JPH0595014A - 封止体形成方法 - Google Patents
封止体形成方法Info
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- JPH0595014A JPH0595014A JP25532591A JP25532591A JPH0595014A JP H0595014 A JPH0595014 A JP H0595014A JP 25532591 A JP25532591 A JP 25532591A JP 25532591 A JP25532591 A JP 25532591A JP H0595014 A JPH0595014 A JP H0595014A
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- resin film
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】封止体形成方法において、封止体で封止される
半導体装置の歩留りを向上する。 【構成】リ−ド２で半導体ペレット３が固着された樹脂
フィルム１を、キャビティ４を構成する上型５及び下型
６の夫々で保持し、前記キャビディ４内に樹脂１０を注
入して前記樹脂フィルム１の一部及び半導体ペレット３
を封止する封止体１０を形成する封止体形成方法におい
て、樹脂１０の圧力に対応して可動する支えピン８で前
記半導体ペレット３の下面を支持する。 【効果】樹脂１０の圧力が半導体ペレット３及び樹脂フ
ィルム１にかかっても、半導体ペレット３は支えピン８
で支持されているので、樹脂フィルム１の変形を防止で
きる。
半導体装置の歩留りを向上する。 【構成】リ−ド２で半導体ペレット３が固着された樹脂
フィルム１を、キャビティ４を構成する上型５及び下型
６の夫々で保持し、前記キャビディ４内に樹脂１０を注
入して前記樹脂フィルム１の一部及び半導体ペレット３
を封止する封止体１０を形成する封止体形成方法におい
て、樹脂１０の圧力に対応して可動する支えピン８で前
記半導体ペレット３の下面を支持する。 【効果】樹脂１０の圧力が半導体ペレット３及び樹脂フ
ィルム１にかかっても、半導体ペレット３は支えピン８
で支持されているので、樹脂フィルム１の変形を防止で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、封止体形成方法に関
し、特に、上型及び下型で構成されるキャビティ内に樹
脂を注入して、半導体装置を封止する封止体を形成する
封止体形成方法に適用して有効な技術に関するものであ
る。
し、特に、上型及び下型で構成されるキャビティ内に樹
脂を注入して、半導体装置を封止する封止体を形成する
封止体形成方法に適用して有効な技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】機器の小型化、薄肉化から、半導体装置
の薄型化、面実装型化の要求が高まっている。ＴＣＰ
（Ｔape Ｃarrier Ｐackage）構造またはＴＡＢ（Ｔa
pe Ａutomated Ｂonding）構造を採用する半導体装置
は、薄型化、多ピン化に適したパッケ−ジである。この
種の半導体装置では、ポリイミド等の樹脂フィルム上に
銅箔でリードを形成し、このリードと半導体ペレットの
外部端子の間を半田バンプ電極で接続している。前記半
導体ペレットは、液状樹脂のポッティングで封止され
る。
の薄型化、面実装型化の要求が高まっている。ＴＣＰ
（Ｔape Ｃarrier Ｐackage）構造またはＴＡＢ（Ｔa
pe Ａutomated Ｂonding）構造を採用する半導体装置
は、薄型化、多ピン化に適したパッケ−ジである。この
種の半導体装置では、ポリイミド等の樹脂フィルム上に
銅箔でリードを形成し、このリードと半導体ペレットの
外部端子の間を半田バンプ電極で接続している。前記半
導体ペレットは、液状樹脂のポッティングで封止され
る。
【０００３】しかし、このようにポッティングで半導体
ペレットを封止した場合には、半導体装置の信頼性、特
に、耐湿性が劣化するという問題がある。また、多ピン
ゲートアレイの場合には、半導体ペレットの寸法が大き
いため、ポッティング樹脂の応力によって、樹脂フィル
ムが反ってしまう。この結果、半導体装置全体の平坦度
が劣化し、半導体装置の歩留りが低下するという問題が
ある。
ペレットを封止した場合には、半導体装置の信頼性、特
に、耐湿性が劣化するという問題がある。また、多ピン
ゲートアレイの場合には、半導体ペレットの寸法が大き
いため、ポッティング樹脂の応力によって、樹脂フィル
ムが反ってしまう。この結果、半導体装置全体の平坦度
が劣化し、半導体装置の歩留りが低下するという問題が
ある。
【０００４】そこで、前記半導体装置を、モールド樹脂
で封止する方法が提案されている。この場合には、半導
体ペレットが固着された樹脂フィルムを、キャビティを
