JPH06101152B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH06101152B2 JPH06101152B2 JP1924193A JP1924193A JPH06101152B2 JP H06101152 B2 JPH06101152 B2 JP H06101152B2 JP 1924193 A JP1924193 A JP 1924193A JP 1924193 A JP1924193 A JP 1924193A JP H06101152 B2 JPH06101152 B2 JP H06101152B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気カー効果を利用し
て読出しができるキュリー点書込みタイプの新規な光磁
気記録媒体の製造方法に関する。
て読出しができるキュリー点書込みタイプの新規な光磁
気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】消去可能な光ディスクメモリとして光磁
気ディスクが知られている。光磁気ディスクは、従来の
磁気ヘッドを使った磁気記録媒体と比べて高密度記録、
非接触での記録再生などが可能であるという長所がある
反面、記録前に一度記録部分を消去しなければならない
（一方向に着磁しなければならない）という問題点があ
った。この問題点を補う為に、記録再生用ヘッドと消去
用ヘッドを別々に設ける方法、あるいは、レーザーの連
続ビームを照射しながら、同時に印加する磁場を変調し
つつ記録する方法などが提案されている。
気ディスクが知られている。光磁気ディスクは、従来の
磁気ヘッドを使った磁気記録媒体と比べて高密度記録、
非接触での記録再生などが可能であるという長所がある
反面、記録前に一度記録部分を消去しなければならない
（一方向に着磁しなければならない）という問題点があ
った。この問題点を補う為に、記録再生用ヘッドと消去
用ヘッドを別々に設ける方法、あるいは、レーザーの連
続ビームを照射しながら、同時に印加する磁場を変調し
つつ記録する方法などが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
は、装置が大がかりとなり、コスト高になる問題点ある
いは高速の変調が出来ないなどの問題点を有する。
は、装置が大がかりとなり、コスト高になる問題点ある
いは高速の変調が出来ないなどの問題点を有する。
【０００４】本発明は上述従来例の問題点を除去するた
めになされたものであり、従来の装置構成に簡易な構造
の磁界発生手段を付設するだけで、磁気記録媒体と同様
に重ね書き（オーバーライト）が可能となる光磁気記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。
めになされたものであり、従来の装置構成に簡易な構造
の磁界発生手段を付設するだけで、磁気記録媒体と同様
に重ね書き（オーバーライト）が可能となる光磁気記録
媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的は以下の本発
明によって達成できる。即ち、高いキュリー点ＴH1と低
い保磁力ＨL1を有する第１磁性層と、この第１磁性層に
比べて相対的に低いキュリー点ＴL2と高い保磁力ＨH2を
有する第２磁性層と、この第２磁性層に比べて相対的に
高いキュリー点ＴH3と低い保磁力ＨL3を有する第３磁性
層とからなる三層構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上
に有し、 （σW12／２ＭS1ｈ1）＞ＨL1，（σW23／２ＭS3ｈ3）＜
ＨL3 ｛第１磁性層と第２磁性層の磁壁エネルギーをσW12、
第２磁性層と第３磁性層の磁壁エネルギーをσW23と
し、第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層の膜厚を順に
ｈ1,ｈ2,ｈ3とし、これらの層の飽和磁化の大きさを順
にＭS1,ＭS2,ＭS3とする。｝以上の条件を満足する光磁
気記録媒体の製造方法であって、前記基板上に第１磁性
層及び第２磁性層成膜後、第３磁性層を成膜するまでの
時間を調整することにより前記第２磁性層と第３磁性層
間の交換結合力を調整することを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法である。
明によって達成できる。即ち、高いキュリー点ＴH1と低
い保磁力ＨL1を有する第１磁性層と、この第１磁性層に
比べて相対的に低いキュリー点ＴL2と高い保磁力ＨH2を
有する第２磁性層と、この第２磁性層に比べて相対的に
高いキュリー点ＴH3と低い保磁力ＨL3を有する第３磁性
層とからなる三層構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上
に有し、 （σW12／２ＭS1ｈ1）＞ＨL1，（σW23／２ＭS3ｈ3）＜
ＨL3 ｛第１磁性層と第２磁性層の磁壁エネルギーをσW12、
第２磁性層と第３磁性層の磁壁エネルギーをσW23と
し、第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層の膜厚を順に
ｈ1,ｈ2,ｈ3とし、これらの層の飽和磁化の大きさを順
にＭS1,ＭS2,ＭS3とする。｝以上の条件を満足する光磁
気記録媒体の製造方法であって、前記基板上に第１磁性
層及び第２磁性層成膜後、第３磁性層を成膜するまでの
時間を調整することにより前記第２磁性層と第３磁性層
間の交換結合力を調整することを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法である。
【０００６】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【０００７】図１(a),(b)は各々本発明の方法で製造さ
れる光磁気記録媒体の一実施例を示す模式断面図であ
る。図１(a)の光磁気記録媒体は、プリグルーブが設け
られた透光性の基板Ｂ上に、第１磁性層１と第２磁性層
２と第３磁性層３とが積層されたものである。第１磁性
層１は高いキュリー点(ＴH1)と低い保磁力(ＨL1)を有
し、第２磁性層２は低いキュリー点(ＴL2)と高い保磁力
(ＨH2)を有し、第３磁性層３は、高いキュリー点(ＴH3)
と低い保磁力(ＨL3)を有する。ここで「高い」、「低
い」とは第１・第３磁性層と第２磁性層とを比較した場
合の相対的な関係を表わす（保磁力は室温における比
較）。
れる光磁気記録媒体の一実施例を示す模式断面図であ
る。図１(a)の光磁気記録媒体は、プリグルーブが設け
られた透光性の基板Ｂ上に、第１磁性層１と第２磁性層
２と第３磁性層３とが積層されたものである。第１磁性
層１は高いキュリー点(ＴH1)と低い保磁力(ＨL1)を有
し、第２磁性層２は低いキュリー点(ＴL2)と高い保磁力
(ＨH2)を有し、第３磁性層３は、高いキュリー点(ＴH3)
と低い保磁力(ＨL3)を有する。ここで「高い」、「低
い」とは第１・第３磁性層と第２磁性層とを比較した場
合の相対的な関係を表わす（保磁力は室温における比
較）。
【０００８】さらにこの光磁気記録媒体では、第１磁性
層１と第２磁性層２の磁壁エネルギーをσW12、第２磁
性層２と第３磁性層３の磁壁エネルギーをσW23とし、
第１磁性層１，第２磁性層２，第３磁性層３の膜厚を順
にｈ1,ｈ2,ｈ3とし、これらの層の飽和磁化の大きさを
順にＭS1,ＭS2,ＭS3とすると、上記３つの磁性層が次の
式を満たすように結合している。
層１と第２磁性層２の磁壁エネルギーをσW12、第２磁
性層２と第３磁性層３の磁壁エネルギーをσW23とし、
第１磁性層１，第２磁性層２，第３磁性層３の膜厚を順
にｈ1,ｈ2,ｈ3とし、これらの層の飽和磁化の大きさを
順にＭS1,ＭS2,ＭS3とすると、上記３つの磁性層が次の
式を満たすように結合している。
【０００９】
【数１】 この式を満たすべき理由については後述する。
【００１０】第１磁性層１と第３磁性層３の間で特にキ
ュリー点、保磁力の関係は限定されないが、好ましくは
ＴH1≧ＴH3、ＨL1≦ＨL3である。
ュリー点、保磁力の関係は限定されないが、好ましくは
ＴH1≧ＴH3、ＨL1≦ＨL3である。
【００１１】ただし、通常は第１磁性層１のＴH1は１５
０〜４００℃、ＨL1は０.１〜１ＫＯｅ、第２磁性層２
のＴL2は７０〜２００℃、ＨH2は２〜１０ＫＯｅ、第３
磁性層３のＴH3は１００〜２５０℃、ＨL3は０.５〜４
ＫＯｅ程度の範囲内にするとよい。
０〜４００℃、ＨL1は０.１〜１ＫＯｅ、第２磁性層２
のＴL2は７０〜２００℃、ＨH2は２〜１０ＫＯｅ、第３
磁性層３のＴH3は１００〜２５０℃、ＨL3は０.５〜４
ＫＯｅ程度の範囲内にするとよい。
【００１２】本発明の方法で製造される光磁気記録媒体
の、隣接する磁性層は交換力で結合しており第１磁性層
１と第２磁性層２は相対的に強く結合しており、第２磁
性層２と第３磁性層３は相対的に弱く結合している。
の、隣接する磁性層は交換力で結合しており第１磁性層
１と第２磁性層２は相対的に強く結合しており、第２磁
性層２と第３磁性層３は相対的に弱く結合している。
【００１３】３つの磁性層１,２,３は、最終的に記録さ
れた２種のビットの磁化状態（図２(f)に示す状態）が
安定に存在出来る様に、即ち上記の関係式を満たすよう
に各層の膜厚、保磁力、飽和磁化の大きさ、磁壁エネル
ギーなどを設定すればよい。
れた２種のビットの磁化状態（図２(f)に示す状態）が
安定に存在出来る様に、即ち上記の関係式を満たすよう
に各層の膜厚、保磁力、飽和磁化の大きさ、磁壁エネル
ギーなどを設定すればよい。
【００１４】各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示
し且つ磁気光学効果を呈するものが利用できるが、Ｇｄ
Ｃｏ，ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅ，
ＴｂＤｙＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
Ｃｏ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶質磁性合金
が好ましい。
し且つ磁気光学効果を呈するものが利用できるが、Ｇｄ
Ｃｏ，ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅ，
ＴｂＤｙＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
Ｃｏ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶質磁性合金
が好ましい。
【００１５】本発明の製造方法による光磁気記録媒体の
他の例である図１(b)において、４,５は３つの磁性層
１,２,３の耐久性を向上させるためのあるいは光磁気効
果を向上させるための保護膜である。
他の例である図１(b)において、４,５は３つの磁性層
１,２,３の耐久性を向上させるためのあるいは光磁気効
果を向上させるための保護膜である。
【００１６】６は、貼り合わせ用基板７を貼り合わすた
めの接着層である。貼り合わせ用基板７にも、２から６
までの層を積層し、これを接着すれば表裏で記録・再生
が可能となる。
めの接着層である。貼り合わせ用基板７にも、２から６
までの層を積層し、これを接着すれば表裏で記録・再生
が可能となる。
【００１７】以下、図２〜図４を用いて本発明の製造方
法による光磁気記録媒体への記録の過程を示す。記録
前、磁性層１，２の磁化の向きと磁性層３の磁化の向き
とは、平行で安定状態であっても良いし、反平行で安定
状態であっても良い。
法による光磁気記録媒体への記録の過程を示す。記録
前、磁性層１，２の磁化の向きと磁性層３の磁化の向き
とは、平行で安定状態であっても良いし、反平行で安定
状態であっても良い。
【００１８】図３の３５は、上述したような構成を有す
る光磁気ディスクである。例えば、この磁性層のある一
部の磁化状態が初め図２(a)のようになっていたとす
る。即ち、図２では、記録前、第１、第２磁性層１,２
と第３磁性層３との磁化の向きが平行なときに安定であ
る場合について説明する。光磁気ディスク３５はスピン
ドルモータにより回転して、磁界発生部３４を通過す
る。このとき、磁界発生部３４の磁界の大きさを第２磁
性層２と第３磁性層３の保磁力の間の値に設定すると
（磁界の向きは本実施例では上向き）、図２(b)に示す
様に第３磁性層３は一様な方向に磁化され、一方、第２
磁性層２の磁化は初めのままである。また、第２磁性層
と強く結合している第１磁性層１の磁化も初めのままで
ある。
る光磁気ディスクである。例えば、この磁性層のある一
部の磁化状態が初め図２(a)のようになっていたとす
る。即ち、図２では、記録前、第１、第２磁性層１,２
と第３磁性層３との磁化の向きが平行なときに安定であ
る場合について説明する。光磁気ディスク３５はスピン
ドルモータにより回転して、磁界発生部３４を通過す
る。このとき、磁界発生部３４の磁界の大きさを第２磁
性層２と第３磁性層３の保磁力の間の値に設定すると
（磁界の向きは本実施例では上向き）、図２(b)に示す
様に第３磁性層３は一様な方向に磁化され、一方、第２
磁性層２の磁化は初めのままである。また、第２磁性層
と強く結合している第１磁性層１の磁化も初めのままで
ある。
【００１９】次に光磁気ディスク３５が回転して記録・
再生ヘッド３１を通過するときに、２種（第１種と第２
種）のレーザーパワー値を持つレーザービームを、記録
信号発生器３２からの信号に従って、そのどちらかのパ
ワーでもって、ディスク面に照射する。第１種のレーザ
ーパワーは該ディスクを第２磁性層２のキュリー点付近
まで昇温するだけのパワーであり、第２種のレーザーパ
ワーは該ディスクを第３磁性層３のキュリー点付近まで
昇温可能なパワーである。即ち、両磁性層２,３の保磁
力と温度との関係の概略を示した図４において、第１種
のレーザーパワーはＴL2付近、第２種のレーザーパワー
はＴH3付近までディスクの温度を上昇できる。
再生ヘッド３１を通過するときに、２種（第１種と第２
種）のレーザーパワー値を持つレーザービームを、記録
信号発生器３２からの信号に従って、そのどちらかのパ
ワーでもって、ディスク面に照射する。第１種のレーザ
ーパワーは該ディスクを第２磁性層２のキュリー点付近
まで昇温するだけのパワーであり、第２種のレーザーパ
ワーは該ディスクを第３磁性層３のキュリー点付近まで
昇温可能なパワーである。即ち、両磁性層２,３の保磁
力と温度との関係の概略を示した図４において、第１種
のレーザーパワーはＴL2付近、第２種のレーザーパワー
はＴH3付近までディスクの温度を上昇できる。
【００２０】第１種のレーザーパワーにより第２磁性層
２と第３磁性層３とは、第２磁性層２のキュリー点付近
まで昇温するが、第３磁性層３はこの温度でビットが安
定に存在する保磁力を有しているので、バイアス磁界を
適正に設定しておくことにより、図２(b)に示すどちら
の磁化状態からも、図２(c)の様な記録ビットが形成さ
れる（第１種の予備記録）。なお、第１磁性層１も、第
２磁性層２との交換結合により図のような磁化状態とな
るのである。
２と第３磁性層３とは、第２磁性層２のキュリー点付近
まで昇温するが、第３磁性層３はこの温度でビットが安
定に存在する保磁力を有しているので、バイアス磁界を
適正に設定しておくことにより、図２(b)に示すどちら
の磁化状態からも、図２(c)の様な記録ビットが形成さ
れる（第１種の予備記録）。なお、第１磁性層１も、第
２磁性層２との交換結合により図のような磁化状態とな
るのである。
【００２１】ここで、バイアス磁界を適正に設定すると
は、次のような意味である。
は、次のような意味である。
【００２２】第１種の予備記録では第３磁性層３の磁化
の向きに対して安定な向きに（ここでは同じ方向に）第
２磁性層２の磁化が配列する力（交換力）を受けるの
で、本来はバイアス磁界は必要でない。しかし、バイア
ス磁界は後述する第２種のレーザーパワーの予備記録で
は第３磁性層３の磁化反転を補助する向きに設定され
る。また、このバイアス磁界は、第１種、第２種どちら
のレーザーパワーの予備記録でも、大きさ、方向を同じ
状態に設定しておくことが好ましい。かかる観点からバ
イアス磁界の設定は次記に示す原理により第２種のレー
ザーパワーの予備記録に必要な最小限の大きさに設定し
ておくことが好ましい。
の向きに対して安定な向きに（ここでは同じ方向に）第
２磁性層２の磁化が配列する力（交換力）を受けるの
で、本来はバイアス磁界は必要でない。しかし、バイア
ス磁界は後述する第２種のレーザーパワーの予備記録で
は第３磁性層３の磁化反転を補助する向きに設定され
る。また、このバイアス磁界は、第１種、第２種どちら
のレーザーパワーの予備記録でも、大きさ、方向を同じ
状態に設定しておくことが好ましい。かかる観点からバ
イアス磁界の設定は次記に示す原理により第２種のレー
ザーパワーの予備記録に必要な最小限の大きさに設定し
ておくことが好ましい。
【００２３】一方、第２種のレーザーパワーにより、第
３磁性層３のキュリー点近くまでディスクを昇温させる
（第２種の予備記録）と、上記のバイアス磁界により第
３磁性層３の磁化の向きが反転する。続いて第２磁性層
２と第１磁性層１の磁化も第３磁性層３に対して安定な
向きに（ここでは同じ方向に）配列する。即ち、図２
(b)のどちらの磁化状態からも図２(d)のような記録ビッ
トが形成される。
３磁性層３のキュリー点近くまでディスクを昇温させる
（第２種の予備記録）と、上記のバイアス磁界により第
３磁性層３の磁化の向きが反転する。続いて第２磁性層
２と第１磁性層１の磁化も第３磁性層３に対して安定な
向きに（ここでは同じ方向に）配列する。即ち、図２
(b)のどちらの磁化状態からも図２(d)のような記録ビッ
トが形成される。
【００２４】このように、バイアス磁界と、信号に応じ
て変わる第１種及び第２種のレーザーパワーとによっ
て、光磁気ディスクの各箇所は図２(c)か(d)の状態に記
録されることになる。
て変わる第１種及び第２種のレーザーパワーとによっ
て、光磁気ディスクの各箇所は図２(c)か(d)の状態に記
録されることになる。
【００２５】次に光磁気ディスク３５を回転させ、記録
ビット(c),(d)が磁界発生部３４を再び通過すると、磁
界発生部３４は前述したように第２磁性層２と第３磁性
層３の間に設定されているので、記録ビット(c)は、変
化が起こらずに(e)の状態である。一方、記録ビット(d)
は第３磁性層３が磁化反転を起こして(f)の状態にな
る。
ビット(c),(d)が磁界発生部３４を再び通過すると、磁
界発生部３４は前述したように第２磁性層２と第３磁性
層３の間に設定されているので、記録ビット(c)は、変
化が起こらずに(e)の状態である。一方、記録ビット(d)
は第３磁性層３が磁化反転を起こして(f)の状態にな
る。
【００２６】(f)の記録ビットの状態が安定に存在する
為には、前記したように
為には、前記したように
【００２７】
【数２】 となっていることが必要である。これは次のような理由
による。
による。
【００２８】σW12／２ＭS1ｈ1は第１磁性層１に働く交
換力の強さを示す。つまりσW12／２ＭS1ｈ1の大きさの
磁界で第１磁性層１の磁化の向きを、第２磁性層２の磁
化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ方向
に）向けようとする。そこで第１磁性層１の磁化が常に
第２磁性層２の向きに対して安定な方向（この場合は同
じ方向に）に向いている為には、第１磁性層１の保磁力
ＨL1が、この交換力より小さければよい。つまりσW12
／２ＭS1ｈ1＞ＨL1であればよい。
換力の強さを示す。つまりσW12／２ＭS1ｈ1の大きさの
磁界で第１磁性層１の磁化の向きを、第２磁性層２の磁
化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ方向
に）向けようとする。そこで第１磁性層１の磁化が常に
第２磁性層２の向きに対して安定な方向（この場合は同
じ方向に）に向いている為には、第１磁性層１の保磁力
ＨL1が、この交換力より小さければよい。つまりσW12
／２ＭS1ｈ1＞ＨL1であればよい。
【００２９】またσW23／２ＭS3ｈ3は第３磁性層３に働
く交換力の強さを示す。つまりσW2 3／２ＭS3ｈ3の大き
さの磁界で第３磁性層３の磁化の向きを第２磁性層２の
磁化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ方向
へ）向けようとする。そこで第３磁性層３がこの磁界に
対して磁化が反転しない為には（図２(f)の記録ビット
が安定に存在する為には）、第３磁性層３の保磁力をＨ
L3としてσW23／２ＭS3ｈ3＜ＨL3であればよい。
く交換力の強さを示す。つまりσW2 3／２ＭS3ｈ3の大き
さの磁界で第３磁性層３の磁化の向きを第２磁性層２の
磁化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ方向
へ）向けようとする。そこで第３磁性層３がこの磁界に
対して磁化が反転しない為には（図２(f)の記録ビット
が安定に存在する為には）、第３磁性層３の保磁力をＨ
L3としてσW23／２ＭS3ｈ3＜ＨL3であればよい。
【００３０】上述したように本発明の方法で製造される
べき光磁気記録媒体では、第２磁性層２と第３磁性層３
とが、記録時に交換力による有効なバイアス磁界が働く
ように、交換結合をしていることが必要である。しか
し、この交換結合力がある程度以上大きい場合には、上
記式を満足しなくなる、すなわち、(f)の記録状態のビ
ットが安定に存在できなくなる。このため、上式を満た
すように、第３磁性層３の保磁力を磁界発生部での磁界
よりも小さい範囲で比較的大きな値に設定することが望
ましい。さらに、第２磁性層２と第３磁性層３との間の
交換結合の大きさを最適化する必要がある。
べき光磁気記録媒体では、第２磁性層２と第３磁性層３
とが、記録時に交換力による有効なバイアス磁界が働く
ように、交換結合をしていることが必要である。しか
し、この交換結合力がある程度以上大きい場合には、上
記式を満足しなくなる、すなわち、(f)の記録状態のビ
ットが安定に存在できなくなる。このため、上式を満た
すように、第３磁性層３の保磁力を磁界発生部での磁界
よりも小さい範囲で比較的大きな値に設定することが望
ましい。さらに、第２磁性層２と第３磁性層３との間の
交換結合の大きさを最適化する必要がある。
【００３１】本発明では、 第２磁性層と第３磁性層の
交換力σW23／２ＭS3ｈ3を調整するため、第２磁性層形
成後、第３磁性層を形成するまでの時間を変化させる。
一般的に、第２磁性層の成膜後、第３磁性層成膜までの
時間を長くすることにより、交換力σW23／２ＭS3ｈ3が
小さくなるから、前記時間を適切な値とすることによ
り、交換力の大きさを最適化することができる。
交換力σW23／２ＭS3ｈ3を調整するため、第２磁性層形
成後、第３磁性層を形成するまでの時間を変化させる。
一般的に、第２磁性層の成膜後、第３磁性層成膜までの
時間を長くすることにより、交換力σW23／２ＭS3ｈ3が
小さくなるから、前記時間を適切な値とすることによ
り、交換力の大きさを最適化することができる。
【００３２】本発明の製造方法による光磁気記録媒体に
対する上述の記録方法では、記録ビットの状態(e)と(f)
は、記録時のレーザーのパワーで制御され、記録前の状
態には依存しないので、重ね書き（オーバーライト）が
可能である。記録ビット(e)と(f)は、再生用のレーザー
ビームを照射し、再生光を記録信号再生器３３で処理す
ることにより、再生できる。再生信号の大きさ（変調
度）は主として第１磁性層１の光磁気効果に依存する。
このことと、本発明の製造方法による光磁気記録媒体
の、再生光が入射する第１磁性層１にはキュリー温度の
高い材料（即ち、光磁気効果の大きな材料）を使用でき
ることから、本発明の製造方法による光磁気記録媒体で
は再生信号の大きい（変調度の大きい）記録が可能とな
る。
対する上述の記録方法では、記録ビットの状態(e)と(f)
は、記録時のレーザーのパワーで制御され、記録前の状
態には依存しないので、重ね書き（オーバーライト）が
可能である。記録ビット(e)と(f)は、再生用のレーザー
ビームを照射し、再生光を記録信号再生器３３で処理す
ることにより、再生できる。再生信号の大きさ（変調
度）は主として第１磁性層１の光磁気効果に依存する。
このことと、本発明の製造方法による光磁気記録媒体
の、再生光が入射する第１磁性層１にはキュリー温度の
高い材料（即ち、光磁気効果の大きな材料）を使用でき
ることから、本発明の製造方法による光磁気記録媒体で
は再生信号の大きい（変調度の大きい）記録が可能とな
る。
【００３３】図２の説明では第１磁性層１・第２磁性層
２と第３磁性層３との磁化の向きが平行なときに安定な
例を示したが、これらの磁化の向きが反平行のときに安
定な磁性層についても同様に考えられる。図５(A),(B)
に、これらの場合の記録過程の磁化状態を図２に対応さ
せて示しておく。
２と第３磁性層３との磁化の向きが平行なときに安定な
例を示したが、これらの磁化の向きが反平行のときに安
定な磁性層についても同様に考えられる。図５(A),(B)
に、これらの場合の記録過程の磁化状態を図２に対応さ
せて示しておく。
【００３４】
【実施例】４元のターゲット源を備えたスパッタ装置内
に、プリグルーブ、プリフォーマット信号の刻まれたポ
リカーボネート製のディスク状基板を、ターゲットとの
間の距離１０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。
に、プリグルーブ、プリフォーマット信号の刻まれたポ
リカーボネート製のディスク状基板を、ターゲットとの
間の距離１０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。
【００３５】アルゴン中で、第１のターゲットより、ス
パッタ速度１００Å／ｍｉｎ、スパッタ圧５×１０-3Ｔ
ｏｒｒでＺｎＳを保護層として８００Åの厚さに設け
た。
パッタ速度１００Å／ｍｉｎ、スパッタ圧５×１０-3Ｔ
ｏｒｒでＺｎＳを保護層として８００Åの厚さに設け
た。
【００３６】次にアルゴン中で、第２のターゲットより
スパッタ速度１００Å／ｍｉｎ、スパッタ圧５×１０-3
ＴｏｒｒでＧｄＦｅＣｏ合金をスパッタし、膜厚４００
Å、ＴH1＝約３５０℃のＧｄＦｅＣｏの第１磁性層を形
成した。この第１磁性層自身のＨL1は約５００ Ｏｅ以
下であり、副格子磁化は遷移金属の方が大きかった。
スパッタ速度１００Å／ｍｉｎ、スパッタ圧５×１０-3
ＴｏｒｒでＧｄＦｅＣｏ合金をスパッタし、膜厚４００
Å、ＴH1＝約３５０℃のＧｄＦｅＣｏの第１磁性層を形
成した。この第１磁性層自身のＨL1は約５００ Ｏｅ以
下であり、副格子磁化は遷移金属の方が大きかった。
【００３７】次に同様な条件で、第３のターゲットより
ＴｂＦｅ合金をスパッタし、膜厚４００Å、ＴL2＝約１
４０℃のＴｂＦｅの第２磁性層を形成した。この第２磁
性層自身のＨH2は約５０００ Ｏｅ以上であり、副格子
磁化は遷移金属の方が大きかった。
ＴｂＦｅ合金をスパッタし、膜厚４００Å、ＴL2＝約１
４０℃のＴｂＦｅの第２磁性層を形成した。この第２磁
性層自身のＨH2は約５０００ Ｏｅ以上であり、副格子
磁化は遷移金属の方が大きかった。
【００３８】次に同様な条件で第４のターゲットよりＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ合金をスパッタし、膜厚３００Å、ＴH3
＝約２６０℃のＧｄＴｂＦｅＣｏの第３磁性層を形成し
た。この第３磁性層自身のＨL3は約５００〜１５００
Ｏｅであり、副格子磁化は希土類金属の方が大きかっ
た。
ｄＴｂＦｅＣｏ合金をスパッタし、膜厚３００Å、ＴH3
＝約２６０℃のＧｄＴｂＦｅＣｏの第３磁性層を形成し
た。この第３磁性層自身のＨL3は約５００〜１５００
Ｏｅであり、副格子磁化は希土類金属の方が大きかっ
た。
【００３９】次に同条件で第１のターゲットより、Ｚｎ
Ｓをスパッタし、保護層として２０００Åの厚さのＺｎ
Ｓ層を設けた。
Ｓをスパッタし、保護層として２０００Åの厚さのＺｎ
Ｓ層を設けた。
【００４０】次に上記の膜形成を終えた基板を、ホット
メルト接着剤を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ
用基板と貼り合わせ光磁気ディスクを作成した。この光
磁気ディスクを記録再生装置にセットし、２ＫＯｅの磁
界発生部を、線速度約７ｍ／ｓｅｃで通過させつつ、約
１μｍに集光した８３０ｎｍの波長のレーザービームを
５０％のデューティで２ＭＨｚで変調させながら、４ｍ
Ｗと８ｍＷの２値のレーザーパーワーで記録を行なっ
た。バイアス磁界は１５０ Ｏｅであった。その後１ｍ
Ｗのレーザービームを照射して再生を行なったところ、
２値の信号の再生ができた。
メルト接着剤を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ
用基板と貼り合わせ光磁気ディスクを作成した。この光
磁気ディスクを記録再生装置にセットし、２ＫＯｅの磁
界発生部を、線速度約７ｍ／ｓｅｃで通過させつつ、約
１μｍに集光した８３０ｎｍの波長のレーザービームを
５０％のデューティで２ＭＨｚで変調させながら、４ｍ
Ｗと８ｍＷの２値のレーザーパーワーで記録を行なっ
た。バイアス磁界は１５０ Ｏｅであった。その後１ｍ
Ｗのレーザービームを照射して再生を行なったところ、
２値の信号の再生ができた。
【００４１】次に、上記と同様の実験を、全面記録され
た後の光磁気ディスクについて行なった。この結果前に
記録された信号成分は検出されず、オーバーライトが可
能であることが確認された。
た後の光磁気ディスクについて行なった。この結果前に
記録された信号成分は検出されず、オーバーライトが可
能であることが確認された。
【００４２】第２磁性層形成後、第３磁性層を形成する
までの時間を３０秒、３０分、３時間と変化させたとこ
ろ、σW23／２ＭS3ｈ3の値はそれぞれ１.０ＫＯｅ，０.
７ＫＯｅ，０.４ＫＯｅと時間を長くするほど小さくす
ることができ、交換力σW23／２ＭS3ｈ3の値を最適化す
ることができた。
までの時間を３０秒、３０分、３時間と変化させたとこ
ろ、σW23／２ＭS3ｈ3の値はそれぞれ１.０ＫＯｅ，０.
７ＫＯｅ，０.４ＫＯｅと時間を長くするほど小さくす
ることができ、交換力σW23／２ＭS3ｈ3の値を最適化す
ることができた。
【００４３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の製造
方法によれば、高いキュリー点(ＴH1)と低い保磁力(Ｈ
L1)を有する第１磁性層と、この第１磁性層に比べて相
対的に低いキュリー点(ＴL2)と高い保磁力(ＨH2)を有す
る第２磁性層と、この第２磁性層に比べて相対的に高い
キュリー点(ＴH3)と低い保磁力(ＨL3)を有する第３磁性
層とからなる三層構造の磁性層を有し、第２磁性層と第
３磁性層との間の交換力が好適に制御された光磁気記録
媒体が得られる。この光磁気記録媒体を用いると記録時
に、記録ヘッドと別位置に磁界発生手段を設け、２値レ
ーザーパワーで記録することにより、重ね書き（オーバ
ーライト）が可能になった。
方法によれば、高いキュリー点(ＴH1)と低い保磁力(Ｈ
L1)を有する第１磁性層と、この第１磁性層に比べて相
対的に低いキュリー点(ＴL2)と高い保磁力(ＨH2)を有す
る第２磁性層と、この第２磁性層に比べて相対的に高い
キュリー点(ＴH3)と低い保磁力(ＨL3)を有する第３磁性
層とからなる三層構造の磁性層を有し、第２磁性層と第
３磁性層との間の交換力が好適に制御された光磁気記録
媒体が得られる。この光磁気記録媒体を用いると記録時
に、記録ヘッドと別位置に磁界発生手段を設け、２値レ
ーザーパワーで記録することにより、重ね書き（オーバ
ーライト）が可能になった。
【００４４】また、本発明の方法で製造される光磁気記
録媒体の、主に再生に利用される磁性層は、光磁気効果
の大きい材料から選び得るので、結果として本発明の製
造方法による光磁気記録媒体に記録されたビットは再生
信号が大きいという利点がある。
録媒体の、主に再生に利用される磁性層は、光磁気効果
の大きい材料から選び得るので、結果として本発明の製
造方法による光磁気記録媒体に記録されたビットは再生
信号が大きいという利点がある。
【図１】(a),(b)は各々本発明の方法で製造される光磁
気記録媒体の一例の構成を示す図である。
気記録媒体の一例の構成を示す図である。
【図２】本発明の製造方法による光磁気記録媒体に対す
る記録を実施中の、磁性層１,２,３の磁化の向きを示す
図である。
る記録を実施中の、磁性層１,２,３の磁化の向きを示す
図である。
【図３】記録・再生装置の概念図である。
【図４】第２磁性層２と第３磁性層３の保磁力と温度と
の関係を示す概略図である。
の関係を示す概略図である。
【図５】(A),(B)はそれぞれ本発明の他の実施例におけ
る磁性層の磁化状態を示す図である。
る磁性層の磁化状態を示す図である。
Ｂ プリグルーブ付の透光性基板 １，２，３ 磁性層 ４，５ 保護層 ６ 接着層 ７ 貼り合わせ用基板 ３１ 記録・再生用ヘッド ３２ 記録信号発生器 ３５ 光磁気ディスク
Claims (1)
- 【請求項１】 高いキュリー点ＴH1と低い保磁力ＨL1を
有する第１磁性層と、この第１磁性層に比べて相対的に
低いキュリー点ＴL2と高い保磁力ＨH2を有する第２磁性
層と、この第２磁性層に比べて相対的に高いキュリー点
ＴH3と低い保磁力ＨL3を有する第３磁性層とからなる三
層構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上に有し、 （σW12／２ＭS1ｈ1）＞ＨL1，（σW23／２ＭS3ｈ3）＜
ＨL3 ｛第１磁性層と第２磁性層の磁壁エネルギーをσW12、
第２磁性層と第３磁性層の磁壁エネルギーをσW23と
し、第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層の膜厚を順に
ｈ1,ｈ2,ｈ3とし、これらの層の飽和磁化の大きさを順
にＭS1,ＭS2,ＭS3とする。｝以上の条件を満足する光磁
気記録媒体の製造方法であって、 前記基板上に第１磁性層及び第２磁性層成膜後、第３磁
性層を成膜するまでの時間を調整することにより前記第
２磁性層と第３磁性層間の交換結合力を調整することを
特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1924193A JPH06101152B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1924193A JPH06101152B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61191202A Division JPS6348637A (ja) | 1986-06-18 | 1986-08-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684214A JPH0684214A (ja) | 1994-03-25 |
| JPH06101152B2 true JPH06101152B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=11993908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1924193A Expired - Lifetime JPH06101152B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101152B2 (ja) |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP1924193A patent/JPH06101152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684214A (ja) | 1994-03-25 |
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