JPH06100628B2 - モノリシツク水晶フイルタの特性周波数の計測方法及び計測装置 - Google Patents
モノリシツク水晶フイルタの特性周波数の計測方法及び計測装置Info
- Publication number
- JPH06100628B2 JPH06100628B2 JP61279542A JP27954286A JPH06100628B2 JP H06100628 B2 JPH06100628 B2 JP H06100628B2 JP 61279542 A JP61279542 A JP 61279542A JP 27954286 A JP27954286 A JP 27954286A JP H06100628 B2 JPH06100628 B2 JP H06100628B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- terminals
- signal
- measuring
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 31
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 11
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/28—Measuring attenuation, gain, phase shift or derived characteristics of electric four pole networks, i.e. two-port networks; Measuring transient response
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、モノリシック水晶フィルタ(以下「MCF」と
いう)の特性周波数の計測方法及び計測装置に係り、よ
り詳細には、MCFの4つの特性周波数(2つの共振子周
波数、対称周波数、及び斜対称周波数)を極めて簡便且
つ正確に計測できる装置を提供するものであり、更にそ
れら特性周波数を調整する装置と相まって中心周波数や
フィルタの帯域幅を正確且つ容易に調整できる装置とし
て、またMCFの試験装置としても適用できるものであ
る。
いう)の特性周波数の計測方法及び計測装置に係り、よ
り詳細には、MCFの4つの特性周波数(2つの共振子周
波数、対称周波数、及び斜対称周波数)を極めて簡便且
つ正確に計測できる装置を提供するものであり、更にそ
れら特性周波数を調整する装置と相まって中心周波数や
フィルタの帯域幅を正確且つ容易に調整できる装置とし
て、またMCFの試験装置としても適用できるものであ
る。
[従来の技術] MCFは圧電材料としての水晶の機械振動の結合を利用し
たものであり、一枚の水晶ウェハの表面に複数対の電極
を配置した構造を有するものである。例えば、2電極MC
Fについてみると、1枚の水晶ウェハの表面に2つの音
響的に結合された共振子が構成されていることになる。
この2つの共振子は、水晶ウェハを介して取付けられた
2対の対向電極で構成される場合と、水晶ウエハの片側
面には1つの電極が取付けられるが他方の面に間隔を隔
てて2つの電極が取付けられて構成される場合のものが
ある。
たものであり、一枚の水晶ウェハの表面に複数対の電極
を配置した構造を有するものである。例えば、2電極MC
Fについてみると、1枚の水晶ウェハの表面に2つの音
響的に結合された共振子が構成されていることになる。
この2つの共振子は、水晶ウェハを介して取付けられた
2対の対向電極で構成される場合と、水晶ウエハの片側
面には1つの電極が取付けられるが他方の面に間隔を隔
てて2つの電極が取付けられて構成される場合のものが
ある。
このMCFのフィルタとしての原理は次のようなものであ
る。
る。
電極部分の厚みすべり振動の共振周波数は電極の影響に
よって電極のない部分より低下することから、電極部に
発生した共振振動エネルギが電極部に閉じ込められ、一
方、電極のない部分ではこれが急激に減衰する。
よって電極のない部分より低下することから、電極部に
発生した共振振動エネルギが電極部に閉じ込められ、一
方、電極のない部分ではこれが急激に減衰する。
ところで、電極のない部分へ漏れ出したエネルギは電極
間隔が適当に設定してあると、隣接した電極に結合して
ゆき、この部分に振動が励振され、その結果、所謂帯域
通過フィルタが構成されることになる。
間隔が適当に設定してあると、隣接した電極に結合して
ゆき、この部分に振動が励振され、その結果、所謂帯域
通過フィルタが構成されることになる。
そして、MCFにおける通過帯域幅は、隣接した電極間の
結合度を決定するファクターである水晶ウェハの寸法、
電極の厚さ、電極間間隔等を適宜設定することにより容
易に設計することができ、また、構造が簡単で安定性及
び信頼性に優れていることから、150MHzまでの狭帯域ろ
波器として利用され、その更なる開発が注目されてい
る。
結合度を決定するファクターである水晶ウェハの寸法、
電極の厚さ、電極間間隔等を適宜設定することにより容
易に設計することができ、また、構造が簡単で安定性及
び信頼性に優れていることから、150MHzまでの狭帯域ろ
波器として利用され、その更なる開発が注目されてい
る。
通常、このMCFの正確な調整を行なうには、中心周波数
とフィルタの通過帯域幅の調整が必要不可欠である。
とフィルタの通過帯域幅の調整が必要不可欠である。
中心周波数については、2つの共振子周波数によって決
まり、電極の質量を変化させることによって調整するこ
とができる。
まり、電極の質量を変化させることによって調整するこ
とができる。
一方、通過帯域幅は前記の電極間結合度によって決定さ
れることになるが、具体的には、電極によって覆われて
いる部分が上の質量の配分を変化させることにより、ま
たは電極間の間隔部分の質量の配分を変化させることに
より調整することができる。
れることになるが、具体的には、電極によって覆われて
いる部分が上の質量の配分を変化させることにより、ま
たは電極間の間隔部分の質量の配分を変化させることに
より調整することができる。
より具体的には、通過帯域幅の拡大は、電極間の間隔部
分ないしその近辺(間隔に隣接した電極の縁等がよく利
用される)の質量を増すことにより実現され、逆に、通
過帯域幅を狭くするときには、前記の部分の質量を減ら
すことにより、または間隔から最も離れた電極の縁に質
量を増すことにより実現される。
分ないしその近辺(間隔に隣接した電極の縁等がよく利
用される)の質量を増すことにより実現され、逆に、通
過帯域幅を狭くするときには、前記の部分の質量を減ら
すことにより、または間隔から最も離れた電極の縁に質
量を増すことにより実現される。
尚、この質量の増減の制御は、真空中での金属蒸着手段
やイオンプレーティング等の化学的手段によって増量
し、またレーザを用いて減量することによって行なわ
れ、またその選択的な質量の配分は固定または可動的な
マスキング手段を用いることによって行なわれる。
やイオンプレーティング等の化学的手段によって増量
し、またレーザを用いて減量することによって行なわ
れ、またその選択的な質量の配分は固定または可動的な
マスキング手段を用いることによって行なわれる。
ところで、MCFにおける周波数の調整や試験において
は、周波数の測定精度が非常に重要であることはいうま
でもない。
は、周波数の測定精度が非常に重要であることはいうま
でもない。
従って、従来からMCFの特性周波数の計測は、その周波
数特性の調整手段の一環として間接的または直接的に開
示されてきている。即ち、2電極MCFの直列共振周波数
の特性を調整することに基づいてMCFの周波数特性を調
整するものである。
数特性の調整手段の一環として間接的または直接的に開
示されてきている。即ち、2電極MCFの直列共振周波数
の特性を調整することに基づいてMCFの周波数特性を調
整するものである。
第1の調整手段として、表示装置を使用する伝送法によ
り、短絡回路振幅度と周波数応答を見ながら調整するも
のであり(米国特許4,343,827号)、この方法による
と、周波数と振幅調整を必要とし、表示装置に描かれる
曲線に基づいて周波数を判断するために正確さに限度が
あるといわれている。
り、短絡回路振幅度と周波数応答を見ながら調整するも
のであり(米国特許4,343,827号)、この方法による
と、周波数と振幅調整を必要とし、表示装置に描かれる
曲線に基づいて周波数を判断するために正確さに限度が
あるといわれている。
第2の調整手段として、「水晶フィルタのパラメータ測
定方法」と称されるものがあり(米国特許4,093,914
号)、2電極の片側の2つの短絡回路周波数と2つの開
回路周波数の測定により、2つの共振子周波数と帯域幅
を計算する方法である。この方法は、測定が簡単である
という点はよいが、周波数が高くなると精度に限界が生
じるという問題がある。
定方法」と称されるものがあり(米国特許4,093,914
号)、2電極の片側の2つの短絡回路周波数と2つの開
回路周波数の測定により、2つの共振子周波数と帯域幅
を計算する方法である。この方法は、測定が簡単である
という点はよいが、周波数が高くなると精度に限界が生
じるという問題がある。
その他にも、種々の調整手段があり、その中で周波数の
計測方法が開示されているが、何れにしても高い周波数
帯域(100MHz以上)においては正確な周波数の測定が困
難であり、また自動的な測定手段が確立されていないた
め、作業性に劣るという問題を含んでいる。
計測方法が開示されているが、何れにしても高い周波数
帯域(100MHz以上)においては正確な周波数の測定が困
難であり、また自動的な測定手段が確立されていないた
め、作業性に劣るという問題を含んでいる。
[発明が解決しようとする問題点] この従来技術における問題点は、具体的には次のような
点にあると考えられる。
点にあると考えられる。
MCFの特性周波数は3つのフィルタ端子の相異なる2端
子の相互接続に関係するものであるが、調整手段等で用
いられてきた従来の特性周波数の計測手段は次の2つの
方法によっている。
子の相互接続に関係するものであるが、調整手段等で用
いられてきた従来の特性周波数の計測手段は次の2つの
方法によっている。
手作業により各フィルタ端子を相互接続し、これを2
端子計測用機器に接続して計測を行なう方法。
端子計測用機器に接続して計測を行なう方法。
フィルタを電気的な切換えにより相異なる2端子を相
互接続させる3端子の測定回路へ接続せしめて計測を行
なう方法。
互接続させる3端子の測定回路へ接続せしめて計測を行
なう方法。
ところで、前記のの方法によると、計測のためのプロ
セスを自動化することができず、作業性が劣る。また、
の方法によると、高い周波数帯域では測定回路自体の
浮遊リアクタンスがMCFの有するフィルタ・リアクタン
スの大きさに近づき、その測定結果を歪めてしまうこと
になる。
セスを自動化することができず、作業性が劣る。また、
の方法によると、高い周波数帯域では測定回路自体の
浮遊リアクタンスがMCFの有するフィルタ・リアクタン
スの大きさに近づき、その測定結果を歪めてしまうこと
になる。
このようなことから、MCFの特性周波数の計測を自動化
して行うことができ、且つ高い周波数帯域においても正
確な計測値を得ることができる計測方法及びその装置の
開発が望まれていた。
して行うことができ、且つ高い周波数帯域においても正
確な計測値を得ることができる計測方法及びその装置の
開発が望まれていた。
そこで、本発明は、前記のの方法を改良した新しい3
端子測定回路により、MCFの4つの主要な特性周波数を
求めるため、2端子間の計測を電気的に切換えて自動的
に行なうことができ、且つ回路が浮遊リアクタンスの影
響を受けることなく、広い周波数帯域で正確な周波数の
測定を可能にする計測方法及びそのための装置を提供す
ることを目的として創作された。
端子測定回路により、MCFの4つの主要な特性周波数を
求めるため、2端子間の計測を電気的に切換えて自動的
に行なうことができ、且つ回路が浮遊リアクタンスの影
響を受けることなく、広い周波数帯域で正確な周波数の
測定を可能にする計測方法及びそのための装置を提供す
ることを目的として創作された。
[問題点を解決するための手段] 前記したように、本発明はMCFの特性周波数の計測に関
する二つの方法とそのための装置に係る三発明からな
る。
する二つの方法とそのための装置に係る三発明からな
る。
計測方法の発明は、次の二発明に係る。
第一の計測方法は、モノリシック水晶フィルタにおける
片側面の2電極の端子をそれぞれ第1端子、第2端子と
し、もう一方の面の電極の端子を第3端子とした場合に
おいて、相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間でリ
アクタンスの結合性がない2つの信号をS1、S2として、
第1端子と第3端子の端子間にS1またはS2を印加して、
その端子間の共振周波数(第1の共振子の共振周波数)
を計測し、第2端子と第3端子の端子間にS1またはS2を
印加して、その端子間の共振周波数(第2の共振子の共
振周波数)を計測し、第1端子と第3端子3の端子間に
S1を、第2端子と第3端子3の端子間にS2を印加して、
第3端子の信号出力により共振周波数(対称周波数)を
計測し、第3端子をフローティング状態にし、第1端子
と第2端子の端子間にS1またはS2を印加して、その端子
間の共振周波数(斜対称周波数)を計測すること特徴と
する計測方法に係る。
片側面の2電極の端子をそれぞれ第1端子、第2端子と
し、もう一方の面の電極の端子を第3端子とした場合に
おいて、相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間でリ
アクタンスの結合性がない2つの信号をS1、S2として、
第1端子と第3端子の端子間にS1またはS2を印加して、
その端子間の共振周波数(第1の共振子の共振周波数)
を計測し、第2端子と第3端子の端子間にS1またはS2を
印加して、その端子間の共振周波数(第2の共振子の共
振周波数)を計測し、第1端子と第3端子3の端子間に
S1を、第2端子と第3端子3の端子間にS2を印加して、
第3端子の信号出力により共振周波数(対称周波数)を
計測し、第3端子をフローティング状態にし、第1端子
と第2端子の端子間にS1またはS2を印加して、その端子
間の共振周波数(斜対称周波数)を計測すること特徴と
する計測方法に係る。
第二の計測方法は、第1及び第2の共振子周波数の計測
については前記の第一の計測方法として同様であるが、
対称周波数及び斜対称周波数の計測については、第1端
子または第2端子を第3端子と短絡せしめた状態で、S1
またはS2を第1端子または第2端子の内の短絡していな
い端子と第3端子の端子間へ印加し、2つの共振周波数
を計測する方法を採用するものである。
については前記の第一の計測方法として同様であるが、
対称周波数及び斜対称周波数の計測については、第1端
子または第2端子を第3端子と短絡せしめた状態で、S1
またはS2を第1端子または第2端子の内の短絡していな
い端子と第3端子の端子間へ印加し、2つの共振周波数
を計測する方法を採用するものである。
計測装置の発明は、 相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間でリアクタン
スの結合性がない2つの入力信号を供給する信号入力装
置と、出力信号検出器と、MCFの3つの端子と前記信号
入力装置の2つの信号供給部及び前記出力信号検出部と
の間に介在し、MCFへ選択的に信号を供給せしめ、信号
検出器へ伝送する回路を構成する切換え器とからなるMC
Fの特性周波数の計測装置に係る。
スの結合性がない2つの入力信号を供給する信号入力装
置と、出力信号検出器と、MCFの3つの端子と前記信号
入力装置の2つの信号供給部及び前記出力信号検出部と
の間に介在し、MCFへ選択的に信号を供給せしめ、信号
検出器へ伝送する回路を構成する切換え器とからなるMC
Fの特性周波数の計測装置に係る。
[作用] 本発明の作用を説明する前に2電極MCF及びその特性周
波数について説明する。
波数について説明する。
第1図は第1端子1、第2端子2、及び第3端子3の3
つの端子を有した2電極MCFの断面図を示す。
つの端子を有した2電極MCFの断面図を示す。
フィルタとして用いられる場合の2つの端子対(フィル
タポート)は1−3及び2−3である。水晶ウェハは4
で示され、該ウェハ4には4個の電極5、6、7及び8
が取付けられている。
タポート)は1−3及び2−3である。水晶ウェハは4
で示され、該ウェハ4には4個の電極5、6、7及び8
が取付けられている。
この場合、電極7及び8は相互に結線接続されている
が、単一電極で構成されているときもあり、この場合に
は電極7と8の間には間隔が存在しないことになる。電
極対5−7及び6−8は共振子を構成しており、これら
は相互に音響的に結合されている。
が、単一電極で構成されているときもあり、この場合に
は電極7と8の間には間隔が存在しないことになる。電
極対5−7及び6−8は共振子を構成しており、これら
は相互に音響的に結合されている。
第2図は第1図における3つの端子を有した対称2電極
MCFの無損失等価回路の概要であり、2種類のインダク
タ(L,L′)と2種類キャパシタ(C,Co)及び1:(−
1)のトランス9からなる。ここで、Coは静電共振容量
であり、L及びCは結合のない共振子のモーショナルパ
ラメータであり、またL′は結合インダクタである。
MCFの無損失等価回路の概要であり、2種類のインダク
タ(L,L′)と2種類キャパシタ(C,Co)及び1:(−
1)のトランス9からなる。ここで、Coは静電共振容量
であり、L及びCは結合のない共振子のモーショナルパ
ラメータであり、またL′は結合インダクタである。
尚、第3図は第2図の等価回路を更に抽象・単純化した
ものであり、以降の図面では便宜上同図の表現を用いる
こととする。
ものであり、以降の図面では便宜上同図の表現を用いる
こととする。
第2図の対称2電極MCFの回路は次の特性直列共振周波
数を具有している。
数を具有している。
フィルタの入力共振子と出力共振子の共振周波数 フィルタの対称周波数 フィルタの斜対称周波数 そして、これらは次の各定義に対応する。
F1;フィルタの端子対2−3の静電容量を中和した状態
で、端子対1−3で計測される共振周波数 F2;フィルタの端子対1−3の静電容量を中和した状態
で、フィルタの端子対2−3で計測される共振周波数 Fs;フィルタ第1端子1と第2端子2が相互に接続され
た状態で第1端子1と第3端子3の間で計測される直列
共振周波数 Fa;第3端子3が接続されていない状態でフィルタの第
1端子1と第2端子2の間で計測される直列共振周波数 尚、FsとFaとはフィルタの一方の端子対を短絡した状態
で他方の端子対で計測される2つの直列共振周波数とし
ても定義され得る。
で、端子対1−3で計測される共振周波数 F2;フィルタの端子対1−3の静電容量を中和した状態
で、フィルタの端子対2−3で計測される共振周波数 Fs;フィルタ第1端子1と第2端子2が相互に接続され
た状態で第1端子1と第3端子3の間で計測される直列
共振周波数 Fa;第3端子3が接続されていない状態でフィルタの第
1端子1と第2端子2の間で計測される直列共振周波数 尚、FsとFaとはフィルタの一方の端子対を短絡した状態
で他方の端子対で計測される2つの直列共振周波数とし
ても定義され得る。
また、F1とF2は次のような拡大された定義においても理
解される。
解される。
F1;端子対2−3の静電容量が中和されないか、または
部分的に中和された状態での端子対1−3で計測される
共振周波数 F2;端子対1−3の静電容量が中和されないか、または
部分的に中和された状態での端子対2−3で計測される
共振周波数 この発明において、F1及びF2は前記の両定義を含むもの
として用いる。
部分的に中和された状態での端子対1−3で計測される
共振周波数 F2;端子対1−3の静電容量が中和されないか、または
部分的に中和された状態での端子対2−3で計測される
共振周波数 この発明において、F1及びF2は前記の両定義を含むもの
として用いる。
対称2電極MCFにおける上記のF1、F2、及びFsは、第2
のキャパシタンスC及びCoと関連してフィルタの応答を
完全に決定する。即ち、フィルタは、これら3つの周波
数を予め決められた値に調整することにより、完全に調
整することができることになる。
のキャパシタンスC及びCoと関連してフィルタの応答を
完全に決定する。即ち、フィルタは、これら3つの周波
数を予め決められた値に調整することにより、完全に調
整することができることになる。
本発明はこの3つの周波数に加えて、更にFaをも計測で
きるようにするものであり、Faは対称及び斜対称MCFの
特性と周波数の調整に更に柔軟性を与える。
きるようにするものであり、Faは対称及び斜対称MCFの
特性と周波数の調整に更に柔軟性を与える。
本発明の計測方法は、要約すると、相互に振幅及び位相
が同一で、且つ相互間でリアクタンスの結合性がない2
つの入力信号を、それぞれモノリシック水晶フィルタの
各端子間へ選択的に印加して、特性周波数を選択的に励
振し、その励振状態を測定して、各特性周波数を計測す
るものである。
が同一で、且つ相互間でリアクタンスの結合性がない2
つの入力信号を、それぞれモノリシック水晶フィルタの
各端子間へ選択的に印加して、特性周波数を選択的に励
振し、その励振状態を測定して、各特性周波数を計測す
るものである。
この「選択的に印加して」「選択的に励振する」手段
は、前記の定義に基づくF1、F2、Fs、Faを測定するため
の回路を構成して計測するものであり、第1図及び第2
図を参照して説明すると次のようになる。
は、前記の定義に基づくF1、F2、Fs、Faを測定するため
の回路を構成して計測するものであり、第1図及び第2
図を参照して説明すると次のようになる。
先ず、相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間でリア
クタンスの結合性がない2つの信号であるS1及びS2を導
いておく。
クタンスの結合性がない2つの信号であるS1及びS2を導
いておく。
F1の測定は、端子対2−3については静電容量を中和し
た状態ないし中和しない状態にしておき、端子対1−3
へS1またはS2を印加し、その端子間の共振周波数を計測
することによる。
た状態ないし中和しない状態にしておき、端子対1−3
へS1またはS2を印加し、その端子間の共振周波数を計測
することによる。
F2の測定は、端子対1−3については静電容量を中和し
た状態ないし中和しない状態にしておき、端子対2−3
へS1またはS2を印加し、その端子間の共振周波数を計測
することによる。
た状態ないし中和しない状態にしておき、端子対2−3
へS1またはS2を印加し、その端子間の共振周波数を計測
することによる。
Fsの測定は、第1端子1と第3端子3の端子間へS1を、
第2端子2と第3端子3の端子間へS2をそれぞれ印加
し、第3端子の伝送出力により共振周波数を計測するこ
とによる。
第2端子2と第3端子3の端子間へS2をそれぞれ印加
し、第3端子の伝送出力により共振周波数を計測するこ
とによる。
Faの測定は、第3端子3をフローティング状態として、
第1端子1と第2端子2の端子間へS1またはS2を印加
し、その端子間の共振周波数を計測することによる。
第1端子1と第2端子2の端子間へS1またはS2を印加
し、その端子間の共振周波数を計測することによる。
尚、FsとFaの測定については、端子対1−3または端子
対2−3を短絡した状態で、S1またはS2を短絡していな
い端子対へ印加し、その端子間の共振周波数を測定する
と2つの共振周波数が得られ、その各共振周波数を計測
することによっても同様の結果が得られる。
対2−3を短絡した状態で、S1またはS2を短絡していな
い端子対へ印加し、その端子間の共振周波数を測定する
と2つの共振周波数が得られ、その各共振周波数を計測
することによっても同様の結果が得られる。
2つの信号S1とS2については、相互に振幅及び位相が同
一で、且つ相互間でリアクタンスの結合性がないという
条件が課されている。
一で、且つ相互間でリアクタンスの結合性がないという
条件が課されている。
計測回路中の浮遊リアクタンスの内で、端子対1−3と
端子対2−3の間の直接結合容量は計測精度に最も有害
な影響を与え、また両端子対に信号を導く回路にリアク
タンス差があると正確な計測ができなくなるという現象
を生じる。
端子対2−3の間の直接結合容量は計測精度に最も有害
な影響を与え、また両端子対に信号を導く回路にリアク
タンス差があると正確な計測ができなくなるという現象
を生じる。
この信号に関する条件は、電極電位を常に同一に保ち、
この浮遊リアクタンスの影響を排除するための条件であ
る。
この浮遊リアクタンスの影響を排除するための条件であ
る。
従って、本発明の計測方法は、高い周波数帯域において
もMCFの特性周波数を正確に計測することを可能とす
る。
もMCFの特性周波数を正確に計測することを可能とす
る。
次に本発明の計測装置の基本的構成を第4図を用いて説
明する。
明する。
同図において、11は計測対象である2電極MCFであり、
前記の第1及び第2図に示した第1端子1、第2端子
2、及び第3端子3を有している。
前記の第1及び第2図に示した第1端子1、第2端子
2、及び第3端子3を有している。
この計測装置の回路は、 信号源12と、該信号源12の出力信号を分配する信号分配
器13と、該信号分配器13により分配された各信号を減衰
せしめることができる。減衰伝送回路網14,15とからな
る[信号入力装置]、 MCFの出力信号を減衰せしめる減衰伝送回路網16と、該
減衰伝送回路網16の出力信号を測定する信号検出器17か
らなる[出力信号検出部]、 及び、MCFの3つの端子1、2、及び3と前記の[信号
入力装置]の2つの信号供給部18,19及び[出力信号検
出部]との間に介在し、MCFへ選択的に信号を供給せし
め、信号検出器へ伝送する回路を構成する[切換え器]
20、21、及び22とからなる。
器13と、該信号分配器13により分配された各信号を減衰
せしめることができる。減衰伝送回路網14,15とからな
る[信号入力装置]、 MCFの出力信号を減衰せしめる減衰伝送回路網16と、該
減衰伝送回路網16の出力信号を測定する信号検出器17か
らなる[出力信号検出部]、 及び、MCFの3つの端子1、2、及び3と前記の[信号
入力装置]の2つの信号供給部18,19及び[出力信号検
出部]との間に介在し、MCFへ選択的に信号を供給せし
め、信号検出器へ伝送する回路を構成する[切換え器]
20、21、及び22とからなる。
この計測装置において、F1、F2、Fs、及びFaを測定する
ための回路を構成するには、次のように各切換え器を切
換えながら行なうことになる。
ための回路を構成するには、次のように各切換え器を切
換えながら行なうことになる。
先ず、F1の計測時においては、切換え器20を左側に倒
し、切換え器21を右側に倒し、切換え器22を上側に倒し
た状態で計測する。この状態では第5図に示したような
接続回路が構成され、第2端子2と第3端子3の端子間
はインダクタ23によって静電容量を中和された状態とな
り、第1端子1と第3端子3の端子間だけへ励振入力信
号が印加され、その端子間の信号の伝送量が信号検出器
17で測定されてF1が計測されることになる。
し、切換え器21を右側に倒し、切換え器22を上側に倒し
た状態で計測する。この状態では第5図に示したような
接続回路が構成され、第2端子2と第3端子3の端子間
はインダクタ23によって静電容量を中和された状態とな
り、第1端子1と第3端子3の端子間だけへ励振入力信
号が印加され、その端子間の信号の伝送量が信号検出器
17で測定されてF1が計測されることになる。
F2の計測時においては、切換え器20を右側に倒し、切換
え器21を左側に倒し、切換え器22を上側に倒した状態で
計測する。この状態では第6図に示したような接続回路
が構成され、前記のF1の場合と逆に、第1端子1と第3
端子3の端子間はインダクタ24によって静電容量を中和
された状態となり、第2端子2と第3端子3の端子間だ
けへ励振入力信号が印加され、その端子間の信号の伝送
量が信号検出器17で測定されてF2が計測されることにな
る。
え器21を左側に倒し、切換え器22を上側に倒した状態で
計測する。この状態では第6図に示したような接続回路
が構成され、前記のF1の場合と逆に、第1端子1と第3
端子3の端子間はインダクタ24によって静電容量を中和
された状態となり、第2端子2と第3端子3の端子間だ
けへ励振入力信号が印加され、その端子間の信号の伝送
量が信号検出器17で測定されてF2が計測されることにな
る。
Fsの計測時においては、切換え器20、21を共に左側へ倒
し、切換え器22を上側に倒した状態で計測する。この状
態では第7図に示したような接続回路が構成され、第1
端子1と第3端子3の端子間及び第2端子2と第3端子
の端子間に相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間で
リアクタンスの結合性がない励振入力信号が印加され、
第3端子3へ信号の伝送量が信号検出器17で測定されて
Fsが計測されることになる。
し、切換え器22を上側に倒した状態で計測する。この状
態では第7図に示したような接続回路が構成され、第1
端子1と第3端子3の端子間及び第2端子2と第3端子
の端子間に相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間で
リアクタンスの結合性がない励振入力信号が印加され、
第3端子3へ信号の伝送量が信号検出器17で測定されて
Fsが計測されることになる。
Faの計測時においては、切換え器20を中央の位置にし、
切換え器21を左側に倒し、切換え器22を下側に倒した状
態で計測する。この状態では第8図に示したような接続
回路が構成され、第1端子1と第2端子2の端子間に励
振入力信号が印加され、その端子間の信号の伝送量が信
号検出器17で測定されてFaが計測されることになる。
切換え器21を左側に倒し、切換え器22を下側に倒した状
態で計測する。この状態では第8図に示したような接続
回路が構成され、第1端子1と第2端子2の端子間に励
振入力信号が印加され、その端子間の信号の伝送量が信
号検出器17で測定されてFaが計測されることになる。
以上の計測時において、2つの励振入力信号は信号源12
の信号を信号分配器13で分配した振幅及び位相が同一の
ものであることから、第1端子1と第2端子2の端子間
の直接容量結合の影響が排除される。また、抵抗減衰器
14、15、及び16を設けているが、これによって、励振モ
ードにおけるMCFの特性周波数と等価抵抗を容易に得る
ことができる。また更に、接続状態になっていない回路
部についても、ダミーラインとして常に一定位置に配設
されていることになるため、切換えられる回路のリアク
タンス差の影響を最小限に制御することができることに
なる。
の信号を信号分配器13で分配した振幅及び位相が同一の
ものであることから、第1端子1と第2端子2の端子間
の直接容量結合の影響が排除される。また、抵抗減衰器
14、15、及び16を設けているが、これによって、励振モ
ードにおけるMCFの特性周波数と等価抵抗を容易に得る
ことができる。また更に、接続状態になっていない回路
部についても、ダミーラインとして常に一定位置に配設
されていることになるため、切換えられる回路のリアク
タンス差の影響を最小限に制御することができることに
なる。
この結果、本計測装置では、高い周波数帯域においても
MCFの特性周波数を正確に計測することができ、また切
換え器を操作するだけの簡単な作業により、自動的に4
つの特性周波数を効率良く計測できることになる。
MCFの特性周波数を正確に計測することができ、また切
換え器を操作するだけの簡単な作業により、自動的に4
つの特性周波数を効率良く計測できることになる。
[実施例] 本発明の実施例を第9図から第14図を用いて説明する。
第9図に示す実施例は、第4図に示した計測装置の回路
を別に具体化したものである。
を別に具体化したものである。
この実施例の回路は、第4図の回路部品である信号源1
2、信号分配器13、減衰伝送回路網14,15,16、MCF11、イ
ンダクタ23,24、信号検出器17を同様に含んでおり、そ
れらの部品の配置関係は第4図におけると同様である。
2、信号分配器13、減衰伝送回路網14,15,16、MCF11、イ
ンダクタ23,24、信号検出器17を同様に含んでおり、そ
れらの部品の配置関係は第4図におけると同様である。
この回路が第4図の回路と異なる点は、主に切換え器の
配置と接続にある。
配置と接続にある。
即ち、第4図における切換え器20,21,22の代りに、MCF1
1の第1端子1側に切換え器31と32を、第2端子2側に
切換え器33と34を、第3端子3に切換え器35と36を、そ
れぞれ第9図に示すような回路構成で設けたものであ
る。
1の第1端子1側に切換え器31と32を、第2端子2側に
切換え器33と34を、第3端子3に切換え器35と36を、そ
れぞれ第9図に示すような回路構成で設けたものであ
る。
この計測装置において、F1、F2、Fs、及びFaを測定する
ための回路を構成するには、次のように各切換え器を切
換えながら行なうことになる。
ための回路を構成するには、次のように各切換え器を切
換えながら行なうことになる。
F1の測定時においては、切換え器31,32を左側に倒し、
切換え器33,34を右側に倒し、切換え器35,36を上側に倒
した状態で計測する。この状態では第11図に示したよう
な接続回路が構成され、第2端子2と第3端子3の端子
間はインダクタ23によって静電容量を中和された状態と
なり、第1端子1と第3端子3の端子間だけへ励振入力
信号が印加され、その端子間の信号の伝送量が信号検出
器17で測定されてF1が計測されることになるが、更に、
MCF11に接続されていない励振入力信号は切換え器33か
ら34を介して接地され、またMCF11の静電容量を中和す
るために接続されていないインダクタ24は切換え器32を
介して接地されることになる。
切換え器33,34を右側に倒し、切換え器35,36を上側に倒
した状態で計測する。この状態では第11図に示したよう
な接続回路が構成され、第2端子2と第3端子3の端子
間はインダクタ23によって静電容量を中和された状態と
なり、第1端子1と第3端子3の端子間だけへ励振入力
信号が印加され、その端子間の信号の伝送量が信号検出
器17で測定されてF1が計測されることになるが、更に、
MCF11に接続されていない励振入力信号は切換え器33か
ら34を介して接地され、またMCF11の静電容量を中和す
るために接続されていないインダクタ24は切換え器32を
介して接地されることになる。
F2の測定時においては、切換え器31,32を右側に倒し、
切換え器33,34を左側に倒し、切換え器35,36を上側に倒
した状態で計測する。この状態では第12図に示したよう
な接続回路が構成され、第1端子1と第3端子3の端子
間はインダクタ24によって静電容量を中和された状態と
なり、第2端子2と第3端子3の端子間だけへ励振入力
信号が印加され、その端子間の信号の伝送量が信号検出
器17で測定されてF2が計測されることになるが、更に、
MCF11に接続されていない入力信号は切換え器31から32
を介して接地され、またMCF11の接続容量を中和するた
めに接続されていないインダクタ23は切換え器34を介し
て接地されることになる。
切換え器33,34を左側に倒し、切換え器35,36を上側に倒
した状態で計測する。この状態では第12図に示したよう
な接続回路が構成され、第1端子1と第3端子3の端子
間はインダクタ24によって静電容量を中和された状態と
なり、第2端子2と第3端子3の端子間だけへ励振入力
信号が印加され、その端子間の信号の伝送量が信号検出
器17で測定されてF2が計測されることになるが、更に、
MCF11に接続されていない入力信号は切換え器31から32
を介して接地され、またMCF11の接続容量を中和するた
めに接続されていないインダクタ23は切換え器34を介し
て接地されることになる。
Fsの測定時においては、切換え器31,32を左側に倒し、
切換え器33,34を左側に倒し、切換え器35,36を上側に倒
した状態で計測する。この状態では第13図に示したよう
な接続回路が構成され、第1端子1と第3端子3の端子
間及び第2端子2と第3端子3の間に相互に振幅及び位
相が同一で、且つ相互間でリアクタンスの結合性がない
励振入力信号が印加され、第3端子3への信号の伝送量
が信号検出器17で測定されてFsが計測されることになる
が、更に、MCF11の静電容量を中和するために接続され
ていないインダクタ23,24は、両方ともそれぞれ切換え
器32,34を介して接地されることになる。
切換え器33,34を左側に倒し、切換え器35,36を上側に倒
した状態で計測する。この状態では第13図に示したよう
な接続回路が構成され、第1端子1と第3端子3の端子
間及び第2端子2と第3端子3の間に相互に振幅及び位
相が同一で、且つ相互間でリアクタンスの結合性がない
励振入力信号が印加され、第3端子3への信号の伝送量
が信号検出器17で測定されてFsが計測されることになる
が、更に、MCF11の静電容量を中和するために接続され
ていないインダクタ23,24は、両方ともそれぞれ切換え
器32,34を介して接地されることになる。
Faの測定時においては、切換え器31,32を右に倒し、切
換え器33,34を左側に倒し、切換え器35,36を下側に倒し
た状態で計測する。この状態では第14図に示したような
接続回路が構成され、第1端子1と第2端子2の端子間
に励振入力信号が印加され、その端子間の信号の伝送量
が信号検出器17で測定されてFaが計測されることになる
が、更に、MCF11に接続されていない入力信号は切換え
器31から32を介して接地され、更にMCF11の静電容量を
中和するために接続されていないインダクタ23,24は切
換え器35,34を介して接地されることになる。
換え器33,34を左側に倒し、切換え器35,36を下側に倒し
た状態で計測する。この状態では第14図に示したような
接続回路が構成され、第1端子1と第2端子2の端子間
に励振入力信号が印加され、その端子間の信号の伝送量
が信号検出器17で測定されてFaが計測されることになる
が、更に、MCF11に接続されていない入力信号は切換え
器31から32を介して接地され、更にMCF11の静電容量を
中和するために接続されていないインダクタ23,24は切
換え器35,34を介して接地されることになる。
このように、本実施例の回路においては、第4図の場合
と同様にMCF11の各特性周波数を切換え器の操作だけで
計測でき、同様の利点を有すると共に、MCF11に接続さ
れていない入力信号は接地されることになるため、切換
え器の容量を通じて入力信号が計測出力端へ通じること
を防止できるという利点を有し、また更に、MCF11の静
電容量を中和するために接続されていないインダクタを
接地して計測することができるようになるため浮遊リア
クタンスの影響を最小限に抑制できるという利点をも有
していることから、高い周波数帯域においても極めて精
度の高い計測が可能となる。
と同様にMCF11の各特性周波数を切換え器の操作だけで
計測でき、同様の利点を有すると共に、MCF11に接続さ
れていない入力信号は接地されることになるため、切換
え器の容量を通じて入力信号が計測出力端へ通じること
を防止できるという利点を有し、また更に、MCF11の静
電容量を中和するために接続されていないインダクタを
接地して計測することができるようになるため浮遊リア
クタンスの影響を最小限に抑制できるという利点をも有
していることから、高い周波数帯域においても極めて精
度の高い計測が可能となる。
尚、本実施例は切換え器として31,32,33,34,35,36で示
した6個のものを用いているが、2極2投の無線周波数
用継電器を使用すると、3個の切換え器にとして構成す
ることが可能となる。
した6個のものを用いているが、2極2投の無線周波数
用継電器を使用すると、3個の切換え器にとして構成す
ることが可能となる。
また、Faの計測が不要であり、F1,F2,Fsの3つの特性周
波数のみを計測すれば足りるときには、第10図に示すよ
うに、第9図における切換え器35,36を除いた簡略化さ
れた回路を用いることができる。
波数のみを計測すれば足りるときには、第10図に示すよ
うに、第9図における切換え器35,36を除いた簡略化さ
れた回路を用いることができる。
尚、減衰伝送回路網14,15,16としては抵抗性の2ポート
回路で構成される種々のものを用いることができるが、
3個の抵抗がπ形に接続されたパイネットワーク(国際
電気技術委員会(IEC)の書類番号444で標準化されてい
る)のものも採用できる。
回路で構成される種々のものを用いることができるが、
3個の抵抗がπ形に接続されたパイネットワーク(国際
電気技術委員会(IEC)の書類番号444で標準化されてい
る)のものも採用できる。
[発明の効果] 以上のように、本発明はMCFの特性周波数の計測方法及
び計測装置に係り、計測時における2端子対間の直接結
合容量の影響を最小限に抑制し、また他の浮遊リアクタ
ンスの影響を排除することにより、高い周波数帯域(最
低でも150MHzまで)でのMCFの特性周波数の高精度の計
測を可能とする。
び計測装置に係り、計測時における2端子対間の直接結
合容量の影響を最小限に抑制し、また他の浮遊リアクタ
ンスの影響を排除することにより、高い周波数帯域(最
低でも150MHzまで)でのMCFの特性周波数の高精度の計
測を可能とする。
また、切換え器を適宜操作することにより、自動的且つ
連続的にMCFの特性周波数を効率良く計測することを可
能とする。
連続的にMCFの特性周波数を効率良く計測することを可
能とする。
そして、この発明はMCFの周波数を予め設定された値に
調整する過程において周波数を監視するための手段とし
て、また反完成品や完成品のMCFの試験における周波数
の管理手段として極めて有効に活用することができる。
調整する過程において周波数を監視するための手段とし
て、また反完成品や完成品のMCFの試験における周波数
の管理手段として極めて有効に活用することができる。
第1図は2電極MCFの断面図、第2図は対称2電極MCFの
無損失等価回路、第3図は抽象・単純化したMCFを示す
図、第4図はMCFの特性周波数計測装置の基本的電気回
路図、第5図から第8図は計測装置における接続状態を
示す電気回路図、第9図及び第10図は実施例に係る計測
装置の電気回路図、第11図から第14図は実施例に係る計
測装置における接続状態を示す電気回路図である。 1……MCFの第1端子 2……MCFの第2端子 3……MCFの第3端子 4……水晶ウェハ、5,6,7,8……電極 9……トランス、11……MCF、12……信号源 13……信号分配器 14,15,16……減衰伝送回路網 17……信号検出器、18,19……信号供給部 20,21,22……切換え器 23、24……インダクタ 31,32,33,34,35,36……切換え器
無損失等価回路、第3図は抽象・単純化したMCFを示す
図、第4図はMCFの特性周波数計測装置の基本的電気回
路図、第5図から第8図は計測装置における接続状態を
示す電気回路図、第9図及び第10図は実施例に係る計測
装置の電気回路図、第11図から第14図は実施例に係る計
測装置における接続状態を示す電気回路図である。 1……MCFの第1端子 2……MCFの第2端子 3……MCFの第3端子 4……水晶ウェハ、5,6,7,8……電極 9……トランス、11……MCF、12……信号源 13……信号分配器 14,15,16……減衰伝送回路網 17……信号検出器、18,19……信号供給部 20,21,22……切換え器 23、24……インダクタ 31,32,33,34,35,36……切換え器
Claims (6)
- 【請求項1】モノリシック水晶フィルタにおける片側面
の2電極の端子をそれぞれ第1端子、第2端子とし、も
う一方の面の電極の端子を第3端子とした場合におい
て、相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間でリアク
タンスの結合性がない2つの信号をS1、S2として、第1
端子と第3端子の端子間にS1またはS2を印加して、その
端子間の共振周波数を計測し、第2端子と第3端子の端
子間にS1またはS2を印加して、その端子間の共振周波数
を計測し、第1端子と第3端子の端子間にS1を、第2端
子と第3端子の端子間にS2を印加して、第3端子の信号
出力により共振周波数を計測し、第3端子をフローティ
ング状態にし、第1端子と第2端子の端子間にS1または
S2を印加して、その端子間の共振周波数を計測すること
を特徴としたモノリシック水晶フィルタの特性周波数の
計測方法。 - 【請求項2】モノリシック水晶フィルタにおける片側面
の2電極の端子をそれぞれ第1端子、第2端子とし、も
う一方の面の電極の端子を第3端子とした場合におい
て、相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間でリアク
タンスの結合性がない2つの信号をS1、S2として、第1
端子と第3端子の端子間にS1またはS2を印加して、その
端子間の共振周波数を計測し、第2端子と第3端子の端
子間にS1またはS2を印加して、その端子間の共振周波数
を計測し、第1端子または第2端子を第3端子と短絡せ
しめた状態で、S1またはS2を第1端子または第2端子の
内の短絡していない端子と第3端子の端子間へ印加し、
その端子間の共振周波数を計測することを特徴としたモ
ノリシック水晶フィルタの特性周波数の計測方法。 - 【請求項3】相互に振幅及び位相が同一で、且つ相互間
でリアクタンスの結合性がない2つの入力信号を供給す
る信号入力装置と、出力信号検出器と、モノリシック水
晶フィルタの3つの端子と前記信号入力装置の2つの信
号供給部及び前記出力信号検出部との間に介在し、モノ
リシック水晶フィルタへ選択的に供給せしめ、信号検出
器へ伝送する回路を構成する切換え器とからなるモノリ
シック水晶フィルタの特性周波数の計測装置。 - 【請求項4】信号入力装置が、信号源からの信号を相互
に振幅及び位相が同一で、且つ相互間でリアクタンスの
結合性がない2つの信号へ分配するための信号分配器
と、該信号分配器に接続された減衰伝送回路網とからな
るものである特許請求の範囲第(3)項記載のモノリシ
ック水晶フィルタの特性周波数の計測装置。 - 【請求項5】モノリシック水晶フィルタの2つの端子対
に対してそれぞれ並列接続され、それぞれのフィルタポ
ートの並列静電容量を中和するインダクタンスを設けた
特許請求の範囲第(3)項または第(4)項記載のモノ
リシック水晶フィルタの特性周波数の計測装置。 - 【請求項6】減衰伝送回路網を信号検出器の入力側に介
装した特許請求の範囲第(3)項、第(4)項または第
(5)項記載のモノリシック水晶フィルタの特性周波数
の計測装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US801295 | 1985-11-25 | ||
| US06/801,295 US4725771A (en) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | Method and apparatus for frequency adjustment of monolithic crystal filters |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247272A JPS62247272A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH06100628B2 true JPH06100628B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=25180715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61279542A Expired - Lifetime JPH06100628B2 (ja) | 1985-11-25 | 1986-11-22 | モノリシツク水晶フイルタの特性周波数の計測方法及び計測装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4725771A (ja) |
| JP (1) | JPH06100628B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146174A (en) * | 1990-02-16 | 1992-09-08 | Ericsson Ge Mobile Communications Inc. | Switching arrangement method and apparatus for making parameter measurement and adjustment of coupled dual resonator crystals using both resonator ports |
| US5047726A (en) * | 1990-02-16 | 1991-09-10 | Ericsson Ge Mobile Communications Inc. | Method and apparatus for implementing four-frequency measuring process for coupled-dual resonator crystals using both resonator ports |
| US5049828A (en) * | 1990-02-16 | 1991-09-17 | Ericsson Ge Mobile Communications Inc. | Method and apparatus for parameter measurement of coupled-dual resonator crystals |
| US12574058B2 (en) * | 2021-10-27 | 2026-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multiplexer and electronic device containing multiplexer |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3963982A (en) * | 1974-09-17 | 1976-06-15 | General Electric Company | Apparatus for measuring the resonant frequency and coefficient of coupling of a plurality of coupled piezoelectric resonators |
| US4642505A (en) * | 1984-03-05 | 1987-02-10 | Motorola, Inc. | Laser trimming monolithic crystal filters to frequency |
-
1985
- 1985-11-25 US US06/801,295 patent/US4725771A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-11-22 JP JP61279542A patent/JPH06100628B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62247272A (ja) | 1987-10-28 |
| US4725771A (en) | 1988-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3573672A (en) | Crystal filter | |
| JPH0119771B2 (ja) | ||
| JP2716137B2 (ja) | 同調追跡方法、追跡同調フィルタ、追跡同調フィルタ・ミクサおよび追跡同調装置 | |
| US3963982A (en) | Apparatus for measuring the resonant frequency and coefficient of coupling of a plurality of coupled piezoelectric resonators | |
| US4337415A (en) | High frequency inductive generator for the inductive coil of a plasma generator | |
| US4093914A (en) | Method of measuring parameters of a crystal filter | |
| CA1173525A (en) | Two-pole monolithic crystal filter | |
| US4112147A (en) | Method of manufacturing a monolithic crystal filter | |
| US3992760A (en) | Apparatus and process for measuring the resonant frequency and coefficient of coupling of a plurality of coupled piezoelectric resonators | |
| JPH06100628B2 (ja) | モノリシツク水晶フイルタの特性周波数の計測方法及び計測装置 | |
| US2185599A (en) | Piezoelectric apparatus | |
| Kinsman | A history of crystal filters | |
| US5146174A (en) | Switching arrangement method and apparatus for making parameter measurement and adjustment of coupled dual resonator crystals using both resonator ports | |
| US4342014A (en) | Multi-resonator crystal filter having a reduced number of pins and method of fabrication thereof | |
| US3596212A (en) | Electrical band-pass filter employing monolithic crystals | |
| US4733164A (en) | Method and apparatus for frequency measurement and adjustment of monolithic crystal filters | |
| US3525944A (en) | Frequency discriminator circuit | |
| US3599124A (en) | Crystal filters | |
| US5587663A (en) | Method for measuring the inductance of each resonator of a coupled-dual resonator crystal | |
| US4123732A (en) | Method of making tuned resonance passive electronic filters | |
| CA1263152A (en) | Quadrupole mass filter with unbalanced r.f. voltage | |
| US5049828A (en) | Method and apparatus for parameter measurement of coupled-dual resonator crystals | |
| JPH0862314A (ja) | Nmr受信コイルの同調方法および回路装置 | |
| JPS6323407A (ja) | フイルタ回路 | |
| KR0168437B1 (ko) | 이중결합된 공진자 크리스탈에 대한 4개의 주파수 측정 공정 |