JPH0610124A - 高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法 - Google Patents
高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0610124A JPH0610124A JP4169534A JP16953492A JPH0610124A JP H0610124 A JPH0610124 A JP H0610124A JP 4169534 A JP4169534 A JP 4169534A JP 16953492 A JP16953492 A JP 16953492A JP H0610124 A JPH0610124 A JP H0610124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal silicide
- refractory metal
- target
- particles
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＭＳｉ2（ただし、ＭはＭｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｚ
ｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択される１種類）で表
される高融点金属シリサイド粒と、Ｓｉ粒との焼結体か
らなる高融点金属シリサイドターゲットにおいて、上記
高融点金属シリサイド粒の平均粒径が０.５〜１０μｍ
であり、かつ上記Ｓｉ粒の平均粒径が０.１〜２０μｍ
であることを特徴とする高融点金属シリサイドターゲッ
トである。 【効果】 ターゲット組織中の高融点金属シリサイド粒
とが均一に分散した組織を有していることから、優れた
特性の薄膜を形成できるとともに、パーティクルの発生
を減少させることができるので、半導体製品等での製品
歩留りを飛躍的に向上させることができる。
ｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択される１種類）で表
される高融点金属シリサイド粒と、Ｓｉ粒との焼結体か
らなる高融点金属シリサイドターゲットにおいて、上記
高融点金属シリサイド粒の平均粒径が０.５〜１０μｍ
であり、かつ上記Ｓｉ粒の平均粒径が０.１〜２０μｍ
であることを特徴とする高融点金属シリサイドターゲッ
トである。 【効果】 ターゲット組織中の高融点金属シリサイド粒
とが均一に分散した組織を有していることから、優れた
特性の薄膜を形成できるとともに、パーティクルの発生
を減少させることができるので、半導体製品等での製品
歩留りを飛躍的に向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高融点金属シリサイドタ
ーゲット及びその製造方法に関するものであり、特にス
パッタリング中に発生するパーティクルを抑制した高融
点金属シリサイドターゲット及びその製造方法である。
本発明における高融点金属としては、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒ等である。
ーゲット及びその製造方法に関するものであり、特にス
パッタリング中に発生するパーティクルを抑制した高融
点金属シリサイドターゲット及びその製造方法である。
本発明における高融点金属としては、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒ等である。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体装置の電極あるいは配線
材料としてポリシリコンが用いられてきた。しかし半導
体素子の高集積化に伴いポリシリコン電極の抵抗による
信号伝搬遅延が問題となり、またセルフアライン法によ
るＭＯＳ素子形成を容易化する為に、ゲート電極、ソー
ス電極及びドレイン電極としてポリシリコンより融点の
高い材料の使用が望まれている。こうした状況からポリ
シリコンより抵抗率の低い高融点金属材料として、特に
シリコンゲートプロセスとの互換性に優れた高融点金属
シリサイド電極の研究がなされ、有望な高融点金属シリ
サイドとしてモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ2）、タ
ングステンシリサイド（ＷＳｉ2）などの材料が注目さ
れている。
材料としてポリシリコンが用いられてきた。しかし半導
体素子の高集積化に伴いポリシリコン電極の抵抗による
信号伝搬遅延が問題となり、またセルフアライン法によ
るＭＯＳ素子形成を容易化する為に、ゲート電極、ソー
ス電極及びドレイン電極としてポリシリコンより融点の
高い材料の使用が望まれている。こうした状況からポリ
シリコンより抵抗率の低い高融点金属材料として、特に
シリコンゲートプロセスとの互換性に優れた高融点金属
シリサイド電極の研究がなされ、有望な高融点金属シリ
サイドとしてモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ2）、タ
ングステンシリサイド（ＷＳｉ2）などの材料が注目さ
れている。
【０００３】ところで半導体装置の電極あるいは配線用
の高融点金属シリサイド薄膜の形成に有効な方法とし
て、従来よりスパッタ法及び電子ビーム蒸着法などが知
られている。スパッタ法はターゲット板にアルゴンイオ
ンを衝突させて金属を放出させ、放出金属をターゲット
板に対向配置された基板に堆積させる方法であり、電子
ビーム蒸着法は電子ビームにより蒸発源を加熱して蒸着
を行う方法である。このスパッタ法或いは蒸着法により
生成される膜の純度その他の性状は、ターゲット板の純
度、組成、スパッタリング特性等により左右される。以
下、本明細書において「ターゲット」とは、スパッタ源
或いは蒸着源として板状その他の形態に賦形される高融
点金属シリサイド物品を全て包括するものとする。
の高融点金属シリサイド薄膜の形成に有効な方法とし
て、従来よりスパッタ法及び電子ビーム蒸着法などが知
られている。スパッタ法はターゲット板にアルゴンイオ
ンを衝突させて金属を放出させ、放出金属をターゲット
板に対向配置された基板に堆積させる方法であり、電子
ビーム蒸着法は電子ビームにより蒸発源を加熱して蒸着
を行う方法である。このスパッタ法或いは蒸着法により
生成される膜の純度その他の性状は、ターゲット板の純
度、組成、スパッタリング特性等により左右される。以
下、本明細書において「ターゲット」とは、スパッタ源
或いは蒸着源として板状その他の形態に賦形される高融
点金属シリサイド物品を全て包括するものとする。
【０００４】このターゲットの一般的な製造方法として
は、Ｍｏ、Ｗ等の高融点金属粉にＳｉ粉を混合し、或い
は組成の異なるシリサイド粉を混合し、ホットプレスに
より焼結して板状その他の形状に賦形して製造してい
る。また高融点金属シリサイドの合成方法としては、特
開昭６２−１２３０１０号公報に開示されている合成方
法が知られている。この方法は、Ｍｏ粉末或いはＷ粉末
にＳｉ粉末を目標モル値より過剰に添加混合し、この混
合粉量を３ｋｇ以上として高温真空下で合成を行うこと
により、Ｍｏ或いはＷのジシリサイドを合成する方法で
ある。
は、Ｍｏ、Ｗ等の高融点金属粉にＳｉ粉を混合し、或い
は組成の異なるシリサイド粉を混合し、ホットプレスに
より焼結して板状その他の形状に賦形して製造してい
る。また高融点金属シリサイドの合成方法としては、特
開昭６２−１２３０１０号公報に開示されている合成方
法が知られている。この方法は、Ｍｏ粉末或いはＷ粉末
にＳｉ粉末を目標モル値より過剰に添加混合し、この混
合粉量を３ｋｇ以上として高温真空下で合成を行うこと
により、Ｍｏ或いはＷのジシリサイドを合成する方法で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来方法では、合成された高融点金属シリサイドターゲ
ット中の高融点金属シリサイド粒および遊離Ｓｉ粒の粒
度分布の制御が困難であり、製造されたターゲット中の
シリサイド粒および遊離Ｓｉ粒の粒度分布のバラツキが
極めて大きく、ターゲット中のこれら成分の分散が不均
一となる問題があった。図１及び図２は従来法によって
作製した高融点金属シリサイドターゲットにおけるジシ
リサイドと遊離Ｓｉの粒度分布とを例示するものであ
り、これらの図に示すように、従来のターゲットの組織
に含まれるジシリサイド（高融点金属シリサイド）の粒
径及び遊離Ｓｉの粒径には２つ以上のピークが見られ、
粒度分布のバラツキが大きいことを示している。より具
体的には高融点金属シリサイドの平均粒径が１７μｍ、
遊離Ｓｉの平均粒径が４８μｍ、平均粒径に対するバラ
ツキが、シリサイドの場合−６０〜＋１１０％、遊離Ｓ
ｉが−７０〜＋２２０％程度であった。
従来方法では、合成された高融点金属シリサイドターゲ
ット中の高融点金属シリサイド粒および遊離Ｓｉ粒の粒
度分布の制御が困難であり、製造されたターゲット中の
シリサイド粒および遊離Ｓｉ粒の粒度分布のバラツキが
極めて大きく、ターゲット中のこれら成分の分散が不均
一となる問題があった。図１及び図２は従来法によって
作製した高融点金属シリサイドターゲットにおけるジシ
リサイドと遊離Ｓｉの粒度分布とを例示するものであ
り、これらの図に示すように、従来のターゲットの組織
に含まれるジシリサイド（高融点金属シリサイド）の粒
径及び遊離Ｓｉの粒径には２つ以上のピークが見られ、
粒度分布のバラツキが大きいことを示している。より具
体的には高融点金属シリサイドの平均粒径が１７μｍ、
遊離Ｓｉの平均粒径が４８μｍ、平均粒径に対するバラ
ツキが、シリサイドの場合−６０〜＋１１０％、遊離Ｓ
ｉが−７０〜＋２２０％程度であった。
【０００６】そして、このような従来のターゲットを用
い、ウエハ上にスパッタ法によって成膜した場合、ター
ゲット組織中の高融点金属シリサイド粒と遊離Ｓｉ粒の
それぞれの平均粒径が大きく、またそれらの粒径のバラ
ツキが大きいために、ウエハ上の０.３μｍ以上のパー
ティクル発生数が、６インチウエハに対して３００〜１
０００個と非常に多く発生し、薄膜の特性が悪化すると
ともに、半導体製品の歩留りが悪かった。
い、ウエハ上にスパッタ法によって成膜した場合、ター
ゲット組織中の高融点金属シリサイド粒と遊離Ｓｉ粒の
それぞれの平均粒径が大きく、またそれらの粒径のバラ
ツキが大きいために、ウエハ上の０.３μｍ以上のパー
ティクル発生数が、６インチウエハに対して３００〜１
０００個と非常に多く発生し、薄膜の特性が悪化すると
ともに、半導体製品の歩留りが悪かった。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、優れた特性の薄膜を形成できるとともにスパッタ時
のパーティクルの発生を抑制し、半導体製品等での製品
歩留りを飛躍的に向上させることが可能な高融点金属シ
リサイドターゲットの提供を目的としている。
で、優れた特性の薄膜を形成できるとともにスパッタ時
のパーティクルの発生を抑制し、半導体製品等での製品
歩留りを飛躍的に向上させることが可能な高融点金属シ
リサイドターゲットの提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る高融点金属
シリサイドターゲットは、一般式ＭＳｉ2（ただし、Ｍ
はＭｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選
択される１種類）で表される高融点金属シリサイド粒
と、Ｓｉ粒とを含む焼結体からなる高融点金属シリサイ
ドターゲットにおいて、上記高融点金属シリサイド粒の
平均粒径が０.５〜１０μｍであり、かつ上記Ｓｉ粒の
平均粒径が０.１〜２０μｍであることを特徴とするも
のである。
シリサイドターゲットは、一般式ＭＳｉ2（ただし、Ｍ
はＭｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選
択される１種類）で表される高融点金属シリサイド粒
と、Ｓｉ粒とを含む焼結体からなる高融点金属シリサイ
ドターゲットにおいて、上記高融点金属シリサイド粒の
平均粒径が０.５〜１０μｍであり、かつ上記Ｓｉ粒の
平均粒径が０.１〜２０μｍであることを特徴とするも
のである。
【０００９】さらに上記高融点金属シリサイドターゲッ
トにおいては高融点金属シリサイド粒の粒度分布が上記
平均粒径の±４０％に９５％以上が入り、かつ上記Ｓｉ
粒の粒度分布が上記平均粒径の±５０％に７０％以上が
入るものであることが望ましい。
トにおいては高融点金属シリサイド粒の粒度分布が上記
平均粒径の±４０％に９５％以上が入り、かつ上記Ｓｉ
粒の粒度分布が上記平均粒径の±５０％に７０％以上が
入るものであることが望ましい。
【００１０】また本発明に係る高融点金属シリサイドタ
ーゲットの製造方法は、一般式ＭＳｉ2（ただし、Ｍは
Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択
される１種類）で表され、その平均粒径が０.５〜１０
μｍである高融点金属シリサイドと、平均粒径が０.１
〜２０μｍであるＳｉとを含む粉末を、加熱温度１４０
０〜１４１５℃、加圧１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2、焼
結時間１〜５時間の条件で焼結を行うことを特徴として
いる。
ーゲットの製造方法は、一般式ＭＳｉ2（ただし、Ｍは
Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択
される１種類）で表され、その平均粒径が０.５〜１０
μｍである高融点金属シリサイドと、平均粒径が０.１
〜２０μｍであるＳｉとを含む粉末を、加熱温度１４０
０〜１４１５℃、加圧１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2、焼
結時間１〜５時間の条件で焼結を行うことを特徴として
いる。
【００１１】
【作用】本発明の高融点金属シリサイドターゲットは、
ターゲット組織中の高融点金属シリサイド粒の平均粒径
を０.５〜１０μｍとし、かつＳｉ粒の平均粒径を０.１
〜２０μｍとしたことにより、ターゲット組織中の各成
分の分散が均一化され、このターゲットをスパッタター
ゲットとした場合、パーティクルの発生率が低下する。
ターゲット組織中の高融点金属シリサイド粒の平均粒径
を０.５〜１０μｍとし、かつＳｉ粒の平均粒径を０.１
〜２０μｍとしたことにより、ターゲット組織中の各成
分の分散が均一化され、このターゲットをスパッタター
ゲットとした場合、パーティクルの発生率が低下する。
【００１２】
【実施例】本発明に係る高融点金属シリサイドターゲッ
トは、一般式ＭＳｉ2（ただし、ＭはＭｏ，Ｗ，Ｔａ，
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択される１種類）で
表される高融点金属シリサイド（以下、ＭＳｉ2とい
う）の粒子と、Ｓｉ粒子を含む焼結体からなり、この組
織中のＭＳｉ2粒子の平均粒径を０.５〜１０μｍ、Ｓｉ
粒子の平均粒径を０.１〜２０μｍの範囲としたもので
ある。また上記ＭＳｉ2粒の粒度分布が上記平均粒径の
±４０％に９５％以上が入り、かつ上記Ｓｉ粒の粒度分
布が上記平均粒径の±５０％に７０％以上が入るもので
あることが望ましい。
トは、一般式ＭＳｉ2（ただし、ＭはＭｏ，Ｗ，Ｔａ，
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択される１種類）で
表される高融点金属シリサイド（以下、ＭＳｉ2とい
う）の粒子と、Ｓｉ粒子を含む焼結体からなり、この組
織中のＭＳｉ2粒子の平均粒径を０.５〜１０μｍ、Ｓｉ
粒子の平均粒径を０.１〜２０μｍの範囲としたもので
ある。また上記ＭＳｉ2粒の粒度分布が上記平均粒径の
±４０％に９５％以上が入り、かつ上記Ｓｉ粒の粒度分
布が上記平均粒径の±５０％に７０％以上が入るもので
あることが望ましい。
【００１３】ＭＳｉ2粒及びＳｉ粒の平均粒径が上記範
囲より小さいと、これら粒子に含有される酸素含有量が
多くなり、スパッタ法によって形成される薄膜の特性が
悪化するので好ましくない。一方、ＭＳｉ2粒及びＳｉ
粒の平均粒径が上記範囲より大きいとターゲットの焼結
密度が低下するために、スパッタ時にパーティクルの発
生が多くなってしまう。さらにＭＳｉ2粒及びＳｉ粒の
粒度分布が上記範囲よりも大きくなるとターゲット組織
中の各成分の分布が不均一となり、薄膜の特性が悪化す
ることになる。
囲より小さいと、これら粒子に含有される酸素含有量が
多くなり、スパッタ法によって形成される薄膜の特性が
悪化するので好ましくない。一方、ＭＳｉ2粒及びＳｉ
粒の平均粒径が上記範囲より大きいとターゲットの焼結
密度が低下するために、スパッタ時にパーティクルの発
生が多くなってしまう。さらにＭＳｉ2粒及びＳｉ粒の
粒度分布が上記範囲よりも大きくなるとターゲット組織
中の各成分の分布が不均一となり、薄膜の特性が悪化す
ることになる。
【００１４】また本発明に係る製造方法では、上記ター
ゲットを製造する際に、平均粒径０.５〜１０μｍのＭ
Ｓｉ2粒と、平均粒径が０.１〜２０μｍのＳｉ粒を含む
粉末を、加熱温度１４００〜１４１５℃、加圧１００〜
２００ｋｇ／ｃｍ2、焼結時間１〜５時間の条件でホッ
トプレスして所望の形状のターゲットを作製する。
ゲットを製造する際に、平均粒径０.５〜１０μｍのＭ
Ｓｉ2粒と、平均粒径が０.１〜２０μｍのＳｉ粒を含む
粉末を、加熱温度１４００〜１４１５℃、加圧１００〜
２００ｋｇ／ｃｍ2、焼結時間１〜５時間の条件でホッ
トプレスして所望の形状のターゲットを作製する。
【００１５】ＭＳｉ2とＳｉ粒を含む粉末は、Ｍｏ，
Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択される
１種類の高融点金属粉末とＳｉ粉末とを加熱反応させて
ＭＳｉ2を生成させ、このＭＳｉ2と未反応のＳｉ（遊離
Ｓｉ）を含む焼成物を粉砕することにより作製される。
ここで用いる高融点金属の粉末とＳｉ粉末は４Ｎ以上の
高純度の材料を用いる必要がある。又これら原料粉末の
平均粒径は、タングステン（Ｗ）などの高融点金属粉末
が０.３〜８μｍ、Ｓｉが０.２〜１５μｍ程度とするの
が望ましい。これらの原料粉末は混合器で充分に混合し
た後、５×１０-3Torr以下の減圧雰囲気中、１２５０〜
１３５０℃で３０分〜４時間焼成して反応させる。この
焼成で得られたＭＳｉ2と未反応のＳｉ（遊離Ｓｉ）を
含む焼成物は、ボールミル等の粉砕器を用いて粉砕し、
粒径２５０μｍ以下の粉末とする。焼成された粉末組織
のうち、生成したＭＳｉ2粒は反応前の高融点金属粉末
よりも１０〜３０％膨張し、平均粒径は０.５〜１０μ
ｍとなる。一方未反応のＳｉ粒は一部粉砕され、一部凝
集するために平均粒径は０.１〜２０μｍ程度となる。
なお、焼成後の粉砕は、過度に微粉砕する必要はない。
Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択される
１種類の高融点金属粉末とＳｉ粉末とを加熱反応させて
ＭＳｉ2を生成させ、このＭＳｉ2と未反応のＳｉ（遊離
Ｓｉ）を含む焼成物を粉砕することにより作製される。
ここで用いる高融点金属の粉末とＳｉ粉末は４Ｎ以上の
高純度の材料を用いる必要がある。又これら原料粉末の
平均粒径は、タングステン（Ｗ）などの高融点金属粉末
が０.３〜８μｍ、Ｓｉが０.２〜１５μｍ程度とするの
が望ましい。これらの原料粉末は混合器で充分に混合し
た後、５×１０-3Torr以下の減圧雰囲気中、１２５０〜
１３５０℃で３０分〜４時間焼成して反応させる。この
焼成で得られたＭＳｉ2と未反応のＳｉ（遊離Ｓｉ）を
含む焼成物は、ボールミル等の粉砕器を用いて粉砕し、
粒径２５０μｍ以下の粉末とする。焼成された粉末組織
のうち、生成したＭＳｉ2粒は反応前の高融点金属粉末
よりも１０〜３０％膨張し、平均粒径は０.５〜１０μ
ｍとなる。一方未反応のＳｉ粒は一部粉砕され、一部凝
集するために平均粒径は０.１〜２０μｍ程度となる。
なお、焼成後の粉砕は、過度に微粉砕する必要はない。
【００１６】ついでこの焼成粉末を、加熱温度１４００
〜１４１５℃、加圧１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2、焼結
時間１〜５時間の条件でホットプレスする。このホット
プレスによる焼結では、Ｓｉの融点直下の温度に加熱す
ることにより、Ｓｉが塑性変形するため、ＳｉがＭＳｉ
2粒の間を埋め、焼結強度を高める。このホットプレス
の加圧力はＳｉに塑性変形を与える程度で良く、１００
〜２００ｋｇ／ｃｍ2、好ましくは１３０〜１８０ｋｇ
／ｃｍ2程度が適当である。焼結に要する加熱時間は好
ましくは１〜３時間程度が適当である。
〜１４１５℃、加圧１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2、焼結
時間１〜５時間の条件でホットプレスする。このホット
プレスによる焼結では、Ｓｉの融点直下の温度に加熱す
ることにより、Ｓｉが塑性変形するため、ＳｉがＭＳｉ
2粒の間を埋め、焼結強度を高める。このホットプレス
の加圧力はＳｉに塑性変形を与える程度で良く、１００
〜２００ｋｇ／ｃｍ2、好ましくは１３０〜１８０ｋｇ
／ｃｍ2程度が適当である。焼結に要する加熱時間は好
ましくは１〜３時間程度が適当である。
【００１７】（実験例）平均粒径１.７μｍのタングス
テン粉末（純度５Ｎ）７ｋｇと、平均粒径４.５μｍの
Ｓｉ粉末（純度６Ｎ）３.１ｋｇとをＶ型混合器を用い
て３０分混合した。この混合粉末を、２×１０-3Torr以
下の減圧雰囲気中、１２８０℃で２時間焼成し、この焼
成後、生成物をボールミルにて１時間粉砕した。得られ
た粉末を６０メッシュで篩分けして２５０μｍ以下の粉
末を得た。ついで得られた粉末を、５×１０-4Torr以下
の減圧雰囲気中、圧力１４０ｋｇ／ｃｍ2、温度１４１
０℃で２時間のホットプレスを行った。得られたホット
プレス焼結体を適宜に研削し、スパッタ用ターゲットを
作製した。このターゲットをPb-40%Snハンダを用いてタ
ーゲット支持体にボンディングし、スパッタ装置に装着
した。このターゲット（本発明ターゲット）を用い、６
インチウエハを基板とし、Ａｒが５×１０-3Torrの雰囲
気として出力２ｋＷで直流マグネトロンスパッタを実施
した。
テン粉末（純度５Ｎ）７ｋｇと、平均粒径４.５μｍの
Ｓｉ粉末（純度６Ｎ）３.１ｋｇとをＶ型混合器を用い
て３０分混合した。この混合粉末を、２×１０-3Torr以
下の減圧雰囲気中、１２８０℃で２時間焼成し、この焼
成後、生成物をボールミルにて１時間粉砕した。得られ
た粉末を６０メッシュで篩分けして２５０μｍ以下の粉
末を得た。ついで得られた粉末を、５×１０-4Torr以下
の減圧雰囲気中、圧力１４０ｋｇ／ｃｍ2、温度１４１
０℃で２時間のホットプレスを行った。得られたホット
プレス焼結体を適宜に研削し、スパッタ用ターゲットを
作製した。このターゲットをPb-40%Snハンダを用いてタ
ーゲット支持体にボンディングし、スパッタ装置に装着
した。このターゲット（本発明ターゲット）を用い、６
インチウエハを基板とし、Ａｒが５×１０-3Torrの雰囲
気として出力２ｋＷで直流マグネトロンスパッタを実施
した。
【００１８】一方、従来法によってタングステンシリサ
イドターゲットを作製した。この従来品ターゲットは高
融点金属シリサイドの平均粒径が１７μｍ、遊離Ｓｉの
平均粒径が４８μｍ、平均粒径に対するバラツキが、ジ
シリサイドの場合−６０〜＋１１０％、遊離Ｓｉが−７
０〜＋２２０％程度であった。この従来品ターゲットに
ついても上述した本発明ターゲットと同じ条件でウエハ
上にスパッタを実施した。
イドターゲットを作製した。この従来品ターゲットは高
融点金属シリサイドの平均粒径が１７μｍ、遊離Ｓｉの
平均粒径が４８μｍ、平均粒径に対するバラツキが、ジ
シリサイドの場合−６０〜＋１１０％、遊離Ｓｉが−７
０〜＋２２０％程度であった。この従来品ターゲットに
ついても上述した本発明ターゲットと同じ条件でウエハ
上にスパッタを実施した。
【００１９】これら双方のターゲットを用いてスパッタ
法による薄膜形成を行い、発生した０.３μｍ以上の大
きさのパーティクルの発生個数を測定した結果、従来品
ターゲットを用いた場合には３００〜１０００個程度の
多数のパーティクルが発生したのに対し、本発明ターゲ
ットでのパーティクル発生個数は１０〜３０程度と少数
であった。
法による薄膜形成を行い、発生した０.３μｍ以上の大
きさのパーティクルの発生個数を測定した結果、従来品
ターゲットを用いた場合には３００〜１０００個程度の
多数のパーティクルが発生したのに対し、本発明ターゲ
ットでのパーティクル発生個数は１０〜３０程度と少数
であった。
【００２０】さらに、電子顕微鏡により双方のターゲッ
トの組織を調べた結果、本発明ターゲットは図３に示す
ように、ＷＳｉ2粒（図中白部分）と遊離Ｓｉ粒（図中
黒色部分）とが概ね均一に分散して存在しているのに対
し、従来品ターゲットは図４に示すように、ＷＳｉ2粒
および遊離Ｓｉ粒の大きさにバラツキが大きく、特に遊
離Ｓｉが大きな粒子となっている。
トの組織を調べた結果、本発明ターゲットは図３に示す
ように、ＷＳｉ2粒（図中白部分）と遊離Ｓｉ粒（図中
黒色部分）とが概ね均一に分散して存在しているのに対
し、従来品ターゲットは図４に示すように、ＷＳｉ2粒
および遊離Ｓｉ粒の大きさにバラツキが大きく、特に遊
離Ｓｉが大きな粒子となっている。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ターゲット組織中の高融点金属シリサイド粒と遊離Ｓｉ
粒の平均粒径と粒度分布がほぼ均一となり、双方の粒子
が均一に分散した状態の組織を有していることから、こ
のターゲットをスパッタターゲットとした場合、優れた
特性の薄膜を形成できるとともに、パーティクルの発生
を減少させることができるので、半導体製品等での製品
歩留りを飛躍的に向上させることができるという優れた
効果を奏する。
ターゲット組織中の高融点金属シリサイド粒と遊離Ｓｉ
粒の平均粒径と粒度分布がほぼ均一となり、双方の粒子
が均一に分散した状態の組織を有していることから、こ
のターゲットをスパッタターゲットとした場合、優れた
特性の薄膜を形成できるとともに、パーティクルの発生
を減少させることができるので、半導体製品等での製品
歩留りを飛躍的に向上させることができるという優れた
効果を奏する。
【図１】従来の高融点金属シリサイドターゲット中のジ
シリサイドの粒度分布を例示するグラフである。
シリサイドの粒度分布を例示するグラフである。
【図２】従来の高融点金属シリサイドターゲット中の遊
離Ｓｉの粒度分布を例示するグラフである。
離Ｓｉの粒度分布を例示するグラフである。
【図３】本発明の実験例で作製した本発明ターゲットの
組織を示す拡大図である。
組織を示す拡大図である。
【図４】本発明の実験例で作製した従来品ターゲットの
組織を示す拡大図である。
組織を示す拡大図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｔ 9055−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式ＭＳｉ2（ただし、ＭはＭｏ，
Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択される
１種類）で表される高融点金属シリサイド粒と、Ｓｉ粒
との焼結体からなる高融点金属シリサイドターゲットに
おいて、上記高融点金属シリサイド粒の平均粒径が０.
５〜１０μｍであり、かつ上記Ｓｉ粒の平均粒径が０.
１〜２０μｍであることを特徴とする高融点金属シリサ
イドターゲット。 - 【請求項２】 上記高融点金属シリサイド粒の粒度分布
が上記平均粒径の±４０％に９５％以上が入り、かつ上
記Ｓｉ粒の粒度分布が上記平均粒径の±５０％に７０％
以上が入るものであることを特徴とする請求項１記載の
高融点金属シリサイドターゲット。 - 【請求項３】 一般式ＭＳｉ2（ただし、ＭはＭｏ，
Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｒの内から選択される
１種類）で表され、その平均粒径が０.５〜１０μｍで
ある高融点金属シリサイドと、平均粒径が０.１〜２０
μｍであるＳｉとを含む粉末を、加熱温度１４００〜１
４１５℃、加圧１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2、焼結時間
１〜５時間の条件で焼結を行うことを特徴とする高融点
金属シリサイドターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4169534A JPH0610124A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4169534A JPH0610124A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0610124A true JPH0610124A (ja) | 1994-01-18 |
Family
ID=15888281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4169534A Pending JPH0610124A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610124A (ja) |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP4169534A patent/JPH0610124A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2794382B2 (ja) | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| EP0616045B1 (en) | Silicide targets for sputtering and method of manufacturing the same | |
| JP2014012895A (ja) | 高密度の耐熱金属及び合金のスパッタリングターゲット | |
| CN101687709A (zh) | 烧结硅晶片 | |
| JP4405606B2 (ja) | チタンスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2001295036A (ja) | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH0610123A (ja) | 高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| JP2594794B2 (ja) | シリサイドターゲットとその製造方法 | |
| JPH0610124A (ja) | 高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| JP2001295035A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2003167324A (ja) | 金属シリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP3625928B2 (ja) | Ｔａ／Ｓｉ系焼結合金の製造方法 | |
| JPH0616412A (ja) | 高融点金属シリサイドの製造方法 | |
| JP3528980B2 (ja) | タングステンシリサイドターゲット材およびその製造方法 | |
| JPH0247261A (ja) | シリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JP4921653B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH0616411A (ja) | 高純度シリコン粉末の製造方法 | |
| JP3707622B2 (ja) | 金属シリサイドターゲット材 | |
| JP2789547B2 (ja) | スパッタリング用チタンシリサイドターゲット及びその製造方法 | |
| JP2861383B2 (ja) | シリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH02247379A (ja) | シリサイドターゲットの製造方法 | |
| JPH051370A (ja) | スパツタリング用シリサイドターゲツト及びその製造方法 | |
| JP7178707B2 (ja) | ＭｇＯ－ＴｉＯ系スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH08269702A (ja) | モリブデンシリサイドターゲット材およびその製造方法 | |
| JPH05140739A (ja) | シリサイドターゲツトの製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001010 |