構成する上型及び下型の夫々で挾み、キャビティ内に樹
脂を注入、硬化することにより、封止体が形成される。
この封止体は、半導体ペレット及び樹脂フィルムの一部
を封止する。
で封止する方法が提案されている。この場合には、半導
体ペレットが固着された樹脂フィルムを、キャビティを
構成する上型及び下型の夫々で挾み、キャビティ内に樹
脂を注入、硬化することにより、封止体が形成される。
この封止体は、半導体ペレット及び樹脂フィルムの一部
を封止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前記従来技術を検討した結果、以下のような問題
点を見出した。
者は、前記従来技術を検討した結果、以下のような問題
点を見出した。
【０００６】前記多ピンゲ−トアレイをモールド樹脂で
封止する際に、流動中の樹脂圧力により、樹脂フィルム
が変形するという問題があった。この問題を解決するた
めには、例えば、樹脂の粘度を下げる、注入速度を下げ
る、樹脂フィルムの強度を上げる等の方法がある。しか
し、これらの方法を用いても、やはり、樹脂フィルムの
変形が発生し、半導体装置の歩留りが低下するという問
題があった。
封止する際に、流動中の樹脂圧力により、樹脂フィルム
が変形するという問題があった。この問題を解決するた
めには、例えば、樹脂の粘度を下げる、注入速度を下げ
る、樹脂フィルムの強度を上げる等の方法がある。しか
し、これらの方法を用いても、やはり、樹脂フィルムの
変形が発生し、半導体装置の歩留りが低下するという問
題があった。
【０００７】本発明の目的は、封止体形成方法におい
て、封止体で封止される半導体装置の歩留りを向上する
ことが可能な技術を提供することにある。
て、封止体で封止される半導体装置の歩留りを向上する
ことが可能な技術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記並びにその他の特徴は、本明
細書の記述及び添加図面により明らかになるであろう。
細書の記述及び添加図面により明らかになるであろう。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】本願において開示される発明のうち代表的
なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
【００１２】（１）キャビティを構成する上型及び下型
の夫々で、半導体ペレットが固着された樹脂フィルムま
たはリードフレームを保持し、前記キャビティ内に樹脂
を注入して、前記半導体ペレット及び樹脂フィルムまた
はリードフレームの一部を封止する封止体を形成する封
止体形成方法において、前記上型または下型からキャビ
ティ内に突出する支えピンで前記半導体ペレットを支持
した状態でキャビティ内に樹脂を注入する工程と、前記
キャビティ内の樹脂の圧力増大に対応して、前記支えピ
ンをキャビティ外に向けて動作させると共に、この支え
ピンの動作によって形成される空間に樹脂を注入する工
程とを備える。
の夫々で、半導体ペレットが固着された樹脂フィルムま
たはリードフレームを保持し、前記キャビティ内に樹脂
を注入して、前記半導体ペレット及び樹脂フィルムまた
はリードフレームの一部を封止する封止体を形成する封
止体形成方法において、前記上型または下型からキャビ
ティ内に突出する支えピンで前記半導体ペレットを支持
した状態でキャビティ内に樹脂を注入する工程と、前記
キャビティ内の樹脂の圧力増大に対応して、前記支えピ
ンをキャビティ外に向けて動作させると共に、この支え
ピンの動作によって形成される空間に樹脂を注入する工
程とを備える。
【００１３】（２）前記支えピンの半導体ペレットを支
持する側を、凸状にする。
持する側を、凸状にする。
【００１４】
【作用】前述した手段（１）によれば、樹脂注入時に、
半導体ペレット及び樹脂フィルムまたはリードフレーム
に樹脂の圧力がかかっても、前記半導体ペレットが支え
ピンで支持されているので、樹脂フィルムまたはリード
フレームの変形は低減される。また、支えピンをキャビ
ティ外に移動させると共に、この支えピンの移動により
生じた空間に樹脂を注入したことにより、支えピンが移
動しても、半導体ペレットの位置は保持できる。これら
により、封止体で封止される半導体装置の歩留りを向上
できる。
半導体ペレット及び樹脂フィルムまたはリードフレーム
に樹脂の圧力がかかっても、前記半導体ペレットが支え
ピンで支持されているので、樹脂フィルムまたはリード
フレームの変形は低減される。また、支えピンをキャビ
ティ外に移動させると共に、この支えピンの移動により
生じた空間に樹脂を注入したことにより、支えピンが移
動しても、半導体ペレットの位置は保持できる。これら
により、封止体で封止される半導体装置の歩留りを向上
できる。
【００１５】前述した手段（２）によれば、支えピンの
凸状部分の突出する部分が半導体ペレットを支持すると
共に、凸状部分の段差部分が樹脂の圧力をうけることが
できる。
凸状部分の突出する部分が半導体ペレットを支持すると
共に、凸状部分の段差部分が樹脂の圧力をうけることが
できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１７】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。
【００１８】本発明の一実施例の封止体形成方法に使用
される金型の構造を、図１（要部断面図）及び図２（要
部平面図）を用いて説明する。なお、図２では、下型の
み示す。
される金型の構造を、図１（要部断面図）及び図２（要
部平面図）を用いて説明する。なお、図２では、下型の
み示す。
【００１９】図１に示すように、樹脂フィルム１は、上
型５及び下型６の夫々で保持されている。前記樹脂フィ
ルム１は、例えば、ポリイミド系の樹脂で構成されてい
る。この樹脂フィルム１上には、銅箔で構成されるリー
ド２が形成されている。このリード２は、図示しない半
田バンプ電極を介して、半導体ペレット３の図示しない
外部端子と電気的に接続されている。このリード２によ
り、前記半導体ペレット３は、樹脂フィルム１に固着さ
れている。前記上型５及び下型６の夫々は、キャビティ
４を構成している。このキャビティ４内に樹脂１０を注
入することにより、前記半導体ペレット３及び前記樹脂
フィルム１の一部を封止する封止体１０が形成される。
前記樹脂１０は、同図１及び図２に示すように、ランナ
１５から、サブゲート１４、第１ゲート１６、樹脂溜り
１７、ゲート７の夫々を介して、キャビティ４内に注入
される。同一のランナ１５からは、複数のキャビティ４
内に樹脂１０が注入される。なお、同図２では、他のキ
ャビティ４を点で示す。
型５及び下型６の夫々で保持されている。前記樹脂フィ
ルム１は、例えば、ポリイミド系の樹脂で構成されてい
る。この樹脂フィルム１上には、銅箔で構成されるリー
ド２が形成されている。このリード２は、図示しない半
田バンプ電極を介して、半導体ペレット３の図示しない
外部端子と電気的に接続されている。このリード２によ
り、前記半導体ペレット３は、樹脂フィルム１に固着さ
れている。前記上型５及び下型６の夫々は、キャビティ
４を構成している。このキャビティ４内に樹脂１０を注
入することにより、前記半導体ペレット３及び前記樹脂
フィルム１の一部を封止する封止体１０が形成される。
前記樹脂１０は、同図１及び図２に示すように、ランナ
１５から、サブゲート１４、第１ゲート１６、樹脂溜り
１７、ゲート７の夫々を介して、キャビティ４内に注入
される。同一のランナ１５からは、複数のキャビティ４
内に樹脂１０が注入される。なお、同図２では、他のキ
ャビティ４を点で示す。
【００２０】また、前記キャビティ４には、フローキャ
ビティゲート１１及びフローキャビティ１２が接続され
ている。前記フローキャビティ１２には、キャビティ４
から流出した樹脂１０が注入される。このフローキャビ
ティ１２内に樹脂１０を充填することにより、樹脂封止
工程は終了する。
ビティゲート１１及びフローキャビティ１２が接続され
ている。前記フローキャビティ１２には、キャビティ４
から流出した樹脂１０が注入される。このフローキャビ
ティ１２内に樹脂１０を充填することにより、樹脂封止
工程は終了する。
【００２１】前記下型６には、可動支えピン８が設けら
れている。この可動支えピン８は、ばね９によりその下
部が保持されている。この可動支えピン８は、図３（前
記図１の要部を拡大して示す要部断面図）及び図４（可
動支えピンの斜視図）に示すように、その上部が凸状に
構成されている。この可動支えピン８の凸部の突出部分
Ａにより、前記半導体ペレット３の下面が保持される。
また、この可動支えピン８の凸部の段差部Ｂにより、キ
ャビティ４内の樹脂１０の圧力をうけることができる。
つまり、前記突出部Ａで半導体ペレット３を支持した状
態で、樹脂１０の圧力増大を段差部Ｂで受けることがで
きる。
れている。この可動支えピン８は、ばね９によりその下
部が保持されている。この可動支えピン８は、図３（前
記図１の要部を拡大して示す要部断面図）及び図４（可
動支えピンの斜視図）に示すように、その上部が凸状に
構成されている。この可動支えピン８の凸部の突出部分
Ａにより、前記半導体ペレット３の下面が保持される。
また、この可動支えピン８の凸部の段差部Ｂにより、キ
ャビティ４内の樹脂１０の圧力をうけることができる。
つまり、前記突出部Ａで半導体ペレット３を支持した状
態で、樹脂１０の圧力増大を段差部Ｂで受けることがで
きる。
【００２２】次に、前記金型を用いた封止体形成方法を
説明する。
説明する。
【００２３】まず、前記上型５及び下型６の夫々で半導
体ペレット３が固着された樹脂フィルム１を保持する。
この工程では、半導体ペレット３の下面は、前記可動支
えピン８により保持されている。この状態で、前記図１
及び図２に示すように、キャビティ４内に樹脂１０を注
入していく。この際、半導体ペレット３の上面側は支持
されていないので、キャビティ４内において、上型５側
の樹脂１０の注入量を、下型６側の樹脂１０の注入量よ
り多くしておく必要がある。この樹脂１０のキャビティ
４内における上型５側、下型６側の夫々の注入量は、ゲ
ート７の形状により適正に設定できる。この構成によれ
ば、半導体ペレット３及び樹脂フィルム１には、上型５
側から樹脂１０の圧力がかかるが、半導体ペレット３の
下面は前記可動支えピン８により支持されているので、
半導体ペレット３の位置は保持され、樹脂フィルム１の
変形を防止できる。
体ペレット３が固着された樹脂フィルム１を保持する。
この工程では、半導体ペレット３の下面は、前記可動支
えピン８により保持されている。この状態で、前記図１
及び図２に示すように、キャビティ４内に樹脂１０を注
入していく。この際、半導体ペレット３の上面側は支持
されていないので、キャビティ４内において、上型５側
の樹脂１０の注入量を、下型６側の樹脂１０の注入量よ
り多くしておく必要がある。この樹脂１０のキャビティ
４内における上型５側、下型６側の夫々の注入量は、ゲ
ート７の形状により適正に設定できる。この構成によれ
ば、半導体ペレット３及び樹脂フィルム１には、上型５
側から樹脂１０の圧力がかかるが、半導体ペレット３の
下面は前記可動支えピン８により支持されているので、
半導体ペレット３の位置は保持され、樹脂フィルム１の
変形を防止できる。
【００２４】この後、更に、樹脂１０を注入していく
と、図５（前記図１に示す領域を工程の一部で示す要部
断面図）及び図６（前記図２に示す領域を工程の一部で
示す要部平面図）に示すように、キャビティ４内及びフ
ローキャビティゲート１１内が、樹脂で充填される。こ
のように、キャビティ４内及びフローキャビティゲート
１１内が樹脂１０で充填されるまで、キャビティ４内の
樹脂１０の圧力は余り増大せず、前記可動支えピン８に
より半導体ペレット３の下面は支持される。従って、樹
脂１０の注入による樹脂フィルム１の変形は防止される
ので、封止体１０で封止される半導体装置の歩留りを向
上できる。
と、図５（前記図１に示す領域を工程の一部で示す要部
断面図）及び図６（前記図２に示す領域を工程の一部で
示す要部平面図）に示すように、キャビティ４内及びフ
ローキャビティゲート１１内が、樹脂で充填される。こ
のように、キャビティ４内及びフローキャビティゲート
１１内が樹脂１０で充填されるまで、キャビティ４内の
樹脂１０の圧力は余り増大せず、前記可動支えピン８に
より半導体ペレット３の下面は支持される。従って、樹
脂１０の注入による樹脂フィルム１の変形は防止される
ので、封止体１０で封止される半導体装置の歩留りを向
上できる。
【００２５】フローキャビティゲート１１を樹脂１０が
通過する際には、キャビティ４内の樹脂１０の圧力が増
大する。従って、更に、樹脂１０をキャビティ４内に注
入していくと、キャビティ４内の樹脂１０の圧力の増大
に連動して、図７（前記図１に示す領域を工程の一部で
示す要部断面図）に示すように、前記可動支えピン８が
キャビティ４外に移動し始める。この際、半導体ペレッ
ト３の下面と可動支えピン８との間に空間が生じるが、
前記半導体ペレット３の上面には樹脂１０が充填されて
いるので、この可動支えピン８が移動しても半導体ペレ
ット３の位置は保持される。更に、この可動支えピン８
が移動して生じた空間には、順次、樹脂１０が充填され
るので、半導体ペレット３の位置は保持される。この可
動支えピン８の下降開始時点と樹脂１０の圧力とは、ば
ね９のばね定数を適正に選択することにより、種々設定
可能である。
通過する際には、キャビティ４内の樹脂１０の圧力が増
大する。従って、更に、樹脂１０をキャビティ４内に注
入していくと、キャビティ４内の樹脂１０の圧力の増大
に連動して、図７（前記図１に示す領域を工程の一部で
示す要部断面図）に示すように、前記可動支えピン８が
キャビティ４外に移動し始める。この際、半導体ペレッ
ト３の下面と可動支えピン８との間に空間が生じるが、
前記半導体ペレット３の上面には樹脂１０が充填されて
いるので、この可動支えピン８が移動しても半導体ペレ
ット３の位置は保持される。更に、この可動支えピン８
が移動して生じた空間には、順次、樹脂１０が充填され
るので、半導体ペレット３の位置は保持される。この可
動支えピン８の下降開始時点と樹脂１０の圧力とは、ば
ね９のばね定数を適正に選択することにより、種々設定
可能である。
【００２６】更に、樹脂１０をキャビティ４内に注入し
ていくと、可動支えピン８が下降していくと共に、この
可動支えピンの下降によって生じた空間に、樹脂１０が
充填されていき、図８（前記図１に示す領域を製造工程
の一部で示す要部断面図）に示すように、可動支えピン
８が下端まで移動すると共に、キャビティ４内が完全に
樹脂で充填される。
ていくと、可動支えピン８が下降していくと共に、この
可動支えピンの下降によって生じた空間に、樹脂１０が
充填されていき、図８（前記図１に示す領域を製造工程
の一部で示す要部断面図）に示すように、可動支えピン
８が下端まで移動すると共に、キャビティ４内が完全に
樹脂で充填される。
【００２７】この後、図９（前記図１に示す領域を工程
の一部で示す要部断面図）及び図１０（前記図２に示す
領域を工程の一部で示す要部断面図）に示すように、フ
ローキャビティ１２内まで樹脂１０を充填することによ
り、封止体形成工程は終了する。
の一部で示す要部断面図）及び図１０（前記図２に示す
領域を工程の一部で示す要部断面図）に示すように、フ
ローキャビティ１２内まで樹脂１０を充填することによ
り、封止体形成工程は終了する。
【００２８】以上、説明したように、本実施例の封止体
形成方法によれば、下型６からキャビティ４内に突出す
る可動支えピン８で前記半導体ペレット３の下面を支持
した状態でキャビティ４内に樹脂１０を注入しているの
で、樹脂１０の圧力による樹脂フィルム１の変形を防止
できる。また、前記キャビティ４内の樹脂の圧力増大に
対応して、前記支えピン８をキャビティ４外に向けて動
作させると共に、この支えピン８の動作によって形成さ
れる空間に樹脂１０を注入しているので、可動ピン８が
降下しても、半導体ペレット３の位置は、半導体ペレッ
ト３の上型５側に注入された樹脂１０により保持され、
樹脂フィルム３の変形は防止される。これらにより、封
止体１０で封止される半導体装置の歩留りを向上でき
る。
形成方法によれば、下型６からキャビティ４内に突出す
る可動支えピン８で前記半導体ペレット３の下面を支持
した状態でキャビティ４内に樹脂１０を注入しているの
で、樹脂１０の圧力による樹脂フィルム１の変形を防止
できる。また、前記キャビティ４内の樹脂の圧力増大に
対応して、前記支えピン８をキャビティ４外に向けて動
作させると共に、この支えピン８の動作によって形成さ
れる空間に樹脂１０を注入しているので、可動ピン８が
降下しても、半導体ペレット３の位置は、半導体ペレッ
ト３の上型５側に注入された樹脂１０により保持され、
樹脂フィルム３の変形は防止される。これらにより、封
止体１０で封止される半導体装置の歩留りを向上でき
る。
【００２９】また、可動支えピン８の半導体ペレットを
支持する側を、凸状にしたことにより、突出する部分Ａ
が半導体ペレット３を支持すると共に、凸状部分の段差
部分Ｂが樹脂１０の圧力をうけることができる。
支持する側を、凸状にしたことにより、突出する部分Ａ
が半導体ペレット３を支持すると共に、凸状部分の段差
部分Ｂが樹脂１０の圧力をうけることができる。
【００３０】また、前記ランナ１５には複数のキャビテ
ィ４が接続されているが、これらのキャビティ４の位置
により、樹脂１０の注入量には差が生じる。このため、
可動ピン８をキャビティ４毎に単独に移動させる必要が
ある。本実施例の構成によれば、夫々のキャビティ４毎
に単独に支えピン８を移動させることができる。
ィ４が接続されているが、これらのキャビティ４の位置
により、樹脂１０の注入量には差が生じる。このため、
可動ピン８をキャビティ４毎に単独に移動させる必要が
ある。本実施例の構成によれば、夫々のキャビティ４毎
に単独に支えピン８を移動させることができる。
【００３１】以上、本発明を実施例にもとづき具体的に
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは言うまでもない。
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは言うまでもない。
【００３２】例えば、前記実施例では、いわゆるＴＡＢ
構造を採用する半導体装置の封止体形成方法を示した
が、本発明は、リードフレームに半導体ペレットを固着
した樹脂封止型半導体装置の封止体形成方法に適用する
ことができる。
構造を採用する半導体装置の封止体形成方法を示した
が、本発明は、リードフレームに半導体ペレットを固着
した樹脂封止型半導体装置の封止体形成方法に適用する
ことができる。
【００３３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３４】封止体形成方法において、封止体で封止さ
れる半導体装置の歩留りを向上できる。
れる半導体装置の歩留りを向上できる。
【図１】 本発明の実施例の封止体形成方法に使用され
る金型の要部を示す要部断面図
る金型の要部を示す要部断面図
【図２】 前記金型のうち下型の要部平面図
【図３】 前記図１の要部を拡大して示す要部断面図
【図４】 可動支えピンの斜視図
【図５】 前記図１に示す領域を工程の一部で示す要部
断面図
断面図
【図６】 前記図２に示す領域を工程の一部で示す要部
平面図
平面図
【図７】 前記図１に示す領域を工程の一部で示す要部
断面図
断面図
【図８】 前記図１に示す領域を工程の一部で示す要部
断面図
断面図
【図９】 前記図１に示す領域を工程の一部で示す要部
断面図
断面図
【図１０】 前記図２に示す領域を工程の一部で示す要
部断面図
部断面図
１‥‥樹脂フィルム、２‥‥リ−ド、３‥‥半導体ペレ
ット、４‥‥キャビティ、５‥‥上型、６‥‥下型、７
‥‥ゲート、８‥‥可動支えピン、９‥‥ばね、１０‥
‥樹脂、１１…フローキャビティゲート、１２…フロー
キャビティ
ット、４‥‥キャビティ、５‥‥上型、６‥‥下型、７
‥‥ゲート、８‥‥可動支えピン、９‥‥ばね、１０‥
‥樹脂、１１…フローキャビティゲート、１２…フロー
キャビティ
Claims (2)
- 【請求項１】 キャビティを構成する上型及び下型の夫
々で、半導体ペレットが固着された樹脂フィルム又はリ
ードフレームを保持し、前記キャビティ内に樹脂を注入
して、前記半導体ペレット及び樹脂フィルム又はリード
フレームの一部を封止する封止体を形成する封止体形成
方法において、前記上型又は下型からキャビティ内に突
出する支えピンで前記半導体ペレットを支持した状態で
キャビティ内に樹脂を注入する工程と、前記キャビティ
内の樹脂の圧力増大に対応して、前記支えピンをキャビ
ティ外に向けて動作させると共に、該支えピンの動作に
よって形成される空間に樹脂を注入する工程とを備えた
ことを特徴とする封止体形成方法。 - 【請求項２】 前記支えピンの半導体ペレットを支持す
る側を、凸状にしたことを特徴とする前記請求項１に記
載の封止体形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25532591A JPH0595014A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 封止体形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25532591A JPH0595014A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 封止体形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595014A true JPH0595014A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17277217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25532591A Pending JPH0595014A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 封止体形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595014A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002067087A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-05 | Honda Motor Co Ltd | 射出成形樹脂型用ゲート構造 |
| JP2010046880A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Alps Electric Co Ltd | 筐体の製造方法及び検出装置 |
| WO2016006650A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、それに使用される射出成形用金型、成形装置 |
| US11164812B2 (en) | 2019-04-26 | 2021-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25532591A patent/JPH0595014A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002067087A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-05 | Honda Motor Co Ltd | 射出成形樹脂型用ゲート構造 |
| JP2010046880A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Alps Electric Co Ltd | 筐体の製造方法及び検出装置 |
| WO2016006650A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、それに使用される射出成形用金型、成形装置 |
| US11164812B2 (en) | 2019-04-26 | 2021-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
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