JPH0616412A - 高融点金属シリサイドの製造方法 - Google Patents
高融点金属シリサイドの製造方法Info
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- JPH0616412A JPH0616412A JP4169532A JP16953292A JPH0616412A JP H0616412 A JPH0616412 A JP H0616412A JP 4169532 A JP4169532 A JP 4169532A JP 16953292 A JP16953292 A JP 16953292A JP H0616412 A JPH0616412 A JP H0616412A
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- Japan
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- refractory metal
- metal silicide
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- firing
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/06—Metal silicides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高融点金属シリサイドの粒径を微細化する。
【構成】 平均粒径が５μm以下の高融点金属と、平均
粒径が１００μm以下のＳｉ粉末を混合して焼成し、粉
砕する高融点金属シリサイドの製造方法であって、Ｓｉ
粉末の添加混合と焼成，粉砕を複数回繰り返す。 【効果】 焼成に長時間を要することなく、得られる高
融点金属シリサイドの粒子を微細化できる。従って、こ
の高融点金属シリサイドを使用してターゲットを製造す
れば、遊離Ｓｉの凝集を抑制し、パーティクルの生成を
防止できる。
粒径が１００μm以下のＳｉ粉末を混合して焼成し、粉
砕する高融点金属シリサイドの製造方法であって、Ｓｉ
粉末の添加混合と焼成，粉砕を複数回繰り返す。 【効果】 焼成に長時間を要することなく、得られる高
融点金属シリサイドの粒子を微細化できる。従って、こ
の高融点金属シリサイドを使用してターゲットを製造す
れば、遊離Ｓｉの凝集を抑制し、パーティクルの生成を
防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高融点金属シリサイドの
製造方法に関するもので、特にスパッタリングターゲッ
トに使用するものに関するものである。
製造方法に関するもので、特にスパッタリングターゲッ
トに使用するものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＬＳＩデバイスのゲート電極や
ソース電極またはドレイン電極を製造するには、高度の
薄膜成形技術が必要である。薄膜を成形する技術には、
スパッタ法や電子ビーム蒸着法等がある。スパッタ法は
ターゲット板にアルゴンイオン等を衝突させてターゲッ
ト板から所望の金属を放出させ、その放出された金属を
該ターゲット板に対向する基板上に堆積させて薄膜を得
るものである。電子ビーム蒸着法は電子ビームによりイ
ンゴット蒸着源を溶解し、蒸着を行なう方法である。い
ずれにせよ、生成膜の純度その他の特性は、ターゲット
板あるいは蒸着源の純度、組成、スパッタリング特性等
に左右されるものである。ところで、例えば前記ＬＳＩ
のゲート電極やソース電極またはドレイン電極の薄膜は
高融点金属シリサイドで形成することが要求されてい
る。高融点金属シリサイドとしては、例えば、モリブテ
ンシリサイド（ＭｏＳｉx）やタングステンシリサイド
（ＷＳｉ）等がある。ターゲットを製造するには、一般
に、高純度のＳｉ粉と、高純度のＭｏ粉またはＷ粉を所
定の配合比で混合し、その混合物を真空中で加熱し、あ
るいはＳｉＣｌ4気流中で加熱して金属シリサイドを合
成する。合成されたシリサイド塊は粉砕し、さらに必要
に応じてＳｉ粉を加えて組成調整する。その後、成形お
よび真空中で焼結または加圧焼結し、シリサイドの焼結
体を製造してターゲットとなる。
ソース電極またはドレイン電極を製造するには、高度の
薄膜成形技術が必要である。薄膜を成形する技術には、
スパッタ法や電子ビーム蒸着法等がある。スパッタ法は
ターゲット板にアルゴンイオン等を衝突させてターゲッ
ト板から所望の金属を放出させ、その放出された金属を
該ターゲット板に対向する基板上に堆積させて薄膜を得
るものである。電子ビーム蒸着法は電子ビームによりイ
ンゴット蒸着源を溶解し、蒸着を行なう方法である。い
ずれにせよ、生成膜の純度その他の特性は、ターゲット
板あるいは蒸着源の純度、組成、スパッタリング特性等
に左右されるものである。ところで、例えば前記ＬＳＩ
のゲート電極やソース電極またはドレイン電極の薄膜は
高融点金属シリサイドで形成することが要求されてい
る。高融点金属シリサイドとしては、例えば、モリブテ
ンシリサイド（ＭｏＳｉx）やタングステンシリサイド
（ＷＳｉ）等がある。ターゲットを製造するには、一般
に、高純度のＳｉ粉と、高純度のＭｏ粉またはＷ粉を所
定の配合比で混合し、その混合物を真空中で加熱し、あ
るいはＳｉＣｌ4気流中で加熱して金属シリサイドを合
成する。合成されたシリサイド塊は粉砕し、さらに必要
に応じてＳｉ粉を加えて組成調整する。その後、成形お
よび真空中で焼結または加圧焼結し、シリサイドの焼結
体を製造してターゲットとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうして製造された高
融点金属シリサイドからなるターゲットは、その平均粒
径が大きく、かつその粒径にばらつきが生じてしまうも
のであった。測定結果を図１，２に示す。図１はターゲ
ット中の高融点金属シリサイドの粒径とその個数の関係
を示すものであり、図２は同じくターゲット中の遊離Ｓ
ｉの粒径とその個数の関係を示すものである。図１，２
からも明らかであるが、高融点金属シリサイドは、その
平均粒径は１７μmと大きく、しかも個数のピークが２
つ以上存在し、平均粒径に対するばらつきは、−６０〜
１１０％である。また、遊離Ｓｉも、その平均粒径は４
８μmと大きく、しかも個数のピークは２つ以上存在
し、その平均粒径に対するばらつきは−７０〜２２０％
にもなるものであった。こうした高融点金属シリサイド
粒および遊離Ｓｉ粒の平均粒径が大きいこと、また粒径
のばらつきが大きいことは製造されるターゲットに巨大
なパーティクルを生じさせてしまうものであった。こう
した巨大パーティクルの生成は品質の著しい低下をきた
し、製造歩留りを大幅に悪化させてしまうものであっ
た。例えば、ターゲットを６インチウエハ上に製造して
みたところ、０.３μm以上のパーティクルの数は３００
〜１０００個と非常に多かった。そこで、凝集した遊離
のＳｉはふるいにより取り除かなければならなかった。
その為に、および組成の調整の為に、さらにＳｉ粉ある
いは別途に用意した組成の異なる原料粉を使用しなけら
ばならなかった。
融点金属シリサイドからなるターゲットは、その平均粒
径が大きく、かつその粒径にばらつきが生じてしまうも
のであった。測定結果を図１，２に示す。図１はターゲ
ット中の高融点金属シリサイドの粒径とその個数の関係
を示すものであり、図２は同じくターゲット中の遊離Ｓ
ｉの粒径とその個数の関係を示すものである。図１，２
からも明らかであるが、高融点金属シリサイドは、その
平均粒径は１７μmと大きく、しかも個数のピークが２
つ以上存在し、平均粒径に対するばらつきは、−６０〜
１１０％である。また、遊離Ｓｉも、その平均粒径は４
８μmと大きく、しかも個数のピークは２つ以上存在
し、その平均粒径に対するばらつきは−７０〜２２０％
にもなるものであった。こうした高融点金属シリサイド
粒および遊離Ｓｉ粒の平均粒径が大きいこと、また粒径
のばらつきが大きいことは製造されるターゲットに巨大
なパーティクルを生じさせてしまうものであった。こう
した巨大パーティクルの生成は品質の著しい低下をきた
し、製造歩留りを大幅に悪化させてしまうものであっ
た。例えば、ターゲットを６インチウエハ上に製造して
みたところ、０.３μm以上のパーティクルの数は３００
〜１０００個と非常に多かった。そこで、凝集した遊離
のＳｉはふるいにより取り除かなければならなかった。
その為に、および組成の調整の為に、さらにＳｉ粉ある
いは別途に用意した組成の異なる原料粉を使用しなけら
ばならなかった。
【０００４】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、高融点金属シリサイドの粒径をより微細化す
ることにある。
たもので、高融点金属シリサイドの粒径をより微細化す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の高融点金属シリ
サイドの製造方法は、平均粒径が５μm以下の高融点金
属と、平均粒径が１００μm以下のＳｉ粉末を混合して
焼成し、粉砕する高融点金属シリサイドの製造方法であ
って、Ｓｉ粉末の添加混合と焼成，粉砕を複数回繰り返
すことを特徴とするものである。
サイドの製造方法は、平均粒径が５μm以下の高融点金
属と、平均粒径が１００μm以下のＳｉ粉末を混合して
焼成し、粉砕する高融点金属シリサイドの製造方法であ
って、Ｓｉ粉末の添加混合と焼成，粉砕を複数回繰り返
すことを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】本発明の高融点金属シリサイドは、原料として
使用する高融点金属とＳｉの粒径を限定して製造される
ものである。高融点金属の粒径を５μm以下とすること
で、生成される高融点金属シリサイドの粒子を微細化す
ることのできる。Ｓｉの粒径を１００μm以下とするこ
とで、焼成に要する時間を短縮することができる。さら
に、製造過程で生成される中間物質である金属間化合物
に、Ｓｉの添加混合および焼成を繰り返すことで、反応
を完結し、余剰の遊離Ｓｉの凝集を抑制することができ
る。
使用する高融点金属とＳｉの粒径を限定して製造される
ものである。高融点金属の粒径を５μm以下とすること
で、生成される高融点金属シリサイドの粒子を微細化す
ることのできる。Ｓｉの粒径を１００μm以下とするこ
とで、焼成に要する時間を短縮することができる。さら
に、製造過程で生成される中間物質である金属間化合物
に、Ｓｉの添加混合および焼成を繰り返すことで、反応
を完結し、余剰の遊離Ｓｉの凝集を抑制することができ
る。
【０００７】
【実施例】高融点金属シリサイドを製造するにあたっ
て、まず、材料を即ち高融点金属とＳｉを正確に秤量す
る。このとき使用する高融点金属は、その粒径が５μm
以下のものを使用し、Ｓｉはその粒径が１００μm以下
のものを使用する。尚、高融点金属には、Ｍｏ（モリブ
テン）やＷ（タングステン）の他、Ｔｉ（チタン）、Ｎ
ｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウ
ム）、Ｃｒ（クロム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｎｉ（ニ
ッケル）等を使用できる。秤量した高融点金属とＳｉを
よく混合した後、１２５０℃〜１３５０℃で３０分〜４
時間焼成し、焼成後、粉砕する。この粉砕したものにさ
らにＳｉを加え、よく混合して焼成し、再び粉砕する。
このＳｉの添加，混合、焼成、粉砕の工程は５回程度繰
り返すことが望ましく、また十分である。５回程行なえ
ば、それ以上繰り返してもさらなる効果は得られないと
考えられるからである。こうして、微細な粒子からなる
高融点金属シリサイド粒が製造される。
て、まず、材料を即ち高融点金属とＳｉを正確に秤量す
る。このとき使用する高融点金属は、その粒径が５μm
以下のものを使用し、Ｓｉはその粒径が１００μm以下
のものを使用する。尚、高融点金属には、Ｍｏ（モリブ
テン）やＷ（タングステン）の他、Ｔｉ（チタン）、Ｎ
ｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウ
ム）、Ｃｒ（クロム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｎｉ（ニ
ッケル）等を使用できる。秤量した高融点金属とＳｉを
よく混合した後、１２５０℃〜１３５０℃で３０分〜４
時間焼成し、焼成後、粉砕する。この粉砕したものにさ
らにＳｉを加え、よく混合して焼成し、再び粉砕する。
このＳｉの添加，混合、焼成、粉砕の工程は５回程度繰
り返すことが望ましく、また十分である。５回程行なえ
ば、それ以上繰り返してもさらなる効果は得られないと
考えられるからである。こうして、微細な粒子からなる
高融点金属シリサイド粒が製造される。
【０００８】さらに、この得られた高融点金属シリサイ
ドをふるいに分け、温度１４００℃〜１４１５℃、圧力
１００〜２００kg/cm2で１〜５時間加圧焼結し、研削、
ボンディングをしてスパッタリングのターゲット用の高
融点金属シリサイドが製造される。加圧焼結において、
加熱はＳｉの融点直下で行なえば、Ｓｉが塑性変形する
ので、その塑性変形されたＳｉがジシリサイド粒子間を
埋め、焼結強度を高めることができる。また、加圧力は
Ｓｉに塑性変形を与える程度で良く、上記１００〜２０
０kg/cm2、より好ましくは、１３０〜１８０kg/cm2が適
当である。さらにまた、焼結に要する時間は、３０分〜
４時間、より好ましくは、１〜３時間が適当である。
ドをふるいに分け、温度１４００℃〜１４１５℃、圧力
１００〜２００kg/cm2で１〜５時間加圧焼結し、研削、
ボンディングをしてスパッタリングのターゲット用の高
融点金属シリサイドが製造される。加圧焼結において、
加熱はＳｉの融点直下で行なえば、Ｓｉが塑性変形する
ので、その塑性変形されたＳｉがジシリサイド粒子間を
埋め、焼結強度を高めることができる。また、加圧力は
Ｓｉに塑性変形を与える程度で良く、上記１００〜２０
０kg/cm2、より好ましくは、１３０〜１８０kg/cm2が適
当である。さらにまた、焼結に要する時間は、３０分〜
４時間、より好ましくは、１〜３時間が適当である。
【０００９】本発明では、高融点金属として、その粒径
が５μm以下であること、Ｓｉの粒径が１００μm以下で
あること、Ｓｉの添加混合と焼成および粉砕を複数回繰
り返すことを特徴とするものである。高融点金属の粒径
を５μm以下としたのは、粒径が５μmよりも大きいと、
最終生成物である高融点金属シリサイド（ＭＳｉ2
Ｍ：高融点金属）の生成中間物質である金属間化合物で
あって、ＭxＳｉy（x，yはそれぞれ任意の整数）で示さ
れる粒子が粗粒となり、微細組織が得られないからであ
る。また、Ｓｉの粒径を１００μm以下としたのは、粒
径が１００μmよりも大きいと、焼成の進行が遅くな
り、焼成に長時間を要してしまうからである。また、Ｓ
ｉの添加混合および焼成が従来のように１回きりだと、
反応が不完全であったが、複数回繰り返すことで、反応
を完結し、もって余剰の遊離Ｓｉの巨大凝集を防止する
ことができるものである。尚、原料として使用する高融
点金属の粒径は０.３μm以上、Ｓｉは０.２μm以上であ
ることが好ましい。これらの粒径がそれ以下であると、
Ｏ2含有量が多くなり過ぎて、スパッタで成膜された膜
の品質が低下してしまうからである。よって、本発明の
高融点金属シリサイドの製造方法では、その原料として
使用する高融点金属およびＳｉの粒径を限定し、かつＳ
ｉの添加混合、焼成および粉砕を繰り返すことから、得
られる高融点金属シリサイドの粒径を小さく均一化し、
かつ遊離Ｓｉの粒径も小さく均一化することのできるも
のである。従って、製造されるターゲット中の、巨大な
パーティクルの生成を抑制することができる。また、本
実施例の方法であれば、組成を調整するためのＳｉある
いは別途に用意した組成の異なる原料粉を使用すること
なく、高融点金属シリサイドを製造することができる。
が５μm以下であること、Ｓｉの粒径が１００μm以下で
あること、Ｓｉの添加混合と焼成および粉砕を複数回繰
り返すことを特徴とするものである。高融点金属の粒径
を５μm以下としたのは、粒径が５μmよりも大きいと、
最終生成物である高融点金属シリサイド（ＭＳｉ2
Ｍ：高融点金属）の生成中間物質である金属間化合物で
あって、ＭxＳｉy（x，yはそれぞれ任意の整数）で示さ
れる粒子が粗粒となり、微細組織が得られないからであ
る。また、Ｓｉの粒径を１００μm以下としたのは、粒
径が１００μmよりも大きいと、焼成の進行が遅くな
り、焼成に長時間を要してしまうからである。また、Ｓ
ｉの添加混合および焼成が従来のように１回きりだと、
反応が不完全であったが、複数回繰り返すことで、反応
を完結し、もって余剰の遊離Ｓｉの巨大凝集を防止する
ことができるものである。尚、原料として使用する高融
点金属の粒径は０.３μm以上、Ｓｉは０.２μm以上であ
ることが好ましい。これらの粒径がそれ以下であると、
Ｏ2含有量が多くなり過ぎて、スパッタで成膜された膜
の品質が低下してしまうからである。よって、本発明の
高融点金属シリサイドの製造方法では、その原料として
使用する高融点金属およびＳｉの粒径を限定し、かつＳ
ｉの添加混合、焼成および粉砕を繰り返すことから、得
られる高融点金属シリサイドの粒径を小さく均一化し、
かつ遊離Ｓｉの粒径も小さく均一化することのできるも
のである。従って、製造されるターゲット中の、巨大な
パーティクルの生成を抑制することができる。また、本
実施例の方法であれば、組成を調整するためのＳｉある
いは別途に用意した組成の異なる原料粉を使用すること
なく、高融点金属シリサイドを製造することができる。
【００１０】高融点金属であるＷと、Ｓｉの粒径を変え
て各種金属シリサイドを製造し、かつその得られた金属
シリサイドを使用してターゲットを製造し、その製造さ
れたターゲット中のＷＳｉ2と遊離Ｓｉの粒径を測定し
た。用いたＷ（タングステン）は、その平均粒径（μ
m）が、本実施例に該当する０.３、０.５、１.３、１.
７、２.２のものと、比較例に該当する６.５、７.９の
ものを使用した。実験に使用した高融点金属シリサイド
の製造は、まず、純度が５ＮのＷを７.０kgと、純度が
６ＮのＳｉを３.１kg用意し、これらをＶ型混合器で３
０分混合した。その後、真空度２×１０-3Torr以下、１
２８０℃の雰囲気中で２時間焼成した。焼成後、ボール
ミルで１時間粉砕し、２５０μm以下（６０メッシュア
ンダー）の乾式でふるい分けし、５×１０-4Torr以下、
１４１０℃に雰囲気中で、圧力１４０kg/cm2、２時間加
圧焼結した。その後、研削し、Ｐｂ−４０％Ｓｎハンダ
でボンディングしてターゲットを得た。得られたターゲ
ット中の高融点金属シリサイドＷＳｉ2と遊離Ｓｉの平
均粒径を測定した。測定結果を表１に示す。
て各種金属シリサイドを製造し、かつその得られた金属
シリサイドを使用してターゲットを製造し、その製造さ
れたターゲット中のＷＳｉ2と遊離Ｓｉの粒径を測定し
た。用いたＷ（タングステン）は、その平均粒径（μ
m）が、本実施例に該当する０.３、０.５、１.３、１.
７、２.２のものと、比較例に該当する６.５、７.９の
ものを使用した。実験に使用した高融点金属シリサイド
の製造は、まず、純度が５ＮのＷを７.０kgと、純度が
６ＮのＳｉを３.１kg用意し、これらをＶ型混合器で３
０分混合した。その後、真空度２×１０-3Torr以下、１
２８０℃の雰囲気中で２時間焼成した。焼成後、ボール
ミルで１時間粉砕し、２５０μm以下（６０メッシュア
ンダー）の乾式でふるい分けし、５×１０-4Torr以下、
１４１０℃に雰囲気中で、圧力１４０kg/cm2、２時間加
圧焼結した。その後、研削し、Ｐｂ−４０％Ｓｎハンダ
でボンディングしてターゲットを得た。得られたターゲ
ット中の高融点金属シリサイドＷＳｉ2と遊離Ｓｉの平
均粒径を測定した。測定結果を表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１から明らかな通り、粒径が５μm以下
のＷを使用したものは、得られた高融点金属シリサイド
ＷＳｉ2及び遊離Ｓｉの粒径が小さいが、５μmよりも大
きい粒径のＷを使用したものは、得られた高融点金属シ
リサイドのＷＳｉ2の粒径および遊離Ｓｉの粒径が非常
に大きくなってしまっていることがわかる。
のＷを使用したものは、得られた高融点金属シリサイド
ＷＳｉ2及び遊離Ｓｉの粒径が小さいが、５μmよりも大
きい粒径のＷを使用したものは、得られた高融点金属シ
リサイドのＷＳｉ2の粒径および遊離Ｓｉの粒径が非常
に大きくなってしまっていることがわかる。
【００１３】
【発明の効果】本発明の高融点金属シリサイドの製造方
法は、平均粒径が５μm以下の高融点金属と、平均粒径
が１００μm以下のＳｉ粉末を混合して焼成し、粉砕す
る高融点金属シリサイドの製造方法であって、Ｓｉ粉末
の添加混合、焼成および粉砕を複数回繰り返すことを特
徴とするもので、焼成に長時間を要することなく、得ら
れる高融点金属シリサイドの粒子を微細化することので
きるものである。従って、本発明の高融点金属シリサイ
ドを使用してターゲットを製造すれば、遊離Ｓｉの凝集
を抑制し、パーティクルの生成を防止するものである。
従って、品質の低下を招くことなく、製造歩留りを向上
させることができる。
法は、平均粒径が５μm以下の高融点金属と、平均粒径
が１００μm以下のＳｉ粉末を混合して焼成し、粉砕す
る高融点金属シリサイドの製造方法であって、Ｓｉ粉末
の添加混合、焼成および粉砕を複数回繰り返すことを特
徴とするもので、焼成に長時間を要することなく、得ら
れる高融点金属シリサイドの粒子を微細化することので
きるものである。従って、本発明の高融点金属シリサイ
ドを使用してターゲットを製造すれば、遊離Ｓｉの凝集
を抑制し、パーティクルの生成を防止するものである。
従って、品質の低下を招くことなく、製造歩留りを向上
させることができる。
【図１】従来例のターゲット中の高融点金属ジシリサイ
ドの粒径分布を示すグラフである。
ドの粒径分布を示すグラフである。
【図２】従来例のターゲット中の遊離Ｓｉの粒径分布を
示すグラフである。
示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/34 9046−4Ｋ
Claims (1)
- 【請求項１】 平均粒径が５μm以下の高融点金属と、
平均粒径が１００μm以下のＳｉ粉末を混合して焼成
し、粉砕する高融点金属シリサイドの製造方法であっ
て、Ｓｉ粉末の添加混合と焼成，粉砕を複数回繰り返す
ことを特徴とする高融点金属シリサイドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4169532A JPH0616412A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 高融点金属シリサイドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4169532A JPH0616412A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 高融点金属シリサイドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0616412A true JPH0616412A (ja) | 1994-01-25 |
Family
ID=15888245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4169532A Pending JPH0616412A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 高融点金属シリサイドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616412A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003009367A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Nikko Materials Company, Limited | Hafnium silicide target for forming gate oxide film and method for preparation thereof |
| WO2019187329A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステンシリサイドターゲット部材及びその製造方法、並びにタングステンシリサイド膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP4169532A patent/JPH0616412A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003009367A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Nikko Materials Company, Limited | Hafnium silicide target for forming gate oxide film and method for preparation thereof |
| US7517515B2 (en) | 2001-07-18 | 2009-04-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Hafnium silicide target for forming gate oxide film and method for preparation thereof |
| US7674446B2 (en) | 2001-07-18 | 2010-03-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Hafnium silicide target for forming gate oxide film, and method for preparation thereof |
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