JPH06100841B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH06100841B2 JPH06100841B2 JP59146197A JP14619784A JPH06100841B2 JP H06100841 B2 JPH06100841 B2 JP H06100841B2 JP 59146197 A JP59146197 A JP 59146197A JP 14619784 A JP14619784 A JP 14619784A JP H06100841 B2 JPH06100841 B2 JP H06100841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carbon
- oxygen
- photoconductive layer
- sccm
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子写真感光体、就中、アモルファスシリコン
感光体に関する。
感光体に関する。
従来技術 ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（amorphous silico
n;以下ａ−Siと略す）の感光体への応用が注目されてき
ている。また同様に、長波長領域の感度を向上して半導
体レーザによる作像を可能とするアモルファスシリコン
−ゲルマニウム（以下、ａ−Si:Geと記す）の応用も注
目されている。これはａ−Si,a−Si:Geが従来のセレン
やCdS感光体と比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、
光感度特性等において一段と優れているためである。
て生成されるアモルファスシリコン（amorphous silico
n;以下ａ−Siと略す）の感光体への応用が注目されてき
ている。また同様に、長波長領域の感度を向上して半導
体レーザによる作像を可能とするアモルファスシリコン
−ゲルマニウム（以下、ａ−Si:Geと記す）の応用も注
目されている。これはａ−Si,a−Si:Geが従来のセレン
やCdS感光体と比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、
光感度特性等において一段と優れているためである。
しかしながら、ａ−Si,a−Si:Geは暗抵抗が低くそのま
までは電荷保持層を兼ねた光導電層として使用できない
という欠点がある。このため、酸素や窒素を含有させて
その暗抵抗を向上させることが提案されているが、逆に
光感度が低下するという欠点があり、その含有量も制限
がある。このことにより、例えば、特開昭57−115551号
公報に示されるように、ａ−Si光導電層上に多量の炭素
を含むａ−Si絶縁層を形成して電荷保持の向上を図るこ
とが提案されている。しかしながら、この技術は炭素含
量が高く、光導電層との界面で剥離を生じ易く、またコ
ピーの繰返しに伴ない界面に電荷が蓄積し、残留電位が
上昇したり、あるいは蓄積電荷の横流れによる画像のぼ
けが発生し易い。また高炭素含量にもとづく感度の低下
に対し考慮されていない。さらに炭素含量70atomic％
（以下、at％と記す）以上のものについては表面硬度の
低下に伴なう障害（例えば複写に伴ない画像に白筋を生
ずる）を避けることができない。
までは電荷保持層を兼ねた光導電層として使用できない
という欠点がある。このため、酸素や窒素を含有させて
その暗抵抗を向上させることが提案されているが、逆に
光感度が低下するという欠点があり、その含有量も制限
がある。このことにより、例えば、特開昭57−115551号
公報に示されるように、ａ−Si光導電層上に多量の炭素
を含むａ−Si絶縁層を形成して電荷保持の向上を図るこ
とが提案されている。しかしながら、この技術は炭素含
量が高く、光導電層との界面で剥離を生じ易く、またコ
ピーの繰返しに伴ない界面に電荷が蓄積し、残留電位が
上昇したり、あるいは蓄積電荷の横流れによる画像のぼ
けが発生し易い。また高炭素含量にもとづく感度の低下
に対し考慮されていない。さらに炭素含量70atomic％
（以下、at％と記す）以上のものについては表面硬度の
低下に伴なう障害（例えば複写に伴ない画像に白筋を生
ずる）を避けることができない。
オーバーコート層に炭素を含量アモルファスシリコンを
用いた感光体については、特開昭58−108543号にも記載
