JPH0596055U - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0596055U JPH0596055U JP3536992U JP3536992U JPH0596055U JP H0596055 U JPH0596055 U JP H0596055U JP 3536992 U JP3536992 U JP 3536992U JP 3536992 U JP3536992 U JP 3536992U JP H0596055 U JPH0596055 U JP H0596055U
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- Japan
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- insulating member
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波電力の利用効率が高く、耐環境性およ
び保守性に優れた電極を有するプラズマ処理装置を提供
する。 【構成】 電極部の高周波電極4とアース用シールド板
7との間に挿入される電気絶縁部材を、少なくとも基板
電極と対向する部分11と他の部分12とに分割し、そ
れぞれの部分に最適な材料で各部分11,12の電気絶
縁部材を成形する。
び保守性に優れた電極を有するプラズマ処理装置を提供
する。 【構成】 電極部の高周波電極4とアース用シールド板
7との間に挿入される電気絶縁部材を、少なくとも基板
電極と対向する部分11と他の部分12とに分割し、そ
れぞれの部分に最適な材料で各部分11,12の電気絶
縁部材を成形する。
Description
【0001】
本考案は、グロー放電プラズマを利用して基板上に薄膜を形成するプラズマ処 理装置に関し、特にその電極部を改良したものである。
【0002】
高周波電圧によりグロー放電プラズマを発生させて、基板の表面に例えばアモ ルファスシリコンの薄膜を形成するプラズマ処理装置が知られている(例えば、 特公平1−19254号公報参照)。 図2は従来のプラズマ処理装置の断面図である。真空チャンバー1内には、整 合回路2を介して高周波電源3に接続される高周波電極4と、接地される基板電 極5とが対向して配設されている。不図示のヒータにより基板電極5に保持され る基板6を加熱し、不図示の反応ガス供給系により所定流量の反応ガスを真空チ ャンバー1内に導入した状態で、高周波電源3によって高周波電極4に高周波電 圧を印加すると、高周波電極4と基板6との間にグロー放電が発生し、基板6の 表面に例えばアモルファスシリコンなどの薄膜が形成される。
【0003】 このような従来のプラズマ処理装置の電極部では、グロー放電を高周波電極4 と基板電極5との間だけで発生させるために、基板電極5と対向する側を除く高 周波電極4の周面および裏面にアース用シールド板7を配設している。そして、 図2のA部を拡大した図3に示すように、高周波電極4とアース用シールド板7 との間に例えば1mm程度の狭い隙間8を設けるか、あるいは、図4に示すよう に、高周波電極4とアース用シールド板7との間に電気絶縁部材9を挿入する。
【0004】
しかしながら、従来のプラズマ処理装置では次のような問題がある。 図3に示す従来装置の電極部では、高周波電極4とアース用シールド板7との 間でグロー放電が発生するのを避けるために隙間8を狭くする必要があり、その 結果、高周波電極4とアース用シールド板7との間の浮遊容量が大きくなって高 周波電力の利用効率が低下する。
【0005】 また、図4に示す従来装置の電極部では、高周波電極4とアース用シールド板 7との間に挿入する電気絶縁部材9は、高周波電極4に印加される高周波電圧に 耐えられる耐電圧性と、基板加熱時の高温に耐えられる耐熱性と、浮遊容量を小 さくするために誘電率の小さいことなどの条件を満たさなければならない。しか し、これらの条件をすべて満たす絶縁材料を入手することは困難である。 また、プラズマ処理中に電気絶縁部材9の端面9aに堆積した反応ガスの微粉 状生成物を清掃する場合に、電気絶縁部材9の取り外しが不便である。
【0006】 本考案の目的は、高周波電力の利用効率が高く、耐環境性および保守性に優れ た電極を有するプラズマ処理装置を提供することにある。
【0007】
一実施例の電極部の部分的な断面を示す図1に対応づけて本考案を説明すると 、本考案は、真空チャンバー内に高周波電極4と基板電極とを対向させて配設し 、高周波電極4の周面および裏面に電気絶縁部材を接合し、さらにこの電気絶縁 部材を包囲してアース用シールド部材7を接合したプラズマ処理装置に適用され 、電気絶縁部材を少なくとも基板電極と対向する部分11と他の部分12とに分 割したことにより、上記目的を達成する。
【0008】
電気絶縁部材を少なくとも基板電極と対向する部分11と他の部分12とに分 割し、基板電極と対向する部分11に基板加熱時のふく射熱に耐えられる材料を 用い、他の部分12に誘電率の小さい材料を用いて電極を構成することにより、 高周波電力の利用効率を向上させ、耐環境性および保守性に優れたプラズマ処理 装置を提供することができる。
【0009】 なお、本考案の構成を説明する上記課題を解決するための手段および作用の項 では、本考案を分りやすくするために実施例の図を用いたが、これにより本考案 が実施例に限定されるものではない。
【0010】
図1は一実施例の電極部の拡大図である。なお、電極部以外は図2に示す装置 と同様であり、以下では相違点を中心に説明する。 この実施例では、高周波電極4とアース用シールド板7との間に2種類の電気 絶縁部材11,12を挿入する。電気絶縁部材11は、例えばセラミックス(最 高許容温度1000℃、誘電率6)などの耐熱性のよい材料を用いて成形し、高 周波電極4とアース用シールド板7との隙間の、基板電極5に対向する端面に挿 入する。他方、電気絶縁部材12は、例えば四フッ化エチレン樹脂(最高許容温 度260℃、誘電率2.1)などの誘電率の小さい材料を用いて成形し、高周波 電極4とアース用シールド部材7との隙間の、電気絶縁部材11の挿入部を除く 部分に挿入する。なお、電気絶縁部材11,12は、高周波電極4に印加される 高周波電圧に耐えられるだけの耐電圧性を有する。
【0011】 このような電極構造としたことにより、高周波電極4とアース用シールド板7 との間のグロー放電が防止され、隙間を広くして厚い電気絶縁部材11,12を 挿入することにより、高周波電極4とアース用シールド板7との間の浮遊容量を 小さくでき、高周波電力の利用効率が向上する。 また、基板加熱時のふく射熱により電気絶縁部材11が300℃程度まで熱せ られても、電気絶縁部材11は耐熱性が高いので変質または変形することがない 。一方、高周波電極4とアース用シールド板7との隙間の、電気絶縁部材11を 除くほぼ全体に挿入される電気絶縁部材12は、誘電率が小さいので浮遊容量が 減少し、高周波電力の利用効率が向上する。 さらに、電極部の清掃や交換に際しては、電気絶縁部材11を簡単に取り外せ るので、保守がしやすくなる。
【0012】 なお、高周波電極4とアース用シールド板7との間に挿入する2種類の電気絶 縁部材11,12の材質は、上述した実施例に限定されない。また、電気絶縁部 材12は、加工上、または取り付け、取り外しを容易にするために分割してもよ い。
【0013】 本考案のプラズマ処理装置は、並行平板型高周波電極を用いたスパッタリング 装置、プラズマCVD装置、ドライエッチング装置などに応用することができる 。
【0014】 以上の実施例の構成において、高周波電極4が高周波電極を、基板電極5が基 板電極を、アース用シールド板7がアース用シールド部材を、電気絶縁部材11 が基板電極と対向する部分の電気絶縁部材を、電気絶縁部材12が他の部分の電 気絶縁部材をそれぞれ構成する。
【0015】
以上説明したように本考案によれば、電気絶縁部材を少なくとも基板電極と対 向する部分と他の部分とに分割したので、基板電極と対向する部分に基板加熱時 のふく射熱に耐えられる材料を用い、他の部分に誘電率の小さい材料を用いて電 極を構成することができ、高周波電力の利用効率、耐環境性および保守性を向上 させることができる。
【図1】一実施例の電極部の断面図。
【図2】プラズマ処理装置の断面図。
【図3】従来の電極部の断面図。
【図4】従来の他の電極部の断面図。
1 真空チャンバー 2 整合回路 3 高周波電源 4 高周波電極 5 基板電極 6 基板 7 アース用シールド板 11,12 電気絶縁部材
Claims (1)
- 【請求項1】 真空チャンバー内に高周波電極と基板電
極とを対向させて配設し、前記高周波電極の周面および
裏面に電気絶縁部材を接合し、さらにこの電気絶縁部材
を包囲してアース用シールド部材を接合したプラズマ処
理装置において、前記電気絶縁部材を少なくとも前記基
板電極と対向する部分と他の部分とに分割したことを特
徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3536992U JPH0596055U (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3536992U JPH0596055U (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0596055U true JPH0596055U (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=12439990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3536992U Pending JPH0596055U (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0596055U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013543057A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-11-28 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 大きなターゲットによる高圧スパッタリングのためのスパッタ源およびスパッタリング方法 |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP3536992U patent/JPH0596055U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013543057A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-11-28 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 大きなターゲットによる高圧スパッタリングのためのスパッタ源およびスパッタリング方法 |
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