３２に対向して長溝２８内に固着さ
れた光ファイバー３０とを具備し、光ファイバーを伝送
してきた光信号を傾斜面３２で反射して半導体基板２４
の裏面側から受光素子２６に入射させる構造とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ通信に用い
られる光受信モジュールに関する。
られる光受信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光受信モジュールとして、信学技報Ｖｏ
ｌ．９１，Ｎｏ．２０１（ＯＱＥ ９１−６０〜６８）
に開示されたものが知られている。従来、かかる光受信
モジュールは、図６や図７に示す構造となっていた。
ｌ．９１，Ｎｏ．２０１（ＯＱＥ ９１−６０〜６８）
に開示されたものが知られている。従来、かかる光受信
モジュールは、図６や図７に示す構造となっていた。
【０００３】図６に示す光受信モジュールは、下側パッ
ケージ２の内部に受光素子４とプリアンプ回路を形成し
たＩＣチップ６を固着し、光ファイバー８をその終端部
が受光素子４の受光面に対向するようにして上側パッケ
ージ１０に垂直に固定すると共に、下側パッケージ２と
上側パッケージ１０を密封して外部からの光の漏れ入射
を阻止する構造となっている。
ケージ２の内部に受光素子４とプリアンプ回路を形成し
たＩＣチップ６を固着し、光ファイバー８をその終端部
が受光素子４の受光面に対向するようにして上側パッケ
ージ１０に垂直に固定すると共に、下側パッケージ２と
上側パッケージ１０を密封して外部からの光の漏れ入射
を阻止する構造となっている。
【０００４】そして、光ファイバー８を伝送して来た光
信号を受光素子４で受光して電気信号に変換し、更に電
気信号をＩＣチップ６のプリアンプ回路で増幅して、リ
ード端子１２を介して出力する。
信号を受光素子４で受光して電気信号に変換し、更に電
気信号をＩＣチップ６のプリアンプ回路で増幅して、リ
ード端子１２を介して出力する。
【０００５】一方、図７に示す光受信モジュールは、外
部からの光の漏れ入射を阻止するための密封構造を有す
るパッケージ１４の内部に、受光素子１６とプリアンプ
回路を形成したＩＣチップ１８を固着し、受光素子１６
の受光面に対して光ファイバー２０の終端部を平行に配
置した構造となっている。更に、光ファイバー２０の終
端部は斜めに研磨され、光ファイバー２０を伝送して来
た光を該研磨面２２で反射して受光素子１６の受光面に
入射させる形状となっている。
部からの光の漏れ入射を阻止するための密封構造を有す
るパッケージ１４の内部に、受光素子１６とプリアンプ
回路を形成したＩＣチップ１８を固着し、受光素子１６
の受光面に対して光ファイバー２０の終端部を平行に配
置した構造となっている。更に、光ファイバー２０の終
端部は斜めに研磨され、光ファイバー２０を伝送して来
た光を該研磨面２２で反射して受光素子１６の受光面に
入射させる形状となっている。
【０００６】そして、受光素子１６で光電変換した電気
信号をＩＣチップ１８のプリアンプ回路で増幅して、リ
ード端子（図示せず）を介して出力する。
信号をＩＣチップ１８のプリアンプ回路で増幅して、リ
ード端子（図示せず）を介して出力する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造を有する従来の光受信モジュールにあっては、
パッケージにＩＣチップ、受光素子及び光ファイバーを
個々独立に配置して固着することで一体化する構造とな
っており、夫々の部品の位置決め精度が光ファイバーと
受光素子との対向精度を決定するので、受光感度のばら
つきを招来したり、規定通りの受光感度を得るようにひ
とつひとつ位置決め調整しながら製造する必要があるこ
とから製造が煩雑となり、生産性の向上が図れないとい
う問題があった。
うな構造を有する従来の光受信モジュールにあっては、
パッケージにＩＣチップ、受光素子及び光ファイバーを
個々独立に配置して固着することで一体化する構造とな
っており、夫々の部品の位置決め精度が光ファイバーと
受光素子との対向精度を決定するので、受光感度のばら
つきを招来したり、規定通りの受光感度を得るようにひ
とつひとつ位置決め調整しながら製造する必要があるこ
とから製造が煩雑となり、生産性の向上が図れないとい
う問題があった。
【０００８】特に、複数の光ファイバーとそれに対応す
る複数の受光素子をアレー状に配列して並列通信を行う
ようにした光受信モジュールにあっては、光ファイバー
と受光素子との光結合を全ての組合せについて良好且つ
均一にしなければならないことから、極めて高い機械精
度が必要となり、歩止まり等の点で十分な生産性が得ら
れない問題があった。
る複数の受光素子をアレー状に配列して並列通信を行う
ようにした光受信モジュールにあっては、光ファイバー
と受光素子との光結合を全ての組合せについて良好且つ
均一にしなければならないことから、極めて高い機械精
度が必要となり、歩止まり等の点で十分な生産性が得ら
れない問題があった。
【０００９】本発明はこのような従来の課題に鑑みて成
されたものであり、光ファイバーと受光素子との光結合
を良好且つ均一に設定することができると共に、生産性
向上を図るのに優れた構造を有する光受信モジュールを
提供することを目的とする。
されたものであり、光ファイバーと受光素子との光結合
を良好且つ均一に設定することができると共に、生産性
向上を図るのに優れた構造を有する光受信モジュールを
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、半導体基板の一面に設けられた受光
素子と、該受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形
成されると共に、終端部に該受光素子の受光面と鋭角度
をもって対向する傾斜面を有する溝と、終端面を該傾斜
面に対向して該溝内に固着された光ファイバーとを具備
する構造とした。
るために本発明は、半導体基板の一面に設けられた受光
素子と、該受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形
成されると共に、終端部に該受光素子の受光面と鋭角度
をもって対向する傾斜面を有する溝と、終端面を該傾斜
面に対向して該溝内に固着された光ファイバーとを具備
する構造とした。
【００１１】又、半導体基板の一面に設けられた複数の
受光素子と、これらの受光素子に対向する該半導体基板
の裏面に形成されると共に、夫々の終端部に上記夫々の
受光素子の各受光面と鋭角度をもって対向する傾斜面を
有する複数の溝と、終端面を上記傾斜面に対向して上記
夫々の溝内に個々独立に固着された複数の光ファイバー
とを具備することで、複数の光通信を行う光受信モジュ
ールを構成した。
受光素子と、これらの受光素子に対向する該半導体基板
の裏面に形成されると共に、夫々の終端部に上記夫々の
受光素子の各受光面と鋭角度をもって対向する傾斜面を
有する複数の溝と、終端面を上記傾斜面に対向して上記
夫々の溝内に個々独立に固着された複数の光ファイバー
とを具備することで、複数の光通信を行う光受信モジュ
ールを構成した。
【００１２】更に、上記溝を、フォト・マスク及び食刻
処理によって形成することとした。
処理によって形成することとした。
【００１３】
【作用】このような構成によれば、上記溝に固着された
光ファイバーを伝送してきた光信号を上記傾斜面で反射
して半導体基板の裏面側から受光素子に入射させ、光フ
ァイバーと受光素子との間での極めて高精度の光結合を
実現することができ、更に、機械的な可動部分を排除す
ることができることから耐久性に優れている。
光ファイバーを伝送してきた光信号を上記傾斜面で反射
して半導体基板の裏面側から受光素子に入射させ、光フ
ァイバーと受光素子との間での極めて高精度の光結合を
実現することができ、更に、機械的な可動部分を排除す
ることができることから耐久性に優れている。
【００１４】又、周知のプレーナ・プロセス等を適用し
て製造することにより、高い位置決め精度で上記溝を形
成することができるので、特性の向上及び均一化を容易
に実現でき、生産性の向上を図ることができる。
て製造することにより、高い位置決め精度で上記溝を形
成することができるので、特性の向上及び均一化を容易
に実現でき、生産性の向上を図ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明による光受信モジュールの一実
施例を図面と共に説明する。
施例を図面と共に説明する。
【００１６】図１は、１本の光ファイバーで伝送されて
くる光信号を１個の受光素子で受信する基本的な光受信
モジュールを示す。図１において、インジウム・リン結
晶の半導体基板２４の上面に受光素子２６を設け、半導
体基板２４の裏面に形成された長溝２８内に光ファイバ
ー３０を嵌め込んで固着し、光ファイバー３０で伝送さ
れてくる光信号を半導体基板２４の裏面側から上面の受
光素子２６に入射させる構造となっている。
くる光信号を１個の受光素子で受信する基本的な光受信
モジュールを示す。図１において、インジウム・リン結
晶の半導体基板２４の上面に受光素子２６を設け、半導
体基板２４の裏面に形成された長溝２８内に光ファイバ
ー３０を嵌め込んで固着し、光ファイバー３０で伝送さ
れてくる光信号を半導体基板２４の裏面側から上面の受
光素子２６に入射させる構造となっている。
【００１７】ここで、受光素子２６は、基本的にはガリ
ウム・インジウム・砒素層にｐｎ接合を形成したｐｉｎ
型フォトダイオード、又はアバランシェフォトダイオー
ドが適用され、受光径が３０μｍないし８０μｍ程度に
設定されている。
ウム・インジウム・砒素層にｐｎ接合を形成したｐｉｎ
型フォトダイオード、又はアバランシェフォトダイオー
ドが適用され、受光径が３０μｍないし８０μｍ程度に
設定されている。
【００１８】長溝２８は、半導体基板２４の裏面に化学
的ウェットエッチングによる食刻で約１００μｍ程度の
深さに形成され、長溝２８の終端部が受光素子２６の受
光面と対向する位置関係に設定し、更に、その終端部は
受光素子２６の受光面に対して鋭角度θをもって傾斜す
る傾斜面３２となっている。
的ウェットエッチングによる食刻で約１００μｍ程度の
深さに形成され、長溝２８の終端部が受光素子２６の受
光面と対向する位置関係に設定し、更に、その終端部は
受光素子２６の受光面に対して鋭角度θをもって傾斜す
る傾斜面３２となっている。
【００１９】光ファイバー３０の終端面は長手方向に対
して垂直にカットされており、該終端面と傾斜面３２が
対向して長溝２８内に固着している。したがって、光フ
ァイバー３０を伝送して該終端面から出力した光信号
は、傾斜面３２で反射し、更に、半導体基板２４中を透
過して受光素子２６の受光面に裏面側から入射する。
して垂直にカットされており、該終端面と傾斜面３２が
対向して長溝２８内に固着している。したがって、光フ
ァイバー３０を伝送して該終端面から出力した光信号
は、傾斜面３２で反射し、更に、半導体基板２４中を透
過して受光素子２６の受光面に裏面側から入射する。
【００２０】図２は、図１のＸ−Ｘ線矢視断面図、図３
は、半導体基板２４の裏面側から見た背面図であり、光
ファイバー３０を熱硬化性接着剤や半田３４によって長
溝２８内に固着している。
は、半導体基板２４の裏面側から見た背面図であり、光
ファイバー３０を熱硬化性接着剤や半田３４によって長
溝２８内に固着している。
【００２１】そして、受光素子２６と光ファイバー３０
を一体に固着した半導体基板２４全体を、外部からの光
の侵入を阻止するように密封した構造のパッケージ（図
示せず）内に収納し、更に、受光素子２６が光電変換し
た電気信号を増幅するためのプリアンプ回路を形成した
ＩＣチップ（図示せず）等も同時に該パッケージ内に設
けられる。
を一体に固着した半導体基板２４全体を、外部からの光
の侵入を阻止するように密封した構造のパッケージ（図
示せず）内に収納し、更に、受光素子２６が光電変換し
た電気信号を増幅するためのプリアンプ回路を形成した
ＩＣチップ（図示せず）等も同時に該パッケージ内に設
けられる。
【００２２】次に、かかる構造の光受信モジュールの製
造工程を図４のフローチャートに従って説明する。
造工程を図４のフローチャートに従って説明する。
【００２３】まず、第１の工程Ａでは、半導体基板２４
の裏面に両面マスクアライナを用いて、長溝３２を形成
すべき面を除く残余の面にフォトレジストを塗設する。
尚、長溝３２の終端部が受光素子２６の受光面と対向す
る位置となるように設計される。
の裏面に両面マスクアライナを用いて、長溝３２を形成
すべき面を除く残余の面にフォトレジストを塗設する。
尚、長溝３２の終端部が受光素子２６の受光面と対向す
る位置となるように設計される。
【００２４】次の第２の工程Ｂでは、このフォトレジス
トをエッチングマスクトして、例えば、臭素とメタノー
ルから成るエッチング液を用いた化学的ウェットエッチ
ングにより、フォトレジスト以外の部分を約１００μｍ
程度の深さに食刻した後、フォトレジストを除去する。
トをエッチングマスクトして、例えば、臭素とメタノー
ルから成るエッチング液を用いた化学的ウェットエッチ
ングにより、フォトレジスト以外の部分を約１００μｍ
程度の深さに食刻した後、フォトレジストを除去する。
【００２５】この第２の工程Ｂの処理により、〈０１
１〉及び〈０１１〉方向のエッチング面が半導体基板２
４の裏面（１００）に対して鋭角となる長溝２８が形成
され、同時に、長溝２８の受光素子２６と対向する終端
部には、半導体基板２４の結晶方位によって、裏面と鋭
角になる所謂逆メサ（内側に向けて凹状となる段部）が
形成されことで、約５４°の鋭角度の傾斜面３２が形成
される。
１〉及び〈０１１〉方向のエッチング面が半導体基板２
４の裏面（１００）に対して鋭角となる長溝２８が形成
され、同時に、長溝２８の受光素子２６と対向する終端
部には、半導体基板２４の結晶方位によって、裏面と鋭
角になる所謂逆メサ（内側に向けて凹状となる段部）が
形成されことで、約５４°の鋭角度の傾斜面３２が形成
される。
【００２６】次の第３の工程Ｃでは、光ファイバー３０
の終端面を傾斜面３２に対向させるようにして、光ファ
イバー３０を長溝２８に嵌め込み、接着材等によって半
導体基板２４の裏面に固着し、パッケージ内に組み込む
ことで組立工程を完了する。この実施例の構造及びこれ
らの処理工程によれば、受光素子２６と傾斜面３２との
対向精度及び傾斜面３２と光ファイバー３０の終端部と
の対向精度を、周知の基本的なプレーナ・プロセス等に
よって、容易に１μｍ以内に設定することが可能である
ことから、光ファイバー３０と受光素子２６の間での極
めて高精度の光結合を実現することができ、更に、機械
的な可動部分を排除することができることから、耐久性
にも優れている。
の終端面を傾斜面３２に対向させるようにして、光ファ
イバー３０を長溝２８に嵌め込み、接着材等によって半
導体基板２４の裏面に固着し、パッケージ内に組み込む
ことで組立工程を完了する。この実施例の構造及びこれ
らの処理工程によれば、受光素子２６と傾斜面３２との
対向精度及び傾斜面３２と光ファイバー３０の終端部と
の対向精度を、周知の基本的なプレーナ・プロセス等に
よって、容易に１μｍ以内に設定することが可能である
ことから、光ファイバー３０と受光素子２６の間での極
めて高精度の光結合を実現することができ、更に、機械
的な可動部分を排除することができることから、耐久性
にも優れている。
【００２７】次に、他の実施例を図５と共に説明する。
この実施例は、半導体基板３６の上面にアレー状に設け
られた複数の受光素子群３８の夫々の受光素子の受光面
に対向するように、前述の第１の実施例と同様に製造工
程を適用することによって、半導体基板３６の裏面に複
数の長溝を形成し、これらの長溝に複数の光ファイバー
群４０を固着している。
この実施例は、半導体基板３６の上面にアレー状に設け
られた複数の受光素子群３８の夫々の受光素子の受光面
に対向するように、前述の第１の実施例と同様に製造工
程を適用することによって、半導体基板３６の裏面に複
数の長溝を形成し、これらの長溝に複数の光ファイバー
群４０を固着している。
【００２８】ここで、各受光素子に対向する各長溝の終
端部は、図１に示したのと同様に、鋭角度θの傾斜面と
なっており、各長溝に固着された各光ファイバーを伝送
してきた光信号をこれらの傾斜面で反射して夫々所定の
受光素子に入射させる構造となっている。
端部は、図１に示したのと同様に、鋭角度θの傾斜面と
なっており、各長溝に固着された各光ファイバーを伝送
してきた光信号をこれらの傾斜面で反射して夫々所定の
受光素子に入射させる構造となっている。
【００２９】そして、各受光素子で光電変換した電気信
号を、個々独立に設けられたプリアンプ回路で増幅し、
ボンディングワイヤーを介して所定のリード端子に出力
するように成っており、更に、全体を外部光の入射を阻
止する密閉パッケージ内に収納している。
号を、個々独立に設けられたプリアンプ回路で増幅し、
ボンディングワイヤーを介して所定のリード端子に出力
するように成っており、更に、全体を外部光の入射を阻
止する密閉パッケージ内に収納している。
【００３０】この実施例に示すように、本発明は、複数
の光通信を並列処理する光受信モジュールに適用でき、
優れた光結合と耐久性に優れた並列処理型の光受信モジ
ュールを実現する上で極めて優れた技術を提供するもの
である。
の光通信を並列処理する光受信モジュールに適用でき、
優れた光結合と耐久性に優れた並列処理型の光受信モジ
ュールを実現する上で極めて優れた技術を提供するもの
である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板の一面に設けられた受光素子と、該受光素子
に対向する該半導体基板の裏面に形成されると共に、終
端部に該受光素子の受光面と鋭角度をもって対向する傾
斜面を有する溝と、終端面を該傾斜面に対向して該溝内
に固着された光ファイバーとを具備し、溝に固着された
光ファイバーを伝送してきた光信号を傾斜面で反射して
半導体基板の裏面側から受光素子に入射させる構造とし
たので、光ファイバーと受光素子との間での極めて高精
度の光結合を実現することができ、更に、機械的な可動
部分を排除することができることから耐久性に優れてい
る。
半導体基板の一面に設けられた受光素子と、該受光素子
に対向する該半導体基板の裏面に形成されると共に、終
端部に該受光素子の受光面と鋭角度をもって対向する傾
斜面を有する溝と、終端面を該傾斜面に対向して該溝内
に固着された光ファイバーとを具備し、溝に固着された
光ファイバーを伝送してきた光信号を傾斜面で反射して
半導体基板の裏面側から受光素子に入射させる構造とし
たので、光ファイバーと受光素子との間での極めて高精
度の光結合を実現することができ、更に、機械的な可動
部分を排除することができることから耐久性に優れてい
る。
【００３２】又、周知のプレーナ・プロセス等を適用し
て製造することにより、高い位置決め精度で上記溝を形
成することができるので、特性の向上及び均一化を容易
に実現でき、生産性の向上を図ることができる。特に、
優れた光結合と耐久性が要求される並列処理型の光受信
モジュールに適用した場合に、極めて優れた技術を提供
することができる。
て製造することにより、高い位置決め精度で上記溝を形
成することができるので、特性の向上及び均一化を容易
に実現でき、生産性の向上を図ることができる。特に、
優れた光結合と耐久性が要求される並列処理型の光受信
モジュールに適用した場合に、極めて優れた技術を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施例の要部縦断面構造を示す縦断面図であ
る。
る。
【図２】図１のＸ−Ｘ線矢視断面図である。
【図３】一実施例の背面図である。
【図４】製造工程を説明するためのフローチャートであ
る。
る。
【図５】他の実施例の外観構造を示す斜視図である。
【図６】従来例の構造を概略的に示す断面図である。
【図７】他の従来例の構造を概略的に示す断面図であ
る。
る。
２４，３６；半導体基板 ２６；受光素子 ２８；長溝 ３０；光ファイバー ３２；傾斜面 ３８；受光素子群 ４０；光ファイバー群
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の一面に設けられた受光素子
と、 該受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形成される
と共に、終端部に該受光素子の受光面と鋭角度をもって
対向する傾斜面を有する溝と、 終端面を該傾斜面に対向して該溝内に固着された光ファ
イバーと、を具備する光受信モジュール。 - 【請求項２】 半導体基板の一面に設けられた複数の受
光素子と、 これらの受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形成
されると共に、夫々の終端部に上記夫々の受光素子の各
受光面と鋭角度をもって対向する傾斜面を有する複数の
溝と、 終端面を上記傾斜面に対向して上記夫々の溝内に個々独
立に固着された複数の光ファイバーと、を具備する光受
信モジュール。 - 【請求項３】 前記溝は、フォト・マスク及び食刻処理
によって形成される請求項１又は請求項２の光受信モジ
ュール。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256525A JP3003324B2 (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 光受信モジュール |
| US07/953,082 US5357103A (en) | 1991-10-02 | 1992-09-29 | Light receiving module with optical fiber coupling |
| EP92116883A EP0535690B1 (en) | 1991-10-02 | 1992-10-02 | Light receiving module |
| DE69217795T DE69217795T2 (de) | 1991-10-02 | 1992-10-02 | Lichtempfängermodul |
| US08/280,838 US5466558A (en) | 1991-10-02 | 1994-07-26 | Method of manufacturing a light receiving module with optical fiber coupling |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256525A JP3003324B2 (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 光受信モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0593827A true JPH0593827A (ja) | 1993-04-16 |
| JP3003324B2 JP3003324B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=17293838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3256525A Expired - Fee Related JP3003324B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-03 | 光受信モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3003324B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2734083A1 (fr) * | 1995-05-12 | 1996-11-15 | Fujitsu Ltd | Module optique integre comportant un guide d'ondes et un dispositif de photoreception, et son procede de fabrication |
| US6327407B1 (en) | 1997-11-07 | 2001-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-receiving device, method of manufacturing the same, bidirectional optical semiconductor device, and optical transmission system |
| JP2012129390A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Opnext Japan Inc | 半導体発光素子、及びその製造方法 |
| JP2013500507A (ja) * | 2009-07-28 | 2013-01-07 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 光ファイバ相互接続デバイス |
-
1991
- 1991-10-03 JP JP3256525A patent/JP3003324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2734083A1 (fr) * | 1995-05-12 | 1996-11-15 | Fujitsu Ltd | Module optique integre comportant un guide d'ondes et un dispositif de photoreception, et son procede de fabrication |
| US6327407B1 (en) | 1997-11-07 | 2001-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-receiving device, method of manufacturing the same, bidirectional optical semiconductor device, and optical transmission system |
| JP2013500507A (ja) * | 2009-07-28 | 2013-01-07 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 光ファイバ相互接続デバイス |
| JP2012129390A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Opnext Japan Inc | 半導体発光素子、及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3003324B2 (ja) | 2000-01-24 |
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