されている。この技術は、炭素濃度勾配について示唆す
るものではなく、しかも炭素含量が30at％までと低く、
オーバーコート層としての耐湿性は不充分なものしか得
られず、10〜25at％程度を含有させたものでは複写枚数
が増えるに従い、高湿中で画像流れを生じ易い。
用いた感光体については、特開昭58−108543号にも記載
されている。この技術は、炭素濃度勾配について示唆す
るものではなく、しかも炭素含量が30at％までと低く、
オーバーコート層としての耐湿性は不充分なものしか得
られず、10〜25at％程度を含有させたものでは複写枚数
が増えるに従い、高湿中で画像流れを生じ易い。
アモルファスシリコン（光導電層）中の炭素濃度に勾配
をつける技術は特開昭57−119356号に提案されている。
この技術はオーバーコート層ではなく、光導電層の１部
に炭素原子を含有する層領域を設けることを特徴とする
ものであるが、その炭素含量は0.03〜90at％と著るしく
広範囲であり、特定の炭素含量のアモルファスシリコン
をオーバーコートに用いることについては全く提案され
ていない。また炭素を用いることに伴ない問題となる光
疲労や感度低下を解決するための技術を提案していな
い。
をつける技術は特開昭57−119356号に提案されている。
この技術はオーバーコート層ではなく、光導電層の１部
に炭素原子を含有する層領域を設けることを特徴とする
ものであるが、その炭素含量は0.03〜90at％と著るしく
広範囲であり、特定の炭素含量のアモルファスシリコン
をオーバーコートに用いることについては全く提案され
ていない。また炭素を用いることに伴ない問題となる光
疲労や感度低下を解決するための技術を提案していな
い。
発明の目的 本発明は、アモルファスシリコン系電子写真感光体の欠
点を改良し、光疲労がなく、光感度特性、電荷保持特
性、表面硬度、耐湿性等、電子写真特性全般にわたって
優れた性質を有する電子写真感光体を得ることを目的と
する。
点を改良し、光疲労がなく、光感度特性、電荷保持特
性、表面硬度、耐湿性等、電子写真特性全般にわたって
優れた性質を有する電子写真感光体を得ることを目的と
する。
発明の構成 導電性基体上に、水素を含有するアモルファスシリコン
光導電層と、水素、炭素および酸素を含有し、炭素の含
有量が光導電層近接部で低く表面に向けて高い炭素濃度
勾配を有するとともに最外表面において35〜65atomic％
で、かつ炭素濃度勾配部における酸素含有量が0.05〜10
atomic％であるアモルファスシリコン透光性オーバーコ
ート層とを備えたことを特徴とする電子写真感光体。
光導電層と、水素、炭素および酸素を含有し、炭素の含
有量が光導電層近接部で低く表面に向けて高い炭素濃度
勾配を有するとともに最外表面において35〜65atomic％
で、かつ炭素濃度勾配部における酸素含有量が0.05〜10
atomic％であるアモルファスシリコン透光性オーバーコ
ート層とを備えたことを特徴とする電子写真感光体。
本発明の基本構成を第１図および第２図で説明する。
第１図は本発明電子写真感光体の部分断面模式図であ
る。
る。
図中、（１）は基体、（２）は光導電層および（３）は
オーバーコート層を示す。
オーバーコート層を示す。
基体は通常の電子写真感光体に一般に用いられる導電性
材料、例えばAlドラム等であり、本発明はこの点に特徴
はない。
材料、例えばAlドラム等であり、本発明はこの点に特徴
はない。
光導電層（２）は、アモルファスシリコン系感光層であ
り、アモルファスシリコン−水素（以下、ａ−Si:Hと云
う）を基本とし、これに部分的に酸素、窒素、ハロゲン
（特にフッ素）等を加えたものであってもよい。またａ
−Si:Geの層であってもよく、さらに硼素や燐等を加え
て、P,N制御を行なってもよい。
り、アモルファスシリコン−水素（以下、ａ−Si:Hと云
う）を基本とし、これに部分的に酸素、窒素、ハロゲン
（特にフッ素）等を加えたものであってもよい。またａ
−Si:Geの層であってもよく、さらに硼素や燐等を加え
て、P,N制御を行なってもよい。
ａ−Siを含む光導電層はグロー放電分解法等、常法によ
って形成させればよい。層厚は10〜100μｍ、好ましく
は10〜60μｍである。
って形成させればよい。層厚は10〜100μｍ、好ましく
は10〜60μｍである。
基体（１）と光導電層（２）の間にはアンダーコート層
を設けてもよい。
を設けてもよい。
本発明においては光導電層上にさらにオーバーコート層
を設ける。オーバーコート層はアモルファスシリコン−
炭素（以下、ａ−Si・Ｃ−Ｈと云う）で形成される。ａ
−Si・Ｃ−Ｈの炭素含量は表面層に至る程高く、最表面
層では、35〜65at％（｛Ｃ原子数／（Ｃ原子数＋Si原子
数）｝×100）の範囲に設定するのが好ましい。最表面
層の炭素濃度が35at％より小さいと感度が不十分で光疲
労が発生すると共に、期待する耐湿安定性が得られな
い。また、65at％以上では、表面硬度が低下し、白筋状
の画像欠陥を生ずる。炭素含量35〜65at％の層は0.01〜
1.5μｍ、より好ましくは0.03〜0.5μｍである。層厚が
これより薄いと耐湿性、耐刷性の面から保護層としての
機能が不十分となり、厚すぎると感度が低下し残留電位
が高くなる欠点を生ずる。
を設ける。オーバーコート層はアモルファスシリコン−
炭素（以下、ａ−Si・Ｃ−Ｈと云う）で形成される。ａ
−Si・Ｃ−Ｈの炭素含量は表面層に至る程高く、最表面
層では、35〜65at％（｛Ｃ原子数／（Ｃ原子数＋Si原子
数）｝×100）の範囲に設定するのが好ましい。最表面
層の炭素濃度が35at％より小さいと感度が不十分で光疲
労が発生すると共に、期待する耐湿安定性が得られな
い。また、65at％以上では、表面硬度が低下し、白筋状
の画像欠陥を生ずる。炭素含量35〜65at％の層は0.01〜
1.5μｍ、より好ましくは0.03〜0.5μｍである。層厚が
これより薄いと耐湿性、耐刷性の面から保護層としての
機能が不十分となり、厚すぎると感度が低下し残留電位
が高くなる欠点を生ずる。
炭素含量は光導電層に近づくに従って漸減させ、オーバ
ーコート層と光導電層との間で実質上、炭素濃度に関す
るギャップを生じないようにする。このことによって、
オーバーコート層と光導電層間の密着性を向上させ、剥
離を防止すると共に、両者の界面部における電荷の蓄積
による残留電位の上昇や、蓄積された電荷の横流れによ
る画像のボケを防止する。炭素濃度勾配部の層厚は、密
着性の点からはできるだけなだらかな濃度勾配をもたせ
るため厚くする方が好ましいが、光導電特性を考慮する
と約200〜9000Åとするのが好ましい。濃度勾配部の厚
みが小さすぎると、実質上濃度勾配部がないのと同様の
欠陥を生じ、逆に9000Å以上としても、上記の効果をそ
れ以上に達成することができないばかりでなく、ａ−Si
・Ｃ−Ｈ層が厚くなりすぎて、感度低下等別の問題を生
じ易くなる。
ーコート層と光導電層との間で実質上、炭素濃度に関す
るギャップを生じないようにする。このことによって、
オーバーコート層と光導電層間の密着性を向上させ、剥
離を防止すると共に、両者の界面部における電荷の蓄積
による残留電位の上昇や、蓄積された電荷の横流れによ
る画像のボケを防止する。炭素濃度勾配部の層厚は、密
着性の点からはできるだけなだらかな濃度勾配をもたせ
るため厚くする方が好ましいが、光導電特性を考慮する
と約200〜9000Åとするのが好ましい。濃度勾配部の厚
みが小さすぎると、実質上濃度勾配部がないのと同様の
欠陥を生じ、逆に9000Å以上としても、上記の効果をそ
れ以上に達成することができないばかりでなく、ａ−Si
・Ｃ−Ｈ層が厚くなりすぎて、感度低下等別の問題を生
じ易くなる。
ａ−Si・Ｃ−Ｈ層において炭素濃度が低い部分（即ち炭
素濃度勾配部）では光吸収が大きく、光導電層への光の
透過を阻害し、感度低下をきたし、同時に光疲労を生じ
易くなる。
素濃度勾配部）では光吸収が大きく、光導電層への光の
透過を阻害し、感度低下をきたし、同時に光疲労を生じ
易くなる。
上記問題を解決するため、本発明では炭素濃度勾配部に
酸素をドープさせる。酸素のドープによりａ−Si・Ｃ−
Ｈの炭素濃度が低い部分における光の透過性が向上し、
光疲労が少なくなると共に光導電層との密着性をより向
上させることができる。酸素のドープは、炭素濃度35〜
65at％の領域では意図的に行なう必要はないが、少量
（例えば数％まで）ドープすると表面硬度をより向上さ
せることが可能である。
酸素をドープさせる。酸素のドープによりａ−Si・Ｃ−
Ｈの炭素濃度が低い部分における光の透過性が向上し、
光疲労が少なくなると共に光導電層との密着性をより向
上させることができる。酸素のドープは、炭素濃度35〜
65at％の領域では意図的に行なう必要はないが、少量
（例えば数％まで）ドープすると表面硬度をより向上さ
せることが可能である。
本発明では酸素ドープは主として、炭素濃度勾配部に対
して行なう。酸素のドープ量は0.05〜10at％（｛Ｏ原子
数／（Si原子数＋Ｃ原子数＋Ｏ原子数）｝×100）、よ
り好ましくは0.1〜5at％である。酸素ドープは一定でよ
いが、必要ならば炭素含量が減少するに従って増加して
もよい。酸素含量が5at％、特に10at％以上になると残
留電位発生の原因となる。
して行なう。酸素のドープ量は0.05〜10at％（｛Ｏ原子
数／（Si原子数＋Ｃ原子数＋Ｏ原子数）｝×100）、よ
り好ましくは0.1〜5at％である。酸素ドープは一定でよ
いが、必要ならば炭素含量が減少するに従って増加して
もよい。酸素含量が5at％、特に10at％以上になると残
留電位発生の原因となる。
第２図は上記の態様を模式的に示したものである。経軸
はオーバーコート層（３）の最表面から光導電層との界
面に至る厚さを示し、緯軸は炭素濃度と酸素濃度を示
す。領域（OPQRSO）はオーバーコート層の深さに対応す
る本発明炭素濃度の範囲を模式的に示している。この領
域において炭素濃度は線（４）および（５）に示すごと
く変化してもよい。線（４）は、オーバーコート層表面
から深さ0.5μｍまで炭素濃度50at％を含むａ−Si・Ｃ
−Ｈで構成され、以後炭素濃度は漸減し、光導電層との
界面では実質上０となっていることを示す。線（５）
は、最表面層から界面に向かって、炭素濃度が直線的に
減少していることを示している。
はオーバーコート層（３）の最表面から光導電層との界
面に至る厚さを示し、緯軸は炭素濃度と酸素濃度を示
す。領域（OPQRSO）はオーバーコート層の深さに対応す
る本発明炭素濃度の範囲を模式的に示している。この領
域において炭素濃度は線（４）および（５）に示すごと
く変化してもよい。線（４）は、オーバーコート層表面
から深さ0.5μｍまで炭素濃度50at％を含むａ−Si・Ｃ
−Ｈで構成され、以後炭素濃度は漸減し、光導電層との
界面では実質上０となっていることを示す。線（５）
は、最表面層から界面に向かって、炭素濃度が直線的に
減少していることを示している。
領域（OVTUO）は酸素のドープ量を示している。線
（６）は、線（４）で示す炭素含量減少領域に酸素を一
定量（0.3at％）ドープしたことを示す図である。酸素
のドープ量は線（７）で示すごとく、界面に近い程多く
してもよい。
（６）は、線（４）で示す炭素含量減少領域に酸素を一
定量（0.3at％）ドープしたことを示す図である。酸素
のドープ量は線（７）で示すごとく、界面に近い程多く
してもよい。
発明の効果 本発明は、ａ−Si−Ｈ電子写真感光体の暗抵抗が低いと
云う欠点を、オーバーコート層に特定量の炭素を有する
ａ−Si・Ｃ−Ｈを用いて電荷保持の向上を図り;a−Si・
Ｃ−Ｈと光導電層間の密着性と電荷の蓄積の問題を、オ
ーバーコート層の炭素含量に勾配をもたせることにより
解決し；さらに、ａ−Si・Ｃ−Ｈの低炭素含量部分によ
って生じ易い光疲労や不透明化を、低炭素含量部分に酸
素をドープすることによって解消している。従って、得
られた電子写真感光体は感度、解像力、階調再現性、鮮
明性、耐摩耗、耐湿性、耐久性に優れ、かつａ−Si・Ｃ
−Ｈでオーバーコートした電子写真感光体による複写に
おいて生じ易い白筋、白斑等の発生が抑制される。
云う欠点を、オーバーコート層に特定量の炭素を有する
ａ−Si・Ｃ−Ｈを用いて電荷保持の向上を図り;a−Si・
Ｃ−Ｈと光導電層間の密着性と電荷の蓄積の問題を、オ
ーバーコート層の炭素含量に勾配をもたせることにより
解決し；さらに、ａ−Si・Ｃ−Ｈの低炭素含量部分によ
って生じ易い光疲労や不透明化を、低炭素含量部分に酸
素をドープすることによって解消している。従って、得
られた電子写真感光体は感度、解像力、階調再現性、鮮
明性、耐摩耗、耐湿性、耐久性に優れ、かつａ−Si・Ｃ
−Ｈでオーバーコートした電子写真感光体による複写に
おいて生じ易い白筋、白斑等の発生が抑制される。
実施例１ 第３図に示すグロー放電分解装置において、まず、回転
ポンプ（23）を、それに続いて拡散ポンプ（24）を作動
させ、反応室（25）の内部を10-6Torr程度の高真空にし
た後、第１〜第３及び第５調整弁（13），（14），（1
5），（17）を開放し、第１タンク（８）より、H2ガ
ス、第２タンク（９）より100％SiH4ガス、第３タンク
（10）よりH2で200ppmに希釈されたB2H6ガス、更に第５
タンク（12）よりO2ガスを出力圧ゲージ1Kg/cm2の下で
マスフローコントローラ（18），（19），（20），（2
2）内へ流入させた。そして、各マスフローコントロー
ラの目盛を調整して、H2の流量を486.5sccm、SiH4を90s
ccm、B2H6を22.5sccm、O2を1.0sccmとなるように設定し
て反応室（25）内へ流入した。夫々の流量が安定した後
に、反応室（25）の内圧が1.0Torrとなるように調整し
た。一方、導電性基板（27）としては直径80mmのアルミ
ニウムドラムを用いて240℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源
（26）を投入し電極板（28）に250wattsの電力（周波数
13.56MHz）を印加してグロー放電を発生させた。このグ
ロー放電を約６時間持続して行い、導電性基板（27）上
に水素，硼素並びに微量の酸素を含む厚さ約20μｍのａ
−Si光導電層（29）（第４図）を形成した。
ポンプ（23）を、それに続いて拡散ポンプ（24）を作動
させ、反応室（25）の内部を10-6Torr程度の高真空にし
た後、第１〜第３及び第５調整弁（13），（14），（1
5），（17）を開放し、第１タンク（８）より、H2ガ
ス、第２タンク（９）より100％SiH4ガス、第３タンク
（10）よりH2で200ppmに希釈されたB2H6ガス、更に第５
タンク（12）よりO2ガスを出力圧ゲージ1Kg/cm2の下で
マスフローコントローラ（18），（19），（20），（2
2）内へ流入させた。そして、各マスフローコントロー
ラの目盛を調整して、H2の流量を486.5sccm、SiH4を90s
ccm、B2H6を22.5sccm、O2を1.0sccmとなるように設定し
て反応室（25）内へ流入した。夫々の流量が安定した後
に、反応室（25）の内圧が1.0Torrとなるように調整し
た。一方、導電性基板（27）としては直径80mmのアルミ
ニウムドラムを用いて240℃に予じめ加熱しておき、各
ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で高周波電源
（26）を投入し電極板（28）に250wattsの電力（周波数
13.56MHz）を印加してグロー放電を発生させた。このグ
ロー放電を約６時間持続して行い、導電性基板（27）上
に水素，硼素並びに微量の酸素を含む厚さ約20μｍのａ
−Si光導電層（29）（第４図）を形成した。
ａ−Si光導電層が形成されると、高周波電源（26）から
の電力印加を停止せず、連続的に移行層の成膜をする。
すなわち、マスフローコントローラ（22）によりO2ガス
を素早く3sccmとなるように、またマスフローコントロ
ーラ（20）によりB2H6ガスも同時に0sccmとなるように
設定し反応室（25）内へ流入又は停止させ、約２分間こ
の状態を保った。
の電力印加を停止せず、連続的に移行層の成膜をする。
すなわち、マスフローコントローラ（22）によりO2ガス
を素早く3sccmとなるように、またマスフローコントロ
ーラ（20）によりB2H6ガスも同時に0sccmとなるように
設定し反応室（25）内へ流入又は停止させ、約２分間こ
の状態を保った。
また、この２分間の間にマスフローコントローラ（21）
により、C2H4ガスを０から45sccmとなるように徐々に変
えていった。こうして約0.1μｍのａ−Si・Ｃ移行層（3
0′）（第４図）を形成した。さらに高周波を印加した
まま、約３分間をかけて、マスフローコントローラによ
りSiH4ガスを90sccmから30sccmまで、O2ガスを3sccmか
ら0sccmまで一様に減少させていった。この間C2T4ガス
は45sccm流れたままである。こうして約0.1μｍのａ−S
i・Ｃ移行層（30″）（第４図）を形成した。
により、C2H4ガスを０から45sccmとなるように徐々に変
えていった。こうして約0.1μｍのａ−Si・Ｃ移行層（3
0′）（第４図）を形成した。さらに高周波を印加した
まま、約３分間をかけて、マスフローコントローラによ
りSiH4ガスを90sccmから30sccmまで、O2ガスを3sccmか
ら0sccmまで一様に減少させていった。この間C2T4ガス
は45sccm流れたままである。こうして約0.1μｍのａ−S
i・Ｃ移行層（30″）（第４図）を形成した。
さらに、高周波電力を印加したままB2H6ガスを止め、こ
の状態を６分間保つことにより、約0.1μｍのオーバー
コート最表面層（31）を形成し、その直後高周波電力印
加を停止した。
の状態を６分間保つことにより、約0.1μｍのオーバー
コート最表面層（31）を形成し、その直後高周波電力印
加を停止した。
こうして成膜されたオーバーコート最表面層（31）には
約40at％の炭素が含まれ、移行層（30）には最大約3at
％の酸素が含まれている。
約40at％の炭素が含まれ、移行層（30）には最大約3at
％の酸素が含まれている。
こうして得られた感光体を粉像転写型複写機（EP−650
Z:ミノルタカメラ（株）製）にセットし、（＋）帯電に
てコピーしたところ解像力に優れ、階調再現性の良い鮮
明な高濃度の画像が得られた。また、400,000枚の連続
複写を行っても白筋・白斑点等の画像特性の低下は認め
られず最後まで良好なコピーが得られた。更に、30℃、
85％という高温・高湿の条件での複写でもその電子写真
特性、画像特性は常温常湿条件下と何ら変ることはなか
った。
Z:ミノルタカメラ（株）製）にセットし、（＋）帯電に
てコピーしたところ解像力に優れ、階調再現性の良い鮮
明な高濃度の画像が得られた。また、400,000枚の連続
複写を行っても白筋・白斑点等の画像特性の低下は認め
られず最後まで良好なコピーが得られた。更に、30℃、
85％という高温・高湿の条件での複写でもその電子写真
特性、画像特性は常温常湿条件下と何ら変ることはなか
った。
参考例１〜８ 実施例１の手順に準じて感光体を作成した。但し、移行
層（30′）では、エチレン流量を０からZsccmに単調増
加させ、移行層（30″）及び表面層（31）では酸素は用
いず、エチレンはZsccmそのまま流して成膜した。
層（30′）では、エチレン流量を０からZsccmに単調増
加させ、移行層（30″）及び表面層（31）では酸素は用
いず、エチレンはZsccmそのまま流して成膜した。
Ｚを変え、それぞれについてオーバーコート層中のカー
ボン量をオージェ分析により定量した結果を表−１に示
す。
ボン量をオージェ分析により定量した結果を表−１に示
す。
得られた感光体を実施例１と同一の複写機により40,000
枚の連続複写を行なった。その結果、参考例８の感光体
は、コピー画像に白筋が発生し、さらに30℃、85％環境
下にて実写を行なったところ、参考例１および２の感光
体は画像流れが発生した。従って、オーバーコート層の
カーボン層が少ない場合、耐湿性が不充分であり、多す
ぎると表面硬度が低下し、実写中に白筋が発生する不具
合点が発生することがわかった。このためカーボンの適
正量としては、35〜65at％である。
枚の連続複写を行なった。その結果、参考例８の感光体
は、コピー画像に白筋が発生し、さらに30℃、85％環境
下にて実写を行なったところ、参考例１および２の感光
体は画像流れが発生した。従って、オーバーコート層の
カーボン層が少ない場合、耐湿性が不充分であり、多す
ぎると表面硬度が低下し、実写中に白筋が発生する不具
合点が発生することがわかった。このためカーボンの適
正量としては、35〜65at％である。
実施例２〜６および比較例１および２ 実施例１の手順に準じて感光体を作成した。但し、移行
層（30′）では、酸素流量を１からYsccmに素早く増加
させ、移行層（30″）では、Ｙから0sccm単調減少さ
せ、表面層（31）では酸素が0sccmとなるように成膜し
た。
層（30′）では、酸素流量を１からYsccmに素早く増加
させ、移行層（30″）では、Ｙから0sccm単調減少さ
せ、表面層（31）では酸素が0sccmとなるように成膜し
た。
Ｙを変え、それぞれについて移行層中の最大酸素量をオ
ージェ分析により定量した結果を表−２に示す。
ージェ分析により定量した結果を表−２に示す。
得られた感光体を感光体試験機にセットし、コロナ・チ
ャージングとイレーシングの繰返しテストを行なった。
ャージングとイレーシングの繰返しテストを行なった。
その結果、移行層中に酸素が添加されていない比較例１
の感光体では表面電位の低下が観測された。そして酸素
の添加量を増加することによって表面電位の低下率がお
さえられる傾向にあることがわかった。この表面電位の
低下率を光疲労（Light Fatigue）と名付け、特に１回
転目の表面電位（Vo1）と10回転目の表面電位（Vo10）
の差から下記式に基き、光疲労度を求めた。
の感光体では表面電位の低下が観測された。そして酸素
の添加量を増加することによって表面電位の低下率がお
さえられる傾向にあることがわかった。この表面電位の
低下率を光疲労（Light Fatigue）と名付け、特に１回
転目の表面電位（Vo1）と10回転目の表面電位（Vo10）
の差から下記式に基き、光疲労度を求めた。
光疲労度＝｛（Vo1−Vo10）／Vo1｝×100 この光疲労度と移行層中の酸素量との関係を示したもの
が第５図である。
が第５図である。
また、移行層中の酸素量を増加することにより、分光感
度、特に短波長感度が向上することをが第６図から理解
される。
度、特に短波長感度が向上することをが第６図から理解
される。
しかし、酸素を多量に含む比較例２の感光体は常温常湿
の環境下でも画像が流れ、通常の電子写真プロセスでは
鮮明な画像が得られない。さらに実施例６の感光体は上
記欠点はないが、これを実施例１に記載された複写機に
セットして連続複写を行なったところ、数千枚位から画
像カブリが認められ、繰返し複写により顕著となった。
の環境下でも画像が流れ、通常の電子写真プロセスでは
鮮明な画像が得られない。さらに実施例６の感光体は上
記欠点はないが、これを実施例１に記載された複写機に
セットして連続複写を行なったところ、数千枚位から画
像カブリが認められ、繰返し複写により顕著となった。
以上のことから移行層中の酸素量の特に好ましい範囲は
0.1〜5at％である。
0.1〜5at％である。
比較例３〜８ 実施例１と同一条件でａ−Si光導電層（29）を成膜した
後、高周波電力印加を停止するとともに、マスフローコ
ントローラの流量をすべて０設定にし、反応室（25）内
を十分脱気した。その後、第１タンク（８）よりH2ガス
を486.5sccm、第２タンク（９）より100％SiH4ガスを30
sccm、第４タンク（11）よりC2H4ガスを120sccmとなる
ようマスフローコントローラの目盛りを調整し、夫々の
流量が安定した後に再び250wattsの高周波電力を投入
し、６分間成膜を行なった後、高周波電力印加を停止し
た。これは実施例１において（30）の移行層を設けなか
ったものに相当する。
後、高周波電力印加を停止するとともに、マスフローコ
ントローラの流量をすべて０設定にし、反応室（25）内
を十分脱気した。その後、第１タンク（８）よりH2ガス
を486.5sccm、第２タンク（９）より100％SiH4ガスを30
sccm、第４タンク（11）よりC2H4ガスを120sccmとなる
ようマスフローコントローラの目盛りを調整し、夫々の
流量が安定した後に再び250wattsの高周波電力を投入
し、６分間成膜を行なった後、高周波電力印加を停止し
た。これは実施例１において（30）の移行層を設けなか
ったものに相当する。
同様にC2H4ガス流量のみを変えて、数種類の感光体を作
製した結果を表−３に示す。
製した結果を表−３に示す。
実施例１と同一の複写機により40,000枚の連続複写を行
なった結果、比較例５、６、７および８から得られた感
光体は、すべて画像に白筋が発生した。これは、オーバ
ーコート層と光導電層との接着性が悪く、複写機内のク
リーニング過程でオーバーコート層が剥離してくること
による。40,000枚複写後に30℃、85％という高温高湿下
で実写を行なったところ、比較例３および４から得られ
た感光体は画像流れが発生した。このため、オーバーコ
ート層の剥離防止と高耐湿性を両方満足するためには、
移行層（29）が必要であることがわかった。
なった結果、比較例５、６、７および８から得られた感
光体は、すべて画像に白筋が発生した。これは、オーバ
ーコート層と光導電層との接着性が悪く、複写機内のク
リーニング過程でオーバーコート層が剥離してくること
による。40,000枚複写後に30℃、85％という高温高湿下
で実写を行なったところ、比較例３および４から得られ
た感光体は画像流れが発生した。このため、オーバーコ
ート層の剥離防止と高耐湿性を両方満足するためには、
移行層（29）が必要であることがわかった。
第１図は本発明電子写真感光体の模式的部分断面図、第
２図はオーバーコート層中の炭素濃度と酸素濃度を示す
模式図、第３図は本発明感光体を製造するために用いる
装置の概略図、第４図は実施例を説明するための感光体
の部分断面図、第５図はオーバーコート層中の酸素濃度
と光疲労度を示すグラフおよび第６図は本発明感光体の
対波長感度を示すグラフ。 （１）基体、（２）光導電層、（３）オーバーコート
層。
２図はオーバーコート層中の炭素濃度と酸素濃度を示す
模式図、第３図は本発明感光体を製造するために用いる
装置の概略図、第４図は実施例を説明するための感光体
の部分断面図、第５図はオーバーコート層中の酸素濃度
と光疲労度を示すグラフおよび第６図は本発明感光体の
対波長感度を示すグラフ。 （１）基体、（２）光導電層、（３）オーバーコート
層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−52180（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−137841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−168051（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−69149（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−115551（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−108542（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−119356（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−115553（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基体上に、水素を含有するアモルフ
ァスシリコン光導電層と、水素、炭素および酸素を含有
し、炭素の含有量が光導電層近接部で低く表面に向けて
高い炭素濃度勾配を有するとともに最外表面において35
〜65atomic％で、かつ炭素濃度勾配部における酸素含有
量が0.05〜10atomic％であるアモルファスシリコン透光
性オーバーコート層とを備えたことを特徴とする電子写
真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146197A JPH06100841B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146197A JPH06100841B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6125153A JPS6125153A (ja) | 1986-02-04 |
| JPH06100841B2 true JPH06100841B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=15402321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59146197A Expired - Lifetime JPH06100841B2 (ja) | 1984-07-14 | 1984-07-14 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100841B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737429A (en) * | 1986-06-26 | 1988-04-12 | Xerox Corporation | Layered amorphous silicon imaging members |
| JPH05249722A (ja) * | 1993-01-07 | 1993-09-28 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JP2007293280A (ja) | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Kyocera Corp | 電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57119356A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5920237U (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-07 | 株式会社東芝 | アモルフアスシリコン感光体 |
-
1984
- 1984-07-14 JP JP59146197A patent/JPH06100841B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6125153A (ja) | 1986-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |