JPH0593876A - 光走査記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ライン抜けがなく、同期ずれの軽減された主
走査同期検知・制御を可能にすること。 【構成】 記録用光源１を画像情報信号に応じて変調さ
せた光線を一定角度偏向させる回転多面鏡３と、その偏
向光を感光体上に結像させる結像光学系４と、偏向光の
内で画像書込み範囲外の光線の一部を同期用受光素子６
により検知して得られる光電変換信号を所定の閾値によ
り２値化して主走査同期信号を出力する同期検知手段１
２と、記録用光源１を少なくとも２つ以上の書込み密度
に応じた光出力に可変させる光源制御手段９とを備えた
光走査記録装置において、同期検知手段１２の２値化の
ための閾値を固定とせず、２値化閾値設定回路１３によ
り記録用光源１の光出力の変化に応じて可変させるよう
にした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ、デジ
タル複写機、レーザファクシミリ等の光走査記録装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、この種の光走査記録装置は、図
８に示すように、記録用光源、例えば半導体レーザ１か
ら出射された光線をコリメータレンズ２により平行光線
化した後、回転多面鏡３の１つの反射面により一定角度
偏向させた後、結像光学系としてのｆθレンズ４により
感光体５上に結像させて静電潜像を形成するように構成
される。ここに、半導体レーザ１は画像情報信号に応じ
て変調され、回転多面鏡３により感光体５上を主走査さ
れ、感光体５の回転により副走査されることにより、２
次元の書込み記録がなされる。このような動作におい
て、各主走査毎に主走査方向の同期をとるため、主走査
方向の画像範囲外（感光体５外）には回転多面鏡３で偏
向された偏向光の一部を受光する同期用受光素子６が設
けられている。この同期用受光素子６により検知されて
得られる光電変換信号は、コンパレータにおいてある閾
値（装置の組付け調整時に設定されたもの）で２値化さ
れ、主走査同期信号として光走査記録装置の電気制御系
に出力される。このような同期方式は、例えば特開昭６
２−４４７１２号公報等に示されている。

【０００３】このように電子写真技術とレーザ走査技術
とを組合せた光走査記録装置は、普通紙が使用でき、高
速で高品質な画像が得られるので、コンピュータの出力
装置、デジタル複写機等として急速に普及してきてい
る。

【０００４】このような状況下で、更に高品位画像が得
られるように、同一の光走査装置で複数の書込み密度に
よる記録や、中間調記録を可能にしたものがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ここに、例えば同一の
光走査装置を用いて２つ以上の書込み密度による記録を
行なう場合、書込み密度の変更に伴い半導体レーザ１の
光出力の変更が必須である。中間調記録の場合であれ
ば、画像情報信号中に含まれる濃度情報に応じて半導体
レーザ１の発光時間（発光パルス幅）、発光強度の少な
くとも一方の変更による光出力の変更が必須である。こ
の時、半導体レーザ１の光出力の変化に応じて画像範囲
外に設置した同期用受光素子６が受光する光量も変化し
てしまう。このような状態で、同期用受光素子６の光電
変換出力をある一定の閾値（２値化レベル）で２値化し
て主走査同期信号を生成すると、図９(ａ)(ｂ)に示すよ
うに光量の変化に応じて主走査同期信号の信号長が著し
く変化し、最悪の場合には、同期用受光素子６の光電変
換出力が閾値を下回ってしまい、図９(ｃ)に示すように
主走査同期信号が発生せず、記録画像にライン抜けを生
じてしまうことがある。

【０００６】この点、全ての書込み密度に対応する光出
力の内、最小値に対して閾値を設定すれば主走査同期信
号が発生しないという事態は回避できるが、主走査同期
信号の信号長の変化が増大し、電気制御系に回路構成の
煩雑化（例えば、微分等による信号長一定化処理が必
要）をもたらす等の悪影響があり、かつ、同一画面内で
複数の書込み密度による記録を行なう場合、主走査同期
信号長の変化によって主走査方向の位相がずれ、記録画
像に同期ずれを生じてしまうこともある。

【０００７】ちなみに、例えば特公昭６１−５１８２２
号公報に示されるように、受光素子により検知された信
号レベルをサンプルホールドして、予め設定された閾値
と比較することにより主走査同期信号検知時の光量を補
正する方式もあるが、受光素子が光を検出してから光量
の補正を行なうため高速応答性に欠ける方式であり、か
つ、閾値の設定が適切でないと上述した問題が発生する
可能性があり、書込み密度が変更できるような装置への
適用は妥当でない。

