JPH0594647A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0594647A JPH0594647A JP27861691A JP27861691A JPH0594647A JP H0594647 A JPH0594647 A JP H0594647A JP 27861691 A JP27861691 A JP 27861691A JP 27861691 A JP27861691 A JP 27861691A JP H0594647 A JPH0594647 A JP H0594647A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 誘電体層を２×１０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒ
なるＸｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜する。 【効果】 カー回転角増幅効果の大きな誘電体層が形成
され、磁気光学特性に優れた光磁気記録媒体を製造する
ことが可能である。
なるＸｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜する。 【効果】 カー回転角増幅効果の大きな誘電体層が形成
され、磁気光学特性に優れた光磁気記録媒体を製造する
ことが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光等により情報の記録・再生を行う光磁気記
録媒体の製造方法に関する。
てレーザー光等により情報の記録・再生を行う光磁気記
録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録方式は、磁性薄膜を部分的に
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の向
きを反転させることにより記録を行い、磁気カー効果も
しくは磁気ファラデー効果により記録情報を読み出すこ
とを基本原理とするもので、コンピュータの外部記憶装
置、あるいは音響，映像情報の記録装置等において実用
化されつつある。
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の向
きを反転させることにより記録を行い、磁気カー効果も
しくは磁気ファラデー効果により記録情報を読み出すこ
とを基本原理とするもので、コンピュータの外部記憶装
置、あるいは音響，映像情報の記録装置等において実用
化されつつある。
【０００３】この光磁気記録方式に使用される記録材料
としては、膜面と垂直な磁化容易軸を有するとともに磁
気光学効果が大きいことが要求され、従来よりＧｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ，Ｃｏ等の遷移元素とを
組み合わせた非晶質合金膜が代表的なものとされてい
る。この非晶質合金膜において、特に希土類元素として
Ｔｂを含むＴｂＦｅＣｏ膜やＧｄＴｂＦｅ膜等は大きな
垂直磁気異方性を示し、既に実用化されている。
としては、膜面と垂直な磁化容易軸を有するとともに磁
気光学効果が大きいことが要求され、従来よりＧｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ，Ｃｏ等の遷移元素とを
組み合わせた非晶質合金膜が代表的なものとされてい
る。この非晶質合金膜において、特に希土類元素として
Ｔｂを含むＴｂＦｅＣｏ膜やＧｄＴｂＦｅ膜等は大きな
垂直磁気異方性を示し、既に実用化されている。
【０００４】しかし、上記非晶質合金膜の構成成分であ
る希土類元素やＦｅは非常に酸化され易く、空気中の酸
素とも容易に結合して酸化物を形成する性質がある。こ
のため、このような酸化の進行により腐食や孔食が発生
し、記録信号の脱落を誘起する虞れがある。また、特に
希土類元素が選択的に酸化を受けると、保磁力や残留磁
気カー回転角の低下に伴ってＣ／Ｎ比が劣化するという
問題が生ずる。このような問題は、希土類元素を使用す
る限り免れることはできない。
る希土類元素やＦｅは非常に酸化され易く、空気中の酸
素とも容易に結合して酸化物を形成する性質がある。こ
のため、このような酸化の進行により腐食や孔食が発生
し、記録信号の脱落を誘起する虞れがある。また、特に
希土類元素が選択的に酸化を受けると、保磁力や残留磁
気カー回転角の低下に伴ってＣ／Ｎ比が劣化するという
問題が生ずる。このような問題は、希土類元素を使用す
る限り免れることはできない。
【０００５】そこで、希土類元素の代わりにＰｔやＰｄ
等の貴金属を使用したＣｏ−Ｐｔ系材料、或いはＣｏ−
Ｐｄ系材料が耐食性に優れることから、光磁気記録媒体
の記録磁性層として使用することが試みられている。た
とえば、所定の層厚のＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層
を超格子的に積層させた、所謂人工格子膜は、４００Å
程度以下の極めて薄膜とされる領域で良好な磁気光学特
性を示すことが見出されている。
等の貴金属を使用したＣｏ−Ｐｔ系材料、或いはＣｏ−
Ｐｄ系材料が耐食性に優れることから、光磁気記録媒体
の記録磁性層として使用することが試みられている。た
とえば、所定の層厚のＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層
を超格子的に積層させた、所謂人工格子膜は、４００Å
程度以下の極めて薄膜とされる領域で良好な磁気光学特
性を示すことが見出されている。
【０００６】ところで、光磁気記録媒体においては、上
記記録磁性層のカー回転角が微小であるため、記録磁性
層の酸化を防止するとともにカー回転角を増幅するため
に誘電体層を記録磁性層の下あるいは上下に設ける。す
なわち、誘電体層により、記録磁性層からの光を多重反
射させることにより、見かけのカー回転角を増大させ、
信号レベルの増大を図るようになされている。
記記録磁性層のカー回転角が微小であるため、記録磁性
層の酸化を防止するとともにカー回転角を増幅するため
に誘電体層を記録磁性層の下あるいは上下に設ける。す
なわち、誘電体層により、記録磁性層からの光を多重反
射させることにより、見かけのカー回転角を増大させ、
信号レベルの増大を図るようになされている。
【０００７】このため、光磁気記録媒体においては、Ｃ
／Ｎ比等の特性が誘電体層の膜質，表面性によって大き
く影響を受けることとなり、たとえば上記人工格子膜を
記録磁性層とする光磁気記録媒体を開発する上で、より
良好な特性を有する誘電体層を得ることが重要となる。
このような誘電体層としては、反応性スパッタリング法
によって成膜されたＳｉＮ膜，ＡｌＮ膜が適していると
されており、この場合、スパッタガスとしては、一般に
汎用のＡｒガスが使用されている。
／Ｎ比等の特性が誘電体層の膜質，表面性によって大き
く影響を受けることとなり、たとえば上記人工格子膜を
記録磁性層とする光磁気記録媒体を開発する上で、より
良好な特性を有する誘電体層を得ることが重要となる。
このような誘電体層としては、反応性スパッタリング法
によって成膜されたＳｉＮ膜，ＡｌＮ膜が適していると
されており、この場合、スパッタガスとしては、一般に
汎用のＡｒガスが使用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように成膜されたＳｉＮ膜，ＡｌＮ膜のカー回転角の増
幅効果は、より高いＣ／Ｎ比を得るという点では十分満
足のいくものとは言えない。そこで、誘電体層の膜質や
表面性等について、本発明者らが検討した結果、誘電体
層の特性は成膜雰囲気中のガスの種類に依存し、Ａｒガ
スでは良好な特性を有する誘電体層を形成するには不適
当であることが判明した。
ように成膜されたＳｉＮ膜，ＡｌＮ膜のカー回転角の増
幅効果は、より高いＣ／Ｎ比を得るという点では十分満
足のいくものとは言えない。そこで、誘電体層の膜質や
表面性等について、本発明者らが検討した結果、誘電体
層の特性は成膜雰囲気中のガスの種類に依存し、Ａｒガ
スでは良好な特性を有する誘電体層を形成するには不適
当であることが判明した。
【０００９】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、耐食性に優れるとともに
良好な磁気光学効果を発揮し、高ＣＮ比が得られる光磁
気記録媒体が製造できる光磁気記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、耐食性に優れるとともに
良好な磁気光学効果を発揮し、高ＣＮ比が得られる光磁
気記録媒体が製造できる光磁気記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、誘電体層を
成膜する際のスパッタガスとしてＸｅガスを使用するこ
とにより、磁気光学特性に優れた光磁気記録媒体が製造
できることを見い出すに至った。
めに、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、誘電体層を
成膜する際のスパッタガスとしてＸｅガスを使用するこ
とにより、磁気光学特性に優れた光磁気記録媒体が製造
できることを見い出すに至った。
【００１１】本発明の製造方法は、このような知見に基
づいて提案されたものであり、透明基板上に記録磁性
層、誘電体層を形成して光磁気記録媒体を製造するに際
し、誘電体層を２×１０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒなるガ
ス分圧を有するＸｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜
することを特徴とする。
づいて提案されたものであり、透明基板上に記録磁性
層、誘電体層を形成して光磁気記録媒体を製造するに際
し、誘電体層を２×１０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒなるガ
ス分圧を有するＸｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜
することを特徴とする。
【００１２】本発明の製造方法は、上記誘電体層をスパ
ッタリング法で成膜するに際し、スパッタガスとして汎
用のＡｒガスではなく、Ｘｅガスを使用することによ
り、良好なカー回転角増幅効果を発揮する誘電体層を形
成し、磁気光学効果に優れた光磁気記録媒体を製造しよ
うとするものである。このときＸｅガスのスパッタ雰囲
気中のガス分圧は、２×１０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒと
する。ガス分圧が上記範囲を外れると、良好な膜質，表
面性を有する誘電体層が形成されず、十分なカー回転角
増幅効果が得られない。
ッタリング法で成膜するに際し、スパッタガスとして汎
用のＡｒガスではなく、Ｘｅガスを使用することによ
り、良好なカー回転角増幅効果を発揮する誘電体層を形
成し、磁気光学効果に優れた光磁気記録媒体を製造しよ
うとするものである。このときＸｅガスのスパッタ雰囲
気中のガス分圧は、２×１０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒと
する。ガス分圧が上記範囲を外れると、良好な膜質，表
面性を有する誘電体層が形成されず、十分なカー回転角
増幅効果が得られない。
【００１３】なお、スパッタガスとしてＫｒガスを使用
した場合でも、Ｘｅガスを使用した場合と同様に良好な
特性を有する誘電体層が得られることが見いだされてい
る。したがって、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガスの
代わりにＫｒガスを使用することも可能である。この場
合のガス分圧もＸｅガスを使用する場合と同様に２×１
０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒとすることが好ましい。
した場合でも、Ｘｅガスを使用した場合と同様に良好な
特性を有する誘電体層が得られることが見いだされてい
る。したがって、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガスの
代わりにＫｒガスを使用することも可能である。この場
合のガス分圧もＸｅガスを使用する場合と同様に２×１
０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒとすることが好ましい。
【００１４】成膜する誘電体層としては、Ｓｉ3 Ｎ4 ，
ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物あ
るいはＡｌＳｉＮＯ等が挙げられるが、酸素及び水分子
を透過させず、酸素を含まない物質で且つ使用レーザ光
を十分透過し得る物質が望ましく、窒化珪素あるいは窒
化アルミニウム等が好適である。たとえば窒化珪素膜
は、ターゲットとしてＳｉを、成膜ガスとしてＸｅと窒
素の混合ガスを使用する反応性スパッタリングによって
成膜することができる。
ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物あ
るいはＡｌＳｉＮＯ等が挙げられるが、酸素及び水分子
を透過させず、酸素を含まない物質で且つ使用レーザ光
を十分透過し得る物質が望ましく、窒化珪素あるいは窒
化アルミニウム等が好適である。たとえば窒化珪素膜
は、ターゲットとしてＳｉを、成膜ガスとしてＸｅと窒
素の混合ガスを使用する反応性スパッタリングによって
成膜することができる。
【００１５】なお、上記誘電体層の膜厚は、カー回転角
増幅効果，酸化防止効果を十分に得る点から、５０〜５
０００Åとすることが好ましい。
増幅効果，酸化防止効果を十分に得る点から、５０〜５
０００Åとすることが好ましい。
【００１６】さらに、本発明の製造方法においては、基
板上に上記誘電体層とともに記録磁性層、反射層を成膜
することにより記録部を形成して光磁気ディスクとされ
る。
板上に上記誘電体層とともに記録磁性層、反射層を成膜
することにより記録部を形成して光磁気ディスクとされ
る。
【００１７】記録部が形成される基板としては、ガラ
ス，ポリカーボネート，ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリ
レート），セラミクス，シリコンウェハ等が使用可能で
ある。
ス，ポリカーボネート，ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリ
レート），セラミクス，シリコンウェハ等が使用可能で
ある。
【００１８】上記記録磁性層としては、ＴｂＦｅＣｏ非
晶質合金膜等の希土類−遷移金属非晶質合金膜やＣｏ層
とＰｔ層及び／又はＰｄ層を超格子的に積層させた人工
格子膜、すなわちＣｏ層とＰｔ層とを積層したＣｏ−Ｐ
ｔ系人工格子膜、Ｃｏ層とＰｄ層とを積層したＣｏ−Ｐ
ｄ系人工格子膜、及びＣｏ層とＰｔ層とＰｄ層の三者を
積層したＣｏ−Ｐｔ−Ｐｄ人工格子膜等が挙げられる。
晶質合金膜等の希土類−遷移金属非晶質合金膜やＣｏ層
とＰｔ層及び／又はＰｄ層を超格子的に積層させた人工
格子膜、すなわちＣｏ層とＰｔ層とを積層したＣｏ−Ｐ
ｔ系人工格子膜、Ｃｏ層とＰｄ層とを積層したＣｏ−Ｐ
ｄ系人工格子膜、及びＣｏ層とＰｔ層とＰｄ層の三者を
積層したＣｏ−Ｐｔ−Ｐｄ人工格子膜等が挙げられる。
【００１９】希土類−遷移金属非晶質合金膜は、スパッ
タリング，分子線エピキタシー，真空蒸着等の真空薄膜
形成技術により基板上に成膜することができる。希土類
−遷移金属非晶質薄膜をたとえばスパッタリングにより
成膜する場合には、希土類金属ターゲットと遷移金属タ
ーゲットを使用した二元同時スパッタリングを行うのが
便利である。実用的な磁気光学特性を達成する観点から
は、膜厚を１００〜１００００Å程度に選ぶことが望ま
しい。
タリング，分子線エピキタシー，真空蒸着等の真空薄膜
形成技術により基板上に成膜することができる。希土類
−遷移金属非晶質薄膜をたとえばスパッタリングにより
成膜する場合には、希土類金属ターゲットと遷移金属タ
ーゲットを使用した二元同時スパッタリングを行うのが
便利である。実用的な磁気光学特性を達成する観点から
は、膜厚を１００〜１００００Å程度に選ぶことが望ま
しい。
【００２０】一方、上記人工格子膜は、スパッタリング
により成膜される。蒸着源としては、Ｃｏ−Ｐｔ系或い
はＣｏ−Ｐｄ系のような２成分系の場合には各成分金属
について独立に用意する必要がある。また、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｐｄ系のような３成分系の場合には、各成分金属につ
いて独立に蒸着源を用意する方法の他、特にＰｔ及びＰ
ｄに関してはこれらを組み合わせて合金蒸着源とする方
法、或いは少ない成分金属の蒸着源を他の金属の蒸着源
の上に置く等の方法も可能である。例えば上述のような
３成分系の光磁気記録媒体をスパッタリングにより作成
する場合、Ｐｔチップを載置したＰｄターゲットとＣｏ
ターゲットとを使用した同時二元スパッタリング、Ｃｏ
ターゲット、Ｐｄターゲット及びＰｔターゲットを使用
した同時三元スパッタリング、或いはＣｏターゲット、
Ｐｔターゲット及び２個のＰｄターゲットを使用してＣ
ｏ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｐｄ−・・・の順番で各金属層を積層
する同時四元スパッタリング等の方法が可能である。
により成膜される。蒸着源としては、Ｃｏ−Ｐｔ系或い
はＣｏ−Ｐｄ系のような２成分系の場合には各成分金属
について独立に用意する必要がある。また、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｐｄ系のような３成分系の場合には、各成分金属につ
いて独立に蒸着源を用意する方法の他、特にＰｔ及びＰ
ｄに関してはこれらを組み合わせて合金蒸着源とする方
法、或いは少ない成分金属の蒸着源を他の金属の蒸着源
の上に置く等の方法も可能である。例えば上述のような
３成分系の光磁気記録媒体をスパッタリングにより作成
する場合、Ｐｔチップを載置したＰｄターゲットとＣｏ
ターゲットとを使用した同時二元スパッタリング、Ｃｏ
ターゲット、Ｐｄターゲット及びＰｔターゲットを使用
した同時三元スパッタリング、或いはＣｏターゲット、
Ｐｔターゲット及び２個のＰｄターゲットを使用してＣ
ｏ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｐｄ−・・・の順番で各金属層を積層
する同時四元スパッタリング等の方法が可能である。
【００２１】これら人工格子膜の全厚は、磁気光学特性
の点から、５０〜８００Åの範囲とすることが好まし
い。特にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の場合には、Ｃｏ層２
〜８Å、Ｐｔ層３〜４０Å、全厚５０〜４００Åである
ことが好ましく、かかる範囲で良好な磁気光学特性を発
揮する。勿論、これ以外の範囲、例えば層厚８００Å以
下の領域でも磁気光学特性を発揮するが、４００Åを越
えた領域では角形比が若干低下する。同様に、Ｃｏ−Ｐ
ｄ系人工格子膜の場合には、Ｃｏ層１〜９Å、Ｐｄ層２
〜４０Å、全厚５０〜８００Åで良好な磁気光学特性を
発揮する。以上の層厚の範囲は磁気光学特性を最適化す
る観点から設定されたものであり、いずれの場合も上記
範囲外では面内磁化成分が発生して磁気光学特性が劣化
する。また、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ系人工格子膜の場合、積
層構造としては、Ｃｏ層とＰｔ−Ｐｄ合金層とを交互に
積層したものであっても良いし、Ｃｏ層−Ｐｔ層−Ｃｏ
層−Ｐｄ層−、或いはＣｏ層−Ｐｔ層−Ｐｄ層−Ｃｏ層
−の順に積層したものであっても良い。
の点から、５０〜８００Åの範囲とすることが好まし
い。特にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の場合には、Ｃｏ層２
〜８Å、Ｐｔ層３〜４０Å、全厚５０〜４００Åである
ことが好ましく、かかる範囲で良好な磁気光学特性を発
揮する。勿論、これ以外の範囲、例えば層厚８００Å以
下の領域でも磁気光学特性を発揮するが、４００Åを越
えた領域では角形比が若干低下する。同様に、Ｃｏ−Ｐ
ｄ系人工格子膜の場合には、Ｃｏ層１〜９Å、Ｐｄ層２
〜４０Å、全厚５０〜８００Åで良好な磁気光学特性を
発揮する。以上の層厚の範囲は磁気光学特性を最適化す
る観点から設定されたものであり、いずれの場合も上記
範囲外では面内磁化成分が発生して磁気光学特性が劣化
する。また、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ系人工格子膜の場合、積
層構造としては、Ｃｏ層とＰｔ−Ｐｄ合金層とを交互に
積層したものであっても良いし、Ｃｏ層−Ｐｔ層−Ｃｏ
層−Ｐｄ層−、或いはＣｏ層−Ｐｔ層−Ｐｄ層−Ｃｏ層
−の順に積層したものであっても良い。
【００２２】上記反射膜は、記録磁性層を透過したレー
ザ光をも反射させることによりカー回転角を相乗させ、
回転角を拡大するために設けられるものである。通常、
Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ等の金属材料を真空薄膜形成技
術にて成膜することにより得られる。
ザ光をも反射させることによりカー回転角を相乗させ、
回転角を拡大するために設けられるものである。通常、
Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ等の金属材料を真空薄膜形成技
術にて成膜することにより得られる。
【００２３】これら各層からなる記録部は、たとえば基
板上に第１の誘電体層，記録磁性層，第２の誘電体層，
反射層なる順に積層して記録磁性層の上下に誘電体層を
設けるように構成してもよく、あるいは記録磁性層の下
にのみ誘電体層を設けるような構成としてもよい。
板上に第１の誘電体層，記録磁性層，第２の誘電体層，
反射層なる順に積層して記録磁性層の上下に誘電体層を
設けるように構成してもよく、あるいは記録磁性層の下
にのみ誘電体層を設けるような構成としてもよい。
【００２４】また、これら記録部の成膜工程が終了した
後に、さらに紫外線硬化樹脂の塗布等による保護膜を形
成を行っても良い。
後に、さらに紫外線硬化樹脂の塗布等による保護膜を形
成を行っても良い。
【００２５】
【作用】２×１０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒなるガス分圧
を有するＸｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜された
誘電体層は、膜質，表面性が極めて誘電体層として適し
ており、高いカー回転角増幅効果を示す。したがって、
このようにして誘電体層を形成して製造された光磁気記
録媒体は、磁気光学特性に優れ、極めて高いＣＮ比を発
揮することとなる。
を有するＸｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜された
誘電体層は、膜質，表面性が極めて誘電体層として適し
ており、高いカー回転角増幅効果を示す。したがって、
このようにして誘電体層を形成して製造された光磁気記
録媒体は、磁気光学特性に優れ、極めて高いＣＮ比を発
揮することとなる。
【００２６】
【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００２７】実施例１ 本実施例は、誘電体層としてＳｉＮ膜を、記録磁性層と
してＣｏ／Ｐｔ人工格子膜を形成するに際し、ＳｉＮ膜
の成膜に使用するスパッタガスとしてＸｅガスを使用し
た例である。
してＣｏ／Ｐｔ人工格子膜を形成するに際し、ＳｉＮ膜
の成膜に使用するスパッタガスとしてＸｅガスを使用し
た例である。
【００２８】先ず、ガラス２Ｐ基板（ガラス基板上に紫
外線硬化樹脂を用いてグルーブやピット等の凹凸を有す
る光硬化樹脂層が形成された基板）上に、種々の膜厚を
有するＳｉＮ膜をスパッタリングによって成膜した。な
お、スパッタリングは、Ｘｅガスと窒素ガスを１：１で
混合したガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの混合ガス雰囲気下
で行い、ターゲットには、直径１００ｍｍのＳｉの円板
（厚さ４ｍｍ）を使用した。また、その際、放電は、Ｒ
Ｆモードで投入パワーをＲＦ４００Ｗに設定して行っ
た。
外線硬化樹脂を用いてグルーブやピット等の凹凸を有す
る光硬化樹脂層が形成された基板）上に、種々の膜厚を
有するＳｉＮ膜をスパッタリングによって成膜した。な
お、スパッタリングは、Ｘｅガスと窒素ガスを１：１で
混合したガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの混合ガス雰囲気下
で行い、ターゲットには、直径１００ｍｍのＳｉの円板
（厚さ４ｍｍ）を使用した。また、その際、放電は、Ｒ
Ｆモードで投入パワーをＲＦ４００Ｗに設定して行っ
た。
【００２９】このようにして成膜されたＳｉＮ膜上にス
パッタリングによりＣｏ層が４Å、Ｐｔ層が１５Åであ
るＣｏ／Ｐｔ人工格子膜を全膜厚が１８０Åとなるよう
に成膜した。ここで、ターゲットには、直径１００ｍ
ｍ、厚さ４ｍｍのＣｏ及びＰｔ円板を用い、放電は、Ｄ
Ｃモードで投入パワーをＣｏについては０．４Ａ，３０
０Ｖ、Ｐｔについては０．３Ａ，３００Ｖに設定して行
った。
パッタリングによりＣｏ層が４Å、Ｐｔ層が１５Åであ
るＣｏ／Ｐｔ人工格子膜を全膜厚が１８０Åとなるよう
に成膜した。ここで、ターゲットには、直径１００ｍ
ｍ、厚さ４ｍｍのＣｏ及びＰｔ円板を用い、放電は、Ｄ
Ｃモードで投入パワーをＣｏについては０．４Ａ，３０
０Ｖ、Ｐｔについては０．３Ａ，３００Ｖに設定して行
った。
【００３０】このようにして作製した２層構造タイプの
光磁気ディスク（実施例ディスク１）について、波長７
８０ｎｍのレーザ光源が搭載された光磁気ディスク評価
装置を用いて、記録再生特性を評価した。評価条件は、
ディスク回転数２０００ｒｐｍ、記録周波数１ＭＨｚ、
記録磁界２００Ｏｅ、線速１０ｍ／ｓ、記録パワー７ｍ
Ｗ、再生パワー１ｍＷに設定した。
光磁気ディスク（実施例ディスク１）について、波長７
８０ｎｍのレーザ光源が搭載された光磁気ディスク評価
装置を用いて、記録再生特性を評価した。評価条件は、
ディスク回転数２０００ｒｐｍ、記録周波数１ＭＨｚ、
記録磁界２００Ｏｅ、線速１０ｍ／ｓ、記録パワー７ｍ
Ｗ、再生パワー１ｍＷに設定した。
【００３１】図１に、ＳｉＮ膜の膜厚が６００Å、９０
０Å、及び１１００Åのディスクのノイズ（雑音信号）
レベル、キャリア（出力信号）レベル及びＣ／Ｎ比（再
生信号対雑音信号比）をまとめて示す。なお、ノイズレ
ベルは、記録後におけるノイズレベルを示す。
０Å、及び１１００Åのディスクのノイズ（雑音信号）
レベル、キャリア（出力信号）レベル及びＣ／Ｎ比（再
生信号対雑音信号比）をまとめて示す。なお、ノイズレ
ベルは、記録後におけるノイズレベルを示す。
【００３２】比較例１ 比較として、ＳｉＮ膜の成膜に使用するスパッタガスと
してＡｒガスを使用した例である。
してＡｒガスを使用した例である。
【００３３】ＳｉＮ膜の成膜をＡｒガスと窒素ガスを
１：１で混合した混合ガス雰囲気下で行う以外は実施例
１と同様にして２層構造タイプに光磁気ディスク（比較
例ディスク１）を作製した。そして、作製された光磁気
ディスクについて実施例１と同様にして、記録再生特性
を評価した。その結果も併せて図１に示す。
１：１で混合した混合ガス雰囲気下で行う以外は実施例
１と同様にして２層構造タイプに光磁気ディスク（比較
例ディスク１）を作製した。そして、作製された光磁気
ディスクについて実施例１と同様にして、記録再生特性
を評価した。その結果も併せて図１に示す。
【００３４】図１からわかるように、実施例ディスク１
においては、比較例ディスク１に比べてノイズレベルが
数ｄＢ低く、またキャリアレベルが約１ｄＢ高く、Ｃ／
Ｎ比は３〜４ｄＢ向上している。したがって、このこと
から、誘電体層を成膜するに際してスパッタガスとして
Ｘｅを使用すれば、記録再生特性に優れた光磁気ディス
クを製造できることがわかった。
においては、比較例ディスク１に比べてノイズレベルが
数ｄＢ低く、またキャリアレベルが約１ｄＢ高く、Ｃ／
Ｎ比は３〜４ｄＢ向上している。したがって、このこと
から、誘電体層を成膜するに際してスパッタガスとして
Ｘｅを使用すれば、記録再生特性に優れた光磁気ディス
クを製造できることがわかった。
【００３５】実施例２ 本実施例は、記録磁性層としてＴｂＦｅＣｏを、誘電体
層としてＳｉＮ膜を成膜するに際し、ＳｉＮ膜の成膜に
使用するスパッタガスとしてＸｅガスを使用した例であ
る。
層としてＳｉＮ膜を成膜するに際し、ＳｉＮ膜の成膜に
使用するスパッタガスとしてＸｅガスを使用した例であ
る。
【００３６】実施例１と同様な成膜条件にてＳｉＮ膜を
膜厚が６００Åとなるように成膜した。そして、成膜さ
れたＳｉＮ膜上にＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜をスパッタリ
ングにて成膜した。なお、ＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜の成
膜は、ガス圧４×１０-3ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で
行い、ターゲットには、Ｔｂ20Ｆｅ76Ｃｏ4 を使用し
た。また、その際、放電はＤＣモードで投入パワーを
０．４Ａ，３００Ｖに設定して行った。
膜厚が６００Åとなるように成膜した。そして、成膜さ
れたＳｉＮ膜上にＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜をスパッタリ
ングにて成膜した。なお、ＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜の成
膜は、ガス圧４×１０-3ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気下で
行い、ターゲットには、Ｔｂ20Ｆｅ76Ｃｏ4 を使用し
た。また、その際、放電はＤＣモードで投入パワーを
０．４Ａ，３００Ｖに設定して行った。
【００３７】このようにして成膜されたＴｂＦｅＣｏ非
晶質薄膜上に、さらに実施例１と同様な成膜条件でＳｉ
Ｎ膜を膜厚が１００Åとなるように成膜して３層構造の
光磁気ディスクを作製した。
晶質薄膜上に、さらに実施例１と同様な成膜条件でＳｉ
Ｎ膜を膜厚が１００Åとなるように成膜して３層構造の
光磁気ディスクを作製した。
【００３８】このようにして作製された光磁気ディスク
（実施例ディスク２）について、実施例１と同様にして
記録再生特性を評価した。表１に光磁気ディスクのノイ
ズレベル、キャリアレベル及びＣ／Ｎ比を示す。
（実施例ディスク２）について、実施例１と同様にして
記録再生特性を評価した。表１に光磁気ディスクのノイ
ズレベル、キャリアレベル及びＣ／Ｎ比を示す。
【００３９】比較例２ 比較として、ＳｉＮ膜の成膜に使用するスパッタガスと
してＡｒガスを使用した例である。
してＡｒガスを使用した例である。
【００４０】ＳｉＮ膜の成膜をＡｒガスと窒素ガスを
１：１で混合した混合ガス雰囲気下で行う以外は実施例
２と同様にして３層構造の光磁気ディスク（比較例ディ
スク２）を作製した。そして、作製された光磁気ディス
クについて実施例１と同様にして、記録再生特性を評価
した。その結果も併せて表１に示す。
１：１で混合した混合ガス雰囲気下で行う以外は実施例
２と同様にして３層構造の光磁気ディスク（比較例ディ
スク２）を作製した。そして、作製された光磁気ディス
クについて実施例１と同様にして、記録再生特性を評価
した。その結果も併せて表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】表１からわかるように、実施例ディスク２
においては、比較例ディスク２に比べてノイズレベルが
低く、またキャリアレベルが高く、約５ｄＢ高いＣ／Ｎ
比を示す。したがって、このことから、誘電体層を成膜
するに際してスパッタガスとしてＸｅを使用すれば、記
録磁性層としてＣｏ／Ｐｔ人工格子膜を使用した場合、
あるいはＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜を使用した場合のい
ずれにおいても優れた記録再生特性が得られる光磁気デ
ィスクを製造できることがわかった。
においては、比較例ディスク２に比べてノイズレベルが
低く、またキャリアレベルが高く、約５ｄＢ高いＣ／Ｎ
比を示す。したがって、このことから、誘電体層を成膜
するに際してスパッタガスとしてＸｅを使用すれば、記
録磁性層としてＣｏ／Ｐｔ人工格子膜を使用した場合、
あるいはＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜を使用した場合のい
ずれにおいても優れた記録再生特性が得られる光磁気デ
ィスクを製造できることがわかった。
【００４３】さらに、上記Ｘｅガスの効果は、ＳｉＮ膜
以外の誘電体層を成膜した場合にも同様に得られ、また
記録磁性層としてＣｏ／Ｐｔ、ＴｂＦｅＣｏ以外に、Ｃ
ｏ／Ｐｔ媒体、及び種々の希土類−遷移金属膜を使用し
た場合にも有効であることが確認されている。
以外の誘電体層を成膜した場合にも同様に得られ、また
記録磁性層としてＣｏ／Ｐｔ、ＴｂＦｅＣｏ以外に、Ｃ
ｏ／Ｐｔ媒体、及び種々の希土類−遷移金属膜を使用し
た場合にも有効であることが確認されている。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の製造方法は、誘電体層を２×１０-3〜３×１０-2Ｔ
ｏｒｒなるガス分圧を有するＸｅガス雰囲気中でスパッ
タにより成膜するので、カー回転角増幅効果の大きな誘
電体層が形成され、磁気光学特性に優れた光磁気記録媒
体を製造することが可能である。
明の製造方法は、誘電体層を２×１０-3〜３×１０-2Ｔ
ｏｒｒなるガス分圧を有するＸｅガス雰囲気中でスパッ
タにより成膜するので、カー回転角増幅効果の大きな誘
電体層が形成され、磁気光学特性に優れた光磁気記録媒
体を製造することが可能である。
【００４５】したがって、本発明によれば、近年開発が
進められているＣｏ−Ｐｔ人工格子膜等を記録磁性層す
る光磁気記録媒体の性能の向上も可能となり、耐食性，
記録再生特性のいずれにおいても優れた光磁気記録媒体
を実現することが可能となる。
進められているＣｏ−Ｐｔ人工格子膜等を記録磁性層す
る光磁気記録媒体の性能の向上も可能となり、耐食性，
記録再生特性のいずれにおいても優れた光磁気記録媒体
を実現することが可能となる。
【図１】光磁気記録媒体の誘電体層の膜厚とキャリアレ
ベル，ノイズレベルおよびＣ／Ｎ比の関係を示す特性図
である。
ベル，ノイズレベルおよびＣ／Ｎ比の関係を示す特性図
である。
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に記録磁性層及び誘電体層を
成膜して光磁気記録媒体を製造するに際し、 誘電体層を２×１０-3〜３×１０-2Ｔｏｒｒなるガス分
圧を有するＸｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27861691A JPH0594647A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27861691A JPH0594647A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594647A true JPH0594647A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17599764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27861691A Withdrawn JPH0594647A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6554972B1 (en) * | 1998-06-26 | 2003-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and its manufacturing method |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP27861691A patent/JPH0594647A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6554972B1 (en) * | 1998-06-26 | 2003-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and its manufacturing method |
| US7455951B2 (en) | 1998-06-26 | 2008-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and its manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |