JPH0595036A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0595036A JPH0595036A JP25376191A JP25376191A JPH0595036A JP H0595036 A JPH0595036 A JP H0595036A JP 25376191 A JP25376191 A JP 25376191A JP 25376191 A JP25376191 A JP 25376191A JP H0595036 A JPH0595036 A JP H0595036A
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- semiconductor device
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- semiconductor
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の外周部に発生するクラックを電気
的に検出する。 【構成】半導体装置の外周部に拡散領域４を構成し、半
導体基板７と拡散領域４とでダイオードを形成する。拡
散領域４には金属配線を接続しパッド電極に接続してい
る。基板７は電源のパッド電極に接続している。 【効果】従来官能検査のみであったクラックの検査が電
気的に測定可能となり、検査検出力の向上、検査時間の
短縮ができる。
的に検出する。 【構成】半導体装置の外周部に拡散領域４を構成し、半
導体基板７と拡散領域４とでダイオードを形成する。拡
散領域４には金属配線を接続しパッド電極に接続してい
る。基板７は電源のパッド電極に接続している。 【効果】従来官能検査のみであったクラックの検査が電
気的に測定可能となり、検査検出力の向上、検査時間の
短縮ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の外周部の
構造に関する。
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置はトランジスター類の
内部素子が中央に集積され、外周部にはパッド電極設け
られていた。図２に従来の半導体装置の概略図を示す。
１は半導体装置であり、２はパッド電極であり、３はト
ランジスター類の内部素子の領域であり、７は半導体基
板である。
内部素子が中央に集積され、外周部にはパッド電極設け
られていた。図２に従来の半導体装置の概略図を示す。
１は半導体装置であり、２はパッド電極であり、３はト
ランジスター類の内部素子の領域であり、７は半導体基
板である。
【０００３】一般に半導体装置の製造にはウェーハが使
われ、ウェーハ上にはいくつもの同一パターンの半導体
装置がパターンニングされる。その後、個々の半導体装
置はダイシングソーを用いて切断される。
われ、ウェーハ上にはいくつもの同一パターンの半導体
装置がパターンニングされる。その後、個々の半導体装
置はダイシングソーを用いて切断される。
【０００４】そして、この切断時には、半導体装置の切
断端面にクラックのはいる場合がある。これは機械的に
切断しているためであり、現在のところ避けられない問
題である。
断端面にクラックのはいる場合がある。これは機械的に
切断しているためであり、現在のところ避けられない問
題である。
【０００５】ここで発生したクラックのうち、大きいも
のはトランジスター類の内部素子あるいはパッド電極に
達して半導体装置は電気的に不良品となるため、テスタ
ー測定において不良として容易に取り除かれる。
のはトランジスター類の内部素子あるいはパッド電極に
達して半導体装置は電気的に不良品となるため、テスタ
ー測定において不良として容易に取り除かれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、クラックが小
さくパッドや内部素子まで達していない場合には、半導
体装置は電気的には正常に動作し、テスター測定では不
良判定することはできない。しかし、半導体装置はその
後のアセンブル時や実使用時に温度衝撃を受けるため、
パッケージの樹脂の熱膨張によりクラックは応力を受け
クラックの度合が広がってしまう。このようにクラック
が広がりパッド電極や内部素子にまで達すると、半導体
装置は動作不良に至ってしまう。
さくパッドや内部素子まで達していない場合には、半導
体装置は電気的には正常に動作し、テスター測定では不
良判定することはできない。しかし、半導体装置はその
後のアセンブル時や実使用時に温度衝撃を受けるため、
パッケージの樹脂の熱膨張によりクラックは応力を受け
クラックの度合が広がってしまう。このようにクラック
が広がりパッド電極や内部素子にまで達すると、半導体
装置は動作不良に至ってしまう。
【０００７】また、クラックの検査は官能検査に頼らな
ければならず、検出力の面では不安定なものであった。
ければならず、検出力の面では不安定なものであった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
外周部に帯状にダイオードを形成したことを特徴とす
る。
外周部に帯状にダイオードを形成したことを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】半導体の外周部にクラックが入り、最外周に設
けてあるダイオードにクラックが達した場合、ダイオー
ドのＰＮ接合が破壊され、該ダイオードの逆耐圧特性に
リークが発生する。この現象を利用し、クラックが入っ
ているか否かを検出するものである。
けてあるダイオードにクラックが達した場合、ダイオー
ドのＰＮ接合が破壊され、該ダイオードの逆耐圧特性に
リークが発生する。この現象を利用し、クラックが入っ
ているか否かを検出するものである。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す半導体装置の配
置パターン図である。ここで、図１（ａ）は本発明によ
る半導体装置の平面パターン図の概略図であり、図１
（ｂ）は本発明のダイオード構成部分の断面構造を表し
たものである。
置パターン図である。ここで、図１（ａ）は本発明によ
る半導体装置の平面パターン図の概略図であり、図１
（ｂ）は本発明のダイオード構成部分の断面構造を表し
たものである。
【００１１】同図において、１は半導体装置であり、２
はパッド電極、３はトランジスター類の内部素子の領域
である。半導体装置１の外周部には、半導体基板７に対
してＰＮ接合を構成するように拡散領域４を形成してあ
る。
はパッド電極、３はトランジスター類の内部素子の領域
である。半導体装置１の外周部には、半導体基板７に対
してＰＮ接合を構成するように拡散領域４を形成してあ
る。
【００１２】すなわち、半導体基板７がＮ型の場合はＰ
型の拡散領域を形成し、ダイオードとしては半導体基板
７がカソード、拡散領域４はアノードに構成される。ま
た、半導体基板７がＰ型の場合はＮ型の拡散領域４を形
成し、ダイオードとしては半導体基板７がアノード、拡
散領域４はカソードに構成される。
型の拡散領域を形成し、ダイオードとしては半導体基板
７がカソード、拡散領域４はアノードに構成される。ま
た、半導体基板７がＰ型の場合はＮ型の拡散領域４を形
成し、ダイオードとしては半導体基板７がアノード、拡
散領域４はカソードに構成される。
【００１３】半導体基板７は一般に半導体装置内で電源
に接続されているため、基板側の電極は電源と共通と
し、拡散領域４は金属配線５を通りパッド電極に接続し
てある。
に接続されているため、基板側の電極は電源と共通と
し、拡散領域４は金属配線５を通りパッド電極に接続し
てある。
【００１４】したがって、電源と該当パッド間のダイオ
ード特性をモニターすることによって、クラックが発生
した場合のリークを検出できるようになった。
ード特性をモニターすることによって、クラックが発生
した場合のリークを検出できるようになった。
【００１５】本発明による他の実施例を図２に示す。図
２において１は半導体装置、２はパッド、３はトランジ
スター類の内部素子である。半導体装置１の外周部には
拡散領域４と半導体基板６とでダイオードを構成してい
る。拡散領域４は、所々に設けられた複数のコンタクト
ホールによって金属配線に接続され、パッド電極へと通
じている。このダイオード部分の断面構造については図
１と同様であり、また、働きも同様である。
２において１は半導体装置、２はパッド、３はトランジ
スター類の内部素子である。半導体装置１の外周部には
拡散領域４と半導体基板６とでダイオードを構成してい
る。拡散領域４は、所々に設けられた複数のコンタクト
ホールによって金属配線に接続され、パッド電極へと通
じている。このダイオード部分の断面構造については図
１と同様であり、また、働きも同様である。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体装置にクラックが発生した場合、ダイオード特性をモ
ニターすることにより検出可能である。従って、従来は
目視外観検査により検査していたクラックに対しても、
テスターにより自動測定が可能になった。このため従来
に比較して、検出力の増大、検査時間の短縮が可能にな
った。
体装置にクラックが発生した場合、ダイオード特性をモ
ニターすることにより検出可能である。従って、従来は
目視外観検査により検査していたクラックに対しても、
テスターにより自動測定が可能になった。このため従来
に比較して、検出力の増大、検査時間の短縮が可能にな
った。
【００１７】さらに、外周部を配線で覆うことになった
ため、外部雑音の遮断効果も得られた。
ため、外部雑音の遮断効果も得られた。
【図１】本発明による半導体装置の説明図である。
【図２】本発明による他の半導体装置の説明図である。
【図３】従来の半導体装置の説明図である。
１ 半導体装置 ２ パッド電極 ３ 内部素子 ４ 拡散領域 ５ 金属配線 ６ コンタクト領域 ７ 半導体基板
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体の外周部に帯状にダイオードを形
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25376191A JPH0595036A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25376191A JPH0595036A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595036A true JPH0595036A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17255777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25376191A Pending JPH0595036A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595036A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731400B1 (ko) * | 2004-07-23 | 2007-06-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치, 전자 기기, 및 실장 구조체 |
| JP2016090578A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | エッジ欠陥検査 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP25376191A patent/JPH0595036A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731400B1 (ko) * | 2004-07-23 | 2007-06-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치, 전자 기기, 및 실장 구조체 |
| JP2016090578A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | エッジ欠陥検査 |
| US9658279B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-05-23 | Infineon Technologies Ag | Contactless damage inspection of perimeter region of semiconductor device |
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