【０００８】このような事情は、中間調記録を可能とし
たものでも同様である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、少なくとも１つの記録用光源と感光体とを有し、前
記記録用光源を画像情報信号に応じて変調させた光線を
一定角度偏向させる回転多面鏡と、その偏向光を前記感
光体上に結像させる結像光学系と、前記偏向光の内で画
像書込み範囲外の光線の一部を同期用受光素子により検
知して得られる光電変換信号を所定の閾値により２値化
して主走査同期信号を出力する同期検知手段と、前記記
録用光源を少なくとも２つ以上の書込み密度に応じた光
出力に可変させる光源制御手段とを備えた光走査記録装
置において、前記同期検知手段の２値化のための閾値を
前記記録用光源の光出力の変化に応じて可変させる２値
化閾値設定回路を設けた。

【００１０】この際、請求項２記載の発明では、主走査
同期信号の信号長を略一定の信号長として出力させる信
号長一定化手段を設け、請求項３記載の発明では、各書
込み密度に対する２値化閾値を記憶する記憶手段と、記
録用光源の光出力を可変させる書込み密度信号に対応す
る２値化閾値を前記記憶手段から同期検知手段に出力す
る出力手段とを有する２値化閾値設定回路とした。

【００１１】また、請求項４記載の発明では、少なくと
も１つの記録用光源と感光体とを有し、前記記録用光源
を画像情報信号に応じて変調させた光線を一定角度偏向
させる回転多面鏡と、その偏向光を前記感光体上に結像
させる結像光学系と、前記偏向光の内で画像書込み範囲
外の光線の一部を同期用受光素子により検知して得られ
る光電変換信号を所定の閾値により２値化して主走査同
期信号を出力する同期検知手段と、前記記録用光源を少
なくとも２つ以上の書込み密度に応じた光出力に可変さ
せる光源制御手段とを備えた光走査記録装置において、
前記同期検知手段による同期検知時の前記記録用光源の
光出力を一定値とさせる光出力制御手段を設けた。

【００１２】同様に、請求項５記載の発明では、少なく
とも１つの記録用光源と感光体とを有し、前記記録用光
源を画像情報信号に応じて変調させた光線を一定角度偏
向させる回転多面鏡と、その偏向光を前記感光体上に結
像させる結像光学系と、前記偏向光の内で画像書込み範
囲外の光線の一部を同期用受光素子により検知して得ら
れる光電変換信号を所定の閾値により２値化して主走査
同期信号を出力する同期検知手段と、前記記録用光源を
画像情報信号に基づいて発光時間、発光強度の少なくと
も一方を可変させて中間調記録を行なわせる光源制御手
段とを備えた光走査記録装置において、前記同期検知手
段による同期検知時の前記記録用光源の光出力を一定値
とさせる光出力制御手段を設けた。

【００１３】請求項６記載の発明では、これらの請求項
４又は５記載の発明において、記録用光源を半導体レー
ザとし、この半導体レーザの光出力を受光検知する受光
素子と、受光素子により検知されて得られる半導体レー
ザの光出力に比例した受光信号と発光レベル指令信号と
が等しくなるように前記半導体レーザの順方向電流を制
御する光・電気負帰還ループと、前記受光信号と前記発
光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レー
ザの光出力・順方向電流特性、前記受光素子と前記半導
体レーザの光出力との結合係数、及び前記受光素子の光
入力・受光信号特性に基づき前記発光レベル指令信号を
前記半導体レーザの順方向電流に変換する変換手段と、
前記光・電気負帰還ループの制御電流と前記変換手段に
より生成された電流との和又は差の電流により前記半導
体レーザを制御する制御手段とよりなる光源制御手段と
した。

【００１４】

【作用】請求項１記載の発明によれば、２値化閾値を固
定とせずに、書込み密度対応の記録用光源の光出力の変
化に応じて可変させるようにしたので、書込み密度可変
により同期用受光素子の受光光量が変化してもその２値
化による主走査同期信号の生成に際して消滅がなく、画
像出力時におけるライン抜けの発生を防止できる。ま
た、書込み用の光出力の変化に対応した２値化閾値であ
り、ほぼ同等の位相の主走査同期信号が得られるものと
なり、記録画像の同期ずれも低減される。

【００１５】特に、請求項２記載の発明によれば、信号
長一定化手段を設けて主走査同期信号の信号長を略一定
の信号長として出力させるようにしたので、各書込み密
度対応の２値化閾値の設定では補えなかった信号長のば
らつきを補正できることにより、電気制御系内において
微分等による信号長一定化処理が不要となる。また、請
求項３記載の発明によれば、２値化閾値設定回路につい
て、各書込み密度に対する２値化閾値を記憶する記憶手
段と、記録用光源の光出力を可変させる書込み密度信号
に対応する２値化閾値を記憶手段から同期検知手段に出
力する出力手段とを有するものとしたので、書込み密度
変更時に瞬時に主走査同期信号の適切な検出が可能とな
り、電気制御系の誤動作を防止して信頼性の高い制御が
行なえる。

【００１６】また、請求項４や請求項５記載の発明によ
れば、記録密度の変化や中間調記録のための記録用光源
の発光時間や光強度の変化に依存せずに、同期検知時の
記録用光源の光出力を常に一定に維持させるようにした
ので、ライン抜けや同期ずれのない同期検知・制御が可
能となる。これらの場合において、請求項６記載の発明
によれば、高速かつ高精度、高分解能な半導体レーザ制
御手段により記録用光源として用いる半導体レーザを制
御するので、光出力の制御精度が高いため、同期検知・
制御もより正確なものとなり、高速で高品位な多値密度
記録や中間調記録が可能となる。

【００１７】

【実施例】請求項１ないし３記載の発明の一実施例を図
１及び図２に基づいて説明する。図８に示した装置構成
はそのまま用いるものとする。本実施例は、同一の光走
査装置により複数の書込み密度による記録を可能とした
ものに適用したものであり、本体（図示せず）からの書
込み密度設定信号が光走査装置電気制御系７に入力さ
れ、書込み密度に応じた光出力となるように変調周波数
設定等を行ない、半導体レーザ（ＬＤ）ドライバ８を介
して半導体レーザ１を可変制御するように構成されてい
る。光走査装置電気制御系７とＬＤドライバ８とにより
光源制御手段９が構成されている。また、受光素子６の
光電変換出力は基準電圧端子に２値化閾値が入力された
コンパレータ１０に入力され、その２値化出力をバッフ
ァ１１を通して波形整形することで主走査同期信号を生
成する同期検知手段１２が構成されている。この同期検
知手段１２による主走査同期信号（波形整形出力）は前
記光走査装置電気制御系７に入力されている。

【００１８】このような基本構成に加え、本実施例で
は、書込み密度の変更に伴う光出力の変化に応じてコン
パレータ１０の２値化閾値も可変させようとするもので
あり、前記書込み密度設定信号に応じた２値化閾値をコ
ンパレータ１０の基準電圧端子に出力する２値化閾値設
定回路１３が設けられている。この２値化閾値設定回路
１３において各書込み密度毎に予め設定しておく２値化
閾値は主走査同期信号長のばらつきが小さくなるように
設定しておくのが好ましい。

【００１９】このような構成において、本体から書込み
密度設定信号が光走査装置電気制御系７と２値化閾値設
定回路１３とに入力されると、光走査装置電気制御系７
では書込み密度に応じて光出力を設定し、ＬＤドライバ
８を介して半導体レーザ１を点灯させ主走査同期信号の
入力待ちの状態となる。一方、２値化閾値設定回路１３
では書込み密度に応じて予め設定された２値化閾値をコ
ンパレータ１０の基準電圧端子に出力する。回転多面鏡
３により偏向され、結像光学系４で集光された前記半導
体レーザ１からの光線が受光素子６により検知される
と、コンパレータ１０でその時の光出力対応の２値化閾
値を用いて２値化され、バッファ１１で波形整形されて
主走査同期信号となり、光走査装置電気制御系７に入力
される。主走査同期信号が入力されると、光走査装置電
気制御系７は主走査方向の位相同期動作を開始し、記録
準備状態に入り、本体からの書込み指令を待つことにな
る。書込み指令が来ると、書込み許可信号を生成し、画
像情報信号（Ｄata） を受付けて記録を行なう。このよ
うな動作が各主走査ライン毎に同様に繰返される。

【００２０】よって、本実施例によれば、書込み密度に
応じて光出力が変化すれば、それに対応して２値化閾値
も可変されるので、常に適正かつ確実な同期検知が可能
となり、ライン抜けを生ずるようなことはない。また、
光出力の可変毎に２値化閾値も適正に可変されるので、
各同期検知において位相ずれも低減されたものとなる。

【００２１】ところで、本実施例では、図１中に示すよ
うに、バッファ１１からの波形整形出力を入力として信
号長一定化出力を光走査装置電気制御系７に対して出力
する単安定マルチバイブレータ等で構成されて信号長一
定化手段となるタイマ回路１４が設けられている。これ
により、主走査同期信号の信号長が略一定とされて光走
査装置電気制御系７に出力されるので、各書込み密度に
応じた２値化閾値の設定では補えなかった同期信号長の
ばらつきが補正されることになり、光走査装置電気制御
系７内での微分等による信号長一定化処理が不要とな
る。

【００２２】また、本実施例では、２値化閾値設定回路
１３は例えば図２に示すように、各書込み密度に対する
２値化閾値の設定値を記憶する記憶手段として書換え可
能な不揮発性メモリによる閾値設定データ格納メモリ１
５を用い、２値化閾値をコンパレータ１０に出力する出
力手段としてＤ／Ａコンバータ１６を用いる構成とされ
ている。そこで、本体から出力された書込み密度設定信
号をデコーダ１７を通して閾値設定データ読出し用のア
ドレスデータに変換し、閾値設定データ格納メモリ１５
に入力すると、この閾値設定データ格納メモリ１５は指
定されたアドレスのデータをＤ／Ａコンバータ１６に出
力する。Ｄ／Ａコンバータ１６では指定されたデータに
応じた閾値電圧を２値化閾値としてコンパレータ１０に
出力し、上述した同期検知のための比較に供する。

【００２３】よって、このような２値化閾値設定回路１
３の構成によれば、書込み密度変更時に瞬時にその光出
力に応じたレベルでの２値化閾値による主走査同期検知
が可能となり、光走査装置電気制御系７の誤動作を防止
でき、信頼性の高い同期検知・制御が可能となる。特
に、ここでは閾値設定データ格納メモリ１５として書換
え可能な不揮発性メモリを用い、２値化閾値の設定値を
任意に再設定可能としたので、半導体レーザ１、回転多
面鏡３、結像光学系４の変更等による光出力特性の変化
にも容易に対応でき、汎用性の高い同期検知となる。

【００２４】つづいて、請求項４及び６記載の発明の一
実施例を図３ないし図５により説明する。本実施例は、
コンパレータ１０の基準電圧端子には予め設定された所
定の２値化閾値を与えておき２値化閾値設定回路１３に
代えて、光出力制御手段となる記録用光源光出力設定部
１８を設けたものである。ここに、記録用光源光出力設
定部１８は基本的には、本体からの書込み密度設定信号
を受けて、その書込み密度に応じた光出力を設定して光
走査装置電気制御系７に出力するものであるが、さらに
は、同期用受光素子６による同期検知時にはその時の書
込み密度に関係なく常に一定の光出力となる値を設定し
て光走査装置電気制御系７に出力する機能を持つ。

【００２５】このような構成において、図４に示すタイ
ミングチャートを参照して図３の回路の動作を説明す
る。まず、電源投入時にあっては光走査装置電気制御系
７は同期検知時の光出力設定信号／Ｐ．Ｓync （“／”
はバーを示す…以下、他の信号においても同じとする）
をＬレベル（設定）にセットして記録用光源光出力設定
部１８に出力する。これを受けて、記録用光源光出力設
定部１８では半導体レーザ１の光出力信号Ｐ．Ｓetを同
期検知時用の光出力に設定し、光走査装置電気制御系７
に返す。光走査装置電気制御系７ではこの光出力信号
Ｐ．Ｓetを光出力制御信号Ｐ．Ｃont に変換して記録用
光源制御部（ＬＤドライバ）８に出力し、半導体レーザ
１を同期検知時用の光出力で点灯させ、初回の主走査同
期信号／ＤＥＴＰの入力待ち状態として待機する。初回
の主走査同期信号／ＤＥＴＰが入力されると、その立上
りエッジで光出力設定信号／Ｐ．Ｓync をＨレベル（解
除）にセットし、光出力信号Ｐ．Ｓetを書込み密度に応
じた光出力に設定して記録準備状態に入る。この記録準
備状態においては、光出力設定信号／Ｐ．Ｓync がＨレ
ベルの期間の光出力制御信号Ｐ．Ｃont のレベルは０で
あり、半導体レーザ１は点灯しない。２回目以降は、１
ライン走査周期の後端のある時間で光出力設定信号／
Ｐ．Ｓync を再びＬレベル（設定）にセットし、以降は
初回と同じ動作を繰返す。この時、同期用受光素子６に
よる同期検知時の光出力は、常に一定値に設定される。

【００２６】光走査装置電気制御系７は記録準備動作に
入ると、ラインデータ出力許可信号／Ｌ．Ｇate を生成
する。このラインデータ出力許可信号／Ｌ．Ｇate がＬ
レベルの状態でライン画像情報信号（Ｄata ）の出力が
許可される。よって、この期間が主走査方向画像記録幅
に相当するものとなる。ただし、ラインデータ出力許可
信号／Ｌ．Ｇate がＬレベルであっても画像記録許可信
号／Ｆ．Ｇate がＬレベル（許可）になるまでは光出力
制御信号Ｐ．Ｃont に画像情報は出力されない。本体か
ら記録開始信号／Ｗrst（負論理信号） が来ると、ある
時間後に画像記録許可信号／Ｆ．Ｇate がＨレベル（禁
止）からＬレベル（許可）にセットされ、光出力信号
Ｐ．Ｓetによって設定された書込み密度対応の光出力の
画像信号が光出力制御信号Ｐ．Ｃont に出力されて記録
されることになる。

【００２７】このような動作において、光出力設定信号
／Ｐ．Ｓync 、ラインデータ出力許可信号／Ｌ．Ｇate
、画像記録許可信号／Ｆ．Ｇate は全て主走査同期信
号／ＤＥＴＰを基準にして生成しているため、この主走
査同期信号／ＤＥＴＰの出力タイミングや信号長のばら
つきは、これらの信号／Ｐ．Ｓync ，／Ｌ．Ｇate 、／
Ｆ．Ｇate のばらつきとして現れる。しかし、本実施例
では、主走査同期検知時の半導体レーザ１の光出力を書
込み密度の変化等に依存しない一定値としているので、
主走査同期信号／ＤＥＴＰのばらつきは大幅に低減し、
同期ずれやライン抜けの生じない同期検知・制御が可能
となる。

【００２８】ここに、主走査同期検知時の半導体レーザ
１の光出力（一定値）としては、書込み密度に応じて設
定される光出力の内の１つとすれば、光出力設定用デー
タの共有化を図れ、記録用光源光出力設定部１８の構成
をより簡略化し得る。特に、最大光出力を同期検知時用
に共有させれば、より確実な同期検知が可能となる。

【００２９】ところで、本実施例では半導体レーザ１を
記録用光源としているが、それに適した光源制御手段９
中の半導体レーザ制御回路８の構成・作用を図５により
説明する。まず、発光レベル指令信号（光出力制御信号
Ｐ．Ｃont に相当する）は比較増幅器１９及び電流変換
器（変換手段）２０に入力され、半導体レーザ１の光出
力の一部が受光素子２１によりモニタされる。ここに、
比較増幅器１９と半導体レーザ１と受光素子２１とは光
・電気負帰還ループ２２を形成しており、比較増幅器１
９は受光素子２１に誘起された光起電流（半導体レーザ
１の光出力に比例する）に比例する受光信号と発光レベ
ル指令信号とを比較して、その結果により半導体レーザ
１の順方向電流を受光信号と発光レベル指令信号とが等
しくなるように制御する。また、電流変換器２０は前記
受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように発
光レベル指令信号に従って予め設定された電流（半導体
レーザ１の光出力・順方向電流特性、受光素子２１と半
導体レーザ１の光出力との結合係数、及び、受光素子２
１の光入力・順方向電流特性に基づき予め設定された電
流）を出力する。この電流変換器２０の出力電流と比較
増幅器１９から出力される制御電流との和の電流が半導
体レーザ１の順方向電流となって制御されることにな
る。

【００３０】いま、光・電気負帰還ループ２２の開ルー
プでの交叉周波数をｆ０とし、ＤＣゲインを１００００
とした場合、半導体レーザ１の光出力Ｐoutのステップ
応答特性は、ｔ＝∞における光出力をＰＬ、電流変換器
２０により設定された光量をＰＳとすると、 Ｐout＝ＰＬ＋（ＰＳ−ＰＬ）exp（−２πｆ０ｔ） で近似できる。ここでは、光・電気負帰還ループ２２の
開ループでのＤＣゲインを１００００としているので、
設定誤差の許容範囲を０．１％以下とした場合には光出
力ＰＬは設定された光量に等しいと考えられる。従っ
て、仮に電流変換器２０により設定された光量ＰＳがＰ
Ｌに等しければ、瞬時に半導体レーザ１の光出力がＰＬ
に等しくなる。また、外乱等によりＰＳが５％変動した
としてもｆ０＝４０ＭＨｚ程度であれば、１０ナノ秒後
には半導体レーザ１の光出力は設定値に対する誤差が
０．４％以下となる。

【００３１】このような高速・高精度・高分解能な半導
体レーザ制御回路８を用いることにより、光源（半導体
レーザ１）の光出力を精度よく制御できるので、主走査
同期精度の高い光走査記録装置となる。

【００３２】さらに、請求項５記載の発明の一実施例を
図６及び図７により説明する。本実施例は、前述した実
施例のような書込み密度の可変に代えて、濃度情報を含
む画像情報信号に基づいて半導体レーザ１の発光時間
（発光パルス幅）、発光強度の少なくとも一方を選択可
変することにより中間調記録を可能とした光走査記録装
置に適用したものである。よって、基本的には前記実施
例の場合と同様に構成されるが、本実施例の光走査装置
電気制御系２３は画像情報信号に応じて半導体レーザ１
の発光時間、発光強度を設定して記録用光源制御部８に
出力し、半導体レーザ１の駆動電流を制御して中間調記
録する構成とされている。この光走査装置電気制御系２
３は記録用光源制御部８とともに光源制御手段２４を構
成する他、光走査装置電気制御系２３が光出力制御手段
を兼用する構成とされている。

【００３３】このような構成において、図７に示すタイ
ミングチャートを参照して図６の回路の動作を説明す
る。まず、電源投入時にあっては光走査装置電気制御系
２３は同期検知時の光出力設定信号／Ｐ．Ｓync をＬレ
ベル（設定）にセットして光出力制御信号Ｐ．Ｃont を
同期検知時の光出力に設定して記録用光源制御部８に出
力し、半導体レーザ１を同期検知時用の光出力で点灯さ
せ、初回の主走査同期信号／ＤＥＴＰの入力待ち状態と
して待機する。初回の主走査同期信号／ＤＥＴＰが入力
されると、その立上りエッジで光出力設定信号／Ｐ．Ｓ
ync をＨレベル（解除）にセットし記録準備状態に入
る。この記録準備状態においては、光出力設定信号／
Ｐ．Ｓync がＨレベルの期間の光出力制御信号Ｐ．Ｃon
t のレベルは０であり、半導体レーザ１は点灯しない。
２回目以降は、１ライン走査周期の後端のある時間で光
出力設定信号／Ｐ．Ｓync を再びＬレベル（設定）にセ
ットし、以降は初回と同じ動作を繰返す。この時、同期
用受光素子６による同期検知時の光出力は、常に一定値
に設定される。

【００３４】光走査装置電気制御系２３は記録準備動作
に入ると、ラインデータ出力許可信号／Ｌ．Ｇate を生
成する。このラインデータ出力許可信号／Ｌ．Ｇate が
Ｌレベルの状態でライン画像情報信号（Ｄata ）の出力
が許可される。よって、この期間が主走査方向画像記録
幅に相当するものとなる。ただし、ラインデータ出力許
可信号／Ｌ．Ｇate がＬレベルであっても画像記録許可
信号／Ｆ．Ｇate がＬレベル（許可）になるまでは光出
力制御信号Ｐ．Ｃont に画像情報は出力されない。本体
から記録開始信号／Ｗrst（負論理信号） が来ると、あ
る時間後に画像記録許可信号／Ｆ．Ｇate がＨレベル
（禁止）からＬレベル（許可）にセットされ、ラインデ
ータ出力許可信号／Ｌ．Ｇate がＬレベルの区間に出力
される画像情報信号に従って半導体レーザ１の発光時
間、発光強度の少なくとも一方を設定するデータに変換
され、このデータを光出力制御信号Ｐ．Ｃont に重畳し
て出力することにより中間調記録が行なわれる。

【００３５】このような動作において、光出力設定信号
／Ｐ．Ｓync 、ラインデータ出力許可信号／Ｌ．Ｇate
、画像記録許可信号／Ｆ．Ｇate は全て主走査同期信
号／ＤＥＴＰを基準にして生成しているため、この主走
査同期信号／ＤＥＴＰの出力タイミングや信号長のばら
つきは、これらの信号／Ｐ．Ｓync ，／Ｌ．Ｇate 、／
Ｆ．Ｇate のばらつきとして現れる。しかし、本実施例
では、主走査同期検知時の半導体レーザ１の光出力を画
像情報信号（発光時間や発光強度の情報を含む）に依存
しない一定値としているので、主走査同期信号／ＤＥＴ
Ｐのばらつきは大幅に低減し、同期ずれやライン抜けの
生じない同期検知・制御が可能となる。

【００３６】ここに、同期検知時の半導体レーザ１の光
出力値（一定値）としては、画像情報信号によって制御
される光出力値の内、最大出力値とすれば、同期検知時
に十分な受信信号が得られ、かつ、光出力設定用データ
の共有化を図れるため、光出力条件設定の無駄を省き、
電装系の負担を軽減できる。

【００３７】ところで、本実施例でも半導体レーザ１を
記録用光源としており、それに適した光源制御手段９中
の半導体レーザ制御回路８の構成としては、図５に示し
た回路構成を適用できる。

【００３８】

【発明の効果】本発明は、上述したように構成したの
で、請求項１記載の発明によれば、２値化閾値を固定と
せずに、書込み密度対応の記録用光源の光出力の変化に
応じて可変させるようにしたので、書込み密度可変によ
り同期用受光素子の受光光量が変化してもその２値化に
よる主走査同期信号の生成に際して消滅がなく、画像出
力時におけるライン抜けの発生を防止でき、かつ、書込
み用の光出力の変化に対応した２値化閾値であり、ほぼ
同等の位相の主走査同期信号が得られるものとなり、記
録画像の同期ずれも低減できる。

【００３９】特に、請求項２記載の発明によれば、信号
長一定化手段を設けて主走査同期信号の信号長を略一定
の信号長として出力させるようにしたので、各書込み密
度対応の２値化閾値の設定では補えなかった信号長のば
らつきを補正できることにより、電気制御系内において
微分等による信号長一定化処理が不要となり、また、請
求項３記載の発明によれば、２値化閾値設定回路につい
て、各書込み密度に対する２値化閾値を記憶する記憶手
段と、記録用光源の光出力を可変させる書込み密度信号
に対応する２値化閾値を記憶手段から同期検知手段に出
力する出力手段とを有するものとしたので、書込み密度
変更時に瞬時に主走査同期信号の適切な検出が可能とな
り、電気制御系の誤動作を防止して信頼性の高い制御が
行なえる。

【００４０】また、請求項４や請求項５記載の発明によ
れば、記録密度の変化や中間調記録のための記録用光源
の発光時間や光強度の変化に依存せずに、同期検知時の
記録用光源の光出力を常に一定値とさせるようにしたの
で、ライン抜けや同期ずれのない同期検知・制御が可能
となり、これらの場合において、請求項６記載の発明に
よれば、高速かつ高精度、高分解能な半導体レーザ制御
手段により記録用光源として用いる半導体レーザを制御
するので、光出力の制御精度が高いため、同期検知・制
御もより正確なものとなり、高速で高品位な多値密度記
録や中間調記録が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１ないし３記載の発明の一実施例を示す
ブロック図である。

【図２】その２値化閾値設定回路を示すブロック図であ
る。

【図３】請求項４記載の発明の一実施例を示すブロック
図である。

【図４】その動作を示すタイミングチャートである。

【図５】請求項６記載の発明の一実施例を示すブロック
図である。

【図６】請求項５記載の発明の一実施例を示すブロック
図である。

【図７】その動作を示すタイミングチャートである。

【図８】一般的な光走査記録装置の構成を示す概略斜視
図である。

【図９】同期検知時の光出力−２値化レベルとの関係を
示す説明図である。

【符号の説明】

１ 記録用光源＝半導体レーザ ３ 回転多面鏡 ４ 結像光学系 ５ 感光体 ６ 同期用受光素子 ９ 光源制御手段 １２ 同期検知手段 １３ ２値化閾値設定回路 １４ 信号長一定化手段 １５ 記憶手段 １６ 出力手段 １８ 光出力制御手段 ２０ 変換手段 ２１ 受光素子 ２２ 光・電気負帰還ループ ２３ 光出力制御手段 ２４ 光源制御手段

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１つの記録用光源と感光体と
   を有し、前記記録用光源を画像情報信号に応じて変調さ
   せた光線を一定角度偏向させる回転多面鏡と、その偏向
   光を前記感光体上に結像させる結像光学系と、前記偏向
   光の内で画像書込み範囲外の光線の一部を同期用受光素
   子により検知して得られる光電変換信号を所定の閾値に
   より２値化して主走査同期信号を出力する同期検知手段
   と、前記記録用光源を少なくとも２つ以上の書込み密度
   に応じた光出力に可変させる光源制御手段とを備えた光
   走査記録装置において、前記同期検知手段の２値化のた
   めの閾値を前記記録用光源の光出力の変化に応じて可変
   させる２値化閾値設定回路を設けたことを特徴とする光
   走査記録装置。
2. 【請求項２】 主走査同期信号の信号長を略一定の信号
   長として出力させる信号長一定化手段を設けたことを特
   徴とする請求項１記載の光走査記録装置。
3. 【請求項３】 各書込み密度に対する２値化閾値を記憶
   する記憶手段と、記録用光源の光出力を可変させる書込
   み密度信号に対応する２値化閾値を前記記憶手段から同
   期検知手段に出力する出力手段とを有する２値化閾値設
   定回路としたことを特徴とする請求項１記載の光走査記
   録装置。
4. 【請求項４】 少なくとも１つの記録用光源と感光体と
   を有し、前記記録用光源を画像情報信号に応じて変調さ
   せた光線を一定角度偏向させる回転多面鏡と、その偏向
   光を前記感光体上に結像させる結像光学系と、前記偏向
   光の内で画像書込み範囲外の光線の一部を同期用受光素
   子により検知して得られる光電変換信号を所定の閾値に
   より２値化して主走査同期信号を出力する同期検知手段
   と、前記記録用光源を少なくとも２つ以上の書込み密度
   に応じた光出力に可変させる光源制御手段とを備えた光
   走査記録装置において、前記同期検知手段による同期検
   知時の前記記録用光源の光出力を一定値とさせる光出力
   制御手段を設けたことを特徴とする光走査記録装置。
5. 【請求項５】 少なくとも１つの記録用光源と感光体と
   を有し、前記記録用光源を画像情報信号に応じて変調さ
   せた光線を一定角度偏向させる回転多面鏡と、その偏向
   光を前記感光体上に結像させる結像光学系と、前記偏向
   光の内で画像書込み範囲外の光線の一部を同期用受光素
   子により検知して得られる光電変換信号を所定の閾値に
   より２値化して主走査同期信号を出力する同期検知手段
   と、前記記録用光源を画像情報信号に基づいて発光時
   間、発光強度の少なくとも一方を可変させて中間調記録
   を行なわせる光源制御手段とを備えた光走査記録装置に
   おいて、前記同期検知手段による同期検知時の前記記録
   用光源の光出力を一定値とさせる光出力制御手段を設け
   たことを特徴とする光走査記録装置。
6. 【請求項６】 記録用光源を半導体レーザとし、この半
   導体レーザの光出力を受光検知する受光素子と、受光素
   子により検知されて得られる半導体レーザの光出力に比
   例した受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるよ
   うに前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電気
   負帰還ループと、前記受光信号と前記発光レベル指令信
   号とが等しくなるように前記半導体レーザの光出力・順
   方向電流特性、前記受光素子と前記半導体レーザの光出
   力との結合係数、及び前記受光素子の光入力・受光信号
   特性に基づき前記発光レベル指令信号を前記半導体レー
   ザの順方向電流に変換する変換手段と、前記光・電気負
   帰還ループの制御電流と前記変換手段により生成された
   電流との和又は差の電流により前記半導体レーザを制御
   する制御手段とよりなる光源制御手段としたことを特徴
   とする請求項４又は５記載の光走査記録装置。