JPH059515B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH059515B2 JPH059515B2 JP7554783A JP7554783A JPH059515B2 JP H059515 B2 JPH059515 B2 JP H059515B2 JP 7554783 A JP7554783 A JP 7554783A JP 7554783 A JP7554783 A JP 7554783A JP H059515 B2 JPH059515 B2 JP H059515B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- casing
- heater
- main body
- forming member
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はプラズマCVD装置における成膜部材
加熱装置の改良に関する。
加熱装置の改良に関する。
(ロ) 従来技術
従来この種加熱装置は、真空容器内において、
成膜部材が載置される回転円板の下方にヒータが
設けられ、該回転円板を均一加熱することにより
前記成膜部材が加熱されるようになつていた。し
かし、この方法によるとヒータが真空容器内にあ
るため、容器内の真空度によつてヒータからの熱
輻射能にむらができて温度差が生じる。従つて、
温度調節精度が安定しないという欠点があつた。
成膜部材が載置される回転円板の下方にヒータが
設けられ、該回転円板を均一加熱することにより
前記成膜部材が加熱されるようになつていた。し
かし、この方法によるとヒータが真空容器内にあ
るため、容器内の真空度によつてヒータからの熱
輻射能にむらができて温度差が生じる。従つて、
温度調節精度が安定しないという欠点があつた。
(ハ) 目的
本発明は上記欠点を除き、安定した温度調節精
度が得られるような加熱装置を提供することを目
的とする。
度が得られるような加熱装置を提供することを目
的とする。
(ニ) 構成
上記目的を達成するため本発明の構成は、成膜
部材を取付ける回転ケーシングが、真空容器内で
その壁を気密的に貫通して回転自在に設けられ、
前記ケーシングは内部が大気圧とされると共に、
内部に間隔を存してヒータが設けられ、かつ、前
記真空容器より外側の部分にケーシング動力駆動
部が連結されたことである。
部材を取付ける回転ケーシングが、真空容器内で
その壁を気密的に貫通して回転自在に設けられ、
前記ケーシングは内部が大気圧とされると共に、
内部に間隔を存してヒータが設けられ、かつ、前
記真空容器より外側の部分にケーシング動力駆動
部が連結されたことである。
(ホ) 実施例
以下本考案の実施態様を一実施例にもとづいて
説明する。
説明する。
本発明の加熱装置は真空状態に密封された容器
１と、該容器１内に設置され、内部が大気圧とさ
れた回転ケーシング１０と、該ケーシング１０内
に定置されたヒータ４０とを有する。
１と、該容器１内に設置され、内部が大気圧とさ
れた回転ケーシング１０と、該ケーシング１０内
に定置されたヒータ４０とを有する。
回転ケーシング１０は下部開放の短円筒状をな
すケーシング蓋体１１ａとケーシング底板１１ｂ
とが組付けられてなる中空円盤状ケーシング本体
１１と、前記ケーシング底板１１ｂと一体で鉛直
垂下するケーシング管状部１２とからなる。ケー
シング蓋体１１ａとケーシング底板１１ｂとはそ
の周縁部に装着されたシーリング材１３ａおよび
締付ボルト１３ｂからなる密封部材１３により前
記密封容器１に対し気密が保持されている。ケー
シング管状部１２は、容器１に連通してその底壁
から垂下した管状支持部２０の外筒２１を貫挿し
て設置され、ベアリング２２を介して回転自在と
されるとともに、これら管状部１２ｂと管状支持
部２０との隙間は上下一対のゴムリング２３，２
３によつてシールされている。
すケーシング蓋体１１ａとケーシング底板１１ｂ
とが組付けられてなる中空円盤状ケーシング本体
１１と、前記ケーシング底板１１ｂと一体で鉛直
垂下するケーシング管状部１２とからなる。ケー
シング蓋体１１ａとケーシング底板１１ｂとはそ
の周縁部に装着されたシーリング材１３ａおよび
締付ボルト１３ｂからなる密封部材１３により前
記密封容器１に対し気密が保持されている。ケー
シング管状部１２は、容器１に連通してその底壁
から垂下した管状支持部２０の外筒２１を貫挿し
て設置され、ベアリング２２を介して回転自在と
されるとともに、これら管状部１２ｂと管状支持
部２０との隙間は上下一対のゴムリング２３，２
３によつてシールされている。
管状部１２の下部はケーシング駆動部３０に連
結される。即ち、ケーシング駆動部３０は、前記
管状支持部２０の下端に取付けられたギヤボツク
ス３１内に収納されて、モータ３２により回転付
与される駆動ギヤ３３と、それに噛合つて前記管
状部１２の下端に外嵌固定された従動ギヤ３４と
をもつ。
結される。即ち、ケーシング駆動部３０は、前記
管状支持部２０の下端に取付けられたギヤボツク
ス３１内に収納されて、モータ３２により回転付
与される駆動ギヤ３３と、それに噛合つて前記管
状部１２の下端に外嵌固定された従動ギヤ３４と
をもつ。
ヒータ４０は、前記ケーシング本体１１内に収
容された円盤状のヒータ本体４１と、該ヒータ本
体４１の下部に固定された棒状のヒータ脚部４２
とからなり、ヒータ脚部４２内には配線が施され
る。ヒータ脚部４２は前記ケーシング管状部１２
内に同心に間隔を存して設けられ、その下端はシ
ユー４２ａとなり前記ギヤボツクス３１の底板上
に定着される。また、ヒータ脚部４２はケーシン
グ管状部１２内において、そのネツク部分を耐熱
リング２を介して支承される。従つて、ケーシン
グ管状部１２はこの耐熱リング２を回転ガイドと
してヒータ脚部４２のまわりに回転自在とされて
いる。
容された円盤状のヒータ本体４１と、該ヒータ本
体４１の下部に固定された棒状のヒータ脚部４２
とからなり、ヒータ脚部４２内には配線が施され
る。ヒータ脚部４２は前記ケーシング管状部１２
内に同心に間隔を存して設けられ、その下端はシ
ユー４２ａとなり前記ギヤボツクス３１の底板上
に定着される。また、ヒータ脚部４２はケーシン
グ管状部１２内において、そのネツク部分を耐熱
リング２を介して支承される。従つて、ケーシン
グ管状部１２はこの耐熱リング２を回転ガイドと
してヒータ脚部４２のまわりに回転自在とされて
いる。
前記上下一対のゴムリング２３，２３によつて
仕切られる、外筒２１とケーシング管状部１２と
の隙間には排気管３が開口される。該排気管３
は、もし、前記隙間に外気が侵入した際、この外
気が真空容器１内に入るのを防ぐために役立つ。
仕切られる、外筒２１とケーシング管状部１２と
の隙間には排気管３が開口される。該排気管３
は、もし、前記隙間に外気が侵入した際、この外
気が真空容器１内に入るのを防ぐために役立つ。
外筒２１のネツク部には、該ネツク部を螺旋状
にとりまく冷却水管４が設けられ、ヒータ４０に
よる高温がベアリング２２やゴムリング２３に伝
導されてグリスやゴムが劣化するのが防止されて
いる。
にとりまく冷却水管４が設けられ、ヒータ４０に
よる高温がベアリング２２やゴムリング２３に伝
導されてグリスやゴムが劣化するのが防止されて
いる。
また、必要に応じて（特に高温加熱の場合）ケ
ーシング本体１１の側部および底部を断熱材５で
被覆して放熱を防止する。
ーシング本体１１の側部および底部を断熱材５で
被覆して放熱を防止する。
以上において、真空容器１内において、載物台
を兼ねるケーシング１０上に成膜部材Ａが載置さ
れて回転し、ヒータ４０により均一加熱が行なわ
れて真空ふん囲気内で蒸着成膜される。本発明に
よると、この加熱に際し、ヒータ４０が大気圧の
ケーシング１０内に収納されているため、従来の
真空中にある場合に比べて熱輻射能にむらがなく
一定温度に加熱昇温される。
を兼ねるケーシング１０上に成膜部材Ａが載置さ
れて回転し、ヒータ４０により均一加熱が行なわ
れて真空ふん囲気内で蒸着成膜される。本発明に
よると、この加熱に際し、ヒータ４０が大気圧の
ケーシング１０内に収納されているため、従来の
真空中にある場合に比べて熱輻射能にむらがなく
一定温度に加熱昇温される。
上記実施例では真空容器１とケーシング１０と
は電気的に同電位であるが、両者間に絶縁物を介
することにより成膜部材にバイアス電圧をかける
こともできる。
は電気的に同電位であるが、両者間に絶縁物を介
することにより成膜部材にバイアス電圧をかける
こともできる。
(ホ) 効果
以上の如く本発明によると、ヒータが大気圧を
有するケーシング内に収納されていて、しかもそ
のケーシングは載物台を兼ねるので熱輻射能が真
空度に左右されることがなく、従つて、前記載物
台たるケーシングの温度を常に一定に保つことが
でき、高い温度調節精度のもとに良質な製品が得
られることとなつた。
有するケーシング内に収納されていて、しかもそ
のケーシングは載物台を兼ねるので熱輻射能が真
空度に左右されることがなく、従つて、前記載物
台たるケーシングの温度を常に一定に保つことが
でき、高い温度調節精度のもとに良質な製品が得
られることとなつた。
図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
１……真空容器、３……排気管、４……冷却水
管、１０……回転ケーシング、１１……ケーシン
グ本体、１２……ケーシング管状部、２０……管
状支持部、２１……外筒、３０……ケーシング駆
動部、４０……ヒータ、４１……ヒータ本体、４
２……ヒータ脚部。
管、１０……回転ケーシング、１１……ケーシン
グ本体、１２……ケーシング管状部、２０……管
状支持部、２１……外筒、３０……ケーシング駆
動部、４０……ヒータ、４１……ヒータ本体、４
２……ヒータ脚部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 成膜部材を取付ける回転ケーシングが、真空
容器内でその壁を気密的に貫通して回転自在に設
けられ、前記ケーシングは内部が大気圧とされる
と共に、内部に間隔を存してヒータが設けられ、
かつ、前記真空容器より外側の部分にケーシング
動力駆動部が連結されたことを特徴とする成膜部
材加熱装置。 ２ 回転ケーシングは前記真空容器内に位置して
外表面に成膜部材を取付ける中空盤状本体と、そ
の一壁から回転軸線上に延びて容器壁を貫通し、
端部で大気圧に開放されたケーシング管状部とを
含み、前記ヒータは前記ケーシング本体内に収容
された盤状ヒータ本体と該ヒータ本体の一側面か
ら突設されて前記ケーシング管状部を貫通するヒ
ータ脚部とを含むことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の成膜部材加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7554783A JPS59200752A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 成膜部材加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7554783A JPS59200752A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 成膜部材加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200752A JPS59200752A (ja) | 1984-11-14 |
| JPH059515B2 true JPH059515B2 (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=13579327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7554783A Granted JPS59200752A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 成膜部材加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200752A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0687463B2 (ja) * | 1989-08-24 | 1994-11-02 | 株式会社東芝 | 半導体気相成長装置 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7554783A patent/JPS59200752A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59200752A (ja) | 1984-11-14 |
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