JPH0644624A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0644624A JPH0644624A JP21729692A JP21729692A JPH0644624A JP H0644624 A JPH0644624 A JP H0644624A JP 21729692 A JP21729692 A JP 21729692A JP 21729692 A JP21729692 A JP 21729692A JP H0644624 A JPH0644624 A JP H0644624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- reproducing
- magneto
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２層膜タイプの磁性膜を有する光磁気記録媒
体において、さらに高感度化及び高Ｃ／Ｎ化を図り、記
録の大容量化及び高速転送レート化に充分対応できるよ
うにする。 【構成】 基板１上に、干渉層２、再生層３、記録層
４、保護層５及び反射層６をその順に積層した構成とす
る。再生層３及び記録層４をそれぞれ異なる組成のＴｂ
ＤｙＦｅＣｏ非晶質合金膜により形成し、再生層３にお
けるＣｏ組成は記録層４におけるＣｏ組成より大とす
る。
体において、さらに高感度化及び高Ｃ／Ｎ化を図り、記
録の大容量化及び高速転送レート化に充分対応できるよ
うにする。 【構成】 基板１上に、干渉層２、再生層３、記録層
４、保護層５及び反射層６をその順に積層した構成とす
る。再生層３及び記録層４をそれぞれ異なる組成のＴｂ
ＤｙＦｅＣｏ非晶質合金膜により形成し、再生層３にお
けるＣｏ組成は記録層４におけるＣｏ組成より大とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光を用いて情報
の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記
録媒体に関する。
の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記
録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスク等の光磁気記録媒体はレ
ーザー光を用いて情報の記録、再生及び消去を行うため
従来からの光ディスクと同様に記憶容量が大きく、しか
も記録層に磁性体を用いているため書き換えが可能であ
る。また、非接触で記録、再生ができ、塵埃の影響もう
けないことから信頼性にも優れている。記録層に使用さ
れる材料としては希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が粒界ノイズがなくスパッタリングを用いること
によって容易に垂直磁化膜になるため現在主流となって
いる。
ーザー光を用いて情報の記録、再生及び消去を行うため
従来からの光ディスクと同様に記憶容量が大きく、しか
も記録層に磁性体を用いているため書き換えが可能であ
る。また、非接触で記録、再生ができ、塵埃の影響もう
けないことから信頼性にも優れている。記録層に使用さ
れる材料としては希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が粒界ノイズがなくスパッタリングを用いること
によって容易に垂直磁化膜になるため現在主流となって
いる。
【０００３】一方、光磁気ディスクを用いたファイルシ
ステムは今後さらに大容量化及び高速転送レート化が進
み、そのため記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角（θ
ｋ）が大きく、記録感度に影響を与えるキュリー温度
（Ｔｃ）が低くかつビットサイズ（磁区）を１μｍ以下
で安定させるための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料である
ことが要求される。しかし、すべての条件を同時に充分
満足するＲＥ−ＴＭ非晶質合金は存在しないため、性質
の異なるＲＥ−ＴＭ非晶質合金を組み合わせ多層膜構造
にする等の工夫を行っているのが現状である。
ステムは今後さらに大容量化及び高速転送レート化が進
み、そのため記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角（θ
ｋ）が大きく、記録感度に影響を与えるキュリー温度
（Ｔｃ）が低くかつビットサイズ（磁区）を１μｍ以下
で安定させるための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料である
ことが要求される。しかし、すべての条件を同時に充分
満足するＲＥ−ＴＭ非晶質合金は存在しないため、性質
の異なるＲＥ−ＴＭ非晶質合金を組み合わせ多層膜構造
にする等の工夫を行っているのが現状である。
【０００４】このような多層膜構造の磁性膜を持つ光磁
気記録媒体は交換結合型の光磁気記録媒体と呼ばれてい
る。その中で２層膜タイプの媒体では再生層と記録層と
を別々に設けており、再生層にはキュリー温度（Ｔｃ）
が高く、保磁力（Ｈｃ）が小さくかつカー回転角（θ
ｋ）が大きい材料が使用され、記録層にはキュリー温度
（Ｔｃ）が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大きな材料が使用
される。このような構成において、従来より、再生層に
はＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｂｉ置換ＹＩＧ等が使用さ
れ、記録層にはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等が使用されて
いる。
気記録媒体は交換結合型の光磁気記録媒体と呼ばれてい
る。その中で２層膜タイプの媒体では再生層と記録層と
を別々に設けており、再生層にはキュリー温度（Ｔｃ）
が高く、保磁力（Ｈｃ）が小さくかつカー回転角（θ
ｋ）が大きい材料が使用され、記録層にはキュリー温度
（Ｔｃ）が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大きな材料が使用
される。このような構成において、従来より、再生層に
はＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｂｉ置換ＹＩＧ等が使用さ
れ、記録層にはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等が使用されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の材料を用いた２層膜タイプの磁性膜によっても大容量
化及び高速転送レート化に充分対応できるものとはいえ
ず、さらに高感度化及び高Ｃ／Ｎ化された光磁気記録媒
体の実現が要望されていた。
の材料を用いた２層膜タイプの磁性膜によっても大容量
化及び高速転送レート化に充分対応できるものとはいえ
ず、さらに高感度化及び高Ｃ／Ｎ化された光磁気記録媒
体の実現が要望されていた。
【０００６】本発明は、このような従来技術の実情に鑑
みてなされたもので、より一層の高感度化及び高Ｃ／Ｎ
化を図った光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
みてなされたもので、より一層の高感度化及び高Ｃ／Ｎ
化を図った光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、基板上に少なくとも干渉
層、再生層、記録層及び保護層をその順に積層してなる
光磁気記録媒体において、再生層及び記録層がそれぞれ
下記一般式化１及び化２で表わされる非晶質合金膜から
なり、かつ再生層におけるＣｏ組成が記録層におけるＣ
ｏ組成より大きいことを特徴とする光磁気記録媒体が提
供される。
するため、本発明によれば、基板上に少なくとも干渉
層、再生層、記録層及び保護層をその順に積層してなる
光磁気記録媒体において、再生層及び記録層がそれぞれ
下記一般式化１及び化２で表わされる非晶質合金膜から
なり、かつ再生層におけるＣｏ組成が記録層におけるＣ
ｏ組成より大きいことを特徴とする光磁気記録媒体が提
供される。
【化１】 （但し、０．３≦ｘ≦０．５、０．８０≦ｙ≦０．８
５、０．１５＜ｚ≦０．１９である）
５、０．１５＜ｚ≦０．１９である）
【化２】 （但し、０．３≦ｘ≦０．５、０．８８≦ｙ≦０．９
３、０．２０＜ｚ≦０．２５である）さらに本発明によ
れば、上記において、再生層の膜厚が記録層の膜厚より
も薄く、２００Å以下であることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
３、０．２０＜ｚ≦０．２５である）さらに本発明によ
れば、上記において、再生層の膜厚が記録層の膜厚より
も薄く、２００Å以下であることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
【０００８】以下本発明の光磁気記録媒体の構成につい
て図１に沿って説明する。図１は本発明による光磁気記
録媒体の一構成例を模式的に示す断面図で、プリグルー
ブ付透明基板１上に干渉層（保護層）２、再生層３、記
録層４、保護層５及び反射層６を順次積層した構成とな
っている。
て図１に沿って説明する。図１は本発明による光磁気記
録媒体の一構成例を模式的に示す断面図で、プリグルー
ブ付透明基板１上に干渉層（保護層）２、再生層３、記
録層４、保護層５及び反射層６を順次積層した構成とな
っている。
【０００９】基板１には、ポリカーボネイト（ＰＣ）、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファス
ポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂からなる溝付き成形
基板が使用されるが、これに限定されない。基板形状は
ディスク状が好ましく、厚みは通常０．６〜１．２ｍｍ
程度である。
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファス
ポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂からなる溝付き成形
基板が使用されるが、これに限定されない。基板形状は
ディスク状が好ましく、厚みは通常０．６〜１．２ｍｍ
程度である。
【００１０】干渉層（保護層）２は基板１と再生層３及
び記録層４との間に設置される。この干渉層２には屈折
率の高い（２．０以上が好ましい）透明な材料を用い、
この層における再生光の多重反射を利用してみかけのカ
ー回転角を増大させ、それによりキャリアレベルを上
げ、Ｃ／Ｎを向上させることを目的としている。さら
に、再生層３及び記録層４に用いるＲＥ−ＴＭ非晶質合
金の選択酸化（ＲＥの酸化）による腐食を防ぐ保護層と
しての役割を備えている必要がある。従って、干渉層２
に使用される好ましい材料としては、ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ
5，Ａｌ2Ｏ3−Ｔａ2Ｏ5，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＢＯ
Ｎ等を挙げることができる。膜厚は５００〜２０００
Å、好ましくは８００〜１２００Åである。
び記録層４との間に設置される。この干渉層２には屈折
率の高い（２．０以上が好ましい）透明な材料を用い、
この層における再生光の多重反射を利用してみかけのカ
ー回転角を増大させ、それによりキャリアレベルを上
げ、Ｃ／Ｎを向上させることを目的としている。さら
に、再生層３及び記録層４に用いるＲＥ−ＴＭ非晶質合
金の選択酸化（ＲＥの酸化）による腐食を防ぐ保護層と
しての役割を備えている必要がある。従って、干渉層２
に使用される好ましい材料としては、ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ
5，Ａｌ2Ｏ3−Ｔａ2Ｏ5，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＢＯ
Ｎ等を挙げることができる。膜厚は５００〜２０００
Å、好ましくは８００〜１２００Åである。
【００１１】本発明の特徴は再生層３及び記録層４にあ
る。両層ともＴｂＤｙＦｅＣｏ非晶質合金で構成される
が、再生層３及び記録層４にそれぞれ異なる特性を持た
せるため、各元素の割合は異なっている。即ち、再生層
３及び記録層４はそれぞれ下記一般式化１及び化２で表
わされる組成となっており、しかも再生層３におけるＣ
ｏ組成は記録層４におけるＣｏ組成より大きく設定され
ている。
る。両層ともＴｂＤｙＦｅＣｏ非晶質合金で構成される
が、再生層３及び記録層４にそれぞれ異なる特性を持た
せるため、各元素の割合は異なっている。即ち、再生層
３及び記録層４はそれぞれ下記一般式化１及び化２で表
わされる組成となっており、しかも再生層３におけるＣ
ｏ組成は記録層４におけるＣｏ組成より大きく設定され
ている。
【化１】 （但し、０．３≦ｘ≦０．５、０．８０≦ｙ≦０．８
５、０．１５＜ｚ≦０．１９である）
５、０．１５＜ｚ≦０．１９である）
【化２】 （但し、０．３≦ｘ≦０．５、０．８８≦ｙ≦０．９
３、０．２０＜ｚ≦０．２５である）
３、０．２０＜ｚ≦０．２５である）
【００１２】ＴｂＤｙＦｅＣｏは現在主流のＴｂＦｅＣ
ｏに比べてより高感度であり、各元素の含有量を調整す
ることでキュリー温度（Ｔｃ）、保磁力（Ｈｃ）等を自
由にコントロールすることができる。中でもＤｙ量はキ
ュリー温度（Ｔｃ）に反映し、Ｄｙ量をＴｂ量に対して
多くするとキュリー温度（Ｔｃ）を１３０℃前後まで低
くすることが可能である。また、Ｃｏ量はカー回転角
（θｋ）に反映し、Ｃｏ量が増加するとともにカー回転
角は大きくなる。しかし、Ｃｏが多くなるとキュリー温
度（Ｔｃ）が高くなるため、感度は低下する。
ｏに比べてより高感度であり、各元素の含有量を調整す
ることでキュリー温度（Ｔｃ）、保磁力（Ｈｃ）等を自
由にコントロールすることができる。中でもＤｙ量はキ
ュリー温度（Ｔｃ）に反映し、Ｄｙ量をＴｂ量に対して
多くするとキュリー温度（Ｔｃ）を１３０℃前後まで低
くすることが可能である。また、Ｃｏ量はカー回転角
（θｋ）に反映し、Ｃｏ量が増加するとともにカー回転
角は大きくなる。しかし、Ｃｏが多くなるとキュリー温
度（Ｔｃ）が高くなるため、感度は低下する。
【００１３】一方、高感度化及び高Ｃ／Ｎ化のために
は、再生層３はカー回転角（θｋ）が０．４°以上と大
きいことが好ましく、保磁力（Ｈｃ）は１〜６ＫＯｅ
で、記録層４と同じかあるいは小さいのが好ましく、キ
ュリー温度（Ｔｃ）は２３０〜３００℃であるのが好ま
しい。また、記録層４はキュリー温度（Ｔｃ）が２００
℃以下と低く、かつ保磁力（Ｈｃ）が１０ＫＯｅ以上と
大きいことが好ましい。
は、再生層３はカー回転角（θｋ）が０．４°以上と大
きいことが好ましく、保磁力（Ｈｃ）は１〜６ＫＯｅ
で、記録層４と同じかあるいは小さいのが好ましく、キ
ュリー温度（Ｔｃ）は２３０〜３００℃であるのが好ま
しい。また、記録層４はキュリー温度（Ｔｃ）が２００
℃以下と低く、かつ保磁力（Ｈｃ）が１０ＫＯｅ以上と
大きいことが好ましい。
【００１４】これらの条件は再生層３及び記録層４のＲ
Ｅ−ＴＭ非晶質合金の組成を上記一般式化１及び化２の
ように規定することにより満足することができる。特に
再生層３において大きなカー回転角（θｋ）を得るため
には、再生層３のＣｏ組成が記録層４のＣｏ組成より大
きく、再生層３の膜厚が記録層４の膜厚より薄いことが
望ましい。再生層３の膜厚を薄くする程度は、記録層４
の１／２以下が好ましい。再生層３の膜厚が記録層４の
膜厚の１／２より大きいと、再生層３の方がキュリー温
度（Ｔｃ）が高いため記録が形成されにくく、高感度化
が妨げられる。またカー回転角（θｋ）は反射光による
効果であるため、再生層３の膜厚をあまり厚くする必要
はなく、逆に、極端に薄くすると自己反磁界で面内に磁
化が傾くことがあるので、ある程度の厚みが必要であ
る。従って、再生層３の膜厚としては５０〜２００Åが
好ましく、記録層４の膜厚としては１５０〜２５０Åが
好ましく、しかも再生層３と記録層４の比は１：２以下
であるのが好ましい。
Ｅ−ＴＭ非晶質合金の組成を上記一般式化１及び化２の
ように規定することにより満足することができる。特に
再生層３において大きなカー回転角（θｋ）を得るため
には、再生層３のＣｏ組成が記録層４のＣｏ組成より大
きく、再生層３の膜厚が記録層４の膜厚より薄いことが
望ましい。再生層３の膜厚を薄くする程度は、記録層４
の１／２以下が好ましい。再生層３の膜厚が記録層４の
膜厚の１／２より大きいと、再生層３の方がキュリー温
度（Ｔｃ）が高いため記録が形成されにくく、高感度化
が妨げられる。またカー回転角（θｋ）は反射光による
効果であるため、再生層３の膜厚をあまり厚くする必要
はなく、逆に、極端に薄くすると自己反磁界で面内に磁
化が傾くことがあるので、ある程度の厚みが必要であ
る。従って、再生層３の膜厚としては５０〜２００Åが
好ましく、記録層４の膜厚としては１５０〜２５０Åが
好ましく、しかも再生層３と記録層４の比は１：２以下
であるのが好ましい。
【００１５】保護層５は空気中からの水分により再生層
３、記録層４の腐食を防止するためと、これらを機械的
な損傷から防止するために設けられる。保護層５の材料
としては干渉層２と同様な材料を用いることができる
が、それ以外の材料も使用可能である。保護層５の膜厚
は厚すぎると記録感度の向上にも大きな影響を及ぼすた
め６００Å以下であるのが好ましい。
３、記録層４の腐食を防止するためと、これらを機械的
な損傷から防止するために設けられる。保護層５の材料
としては干渉層２と同様な材料を用いることができる
が、それ以外の材料も使用可能である。保護層５の膜厚
は厚すぎると記録感度の向上にも大きな影響を及ぼすた
め６００Å以下であるのが好ましい。
【００１６】反射膜タイプの媒体とする場合には、反射
層６を保護層５の上に設ける。この反射層６を設ける
と、基板面側から光を入射してカー回転角（θｋ）を信
号として読み出す際に、再生層３から読み出された信
号、すなわちカー回転角（θｋ）の信号と記録層４を透
過してファラデー回転した信号とが重なり、見かけ上の
回転角を大きくすることができる。反射層６の材料とし
てはＡｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ａｕ等、あるいは
これらの合金を使用することができる。また、膜厚は３
００〜１０００Åが適当である。
層６を保護層５の上に設ける。この反射層６を設ける
と、基板面側から光を入射してカー回転角（θｋ）を信
号として読み出す際に、再生層３から読み出された信
号、すなわちカー回転角（θｋ）の信号と記録層４を透
過してファラデー回転した信号とが重なり、見かけ上の
回転角を大きくすることができる。反射層６の材料とし
てはＡｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ａｕ等、あるいは
これらの合金を使用することができる。また、膜厚は３
００〜１０００Åが適当である。
【００１７】干渉層２、再生層３、記録層４、保護層
５、反射層６を形成する手段としては、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣ
ＶＤのような化学蒸着法が用いられる。
５、反射層６を形成する手段としては、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣ
ＶＤのような化学蒸着法が用いられる。
【００１８】また、層構成は図１に示した以外に、反射
層６を設けないもの、反射層６の上に５〜１０μｍ厚の
有機保護膜（カバー層）を設けたもの、一対の媒体を接
着剤で貼り合わせたもの等、適宜の構成とすることがで
きる。
層６を設けないもの、反射層６の上に５〜１０μｍ厚の
有機保護膜（カバー層）を設けたもの、一対の媒体を接
着剤で貼り合わせたもの等、適宜の構成とすることがで
きる。
【００１９】
【実施例】以下本発明の実施例を述べるが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
【００２０】実施例１〜５ 直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付きポ
リカーボネート基板をスパッタ装置の真空槽内に設置
し、圧力が５×１０-7torr以下になるまで真空排気し
た。次いで、真空槽内にＡｒとＮ2の混合ガスを導入
し、圧力を３×１０-3torrに調整し、Ｓｉターゲットに
よりパワー２ｋＷのｒｆマグネトロンスパッタ装置によ
り、基板上に干渉層としてＳｉＮ膜を１１００Å厚に形
成し、次いで表１に示す組成のＴｂＤｙＦｅＣｏ合金タ
ーゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ法により再
生層及び記録層を順に表１に示す厚さに形成した。そし
て、その上に、干渉層形成と同様な方法で、保護層とし
てＳｉＮ膜を３００Å厚に形成した後、さらにその上
に、ＡｌＴｉ（Ｔｉ：１ａｔｍ％）合金ターゲットを使
用してＤＣマグネトロンスパッタ法により反射層を４５
０Å厚に形成した。最後に、反射層上に有機保護膜（商
品名：ＳＤ３０１；大日本インキ社製）を４μｍ厚に形
成し、本発明による光磁気記録媒体とした。
リカーボネート基板をスパッタ装置の真空槽内に設置
し、圧力が５×１０-7torr以下になるまで真空排気し
た。次いで、真空槽内にＡｒとＮ2の混合ガスを導入
し、圧力を３×１０-3torrに調整し、Ｓｉターゲットに
よりパワー２ｋＷのｒｆマグネトロンスパッタ装置によ
り、基板上に干渉層としてＳｉＮ膜を１１００Å厚に形
成し、次いで表１に示す組成のＴｂＤｙＦｅＣｏ合金タ
ーゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ法により再
生層及び記録層を順に表１に示す厚さに形成した。そし
て、その上に、干渉層形成と同様な方法で、保護層とし
てＳｉＮ膜を３００Å厚に形成した後、さらにその上
に、ＡｌＴｉ（Ｔｉ：１ａｔｍ％）合金ターゲットを使
用してＤＣマグネトロンスパッタ法により反射層を４５
０Å厚に形成した。最後に、反射層上に有機保護膜（商
品名：ＳＤ３０１；大日本インキ社製）を４μｍ厚に形
成し、本発明による光磁気記録媒体とした。
【００２１】比較例１、２ 上記実施例において、再生層を設けずかつ記録層組成及
び膜厚を表１に示したものとしたこと以外は同様にし
て、光磁気記録媒体を作製し、比較例とした。
び膜厚を表１に示したものとしたこと以外は同様にし
て、光磁気記録媒体を作製し、比較例とした。
【００２２】上記実施例及び比較例で作製した光磁気記
録媒体における再生層及び記録層の膜厚、組成、保磁力
（Ｈｃ）、キュリー温度（Ｔｃ）、カー回転角（θｋ）
を表１に示す。
録媒体における再生層及び記録層の膜厚、組成、保磁力
（Ｈｃ）、キュリー温度（Ｔｃ）、カー回転角（θｋ）
を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】上記実施例及び比較例の光磁気記録媒体の
Ｃ／Ｎと記録感度について以下の記録・再生条件で評価
した。その結果を表１に併せて示す。 （記録・再生条件） ・記録半径 ３０ｍｍ ・記録周波数 ６．１ＭＨｚ（パルス幅３６
ｎｓｅｃ） ・ディスク回転数 ３０００ｒｐｍ ・記録／消去磁界 −２００Ｏｅ／２５０Ｏｅ ・レーザー波長 ７８０ｎｍ ・記録レーザーパワー ３〜１２ｍＷ ・再生レーザパワー １．５ｍＷ
Ｃ／Ｎと記録感度について以下の記録・再生条件で評価
した。その結果を表１に併せて示す。 （記録・再生条件） ・記録半径 ３０ｍｍ ・記録周波数 ６．１ＭＨｚ（パルス幅３６
ｎｓｅｃ） ・ディスク回転数 ３０００ｒｐｍ ・記録／消去磁界 −２００Ｏｅ／２５０Ｏｅ ・レーザー波長 ７８０ｎｍ ・記録レーザーパワー ３〜１２ｍＷ ・再生レーザパワー １．５ｍＷ
【００２５】表１から、実施例の媒体は比較例の媒体に
比べ、大きいカー回転角（θｋ）が得られるとともに、
高Ｃ／Ｎ及び高感度が図れることが確認された。
比べ、大きいカー回転角（θｋ）が得られるとともに、
高Ｃ／Ｎ及び高感度が図れることが確認された。
【発明の効果】本発明によれば、干渉層及び再生層を設
けた２層膜タイプの光磁気記録媒体において、再生層及
び記録層に特定組成でかつ再生層におけるＣｏ組成が記
録層におけるＣｏ組成より大きい非晶質合金を用いたの
で、より一層の高感度化及び高感度化を図ることがで
き、ファイルの大容量化及び高速転送レート化に充分対
応しうる光磁気記録媒体の提供が可能となる。
けた２層膜タイプの光磁気記録媒体において、再生層及
び記録層に特定組成でかつ再生層におけるＣｏ組成が記
録層におけるＣｏ組成より大きい非晶質合金を用いたの
で、より一層の高感度化及び高感度化を図ることがで
き、ファイルの大容量化及び高速転送レート化に充分対
応しうる光磁気記録媒体の提供が可能となる。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一構成例を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
１ 基板 ２ 干渉層（保護層） ３ 再生層 ４ 記録層 ５ 保護層 ６ 反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも干渉層、再生層、記
録層及び保護層をその順に積層してなる光磁気記録媒体
において、再生層及び記録層がそれぞれ下記一般式化１
及び化２で表わされる非晶質合金膜からなり、かつ再生
層におけるＣｏ組成が記録層におけるＣｏ組成より大き
いことを特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】 （但し、０．３≦ｘ≦０．５、０．８０≦ｙ≦０．８
５、０．１５＜ｚ≦０．１９である） 【化２】 （但し、０．３≦ｘ≦０．５、０．８８≦ｙ≦０．９
３、０．２０＜ｚ≦０．２５である） - 【請求項２】 再生層の膜厚が記録層の膜厚よりも薄
く、２００Å以下であることを特徴とする請求項１に記
載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21729692A JPH0644624A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21729692A JPH0644624A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644624A true JPH0644624A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16701919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21729692A Pending JPH0644624A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201089A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-08-04 | Lg Electron Inc | 光磁気ディスク及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP21729692A patent/JPH0644624A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201089A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-08-04 | Lg Electron Inc | 光磁気ディスク及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5862105A (en) | Information recording method capable of verifying recorded information simultaneously with recording, and magneto-optical recording medium used in the method | |
| JP3078145B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH08106660A (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 | |
| US5663935A (en) | Magneto-optical recording medium having two magnetic layers of exchange-coupled at ferromagnetic phase | |
| JPH06124500A (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体の再生方法 | |
| JP3297513B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 | |
| JPH0644624A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3882483B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH0350344B2 (ja) | ||
| JPH0350343B2 (ja) | ||
| JP2932687B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0528555A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3101462B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 | |
| JPH0660452A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3355759B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| KR100209584B1 (ko) | 광자기 디스크 | |
| JP2775853B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07254176A (ja) | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報再生方法 | |
| JPH08147782A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0512733A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0554452A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0785512A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08315436A (ja) | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 | |
| JPH03154241A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0478039A (ja) | 光磁気記録媒体 |