JPH05279110A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPH05279110A JPH05279110A JP4100199A JP10019992A JPH05279110A JP H05279110 A JPH05279110 A JP H05279110A JP 4100199 A JP4100199 A JP 4100199A JP 10019992 A JP10019992 A JP 10019992A JP H05279110 A JPH05279110 A JP H05279110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- point
- dielectric constant
- component
- expressed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title abstract description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 4
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Pb] Chemical compound [Mg].[Pb] FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJZHPOJZOWHJPP-UHFFFAOYSA-N magnesium;dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Mg+2].[O-][W]([O-])(=O)=O DJZHPOJZOWHJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、ＰｂＴｉ
Ｏ3、［Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組
成物の優れた特性を満足し、誘電率の温度変化率が小さ
く、かつ高い比抵抗を保持した磁器組成物を提供する。 【構成】 ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、ＰｂＴｉ
Ｏ3、［Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組
成物において、その組成を図１の斜線部分およびその境
界線上とし、かつこの主成分組成物の鉛（Ｐｂ）をラン
タン（Ｌａ）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換する。
Ｏ3、［Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組
成物の優れた特性を満足し、誘電率の温度変化率が小さ
く、かつ高い比抵抗を保持した磁器組成物を提供する。 【構成】 ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、ＰｂＴｉ
Ｏ3、［Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組
成物において、その組成を図１の斜線部分およびその境
界線上とし、かつこの主成分組成物の鉛（Ｐｂ）をラン
タン（Ｌａ）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁器組成物に関し、特に
誘電率および絶縁抵抗が高く、かつ誘電率の温度変化率
が小さい磁器組成物に関するものである。
誘電率および絶縁抵抗が高く、かつ誘電率の温度変化率
が小さい磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電率系磁器組成物としてチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系がよく知られており、
チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3）、チタン酸鉛（Ｐ
ｂＴｉＯ3）などを添加、置換することにより温度特性
の改善を図っている。
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系がよく知られており、
チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3）、チタン酸鉛（Ｐ
ｂＴｉＯ3）などを添加、置換することにより温度特性
の改善を図っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の材料で温度変化
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い
材料として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告されて
いる。例えばマグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］
からなる３成分組成物は、誘電率が２００００以上もあ
るが、誘電率の温度変化率が十分に小さくはないという
欠点がある。以上のことから、容量の温度変化率の小さ
いコンデンサを設計することは困難であった。本発明は
以上述べたような従来の課題を解決するためになされた
もので、上記の３成分系組成物の優れた特性を満足し、
比抵抗の値が高く、誘電率の温度変化率が小さい磁器組
成物を提供することにある。
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い
材料として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告されて
いる。例えばマグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］
からなる３成分組成物は、誘電率が２００００以上もあ
るが、誘電率の温度変化率が十分に小さくはないという
欠点がある。以上のことから、容量の温度変化率の小さ
いコンデンサを設計することは困難であった。本発明は
以上述べたような従来の課題を解決するためになされた
もので、上記の３成分系組成物の優れた特性を満足し、
比抵抗の値が高く、誘電率の温度変化率が小さい磁器組
成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マグネシウム
・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チ
タン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］および亜鉛・ニオブ酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物を
［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3］Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．
０）と表現したとき、この３成分組成図において、以下
の組成点、 （ｘ＝０．９８， ｙ＝０， ｚ＝０．０２）・・・（ａ） （ｘ＝０．４３， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．０２）・・・（ｂ） （ｘ＝０．２０， ｙ＝０．２０， ｚ＝０．６０）・・・（ｃ） （ｘ＝０．４０， ｙ＝０， ｚ＝０．６０）・・・（ｄ） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛（Ｐｂ）をランタン（Ｌａ）
で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換したことを特徴とする磁
器組成物である。
・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チ
タン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］および亜鉛・ニオブ酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物を
［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3］Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．
０）と表現したとき、この３成分組成図において、以下
の組成点、 （ｘ＝０．９８， ｙ＝０， ｚ＝０．０２）・・・（ａ） （ｘ＝０．４３， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．０２）・・・（ｂ） （ｘ＝０．２０， ｙ＝０．２０， ｚ＝０．６０）・・・（ｃ） （ｘ＝０．４０， ｙ＝０， ｚ＝０．６０）・・・（ｄ） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛（Ｐｂ）をランタン（Ｌａ）
で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換したことを特徴とする磁
器組成物である。
【０００５】本発明における主成分組成範囲を表す３成
分組成図は図１で示される。図中、（ａ）〜（ｄ）は各
組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲は図の斜線で
示す範囲およびその境界線上である。本発明の主組成お
よびＬａの置換量が特許請求範囲外の組成では、誘電率
の絶対値や比抵抗が小さくなるという弊害が現れるため
コンデンサ用の磁器組成物としては適さない。したがっ
て、上述の範囲に限られる。
分組成図は図１で示される。図中、（ａ）〜（ｄ）は各
組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲は図の斜線で
示す範囲およびその境界線上である。本発明の主組成お
よびＬａの置換量が特許請求範囲外の組成では、誘電率
の絶対値や比抵抗が小さくなるという弊害が現れるため
コンデンサ用の磁器組成物としては適さない。したがっ
て、上述の範囲に限られる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。 実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ
（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）および酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）を使用し、表
１，表３および表５に示した配合比となるように各々秤
量する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
したのち、７５０〜８５０℃で仮焼を行い、この粉末を
ボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入
れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの
円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を
作製した。次にこれらの組成範囲の試料を９５０〜１０
５０℃の温度で１時間焼成を行った。
る。 実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ
（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）および酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）を使用し、表
１，表３および表５に示した配合比となるように各々秤
量する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
したのち、７５０〜８５０℃で仮焼を行い、この粉末を
ボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入
れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの
円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を
作製した。次にこれらの組成範囲の試料を９５０〜１０
５０℃の温度で１時間焼成を行った。
【０００７】焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼き付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電
圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘
電率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間
印加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼き付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電
圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘
電率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間
印加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。
【０００８】このようにして得られた磁器の主成分、
［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3］Ｏ3］z の配合比ｘ、ｙ、ｚおよび
Ｌａ置換量を表１、表３、表５に示し、室温での誘電
率、比抵抗および誘電率の変化率（２０℃における誘電
率を基準）を表２、表４、表６に示す。なお表中、試料
番号で、＊はＬａの置換量が本発明の範囲外の組成のも
のを示し、＊＊は主成分組成が本発明の範囲外の組成の
ものを示す。表１〜表６からも明らかなように、Ｐｂ
（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3 ３成分系組成物の鉛（Ｐｂ）をランタン
（Ｌａ）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換した本発明の磁
器組成物は、高い比抵抗を保持し、誘電率の温度変化率
の小さな積層セラミックコンデンサ用磁器組成物として
優れた材料を提供するものである。
［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3］Ｏ3］z の配合比ｘ、ｙ、ｚおよび
Ｌａ置換量を表１、表３、表５に示し、室温での誘電
率、比抵抗および誘電率の変化率（２０℃における誘電
率を基準）を表２、表４、表６に示す。なお表中、試料
番号で、＊はＬａの置換量が本発明の範囲外の組成のも
のを示し、＊＊は主成分組成が本発明の範囲外の組成の
ものを示す。表１〜表６からも明らかなように、Ｐｂ
（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3 ３成分系組成物の鉛（Ｐｂ）をランタン
（Ｌａ）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換した本発明の磁
器組成物は、高い比抵抗を保持し、誘電率の温度変化率
の小さな積層セラミックコンデンサ用磁器組成物として
優れた材料を提供するものである。
【０００９】
【表１】 試料番号１〜２０の配合割合 ───────────────────────────────── 試料 Pb(Mg1/2w1/2)O3 PbTiO3 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 La置換量 番号 (mol%) (mol%) (mol%) (mol%) ───────────────────────────────── １* 70 0 30 0 ２* 50 10 40 0 ３ 50 10 40 10 ４* 40 10 50 0 ５ 40 10 50 5 ６* 30 10 60 0 ７** 25 10 65 0 ８* 40 20 40 0 ９ 40 20 40 0.01 １０ 40 20 40 10 １１ 40 20 40 20 １２* 35 20 45 0 １３* 30 20 50 0 １４ 30 20 50 10 １５ 30 20 50 30 １６* 20 20 60 0 １７ 20 20 60 0.01 １８ 20 20 60 2 １９ 20 20 60 10 ２０ 20 20 60 30 ─────────────────────────────────
【００１０】
【表２】 試料番号１〜２０の特性 ────────────────────────────────── 試料 誘電率 比抵抗 誘電率の変化率 番号 (Ω・cm） ───────────── −30℃(%) 85℃(%) ────────────────────────────────── １* 2870 3.8×1014 ＋20.2 −31.6 ２* 3700 5.3×1013 ＋15.8 −28.7 ３ 3300 1.5×1014 ＋16.5 −23.8 ４* 3950 7.3×1013 ＋16.5 −27.4 ５ 3530 1.6×1014 ＋17.1 −24.8 ６* 3400 5.6×1012 −21.1 −18.5 ７** 2920 2.8×1011 −36.3 −4.3 ８* 6180 8.8×1012 −8.5 −29.8 ９ 6070 1.4×1013 −6.3 −31.5 １０ 5160 1.9×1013 ＋1.2 −26.1 １１ 4100 2.8×1013 ＋11.3 −25.5 １２* 7420 4.2×1012 −28.5 −27.5 １３* 8480 2.6×1012 −44.3 −10.3 １４ 6870 5.8×1012 −36.1 −12.5 １５ 4750 1.9×1013 −26.3 −17.5 １６* 10060 1.2×1012 −55.6 −1.2 １７ 9900 1.6×1012 −53.7 −2.5 １８ 9260 1.9×1012 −43.1 −7.6 １９ 8750 2.8×1012 −37.3 −16.3 ２０ 7300 4.3×1012 −28.5 −25.1 ──────────────────────────────────
【００１１】
【表３】 試料番号２１〜４０の配合割合 ────────────────────────────────── 試料 Pb(Mg1/2w1/2)O3 PbTiO3 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 La置換量 番号 (mol%) (mol%) (mol%) (mol%) ────────────────────────────────── ２１* 20 20 60 40 ２２** 15 20 65 0 ２３* 40 30 30 0 ２４ 40 30 30 10 ２５ 40 30 30 30 ２６* 30 30 40 0 ２７** 25 30 45 0 ２８* 40 40 20 0 ２９ 40 40 20 10 ３０* 35 40 25 0 ３１ 35 40 25 0.01 ３２ 35 40 25 1 ３３ 35 40 25 10 ３４ 35 40 25 30 ３５* 35 40 25 40 ３６** 30 40 30 0 ３７* 40 50 10 0 ３８ 40 50 10 1 ３９ 40 50 10 10 ４０ 40 50 10 30 ──────────────────────────────────
【００１２】
【表４】 試料番号２１〜４０の特性 ────────────────────────────────── 試料 誘電率 比抵抗 誘電率の変化率 番号 (Ω・cm） ──────────── −30℃(%) 85℃(%) ────────────────────────────────── ２１* 4730 1.1×1012 −53.1 −23.5 ２２** 9850 3.5×1011 −65.1 ＋3.5 ２３* 10400 1.4×1013 −45.6 −28.0 ２４ 8310 3.1×1013 −43.2 −29.5 ２５ 5300 3.8×1013 −40.6 −27.3 ２６* 8680 3.6×1012 −29.8 −11.4 ２７** 7420 5.6×1011 −19.5 −2.6 ２８* 9680 7.4×1012 −51.3 −17.5 ２９ 8310 1.1×1013 −33.1 −17.2 ３０* 10220 5.3×1012 −54.7 −13.5 ３１ 10030 7.1×1012 −50.5 −18.7 ３２ 9260 8.8×1012 −45.3 −16.1 ３３ 8110 1.2×1013 −41.3 −21.6 ３４ 6520 1.5×1013 −31.7 −28.1 ３５* 3700 6.1×1012 −35.3 −25.6 ３６** 8150 8.6×1011 −59.8 −9.8 ３７* 12500 2.1×1012 −51.2 −16.3 ３８ 11980 2.3×1012 −50.3 −17.1 ３９ 9850 4.3×1012 −31.1 −22.1 ４０ 6870 7.8×1012 −22.1 −11.5 ──────────────────────────────────
【００１３】
【表５】 試料番号４１〜４２の配合割合 ────────────────────────────────── 試料 Pb(Mg1/2w1/2)O3 PbTiO3 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 La置換量 番号 (mol%) (mol%) (mol%) (mol%) ────────────────────────────────── ４１* 49 49 2 0 ４２ 49 49 2 10 ──────────────────────────────────
【００１４】
【表６】 試料番号４１〜４２の特性 ────────────────────────────────── 試料 誘電率 比抵抗 誘電率の変化率 番号 (Ω・cm） ──────────── −30℃(%) 85℃(%) ────────────────────────────────── ４１* 7830 5.6×1012 −46.8 −28.3 ４２ 6320 9.5×1012 −37.8 −32.5 ──────────────────────────────────
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁器組成
物は比抵抗の値が高く、誘電率の温度変化率が小さい。
このため、本発明の磁器組成物を用いれば容量の温度変
化率が小さく、信頼性の高い積層セラミックコンデンサ
を設計することができる等の効果を有する。
物は比抵抗の値が高く、誘電率の温度変化率が小さい。
このため、本発明の磁器組成物を用いれば容量の温度変
化率が小さく、信頼性の高い積層セラミックコンデンサ
を設計することができる等の効果を有する。
【図１】本発明の主成分組成範囲を示すＰｂ（Ｍｇ1/2
Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
３成分組成図である。
Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
３成分組成図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ
（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］お
よび亜鉛・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x
［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3］Ｏ3］z（た
だしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、この３成分
組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．９８， ｙ＝０， ｚ＝０．０２） （ｘ＝０．４３， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．０２） （ｘ＝０．２０， ｙ＝０．２０， ｚ＝０．６０） （ｘ＝０．４０， ｙ＝０， ｚ＝０．６０） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛（Ｐｂ）をランタン（Ｌａ）
で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換したことを特徴とする磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4100199A JPH05279110A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4100199A JPH05279110A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279110A true JPH05279110A (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=14267636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4100199A Pending JPH05279110A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05279110A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0920558A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-21 | Nec Corp | 磁器組成物 |
| KR100478127B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2005-03-21 | (주) 알엔투테크놀로지 | 유전체 세라믹 조성물 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4100199A patent/JPH05279110A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0920558A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-21 | Nec Corp | 磁器組成物 |
| KR100478127B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2005-03-21 | (주) 알엔투테크놀로지 | 유전체 세라믹 조성물 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3087644B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2677037B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS6121183B2 (ja) | ||
| JPH03223149A (ja) | 磁器組成物 | |
| JP2660010B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ | |
| JP2924469B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH05254915A (ja) | 磁器組成物 | |
| KR0165557B1 (ko) | 자기 조성물 | |
| JP2576605B2 (ja) | 磁器組成物の製造方法 | |
| JPH0196973A (ja) | 圧電性磁器の製造方法 | |
| JP2621823B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH05238805A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH0457632B2 (ja) | ||
| JP2513394B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH04243952A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH07121828B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS5830002A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03285870A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0566332B2 (ja) | ||
| JPH0566333B2 (ja) | ||
| JPS5849662A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0146471B2 (ja) | ||
| JPS62281205A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH05211008A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH0566331B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090218 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120218 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |