JPH06250049A - 光伝送モジュール及びその作製方法 - Google Patents
光伝送モジュール及びその作製方法Info
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- JPH06250049A JPH06250049A JP3164993A JP3164993A JPH06250049A JP H06250049 A JPH06250049 A JP H06250049A JP 3164993 A JP3164993 A JP 3164993A JP 3164993 A JP3164993 A JP 3164993A JP H06250049 A JPH06250049 A JP H06250049A
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- semiconductor crystal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光軸調整がなく小型で高性能な光伝送モジュ
ールを提供する。 【構成】 所定の結晶方位面を有する半導体結晶基板９
と、この半導体結晶基板９の表面に少なくとも一つ形成
された光ファイバ固定用溝１０と、この光ファイバ固定
用溝１０に嵌合固定され端部に傾斜面ａを有する光ファ
イバ１１と、この光ファイバ１１の嵌合固定された半導
体結晶基板９の表裏両面の少なくとも一方における光フ
ァイバ１１の端部近傍の直下に位置する領域に配設され
た受光素子１２とにより光伝送モジュールを構成した。
ールを提供する。 【構成】 所定の結晶方位面を有する半導体結晶基板９
と、この半導体結晶基板９の表面に少なくとも一つ形成
された光ファイバ固定用溝１０と、この光ファイバ固定
用溝１０に嵌合固定され端部に傾斜面ａを有する光ファ
イバ１１と、この光ファイバ１１の嵌合固定された半導
体結晶基板９の表裏両面の少なくとも一方における光フ
ァイバ１１の端部近傍の直下に位置する領域に配設され
た受光素子１２とにより光伝送モジュールを構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光情報処理な
どに用いられる光伝送モジュール及びその作製方法に関
する。
どに用いられる光伝送モジュール及びその作製方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来における光伝送モジュールとして
は、例えば、１９９２年電子情報通信学会春季大会、Ｃ
−２６９に「多チャンネルＬＤ，ＰＤアレイモジュー
ル」として開示されているものがある。図５はそのＰＤ
アレイモジュールの構成を示すものである。調整固定用
ブロック１上には光素子固定用部材２が固着されてお
り、この光素子固定用部材２の一側面にはＰＤアレイ３
が実装されている。一方、調整固定用ブロック４上には
Ｓｉ基板上に多数本のＶ溝の形成された光ファイバ配列
部材５が固着されており、このＶ溝には光ファイバ６が
嵌合されている。この光ファイバ６はその上部から押板
７により固定保持されている。これら光ファイバ６の端
面に位置する調整固定用ブロック４上にはレンズアレイ
８が配置されている。そして、調整固定用ブロック１と
調整固定用ブロック４とを位置決め調整することによ
り、光ファイバ６とＰＤアレイ３とは、レンズアレイ８
を介して対向配置された状態で一体化されている。
は、例えば、１９９２年電子情報通信学会春季大会、Ｃ
−２６９に「多チャンネルＬＤ，ＰＤアレイモジュー
ル」として開示されているものがある。図５はそのＰＤ
アレイモジュールの構成を示すものである。調整固定用
ブロック１上には光素子固定用部材２が固着されてお
り、この光素子固定用部材２の一側面にはＰＤアレイ３
が実装されている。一方、調整固定用ブロック４上には
Ｓｉ基板上に多数本のＶ溝の形成された光ファイバ配列
部材５が固着されており、このＶ溝には光ファイバ６が
嵌合されている。この光ファイバ６はその上部から押板
７により固定保持されている。これら光ファイバ６の端
面に位置する調整固定用ブロック４上にはレンズアレイ
８が配置されている。そして、調整固定用ブロック１と
調整固定用ブロック４とを位置決め調整することによ
り、光ファイバ６とＰＤアレイ３とは、レンズアレイ８
を介して対向配置された状態で一体化されている。
【０００３】また、他の光伝送モジュールの具体的な例
としては、特願平４−３２５８４９号に「小型光モジュ
ール」なる名称で、本出願人により出願されているもの
がある。この場合、結晶基板上に形成された光ファイバ
固定用溝には光ファイバが固定されており、この光ファ
イバ固定用溝と直交する溝の側面には光ファイバから伝
搬される光信号を受光する受光素子が対向して配置され
た構成となっている。
としては、特願平４−３２５８４９号に「小型光モジュ
ール」なる名称で、本出願人により出願されているもの
がある。この場合、結晶基板上に形成された光ファイバ
固定用溝には光ファイバが固定されており、この光ファ
イバ固定用溝と直交する溝の側面には光ファイバから伝
搬される光信号を受光する受光素子が対向して配置され
た構成となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前者の図５に示したよ
うな従来例においては、光ファイバ６の光ファイバ配列
部材５への固定と、ＰＤアレイ３の光素子固定用部材２
への固定とを各々別個に行っているため、光ファイバ６
側とＰＤアレイ３側との間における光素子の組付け時の
光軸調整をモジュール毎に個別に行う必要がある。この
ため、その組付け調整自体が面倒であり、モジュール自
体が大きくなってしまうという問題がある。また、後者
の従来例の場合、受光効率が低く、結晶基板の加工面積
が大きくソリなどが発生しやすいなどの問題がある。
うな従来例においては、光ファイバ６の光ファイバ配列
部材５への固定と、ＰＤアレイ３の光素子固定用部材２
への固定とを各々別個に行っているため、光ファイバ６
側とＰＤアレイ３側との間における光素子の組付け時の
光軸調整をモジュール毎に個別に行う必要がある。この
ため、その組付け調整自体が面倒であり、モジュール自
体が大きくなってしまうという問題がある。また、後者
の従来例の場合、受光効率が低く、結晶基板の加工面積
が大きくソリなどが発生しやすいなどの問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、所定の結晶方位面を有する半導体結晶基板と、この
半導体結晶基板の表面に少なくとも一つ形成された光フ
ァイバ固定用溝と、この光ファイバ固定用溝に嵌合固定
され端部に傾斜面を有する光ファイバと、この光ファイ
バの端部近傍の直下に位置する前記半導体結晶基板の表
裏両面の少なくとも一方の領域に配設された受光素子と
から光伝送モジュールを構成した。
は、所定の結晶方位面を有する半導体結晶基板と、この
半導体結晶基板の表面に少なくとも一つ形成された光フ
ァイバ固定用溝と、この光ファイバ固定用溝に嵌合固定
され端部に傾斜面を有する光ファイバと、この光ファイ
バの端部近傍の直下に位置する前記半導体結晶基板の表
裏両面の少なくとも一方の領域に配設された受光素子と
から光伝送モジュールを構成した。
【０００６】請求項２記載の発明では、所定の結晶方位
面を有する半導体結晶基板を設け、この半導体結晶基板
表面を異方性エッチングすることにより少なくとも一つ
以上の光ファイバ固定用溝を形成し、この光ファイバ固
定用溝の一部若しくはその基板裏面の一部の少なくとも
一方に受光素子を配設し、この受光素子の上部の前記光
ファイバ固定用溝に光ファイバを嵌合して固定した。
面を有する半導体結晶基板を設け、この半導体結晶基板
表面を異方性エッチングすることにより少なくとも一つ
以上の光ファイバ固定用溝を形成し、この光ファイバ固
定用溝の一部若しくはその基板裏面の一部の少なくとも
一方に受光素子を配設し、この受光素子の上部の前記光
ファイバ固定用溝に光ファイバを嵌合して固定した。
【０００７】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
発明において、受光素子の上部に位置する光ファイバ固
定用溝に単層膜若しくは多層膜からなる薄膜を形成し
た。
発明において、受光素子の上部に位置する光ファイバ固
定用溝に単層膜若しくは多層膜からなる薄膜を形成し
た。
【０００８】請求項４記載の発明では、請求項１記載の
発明において、半導体結晶基板の表裏両面の少なくとも
一方の領域に単層若しくは多層の薄膜を形成し、この薄
膜上に受光素子を配設した。
発明において、半導体結晶基板の表裏両面の少なくとも
一方の領域に単層若しくは多層の薄膜を形成し、この薄
膜上に受光素子を配設した。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明においては、受光素子の形
成された半導体結晶基板上に光ファイバを一体化して形
成することによって、光軸調整の少ない高性能な光伝送
モジュールを得ることが可能となる。
成された半導体結晶基板上に光ファイバを一体化して形
成することによって、光軸調整の少ない高性能な光伝送
モジュールを得ることが可能となる。
【００１０】請求項２記載の発明においては、結晶基板
として半導体結晶を用いることによって、半導体加工技
術により光ファイバ固定用溝や受光素子を精度良く作製
することが可能となる。
として半導体結晶を用いることによって、半導体加工技
術により光ファイバ固定用溝や受光素子を精度良く作製
することが可能となる。
【００１１】請求項３記載の発明においては、光ファイ
バ固定用溝に薄膜を形成することによって、受光素子の
受光面に対して保護機能を付加することが可能となり、
また、これにより構成される光素子に光学的機能を付加
することが可能となる。
バ固定用溝に薄膜を形成することによって、受光素子の
受光面に対して保護機能を付加することが可能となり、
また、これにより構成される光素子に光学的機能を付加
することが可能となる。
【００１２】請求項４記載の発明においては、基板の表
裏両面の一方の薄膜上に受光素子を設けることによっ
て、種々な構成を有する受光素子を得ることが可能とな
る。
裏両面の一方の薄膜上に受光素子を設けることによっ
て、種々な構成を有する受光素子を得ることが可能とな
る。
【００１３】
【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１に基づ
いて説明する。図１は、光伝送モジュールの構成を示す
ものである。半導体結晶基板は所定の結晶方位面を有し
ている。この半導体結晶基板９の表面には、光ファイバ
固定用溝（Ｖ溝）１０が少なくとも一つ（ここでは、４
つ）形成されている。この光ファイバ固定用溝１０に
は、先端部に傾斜面ａを有する光ファイバ１１が嵌合さ
れており、これにより光ファイバ１１は半導体結晶基板
９上に固定された形となっている。これら光ファイバ１
１の固定された半導体結晶基板９の表裏両面の少なくと
も一方における光ファイバ１１の端部近傍の直下に位置
する領域には、受光素子１２がそれぞれ配設されてい
る。また、その受光素子１２は半導体結晶基板９上の電
極パターン１３とそれぞれ接続され、この電極パターン
１３はワイヤボンディング１４を介して配線基板１５上
の配線パターン１６と接続されている。これにより、光
ファイバ１１の先端部の傾斜面ａから発せられた光は受
光素子１２に検出され、その検出された信号はその後配
線パターン１６側に送られ、信号処理がなされる。
いて説明する。図１は、光伝送モジュールの構成を示す
ものである。半導体結晶基板は所定の結晶方位面を有し
ている。この半導体結晶基板９の表面には、光ファイバ
固定用溝（Ｖ溝）１０が少なくとも一つ（ここでは、４
つ）形成されている。この光ファイバ固定用溝１０に
は、先端部に傾斜面ａを有する光ファイバ１１が嵌合さ
れており、これにより光ファイバ１１は半導体結晶基板
９上に固定された形となっている。これら光ファイバ１
１の固定された半導体結晶基板９の表裏両面の少なくと
も一方における光ファイバ１１の端部近傍の直下に位置
する領域には、受光素子１２がそれぞれ配設されてい
る。また、その受光素子１２は半導体結晶基板９上の電
極パターン１３とそれぞれ接続され、この電極パターン
１３はワイヤボンディング１４を介して配線基板１５上
の配線パターン１６と接続されている。これにより、光
ファイバ１１の先端部の傾斜面ａから発せられた光は受
光素子１２に検出され、その検出された信号はその後配
線パターン１６側に送られ、信号処理がなされる。
【００１４】従って、このように受光素子１２の形成さ
れた半導体結晶基板９上に光ファイバ１１を一体化して
形成することによって、従来例（図５参照）に比べて光
軸調整の少ない光伝送モジュールを得ることができ、こ
れにより、小型で高性能な光伝送モジュールを提供する
ことができる。
れた半導体結晶基板９上に光ファイバ１１を一体化して
形成することによって、従来例（図５参照）に比べて光
軸調整の少ない光伝送モジュールを得ることができ、こ
れにより、小型で高性能な光伝送モジュールを提供する
ことができる。
【００１５】次に、請求項２記載の発明の一実施例を図
２に基づいて説明する。なお、前述した請求項１記載の
発明と同一部分については、同一符号を用いる。
２に基づいて説明する。なお、前述した請求項１記載の
発明と同一部分については、同一符号を用いる。
【００１６】本実施例は、所定の結晶方位面を有する半
導体結晶基板を設け、この半導体結晶基板表面を異方性
エッチングすることにより少なくとも一つ以上の光ファ
イバ固定用溝を形成し、この光ファイバ固定用溝の一部
若しくはその基板裏面の一部の少なくとも一方に受光素
子を配設し、この受光素子の上部の前記光ファイバ固定
用溝に光ファイバを嵌合して設けることによって光伝送
モジュールを作製する方法に関するものである。
導体結晶基板を設け、この半導体結晶基板表面を異方性
エッチングすることにより少なくとも一つ以上の光ファ
イバ固定用溝を形成し、この光ファイバ固定用溝の一部
若しくはその基板裏面の一部の少なくとも一方に受光素
子を配設し、この受光素子の上部の前記光ファイバ固定
用溝に光ファイバを嵌合して設けることによって光伝送
モジュールを作製する方法に関するものである。
【００１７】そこで、具体例として、安価なシステム構
成が可能で光源の波長が１μｍ以下の短波長通信用の光
伝送モジュールを作製する場合を図２（ａ）〜（ｃ）に
基づいて説明する。まず、半導体結晶基板として（１０
０）面を有するｎ型のＳｉ結晶基板９を用い、このＳｉ
結晶基板９の表面に水蒸気酸化等により酸化膜を形成し
た後、この酸化膜をエッチングして所望のパターンの溝
形成用の開口部を形成する。その後、ＫＯＨ水溶液やＥ
ＰＷ（エチレンジアミンピテカテロール水溶液）のエッ
チング液を用いた異方性エッチングを行うことにより、
開口部を介してＳｉ結晶基板９の表面に光ファイバ固定
用溝としてのＶ溝１０を形成する（ａ）。次に、酸化膜
の一部をエッチングした後、フォトレジストをコーティ
ングしてフォトリソグラフィー法によりＶ溝１０の側面
の一部に受光素子形成用の開口部を形成し、フォトレジ
ストをマスクにしてその開口部からボロン（Ｂ）を選択
的にイオン注入してＰ型領域を形成し、これにより受光
素子としてのフォトダイオード１２（以下、ＰＤと呼
ぶ）を作製する（ｂ）。次に、フォトレジストを剥離し
アニールした後、ＰＤ１２と接続される電極パターン１
３を基板表裏両面に形成する。その後、Ｖ溝１０上に先
端部がほぼ４５°に斜め研磨された傾斜面ａを有する光
ファイバ１１を固定する。この時、光ファイバ１１の先
端部の直下にＰＤ１２が配置された形となっている。こ
れにより、所望とする光伝送モジュールを作製すること
ができる（ｃ）。なお、Ｖ溝１０の加工は、高精度な機
械加工技術を用いても作製することができる。
成が可能で光源の波長が１μｍ以下の短波長通信用の光
伝送モジュールを作製する場合を図２（ａ）〜（ｃ）に
基づいて説明する。まず、半導体結晶基板として（１０
０）面を有するｎ型のＳｉ結晶基板９を用い、このＳｉ
結晶基板９の表面に水蒸気酸化等により酸化膜を形成し
た後、この酸化膜をエッチングして所望のパターンの溝
形成用の開口部を形成する。その後、ＫＯＨ水溶液やＥ
ＰＷ（エチレンジアミンピテカテロール水溶液）のエッ
チング液を用いた異方性エッチングを行うことにより、
開口部を介してＳｉ結晶基板９の表面に光ファイバ固定
用溝としてのＶ溝１０を形成する（ａ）。次に、酸化膜
の一部をエッチングした後、フォトレジストをコーティ
ングしてフォトリソグラフィー法によりＶ溝１０の側面
の一部に受光素子形成用の開口部を形成し、フォトレジ
ストをマスクにしてその開口部からボロン（Ｂ）を選択
的にイオン注入してＰ型領域を形成し、これにより受光
素子としてのフォトダイオード１２（以下、ＰＤと呼
ぶ）を作製する（ｂ）。次に、フォトレジストを剥離し
アニールした後、ＰＤ１２と接続される電極パターン１
３を基板表裏両面に形成する。その後、Ｖ溝１０上に先
端部がほぼ４５°に斜め研磨された傾斜面ａを有する光
ファイバ１１を固定する。この時、光ファイバ１１の先
端部の直下にＰＤ１２が配置された形となっている。こ
れにより、所望とする光伝送モジュールを作製すること
ができる（ｃ）。なお、Ｖ溝１０の加工は、高精度な機
械加工技術を用いても作製することができる。
【００１８】上述したように、基板として半導体結晶か
らなるＳｉ結晶基板９を用いることにより、半導体加工
技術によりＶ溝１０やＰＤ１２を精度良く作製すること
ができ、これにより生産効率の高い光伝送モジュールを
提供することができる。
らなるＳｉ結晶基板９を用いることにより、半導体加工
技術によりＶ溝１０やＰＤ１２を精度良く作製すること
ができ、これにより生産効率の高い光伝送モジュールを
提供することができる。
【００１９】次に、請求項３記載の発明の一実施例を図
３に基づいて説明する。なお、前述した請求項１，２記
載の発明と同一部分については、同一符号を用いる。
３に基づいて説明する。なお、前述した請求項１，２記
載の発明と同一部分については、同一符号を用いる。
【００２０】ここでは、半導体結晶基板９のＶ溝１０に
ＰＤ１２を形成した後に、その受光面に単層若しくは多
層膜からなる薄膜を形成したものである。図３は、その
具体例を示すものであり、ＰＤ１２の受光面上には薄膜
としての保護膜１７が形成されている。
ＰＤ１２を形成した後に、その受光面に単層若しくは多
層膜からなる薄膜を形成したものである。図３は、その
具体例を示すものであり、ＰＤ１２の受光面上には薄膜
としての保護膜１７が形成されている。
【００２１】このように保護膜１７を形成することによ
って、受光面に対して保護的機能をもたせることができ
る。また、薄膜を反射防止膜として用いることにより受
光面に対して光学的機能を付加させることもできる。さ
らには、受光面に対して能動的な機能も付加させること
も可能であり、このようなことから信頼性の高い光伝送
モジュールを提供することができる。
って、受光面に対して保護的機能をもたせることができ
る。また、薄膜を反射防止膜として用いることにより受
光面に対して光学的機能を付加させることもできる。さ
らには、受光面に対して能動的な機能も付加させること
も可能であり、このようなことから信頼性の高い光伝送
モジュールを提供することができる。
【００２２】次に、請求項４記載の発明の一実施例を図
４（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。なお、前述した請
求項１〜３記載の発明と同一部分については、同一符号
を用いる。
４（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。なお、前述した請
求項１〜３記載の発明と同一部分については、同一符号
を用いる。
【００２３】ここでは、半導体結晶基板９の表裏両面の
少なくとも一方の領域に単層若しくは多層の薄膜を形成
し、この薄膜上に受光素子１２を配設したものである。
図４（ａ）（ｂ）は、その具体例を示すものである。ま
ず、図４（ａ）では、半導体結晶基板９にＶ溝１０を形
成した後、薄膜としてその基板よりも低濃度なｎ型のＳ
ｉ結晶薄膜１８を気相成長法により形成する。その後、
そのＳｉ結晶薄膜１８にＰ型領域のＰＩＮ構造を有する
高感度なＰＤ１２を形成する。また、図４（ｂ）では、
半導体結晶基板９としてＩｎＰ基板を用い、この基板の
裏面側に薄膜としての化合物半導体結晶薄膜１９を形成
し、この化合物半導体結晶薄膜１９中にＰＤ１２を作製
する。これにより、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰの材料から
なる長波長用受信モジュールの構成を行うことができ
る。
少なくとも一方の領域に単層若しくは多層の薄膜を形成
し、この薄膜上に受光素子１２を配設したものである。
図４（ａ）（ｂ）は、その具体例を示すものである。ま
ず、図４（ａ）では、半導体結晶基板９にＶ溝１０を形
成した後、薄膜としてその基板よりも低濃度なｎ型のＳ
ｉ結晶薄膜１８を気相成長法により形成する。その後、
そのＳｉ結晶薄膜１８にＰ型領域のＰＩＮ構造を有する
高感度なＰＤ１２を形成する。また、図４（ｂ）では、
半導体結晶基板９としてＩｎＰ基板を用い、この基板の
裏面側に薄膜としての化合物半導体結晶薄膜１９を形成
し、この化合物半導体結晶薄膜１９中にＰＤ１２を作製
する。これにより、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰの材料から
なる長波長用受信モジュールの構成を行うことができ
る。
【００２４】従って、半導体結晶基板９の表裏両面の一
方にＳｉ結晶薄膜１８、化合物半導体結晶薄膜１９を形
成することによって種々な構成を有するＰＤ１２を得る
ことができ、これにより高性能なＰＤ１２を作製するこ
とができる。
方にＳｉ結晶薄膜１８、化合物半導体結晶薄膜１９を形
成することによって種々な構成を有するＰＤ１２を得る
ことができ、これにより高性能なＰＤ１２を作製するこ
とができる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、所定の結晶方位
面を有する半導体結晶基板と、この半導体結晶基板の表
面に少なくとも一つ形成された光ファイバ固定用溝と、
この光ファイバ固定用溝に嵌合固定され端部に傾斜面を
有する光ファイバと、この光ファイバの端部近傍の直下
に位置する前記半導体結晶基板の表裏両面の少なくとも
一方の領域に配設された受光素子とから光伝送モジュー
ルを構成したので、半導体結晶基板上で受光素子と光フ
ァイバとを一体化して形成することができ、これによ
り、光軸調整の少ない小型で高性能な光伝送モジュール
を得ることができるものである。
面を有する半導体結晶基板と、この半導体結晶基板の表
面に少なくとも一つ形成された光ファイバ固定用溝と、
この光ファイバ固定用溝に嵌合固定され端部に傾斜面を
有する光ファイバと、この光ファイバの端部近傍の直下
に位置する前記半導体結晶基板の表裏両面の少なくとも
一方の領域に配設された受光素子とから光伝送モジュー
ルを構成したので、半導体結晶基板上で受光素子と光フ
ァイバとを一体化して形成することができ、これによ
り、光軸調整の少ない小型で高性能な光伝送モジュール
を得ることができるものである。
【００２６】請求項２記載の発明は、所定の結晶方位面
を有する半導体結晶基板を設け、この半導体結晶基板表
面を異方性エッチングすることにより少なくとも一つ以
上の光ファイバ固定用溝を形成し、この光ファイバ固定
用溝の一部若しくはその基板裏面の一部の少なくとも一
方に受光素子を配設し、この受光素子の上部の前記光フ
ァイバ固定用溝に光ファイバを嵌合して固定したので、
結晶基板として半導体結晶を用いることにより、半導体
加工技術により光ファイバ固定用溝や受光素子を精度良
く作製することができ、これにより光伝送モジュールを
生産性よく提供することができるものである。
を有する半導体結晶基板を設け、この半導体結晶基板表
面を異方性エッチングすることにより少なくとも一つ以
上の光ファイバ固定用溝を形成し、この光ファイバ固定
用溝の一部若しくはその基板裏面の一部の少なくとも一
方に受光素子を配設し、この受光素子の上部の前記光フ
ァイバ固定用溝に光ファイバを嵌合して固定したので、
結晶基板として半導体結晶を用いることにより、半導体
加工技術により光ファイバ固定用溝や受光素子を精度良
く作製することができ、これにより光伝送モジュールを
生産性よく提供することができるものである。
【００２７】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、受光素子の上部に位置する光ファイバ固定
用溝に単層膜若しくは多層膜からなる薄膜を形成したの
で、受光素子の受光面に対して保護機能を付加すること
が可能となり、また、これにより構成される光素子に光
学的機能を付加することが可能となる。
明において、受光素子の上部に位置する光ファイバ固定
用溝に単層膜若しくは多層膜からなる薄膜を形成したの
で、受光素子の受光面に対して保護機能を付加すること
が可能となり、また、これにより構成される光素子に光
学的機能を付加することが可能となる。
【００２８】請求項４記載の発明は、請求項１記載の発
明において、半導体結晶基板の表裏両面の少なくとも一
方の領域に単層若しくは多層の薄膜を形成し、この薄膜
上に受光素子を配設したので、種々な構成を有する受光
素子を得ることができ、これにより高性能な受光素子を
作製することができるものである。
明において、半導体結晶基板の表裏両面の少なくとも一
方の領域に単層若しくは多層の薄膜を形成し、この薄膜
上に受光素子を配設したので、種々な構成を有する受光
素子を得ることができ、これにより高性能な受光素子を
作製することができるものである。
【図１】（ａ）は請求項１記載の発明の一実施例である
光伝送モジュールの構成を示す平面図、（ｂ）はその側
面図である。
光伝送モジュールの構成を示す平面図、（ｂ）はその側
面図である。
【図２】請求項２記載の発明の一実施例を示す工程図で
ある。
ある。
【図３】請求項３記載の発明の一実施例である光伝送モ
ジュールの断面図である。
ジュールの断面図である。
【図４】請求項４記載の発明の一実施例である光伝送モ
ジュールの断面図である。
ジュールの断面図である。
【図５】従来の光伝送モジュールの構成を示す斜視図で
ある。
ある。
９ 半導体結晶基板 １０ 光ファイバ固定用溝 １１ 光ファイバ １２ 受光素子 １７，１８，１９ 薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の結晶方位面を有する半導体結晶基
板と、この半導体結晶基板の表面に少なくとも一つ形成
された光ファイバ固定用溝と、この光ファイバ固定用溝
に嵌合固定され端部に傾斜面を有する光ファイバと、こ
の光ファイバの嵌合固定された前記半導体結晶基板の表
裏両面の少なくとも一方における前記光ファイバの端部
近傍の直下に位置する領域に配設された受光素子とから
なる光伝送モジュール。 - 【請求項２】 所定の結晶方位面を有する半導体結晶基
板を設け、この半導体結晶基板表面を異方性エッチング
することにより少なくとも一つ以上の光ファイバ固定用
溝を形成し、この光ファイバ固定用溝の一部若しくはそ
の基板裏面の一部の少なくとも一方に受光素子を配設
し、この受光素子の上部の前記光ファイバ固定用溝に光
ファイバを嵌合して固定したことを特徴とする光伝送モ
ジュールの作製方法。 - 【請求項３】 受光素子の上部に位置する光ファイバ固
定用溝に単層膜若しくは多層膜からなる薄膜を形成した
ことを特徴とする請求項１記載の光伝送モジュール。 - 【請求項４】 半導体結晶基板の表裏両面の少なくとも
一方の領域に単層若しくは多層の薄膜を形成し、この薄
膜上に受光素子を配設したことを特徴とする請求項１記
載の光伝送モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164993A JPH06250049A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光伝送モジュール及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164993A JPH06250049A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光伝送モジュール及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250049A true JPH06250049A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12337032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3164993A Pending JPH06250049A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 光伝送モジュール及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06250049A (ja) |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP3164993A patent/JPH06250049A/ja active Pending
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